JPH02194056A - 芳香族ポリスルフォン樹脂成形材料 - Google Patents
芳香族ポリスルフォン樹脂成形材料Info
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- JPH02194056A JPH02194056A JP1463589A JP1463589A JPH02194056A JP H02194056 A JPH02194056 A JP H02194056A JP 1463589 A JP1463589 A JP 1463589A JP 1463589 A JP1463589 A JP 1463589A JP H02194056 A JPH02194056 A JP H02194056A
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- polysulfone resin
- gas
- aromatic polysulfone
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- resin molding
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- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
- C08K3/24—Acids; Salts thereof
- C08K3/26—Carbonates; Bicarbonates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
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- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
- C08K3/24—Acids; Salts thereof
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
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- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/34—Silicon-containing compounds
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- Organic Chemistry (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、成形品からの発生ガス量が極めて少ないリレ
一部品として好適な芳香族ポリスルフォン樹脂成形材料
に関する。
一部品として好適な芳香族ポリスルフォン樹脂成形材料
に関する。
芳香族ポリスルフォン樹脂は非品性であるため、等方性
で成形収縮率は小さく、またポリフェニレンスルフィド
やポリエーテルケトンのような高耐熱性を持つ樹脂より
もガラス転移点が高いため、これらの樹脂に比べて、よ
り高温まで強度、弾性率、耐クリープ特性などの物性の
低下が小さく、高寸法精度、高耐熱性が要求される電子
部品としては好適な材料である。特に芳香族ポリスルフ
ォン樹脂にガラス繊維のような繊維状物を配合すること
により、成形収縮率はより小さくなり、強度弾性率が向
上するため該電子部品としてはより好適な材料となり、
例えば、リレー、スイッチ、コネクター、ソケット、コ
イルボビンなどに応用されている。
で成形収縮率は小さく、またポリフェニレンスルフィド
やポリエーテルケトンのような高耐熱性を持つ樹脂より
もガラス転移点が高いため、これらの樹脂に比べて、よ
り高温まで強度、弾性率、耐クリープ特性などの物性の
低下が小さく、高寸法精度、高耐熱性が要求される電子
部品としては好適な材料である。特に芳香族ポリスルフ
ォン樹脂にガラス繊維のような繊維状物を配合すること
により、成形収縮率はより小さくなり、強度弾性率が向
上するため該電子部品としてはより好適な材料となり、
例えば、リレー、スイッチ、コネクター、ソケット、コ
イルボビンなどに応用されている。
しかしながら、芳香族ポリスルフォン樹脂は熔融時の粘
度が比較的高いため、小物で複雑な形状を持つ電子部品
や、薄肉部を持つ電子部品などを射出成形により成形す
る場合、標準より高い成形温度、射出圧力、射出速度を
必要とする。このため成形時分解によりガスが発生し、
このガスの一部が成形品中に包埋されることがあり、該
包埋ガスは実際の使用にあたって、電子部品により種々
の問題を起こすことがある。特に、電子部品がリレーを
構成する部品（ケース、ベース、アーマチュア、コイル
ボビンなど）においては、該包埋ガスが成形品からごく
微量でも発生した場合、腐食性ガスなら金属接点を腐食
させ、たとえ腐食性ガスでなくとも金属接点周辺に堆積
し、接点開閉子のアークの作用で炭化し、絶縁不良を起
こすといった問題がある。
度が比較的高いため、小物で複雑な形状を持つ電子部品
や、薄肉部を持つ電子部品などを射出成形により成形す
る場合、標準より高い成形温度、射出圧力、射出速度を
必要とする。このため成形時分解によりガスが発生し、
このガスの一部が成形品中に包埋されることがあり、該
包埋ガスは実際の使用にあたって、電子部品により種々
の問題を起こすことがある。特に、電子部品がリレーを
構成する部品（ケース、ベース、アーマチュア、コイル
ボビンなど）においては、該包埋ガスが成形品からごく
微量でも発生した場合、腐食性ガスなら金属接点を腐食
させ、たとえ腐食性ガスでなくとも金属接点周辺に堆積
し、接点開閉子のアークの作用で炭化し、絶縁不良を起
こすといった問題がある。
芳香族ポリスルフォン樹脂を主成分とする成形品から発
生するガスは、Ｃ１系、ＳＯ１系の腐食性ガス、脂肪族
炭化水素、芳香族炭化水素、アセトン、アルコールなど
のような腐食性でない低沸点ガスであることがガスクロ
マトグラフィー質量分析などにより確認されている。該
腐食性ガスは、芳香族ポリスルフォン樹脂の構成成分あ
るいは不純物から由来するガスであり、成形工程時の熱
分解により発生し、成形品中に包埋されることは明らか
であるが、該低沸点ガスの発生機構については明らかで
ない、また芳香族ポリスルフォン樹脂の成形時の分解に
よる腐食性ガスの発生はポリフェニレンスルフィド樹脂
にくらべ極めて少なく、成形品中に包埋される各種ガス
も極めて少ないことが知られているが、リレ一部品とし
て使用するには十分でなかった。芳香族ポリスルフォン
樹脂を主成分とする成形品をリレ一部品として使用する
には、１５０〜２００°Ｃの温度で真空ベーキング処理
することにより包埋ガスを十分除去してから使用するの
が、現在においては一般的であり、この真空ベーキング
処理工程を省くか、省けないまでも時間を短縮すること
が要求されている。そのためには成形品からの発生ガス
量が掻めて少ない、すなわち成形部中に包埋されるガス
量が極めて少ない成形材料が望まれている。
生するガスは、Ｃ１系、ＳＯ１系の腐食性ガス、脂肪族
炭化水素、芳香族炭化水素、アセトン、アルコールなど
のような腐食性でない低沸点ガスであることがガスクロ
マトグラフィー質量分析などにより確認されている。該
腐食性ガスは、芳香族ポリスルフォン樹脂の構成成分あ
るいは不純物から由来するガスであり、成形工程時の熱
分解により発生し、成形品中に包埋されることは明らか
であるが、該低沸点ガスの発生機構については明らかで
ない、また芳香族ポリスルフォン樹脂の成形時の分解に
よる腐食性ガスの発生はポリフェニレンスルフィド樹脂
にくらべ極めて少なく、成形品中に包埋される各種ガス
も極めて少ないことが知られているが、リレ一部品とし
て使用するには十分でなかった。芳香族ポリスルフォン
樹脂を主成分とする成形品をリレ一部品として使用する
には、１５０〜２００°Ｃの温度で真空ベーキング処理
することにより包埋ガスを十分除去してから使用するの
が、現在においては一般的であり、この真空ベーキング
処理工程を省くか、省けないまでも時間を短縮すること
が要求されている。そのためには成形品からの発生ガス
量が掻めて少ない、すなわち成形部中に包埋されるガス
量が極めて少ない成形材料が望まれている。
本発明は、成形品からの発生ガス量が極めて少ない、リ
レ一部品として好適な芳香族ポリスルフォン樹脂成形材
料を提供することを目的とするものである。
レ一部品として好適な芳香族ポリスルフォン樹脂成形材
料を提供することを目的とするものである。
すなわち、本発明は、芳香族ポリスルフォン樹脂１００
重量部に対してハイドロタルサイト類および／またはゼ
オライト類を０．１〜５重量部添加してなることを特徴
とする芳香族ポリスルフォン樹脂成形材料を提供するも
のである。
重量部に対してハイドロタルサイト類および／またはゼ
オライト類を０．１〜５重量部添加してなることを特徴
とする芳香族ポリスルフォン樹脂成形材料を提供するも
のである。
本発明者らは上記課題を解決するために鋭意検討した結
果、芳香族ポリスルフォン樹脂にハイドロタルサイト類
もしくはゼオライト類を添加せしめることにより、上記
目的が達成されることを見い出し、本発明に到達したも
のである。
果、芳香族ポリスルフォン樹脂にハイドロタルサイト類
もしくはゼオライト類を添加せしめることにより、上記
目的が達成されることを見い出し、本発明に到達したも
のである。
ハイドロタルサイト類が含ハロゲン樹脂が分解して生ず
るハロゲンを捕捉し安定化することは特公昭５８−３６
０１２号公報などによりよく知られている。さらにポリ
フェニレンスルフィド（ｐｐｓ）が分解して生ずるＳＯ
，ガスやＨ２Ｓガスのような腐食性ガスを捕捉すること
や、ＰＰＳ中に含まれるＮａ’ＣＩ！−のような電解質
不純物を捕捉し安定化することは、それぞれ特開昭６０
−１８６５６１号公報、特開昭６１−１２０８５６号公
報などに記載されている。
るハロゲンを捕捉し安定化することは特公昭５８−３６
０１２号公報などによりよく知られている。さらにポリ
フェニレンスルフィド（ｐｐｓ）が分解して生ずるＳＯ
，ガスやＨ２Ｓガスのような腐食性ガスを捕捉すること
や、ＰＰＳ中に含まれるＮａ’ＣＩ！−のような電解質
不純物を捕捉し安定化することは、それぞれ特開昭６０
−１８６５６１号公報、特開昭６１−１２０８５６号公
報などに記載されている。
一方、ゼオライ）ＭｌもＰＰＳが分解して生ずる該腐食
性ガスを捕捉することは、特開昭６２−１６７３５６号
、特開昭６２−２９５９５６号公報などに記載されてい
る。
性ガスを捕捉することは、特開昭６２−１６７３５６号
、特開昭６２−２９５９５６号公報などに記載されてい
る。
したがって、ハイドロタルサイト類やゼオライト類を本
発明の芳香族ポリスルフォン樹脂を生成分とする成形材
料に添加した場合、Ｃ２系、ＳＯｔ系の腐食性ガスを捕
捉することは予想されたが、脂肪族炭化水素、芳香族炭
化水素、アセトン、アルコールなどの低沸点ガスまで捕
捉し、成形品からの発注ガス量が極めて少なくなること
は、予想し得えなかったことである。
発明の芳香族ポリスルフォン樹脂を生成分とする成形材
料に添加した場合、Ｃ２系、ＳＯｔ系の腐食性ガスを捕
捉することは予想されたが、脂肪族炭化水素、芳香族炭
化水素、アセトン、アルコールなどの低沸点ガスまで捕
捉し、成形品からの発注ガス量が極めて少なくなること
は、予想し得えなかったことである。
本発明で用いられる芳香族ポリスルフォン樹脂は、アリ
ーレン単位がエーテルおよびスルフォン結合と共に無秩
序にまたは秩序正しく位置するポリアリーレン化合物と
して定義される０代表的な例としては次のような繰返し
単位を有するものが挙げられる。
ーレン単位がエーテルおよびスルフォン結合と共に無秩
序にまたは秩序正しく位置するポリアリーレン化合物と
して定義される０代表的な例としては次のような繰返し
単位を有するものが挙げられる。
これらの中でも（１）の繰り返し構造を持つものが好ま
しく、このものはＩＣ１社よりＶ Ｉ ＣＴＲＥＸ＠Ｐ
Ｅ５３６００Ｐ、４１００Ｐ及び４８００ Ｐとして市
販されている。
しく、このものはＩＣ１社よりＶ Ｉ ＣＴＲＥＸ＠Ｐ
Ｅ５３６００Ｐ、４１００Ｐ及び４８００ Ｐとして市
販されている。
本発明で用いられるハイドロタルサイト類は、−最式Ｍ
Ｉ−ｘ ・Ｍ’Ｘ ・（ＯＨ）２ ・Ａ−７、−ｍＨｚ
。
Ｉ−ｘ ・Ｍ’Ｘ ・（ＯＨ）２ ・Ａ−７、−ｍＨｚ
。
Ｃ式中、ＭはＭｇ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚ
ｎなどの２価金属、Ｍ’ はＡｌ、Ｆｅ、Ｃｒ。
ｎなどの２価金属、Ｍ’ はＡｌ、Ｆｅ、Ｃｒ。
Ｃｏなどの３価金属、ＡはＯＨ、ハロゲン、ＣＯ２、Ｓ
ｏ、 、ＮＯ２などからなる群から選ばれ、Ｘは１より
小さい正数、ｍは水和物のモル数で、ｎはＡのアニオン
の価数に等しい、）で表わされる。
ｏ、 、ＮＯ２などからなる群から選ばれ、Ｘは１より
小さい正数、ｍは水和物のモル数で、ｎはＡのアニオン
の価数に等しい、）で表わされる。
最も入手の容易なハイドロタルサイト類はマグネシウム
−アルミニウムハイドロキシカーボネートハイドレート
であり、市販品としてはＭｇａ−ｓＡｌｚ（ＯＨ）＋５
ＣＯｓ・３．５Ｈ，０の構造を有するＤＩ−ＩＴ−４Ａ
（協和化学工業■製）あるいはこの無水物、ＤＨＴ−４
Ａ−２（協和化学工業■製）がある。
−アルミニウムハイドロキシカーボネートハイドレート
であり、市販品としてはＭｇａ−ｓＡｌｚ（ＯＨ）＋５
ＣＯｓ・３．５Ｈ，０の構造を有するＤＩ−ＩＴ−４Ａ
（協和化学工業■製）あるいはこの無水物、ＤＨＴ−４
Ａ−２（協和化学工業■製）がある。
本発明で用いられるゼオライト類はアルカリおよびアル
カリ土類金属を含む結晶性の含水アルミノケイ酸塩の一
般名称で、一般式Ｍ、Ｏ・Ａ １ ｚ Ｏｓ−ｎｓ５−
ｎ５ｉｏｚ−、あるいはＭ’ Ｏ・Ａ １ｔｏｚ−ｎＳ
ｉｏｘ・ｍＨｚｏ （Ｍ＝Ｌ ｉ、Ｎａ、になど、Ｍ
’はＣａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｓｒなど、ｍは水和物のモルｇ
、ｎはＳｉＯ□のモル数）で表わされる。
カリ土類金属を含む結晶性の含水アルミノケイ酸塩の一
般名称で、一般式Ｍ、Ｏ・Ａ １ ｚ Ｏｓ−ｎｓ５−
ｎ５ｉｏｚ−、あるいはＭ’ Ｏ・Ａ １ｔｏｚ−ｎＳ
ｉｏｘ・ｍＨｚｏ （Ｍ＝Ｌ ｉ、Ｎａ、になど、Ｍ
’はＣａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｓｒなど、ｍは水和物のモルｇ
、ｎはＳｉＯ□のモル数）で表わされる。
さらに本発明においては、必要に応じてガラス繊維、シ
リカアルミナ繊維、ウオラストナイト、炭素繊維、チタ
ン酸カリウム繊維などの繊維状の補強材、炭酸カルシウ
ム、タルク、マイカ、クレイ、ガラスピーズ等の無機充
填材、ポリテトラフルオロエチレンやステアリン酸バリ
ウムに代表される金属石けん類等の離型改良剤、染料、
顔料などの着色剤を添加してもよい、特に電子部品に適
用するには、寸法精度、強度、弾性率の点からガラス繊
維、シリカアルミナ繊維、ウオラストナイト、チタン酸
カリウム繊維で補強するのが好ましく、小物で複雑な形
状を持つ電子部品や薄肉部を持つ電子部品においてはさ
らに金属石けん類等を添加し、成形特金型からの離型性
を改良するのが好ましい。
リカアルミナ繊維、ウオラストナイト、炭素繊維、チタ
ン酸カリウム繊維などの繊維状の補強材、炭酸カルシウ
ム、タルク、マイカ、クレイ、ガラスピーズ等の無機充
填材、ポリテトラフルオロエチレンやステアリン酸バリ
ウムに代表される金属石けん類等の離型改良剤、染料、
顔料などの着色剤を添加してもよい、特に電子部品に適
用するには、寸法精度、強度、弾性率の点からガラス繊
維、シリカアルミナ繊維、ウオラストナイト、チタン酸
カリウム繊維で補強するのが好ましく、小物で複雑な形
状を持つ電子部品や薄肉部を持つ電子部品においてはさ
らに金属石けん類等を添加し、成形特金型からの離型性
を改良するのが好ましい。
本発明においてハイドロタルサイト類および／またはゼ
オライト類の添加量は芳香族ポリスルフォン樹脂１００
重量部に対し０．１〜５重量部であることが好ましい。
オライト類の添加量は芳香族ポリスルフォン樹脂１００
重量部に対し０．１〜５重量部であることが好ましい。
ハイドロタルサイト類もしくはゼオライト類の添加量が
０．１重量部より少ない場合は、成形品からの発生ガス
量の低減効果がほとんどみられず、５重量部より多く添
加しても成形品からの発生ガス量の低減効果はそれ以上
向上せず、また成形品の機械的強度が低下する。
０．１重量部より少ない場合は、成形品からの発生ガス
量の低減効果がほとんどみられず、５重量部より多く添
加しても成形品からの発生ガス量の低減効果はそれ以上
向上せず、また成形品の機械的強度が低下する。
本発明の成形材料を得るための原料成分の配合手段は特
に限定されない、芳香族ポリスルフォン樹脂、ハイドロ
タルサイト類および／またはゼオライ）［、必要に応じ
てガラス繊維などの補強材や金属石けん類等の離型改良
剤等をヘンシェルミキサー、タンブラ−等を用いて混合
した後、押出機を用いて溶融混練するのが一般的である
。
に限定されない、芳香族ポリスルフォン樹脂、ハイドロ
タルサイト類および／またはゼオライ）［、必要に応じ
てガラス繊維などの補強材や金属石けん類等の離型改良
剤等をヘンシェルミキサー、タンブラ−等を用いて混合
した後、押出機を用いて溶融混練するのが一般的である
。
以下、本発明の実施例を示すが、本発明はこれらに限定
されるものではない。なお、実施例中の成形品からの発
生ガスおよび各種物性は次の方法で測定した。
されるものではない。なお、実施例中の成形品からの発
生ガスおよび各種物性は次の方法で測定した。
（１）成形品から発生する低沸点ガスの相対量：本発明
の芳香族ポリスルフォン成形材料を射出成形機（８積樹
脂工業製ＰＳ４０Ｅ５ＡＳＥ）を用いて、長さ６４１１
Ｉ１１、輻６４ＩＩ１１、厚み１ｍの平板をシリンダー
温度３６０〜３７０℃、金型温度１５０°Ｃで成形し、
得られた成形品を長さ５ＩＩＩＩ１１２幅５閣、厚み１
鴎のチップに切削した。
の芳香族ポリスルフォン成形材料を射出成形機（８積樹
脂工業製ＰＳ４０Ｅ５ＡＳＥ）を用いて、長さ６４１１
Ｉ１１、輻６４ＩＩ１１、厚み１ｍの平板をシリンダー
温度３６０〜３７０℃、金型温度１５０°Ｃで成形し、
得られた成形品を長さ５ＩＩＩＩ１１２幅５閣、厚み１
鴎のチップに切削した。
このチップ４ｇを精秤し、蒸留水で洗浄後真空乾燥した
２５ｃｃのバイアル瓶にいれ、ポリテトラフルオロエチ
レンからなるパツキンでシール後、１２０°Ｃに設定し
た熱風循環乾燥機の中で２０時間加熱し、成形品からガ
スを発生させた。
２５ｃｃのバイアル瓶にいれ、ポリテトラフルオロエチ
レンからなるパツキンでシール後、１２０°Ｃに設定し
た熱風循環乾燥機の中で２０時間加熱し、成形品からガ
スを発生させた。
このバイアル瓶を、島津製作所製ヘッドスペースガスク
ロ（ＧＣ−９Ａ／Ｈ３Ｓ−２Ａ）に装着し１２０℃に保
ちながら１０％ＰＥＧ６０００Ｕｎｉｐｏｒｔ ＨＰ
６０／８０５ｅａｈを充填したカラムに８〃２注入し、
保持時間１０分までのガスの総量をディテクターで検出
した。ディテクターとしてはＦＩＤを用いキャリアーガ
スとして窒素を用いた。このガスの相対量は、各種ガス
のピークの総面積で表示され、この値で成形品から発生
するガスの相対量を比較した。なお、芳香族ポリスルフ
ォン成形材料のチップをいれなかった場合、すなわち空
瓶での測定値は約１０．０００であり、この値が大きい
ほど成形品からの低沸点ガスの発生が多いことを表わす
、また、保持時間１０分までに検出されるガスはガスク
ロマトグラフィー質量分析から脂肪族炭化水素、ベンゼ
ン、トルエンなどの芳香族炭化水素、メタノールなどの
アルコール、アセトンなどの成分であることを確認した
。
ロ（ＧＣ−９Ａ／Ｈ３Ｓ−２Ａ）に装着し１２０℃に保
ちながら１０％ＰＥＧ６０００Ｕｎｉｐｏｒｔ ＨＰ
６０／８０５ｅａｈを充填したカラムに８〃２注入し、
保持時間１０分までのガスの総量をディテクターで検出
した。ディテクターとしてはＦＩＤを用いキャリアーガ
スとして窒素を用いた。このガスの相対量は、各種ガス
のピークの総面積で表示され、この値で成形品から発生
するガスの相対量を比較した。なお、芳香族ポリスルフ
ォン成形材料のチップをいれなかった場合、すなわち空
瓶での測定値は約１０．０００であり、この値が大きい
ほど成形品からの低沸点ガスの発生が多いことを表わす
、また、保持時間１０分までに検出されるガスはガスク
ロマトグラフィー質量分析から脂肪族炭化水素、ベンゼ
ン、トルエンなどの芳香族炭化水素、メタノールなどの
アルコール、アセトンなどの成分であることを確認した
。
（２）成形品から発生するＣｆ系、ＳＯ□系の腐食ガス
の程度： 上記の芳香族ポリスルフォン成形材料からなるチップ６
ｇを精秤し、２０ｃｃバイアル瓶にいれ、エメリー紙、
Ａ ｌ ｔ ０３ペーストで順次研摩後、洗浄した約８
Ｗ角のＡｇ板を該チップ上にのせ、ポリテトラフルオロ
エチレンからなるパツキンでシール後、１５０℃に設定
した熱風循環乾燥機の中で１２０時間加熱後、Ａｇ板を
取り出し、ＥＳＣＡスペクトロメーター５ＳＸ−１００
（ＳＳ１社製）を用いて、Ａｇｚａｓｉｔビークに対す
るＣＺ、デピークの比（Ｃｊ！／Ａｇ）、およびＡ ｇ
ｓａｓ／ｚ ピークに対するＳｉＦピークの比（Ｓ／
Ａｇ）を求め、Ｃ１系、Ｓ Ｏを系ガスによるＡｇ板の
腐食の程度を判定した。なお芳香族ポリスルフォン成形
材料のチップを入れなかった場合、すなわち、Ａｇ＠の
みのテストではＣｆｆ１／Ａｇ、Ｓ／Ａｇの値はそれぞ
れ０．０３．０．００であり、この値が大きいほど該腐
食性ガスの発生が大きいことを表わす。
の程度： 上記の芳香族ポリスルフォン成形材料からなるチップ６
ｇを精秤し、２０ｃｃバイアル瓶にいれ、エメリー紙、
Ａ ｌ ｔ ０３ペーストで順次研摩後、洗浄した約８
Ｗ角のＡｇ板を該チップ上にのせ、ポリテトラフルオロ
エチレンからなるパツキンでシール後、１５０℃に設定
した熱風循環乾燥機の中で１２０時間加熱後、Ａｇ板を
取り出し、ＥＳＣＡスペクトロメーター５ＳＸ−１００
（ＳＳ１社製）を用いて、Ａｇｚａｓｉｔビークに対す
るＣＺ、デピークの比（Ｃｊ！／Ａｇ）、およびＡ ｇ
ｓａｓ／ｚ ピークに対するＳｉＦピークの比（Ｓ／
Ａｇ）を求め、Ｃ１系、Ｓ Ｏを系ガスによるＡｇ板の
腐食の程度を判定した。なお芳香族ポリスルフォン成形
材料のチップを入れなかった場合、すなわち、Ａｇ＠の
みのテストではＣｆｆ１／Ａｇ、Ｓ／Ａｇの値はそれぞ
れ０．０３．０．００であり、この値が大きいほど該腐
食性ガスの発生が大きいことを表わす。
（３）引張強度、加熱変形温度：
本発明の芳香族ポリスルフォン成形材料をシリンダー温
度３４０〜３５０℃、金型温度１３０℃で、Ａ３７Ｍ４
号ダンベルおよび長さ１２７■、幅１２．７閣、厚み６
．４園の試験片を成形し、それぞれＡＳＴＭ Ｄ−６
３８、ＡＳＴ、Ｍ ０６４Ｂに準拠して測定した。
度３４０〜３５０℃、金型温度１３０℃で、Ａ３７Ｍ４
号ダンベルおよび長さ１２７■、幅１２．７閣、厚み６
．４園の試験片を成形し、それぞれＡＳＴＭ Ｄ−６
３８、ＡＳＴ、Ｍ ０６４Ｂに準拠して測定した。
実施例１〜８、比較例１〜５
芳香族ポリスルフォン樹脂パウダー（ＩＣ１社製３６０
０Ｐ）１００重量部、ガラス繊維（旭ファイバーグラス
社製ＭＡＰＸＩ）２５重量部およびＭｇａ−ｓＡｌｔ（
ＯＨ）ｒｘｃＯｓの構造を有するハイドロタルサイトＤ
ＨＴ−４Ａ−２（ｍ和化学工業■製）もしくはＮ ａ
ｔｏ ・、Ａ ｊ！ ｇｏｓ ・３ Ｓ ｉ Ｏｘ・ｍ
Ｈ，０の構造を有するゼオライト（牛丼化学製）を表１
に示す組成でヘンシェルミキサーで混合後、二軸押出機
（池見鉄工製ＰＣＭ−３０）を用いて、シリンダー温度
３３０〜３５０℃で造粒し、芳香族ポリスルフォン樹脂
成形材料を得た。
０Ｐ）１００重量部、ガラス繊維（旭ファイバーグラス
社製ＭＡＰＸＩ）２５重量部およびＭｇａ−ｓＡｌｔ（
ＯＨ）ｒｘｃＯｓの構造を有するハイドロタルサイトＤ
ＨＴ−４Ａ−２（ｍ和化学工業■製）もしくはＮ ａ
ｔｏ ・、Ａ ｊ！ ｇｏｓ ・３ Ｓ ｉ Ｏｘ・ｍ
Ｈ，０の構造を有するゼオライト（牛丼化学製）を表１
に示す組成でヘンシェルミキサーで混合後、二軸押出機
（池見鉄工製ＰＣＭ−３０）を用いて、シリンダー温度
３３０〜３５０℃で造粒し、芳香族ポリスルフォン樹脂
成形材料を得た。
同様にして、ハイドロタルサイト類、ゼオライト類を含
まない芳香族ポリスルフォン樹脂成形材料（比較例１）
を得た。
まない芳香族ポリスルフォン樹脂成形材料（比較例１）
を得た。
これらの成形材料を上記の方法により射出成形し、成形
品から発生する低沸点ガスの相対量、成形品から発生す
るＣＩｌ系、ＳＯよ系の腐食ガスの程度、引張強度、加
熱変形温度について測定した。
品から発生する低沸点ガスの相対量、成形品から発生す
るＣＩｌ系、ＳＯよ系の腐食ガスの程度、引張強度、加
熱変形温度について測定した。
結果を表１に示す０本発明のハイドロタルサイト類もし
くはゼオライ）ｌを含む芳香族ポリスルフォン樹脂成形
材料（実施例１〜８）は、ハイドロクルサイト類もしく
はゼオライト類を含まない芳香族ポリスルフォン樹脂成
形材料（比較例１）に比べ、成形品から発生する低沸点
ガスの相対量および腐食ガスの程度を表わすＣｌＡｇ、
Ｓ／Ａｇの値は極めて低い、すなわち成形品から発生す
るガスの相対量が低減されていることが明らかである。
くはゼオライ）ｌを含む芳香族ポリスルフォン樹脂成形
材料（実施例１〜８）は、ハイドロクルサイト類もしく
はゼオライト類を含まない芳香族ポリスルフォン樹脂成
形材料（比較例１）に比べ、成形品から発生する低沸点
ガスの相対量および腐食ガスの程度を表わすＣｌＡｇ、
Ｓ／Ａｇの値は極めて低い、すなわち成形品から発生す
るガスの相対量が低減されていることが明らかである。
これに対して、ハイドロタルサイト類もしくはゼオライ
ト類の添加量が０．１重量部未満のもの（比較例２．４
）は、成形品から発生するガスの相対量の低減効果が小
さく、ハイドロタルサイトａもしくはゼオライト類の添
加量が５重量部を越えるもの（比較例３．５）は、成形
品から発生するガスの相対量の低減効果は、添加量が４
重量部のもの（実施例４．８）とほぼ同じで、引張強度
の低下が大きく、加熱変形温度も若干低下した。
ト類の添加量が０．１重量部未満のもの（比較例２．４
）は、成形品から発生するガスの相対量の低減効果が小
さく、ハイドロタルサイトａもしくはゼオライト類の添
加量が５重量部を越えるもの（比較例３．５）は、成形
品から発生するガスの相対量の低減効果は、添加量が４
重量部のもの（実施例４．８）とほぼ同じで、引張強度
の低下が大きく、加熱変形温度も若干低下した。
実施例９〜１１、比較例６
実施例１と同様の方法で、芳香族ポリスルフォン樹脂パ
ウダー（ＩＣＩ製４１００Ｐ）１００重量部と実施例１
．５で用いたものと同じハイドロタルサイト、ゼオライ
ト、さらにＭ ｇ ４． ＳＡ ｊ！ ｇ（ＯＨ）＋５
ＣＯ３・３．５Ｈ，Ｏの構造を有するハイドロタルサイ
）ＤＨＴ−４Ａ （協和化学工業■製）のうちいずれか
を１．０重量部とからなる芳香族ポリスルフォン成形材
料について実施した結果をハイドロタルサイト類もしく
はゼオライト類を含まないもの（比較例６）と比較し、
表２に示した。ハイドロタルサイト類もしくはゼオライ
ト類を含む本発明の芳香族ポリスルフォン樹脂成形材料
の成形品から発生するガスの相対量は著しく低減されて
いる。
ウダー（ＩＣＩ製４１００Ｐ）１００重量部と実施例１
．５で用いたものと同じハイドロタルサイト、ゼオライ
ト、さらにＭ ｇ ４． ＳＡ ｊ！ ｇ（ＯＨ）＋５
ＣＯ３・３．５Ｈ，Ｏの構造を有するハイドロタルサイ
）ＤＨＴ−４Ａ （協和化学工業■製）のうちいずれか
を１．０重量部とからなる芳香族ポリスルフォン成形材
料について実施した結果をハイドロタルサイト類もしく
はゼオライト類を含まないもの（比較例６）と比較し、
表２に示した。ハイドロタルサイト類もしくはゼオライ
ト類を含む本発明の芳香族ポリスルフォン樹脂成形材料
の成形品から発生するガスの相対量は著しく低減されて
いる。
本発明の芳香族ポリスルフォン樹脂成形材料は、成形品
から発生する低沸点ガスおよび腐食性ガスの相対量が少
なく、芳香族ポリスルフォン樹脂成形材料のもつ本来の
機械的強度、耐熱性を有し、リレ一部品として極めて有
用なものである。
から発生する低沸点ガスおよび腐食性ガスの相対量が少
なく、芳香族ポリスルフォン樹脂成形材料のもつ本来の
機械的強度、耐熱性を有し、リレ一部品として極めて有
用なものである。
Claims (1)
- 芳香族ポリスルフォン樹脂１００重量部に対してハイド
ロタルサイト類および／またはゼオライト類を０．１〜
５重量部添加してなることを特徴とする芳香族ポリスル
フォン樹脂成形材料。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1014635A JP2679205B2 (ja) | 1989-01-23 | 1989-01-23 | 芳香族ポリスルフォン樹脂成形材料 |
| EP19900300703 EP0380303B1 (en) | 1989-01-23 | 1990-01-23 | Aromatic polysulfone resin composition |
| DE1990633319 DE69033319T2 (de) | 1989-01-23 | 1990-01-23 | Zusammensetzung von aromatischem Polysulfonharz |
| US07/731,357 US5268409A (en) | 1989-01-23 | 1991-07-15 | Aromatic polysulfone resin composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1014635A JP2679205B2 (ja) | 1989-01-23 | 1989-01-23 | 芳香族ポリスルフォン樹脂成形材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02194056A true JPH02194056A (ja) | 1990-07-31 |
| JP2679205B2 JP2679205B2 (ja) | 1997-11-19 |
Family
ID=11866656
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1014635A Expired - Fee Related JP2679205B2 (ja) | 1989-01-23 | 1989-01-23 | 芳香族ポリスルフォン樹脂成形材料 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0380303B1 (ja) |
| JP (1) | JP2679205B2 (ja) |
| DE (1) | DE69033319T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03199262A (ja) * | 1989-12-27 | 1991-08-30 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 樹脂組成物 |
| EP0727456A1 (en) * | 1995-02-16 | 1996-08-21 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Aromatic polysulfone resin composition |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB9020649D0 (en) * | 1990-09-21 | 1990-10-31 | Advanced Composites Group Ltd | Modelling materials and processes |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS601241A (ja) * | 1983-06-17 | 1985-01-07 | Kyowa Chem Ind Co Ltd | 難燃性樹脂組成物 |
| JPH01182366A (ja) * | 1988-01-12 | 1989-07-20 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 難燃性樹脂組成物 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4529769A (en) * | 1983-12-06 | 1985-07-16 | Phillips Petroleum Company | Poly(arylene sulfide) composition, molding method and article of manufacture |
-
1989
- 1989-01-23 JP JP1014635A patent/JP2679205B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-01-23 EP EP19900300703 patent/EP0380303B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-01-23 DE DE1990633319 patent/DE69033319T2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS601241A (ja) * | 1983-06-17 | 1985-01-07 | Kyowa Chem Ind Co Ltd | 難燃性樹脂組成物 |
| JPH01182366A (ja) * | 1988-01-12 | 1989-07-20 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 難燃性樹脂組成物 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03199262A (ja) * | 1989-12-27 | 1991-08-30 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 樹脂組成物 |
| EP0727456A1 (en) * | 1995-02-16 | 1996-08-21 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Aromatic polysulfone resin composition |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0380303B1 (en) | 1999-10-13 |
| DE69033319D1 (de) | 1999-11-18 |
| EP0380303A1 (en) | 1990-08-01 |
| DE69033319T2 (de) | 2000-04-13 |
| JP2679205B2 (ja) | 1997-11-19 |
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