JPS6058619A - 液相エピタキシヤル成長法 - Google Patents
液相エピタキシヤル成長法Info
- Publication number
- JPS6058619A JPS6058619A JP58166539A JP16653983A JPS6058619A JP S6058619 A JPS6058619 A JP S6058619A JP 58166539 A JP58166539 A JP 58166539A JP 16653983 A JP16653983 A JP 16653983A JP S6058619 A JPS6058619 A JP S6058619A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- growth
- layer
- growth layer
- substrate
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/26—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using liquid deposition
- H10P14/263—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using liquid deposition using melted materials
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は基板に対する液相エピタキシャル成長法に関
するものである。
するものである。
従来、第１図に示すように、基板（１）上に液相エピタ
キシャル成長法によシ第１回目の成長層（２）を成長さ
せ、かつこの１１ｇ１回目の成長層（２）上に第１回目
のパターン（３）を形成したのち、さらにこの上に同じ
成長装置によシ第２回目の成長層（４）を形成させた場
合には、前記第１回目の、＜ターン（３）が第２回目の
成長層（４）によシ埋められてしまって、第２回目の成
長層（４）上に第１回目のノくターン（３）に合致する
第２回目のパターンを形成すると之が困難になるもので
あった。
キシャル成長法によシ第１回目の成長層（２）を成長さ
せ、かつこの１１ｇ１回目の成長層（２）上に第１回目
のパターン（３）を形成したのち、さらにこの上に同じ
成長装置によシ第２回目の成長層（４）を形成させた場
合には、前記第１回目の、＜ターン（３）が第２回目の
成長層（４）によシ埋められてしまって、第２回目の成
長層（４）上に第１回目のノくターン（３）に合致する
第２回目のパターンを形成すると之が困難になるもので
あった。
この発明は従来のこのような欠点に鑑み、第１回目の成
長層上に第１回目のパターンを形成させたのち、第２回
目の成長層の成長に際して、第１回目の成長層の一部を
カーボンなどにより覆うと共に、覆われていない部分に
選択的にエピタキシャル成長をなし、この第２回目の成
長層上に覆われた部分に残されている第１回目のノくタ
ーンを基準にして、第２回目のパターンを容易に形成可
能にしたものである。
長層上に第１回目のパターンを形成させたのち、第２回
目の成長層の成長に際して、第１回目の成長層の一部を
カーボンなどにより覆うと共に、覆われていない部分に
選択的にエピタキシャル成長をなし、この第２回目の成
長層上に覆われた部分に残されている第１回目のノくタ
ーンを基準にして、第２回目のパターンを容易に形成可
能にしたものである。
以下、この発明方法の一実施例につき、第２図ないし第
５図を参照して詳細に説明する。
５図を参照して詳細に説明する。
第２図はこの発明方法によって得られるエピタキシャル
層の構成を第１図対応に示したものであシ、実施例方法
では、基板（１）上に液相エピタキシャル成長法によシ
第１回目の成長層（２）を成長させ、かつこの第１回目
の成長層（２）上に第１回目のパターン（３）を形成さ
せたのち、さらにこの上に同じ成長装置によル第２回目
の成長をなすに際して、第１回目の成長層（２）の一部
をその第１回目のパターン（３）の一部をも含めて覆っ
ておき、この状態で第２回目の成長層（４）を成長させ
、ついで覆われた部分に残されている第１回目のパター
ン（３）を基準にして、第２回目のパターン（５）を形
成させるようにしたものである。
層の構成を第１図対応に示したものであシ、実施例方法
では、基板（１）上に液相エピタキシャル成長法によシ
第１回目の成長層（２）を成長させ、かつこの第１回目
の成長層（２）上に第１回目のパターン（３）を形成さ
せたのち、さらにこの上に同じ成長装置によル第２回目
の成長をなすに際して、第１回目の成長層（２）の一部
をその第１回目のパターン（３）の一部をも含めて覆っ
ておき、この状態で第２回目の成長層（４）を成長させ
、ついで覆われた部分に残されている第１回目のパター
ン（３）を基準にして、第２回目のパターン（５）を形
成させるようにしたものである。
第３図および第４図（、） 、 （ｂ）はこの実施例方
法に適用するためのブツシュアウト式液相エピタキシャ
ル成長装置を示していて、第３図は装置の縦断面図、第
４図（−）は第１回目成長時での基板部の横断面図、同
図（ｂ）は第２回目成長時での同上横断面図である。
法に適用するためのブツシュアウト式液相エピタキシャ
ル成長装置を示していて、第３図は装置の縦断面図、第
４図（−）は第１回目成長時での基板部の横断面図、同
図（ｂ）は第２回目成長時での同上横断面図である。
第３図において、符号（６）は静止部、（７）は溶液溜
（７ａ）をもつ可動部、（８）は溶液溜（７ａ）に載せ
られるピストン、（９）はブリッジ、（１０）および（
１１）はそれぞれに押え部（１０ｍ） 、 （ｌｌａ）
をもつ第１回目および第２回目成長用の基板押え、（１
２）は成長対象となる基板である。
（７ａ）をもつ可動部、（８）は溶液溜（７ａ）に載せ
られるピストン、（９）はブリッジ、（１０）および（
１１）はそれぞれに押え部（１０ｍ） 、 （ｌｌａ）
をもつ第１回目および第２回目成長用の基板押え、（１
２）は成長対象となる基板である。
この成長装置の場合、溶液溜（７ａ）にソース結晶を含
む溶媒（１３）を入れ、かつ第１回目成長用の基板押え
（１０）をまず使用し、基板（１２）をその押え部（１
０ａ） Ｋよシ抑止してセットする。ついでこの状態で
全体を加熱炉に挿入させて、ソース結晶を溶媒中に溶か
し込んだ上で、炉内を冷却させ乍ら溶液を過飽和状態に
し、その後、可動部（７）を操作棒によシ固定部（６）
上でスライドさせることによル、ビス）／（８）がブリ
ッジ（９）に押え付けられて溶液溜（７）内の溶液を押
し出す。しかしてこの押し出される溶液は、基板押え（
１０）内の隙間を通って基板（１２）の表面に接触して
エピタキシャル成長され、前記第２図での第１回目の成
長層（２）が得られる。このとき、基板押え（１０）の
押え部（１０ａ）は基板縁部を僅かに押える程度である
ので、基板（１２）の全表面部処エピタキシャル成長が
なされる。
む溶媒（１３）を入れ、かつ第１回目成長用の基板押え
（１０）をまず使用し、基板（１２）をその押え部（１
０ａ） Ｋよシ抑止してセットする。ついでこの状態で
全体を加熱炉に挿入させて、ソース結晶を溶媒中に溶か
し込んだ上で、炉内を冷却させ乍ら溶液を過飽和状態に
し、その後、可動部（７）を操作棒によシ固定部（６）
上でスライドさせることによル、ビス）／（８）がブリ
ッジ（９）に押え付けられて溶液溜（７）内の溶液を押
し出す。しかしてこの押し出される溶液は、基板押え（
１０）内の隙間を通って基板（１２）の表面に接触して
エピタキシャル成長され、前記第２図での第１回目の成
長層（２）が得られる。このとき、基板押え（１０）の
押え部（１０ａ）は基板縁部を僅かに押える程度である
ので、基板（１２）の全表面部処エピタキシャル成長が
なされる。
続いてこのように第１回目の成長層（２）を得たのち、
これを一旦炉から取出してその成長層（２）の表面にパ
ターン（３）を形成させ、今度は第２回目成長用の基板
押え（１１）を使用して前記と同様に第２回目のエピタ
キシャル成長を行ない、第１回目の成長層（２）上に第
２回目の成長層（４）を形成させる。そしてこのときに
は、基板押え（１１）の押え部（ｌｌａ）の突出長さは
、基板（１０）の押え部（１０Ｂ）の突出長さよシも長
くされているために、第１回目の成長層（２）の一部が
第１回目のパターン（３）の一部を含んで被覆され、こ
の被覆部分に成長層（２）が形成されることがなく、そ
の後、この被覆部に残された第１回目のパターン（３）
を基準にして第２回目のパターン（５）を容易に形成し
得るのである。
これを一旦炉から取出してその成長層（２）の表面にパ
ターン（３）を形成させ、今度は第２回目成長用の基板
押え（１１）を使用して前記と同様に第２回目のエピタ
キシャル成長を行ない、第１回目の成長層（２）上に第
２回目の成長層（４）を形成させる。そしてこのときに
は、基板押え（１１）の押え部（ｌｌａ）の突出長さは
、基板（１０）の押え部（１０Ｂ）の突出長さよシも長
くされているために、第１回目の成長層（２）の一部が
第１回目のパターン（３）の一部を含んで被覆され、こ
の被覆部分に成長層（２）が形成されることがなく、そ
の後、この被覆部に残された第１回目のパターン（３）
を基準にして第２回目のパターン（５）を容易に形成し
得るのである。
またＭ５図（ａ） 、 （ｂ）はこの実施例方法に適用
するためのスライドボート式液相エピタキシャル成長装
置を示しておシ、同図（夙）杖第１回目成長時、同図（
ｂ）は第２回目成長時の各々平面図である。この第５図
（ａ） 、 （ｂ）において、符号（１４）は静止部、
（１５）および（１６）はスライド方向に直交する幅が
ＤおよびＤ−ΔＤとされた溶液溜（１５ｍ） 、 （１
６＾）をもつ第１回目および第２回目成長用の可動部で
あシ、この場合にあっても前例と同様の工程によシ第１
回目のエピタキシャル成長を可動部（１５）で、第２回
目のそれを可動部（１６）でそれぞれに行なわせること
によシ、基板（１２）の両側、つまυスライド方向に償
う両側に第１回目のパターン（３）の一部を残して第２
回目の成長層（４）を形成でき、これによって同様に第
２回目のパターン（５）を容易に形成できるのである。
するためのスライドボート式液相エピタキシャル成長装
置を示しておシ、同図（夙）杖第１回目成長時、同図（
ｂ）は第２回目成長時の各々平面図である。この第５図
（ａ） 、 （ｂ）において、符号（１４）は静止部、
（１５）および（１６）はスライド方向に直交する幅が
ＤおよびＤ−ΔＤとされた溶液溜（１５ｍ） 、 （１
６＾）をもつ第１回目および第２回目成長用の可動部で
あシ、この場合にあっても前例と同様の工程によシ第１
回目のエピタキシャル成長を可動部（１５）で、第２回
目のそれを可動部（１６）でそれぞれに行なわせること
によシ、基板（１２）の両側、つまυスライド方向に償
う両側に第１回目のパターン（３）の一部を残して第２
回目の成長層（４）を形成でき、これによって同様に第
２回目のパターン（５）を容易に形成できるのである。
以上詳述したようＫこの発明方法によるときは、基板上
に第１回目のエピタキシャル成長層を形成したのち、こ
の第１回目成長層上に第１回目のバ１−７を形成させ、
ついで第２回目の成長層を形成させる場合に、第１回目
成長層の一部をその第１回目パターンの一部をも含めて
被覆させてから行なうようにしたから、第２回目成長層
の形成後に第１回目パターンの一部を露出させることが
でき、この露出された第１回目パターンを基準として、
第２回目成長層上に第１回目パターンに対応した第２回
目パターンを容易に形成し得る特長がある。
に第１回目のエピタキシャル成長層を形成したのち、こ
の第１回目成長層上に第１回目のバ１−７を形成させ、
ついで第２回目の成長層を形成させる場合に、第１回目
成長層の一部をその第１回目パターンの一部をも含めて
被覆させてから行なうようにしたから、第２回目成長層
の形成後に第１回目パターンの一部を露出させることが
でき、この露出された第１回目パターンを基準として、
第２回目成長層上に第１回目パターンに対応した第２回
目パターンを容易に形成し得る特長がある。
第１図は従来方法によって２回のエピタキシャル成長と
パターン形成とをなした場合の成長層を示す断面図、第
２図はこの発明の一実施例方法によって同行に２回のエ
ピタキシャル成長とパターン形成とをなした場合の成長
層を示す断面図、第３図はこの実施例方法をブツシュア
ウト式液相エピタキシャル成長装置に適用する場合の概
要を示すＲ断面図、第４図（８） 、 （ｂ）は同上装
置での第１回目、第２回目の成長＆’ｃ用いるそれぞれ
基板押え部分の横断面図、第５図（ａ） 、 （ｂ）は
この実施例方法をスライドボート式液相エピタキシャル
成長装置に適用する場合の第１回目、第２回目の成長時
の概要を示す平面図である。 （１）・・・・基板、（２）および（４）・・・・第１
回目および第２回目のエピタキシャル成長層、（３）お
よび（５）・・・・第１回目および第２回目のパターン
、（６） 、 （１４）・・・・静止部、（７）および
（１５） 、 （１６）・・・・可動部、（７ｈ）およ
び０５ｍ） 。 （１６ａ ）・・・・溶液溜、（１０） 、 （１１）
・・・・基板押え、（１０ｍ） 、 （ｌｌａ）・・・
・押え部。 出願人 工業技術院長 川 ［１裕 部第５図
パターン形成とをなした場合の成長層を示す断面図、第
２図はこの発明の一実施例方法によって同行に２回のエ
ピタキシャル成長とパターン形成とをなした場合の成長
層を示す断面図、第３図はこの実施例方法をブツシュア
ウト式液相エピタキシャル成長装置に適用する場合の概
要を示すＲ断面図、第４図（８） 、 （ｂ）は同上装
置での第１回目、第２回目の成長＆’ｃ用いるそれぞれ
基板押え部分の横断面図、第５図（ａ） 、 （ｂ）は
この実施例方法をスライドボート式液相エピタキシャル
成長装置に適用する場合の第１回目、第２回目の成長時
の概要を示す平面図である。 （１）・・・・基板、（２）および（４）・・・・第１
回目および第２回目のエピタキシャル成長層、（３）お
よび（５）・・・・第１回目および第２回目のパターン
、（６） 、 （１４）・・・・静止部、（７）および
（１５） 、 （１６）・・・・可動部、（７ｈ）およ
び０５ｍ） 。 （１６ａ ）・・・・溶液溜、（１０） 、 （１１）
・・・・基板押え、（１０ｍ） 、 （ｌｌａ）・・・
・押え部。 出願人 工業技術院長 川 ［１裕 部第５図
Claims (1)
- 基板上に最初のエピタキシャル成長層を形成したのち、
この最初の成長層上に最初のパターンを形成させ、つい
でこの最初の成長層上に次の成長層を形成させる場合、
最初の成長層の一部をその上の最初のパターンの一部を
も含んで被覆させた状態で次の成長層を形成させ、その
後被覆部に残された最初のパターンを基準として、次の
成長層上に最初のパターンに対応した次のパターンを形
成し得るようにしたことを特徴とする液相エピタキシャ
ル成長法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58166539A JPS6058619A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | 液相エピタキシヤル成長法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58166539A JPS6058619A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | 液相エピタキシヤル成長法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6058619A true JPS6058619A (ja) | 1985-04-04 |
| JPH0219620B2 JPH0219620B2 (ja) | 1990-05-02 |
Family
ID=15833154
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58166539A Granted JPS6058619A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | 液相エピタキシヤル成長法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6058619A (ja) |
-
1983
- 1983-09-12 JP JP58166539A patent/JPS6058619A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0219620B2 (ja) | 1990-05-02 |
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