JPH02196456A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH02196456A JPH02196456A JP1672889A JP1672889A JPH02196456A JP H02196456 A JPH02196456 A JP H02196456A JP 1672889 A JP1672889 A JP 1672889A JP 1672889 A JP1672889 A JP 1672889A JP H02196456 A JPH02196456 A JP H02196456A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- semiconductor device
- outer leads
- sealed semiconductor
- insulating heat
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title abstract description 25
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 abstract description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 abstract description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、樹脂封止型半導体装置に関する。
従来、この種の半導体装置のパッケージング方法は、量
産に適し、安価であるため、多くの半導体装置に適用さ
れている。また、この半導体装置をプリント回路基板に
実装する場合に、自動実装により行なわれるため、外部
リードの精度及び強度に対して厳しい要求が叫ばれるよ
うになった。
産に適し、安価であるため、多くの半導体装置に適用さ
れている。また、この半導体装置をプリント回路基板に
実装する場合に、自動実装により行なわれるため、外部
リードの精度及び強度に対して厳しい要求が叫ばれるよ
うになった。
第３図は従来の一例を示す樹脂封止型半導体装置の斜視
図である。この樹脂封止型半導体装置は、外郭体１が樹
脂体で作られ、この外郭体２の周囲より複数体の外部リ
ード２が突出している。
図である。この樹脂封止型半導体装置は、外郭体１が樹
脂体で作られ、この外郭体２の周囲より複数体の外部リ
ード２が突出している。
また、この外部リード２は、突出する側面に対して所定
の角度に折り曲げられ、更に、その先端は、折り曲げ返
されて平坦な面に形成されている。
の角度に折り曲げられ、更に、その先端は、折り曲げ返
されて平坦な面に形成されている。
プリント回路基板に、この半導体装置を実装する場合は
、プリント回路基板の配線パッドに半導体装置の外部リ
ードの先端平坦面を合せ乗せ、予備はんだを加熱溶融し
て実装を行っていた。
、プリント回路基板の配線パッドに半導体装置の外部リ
ードの先端平坦面を合せ乗せ、予備はんだを加熱溶融し
て実装を行っていた。
上述した従来の樹脂封止型半導体装置は、樹脂部から露
出した外部端子となる複数の外部リードが全て切断及び
折曲げ成形されているので、隣り合う外部リードとの接
触及び外部からの力によるリード曲りや外部リード先端
部の浮き等が生じる欠点がある。
出した外部端子となる複数の外部リードが全て切断及び
折曲げ成形されているので、隣り合う外部リードとの接
触及び外部からの力によるリード曲りや外部リード先端
部の浮き等が生じる欠点がある。
このため、折曲げ成形後に作業者によるリード曲げ修正
作業が必要となり、多大な工数増となるばかりか、プリ
ント回路基板に実装するときに、外部リードと配線パッ
ドの接続部が短絡したり、断線したりする重大な品質問
題が起きる。また、この問題は、最近の半導体装置の多
ビン化に伴ない特に顕著となってきている。
作業が必要となり、多大な工数増となるばかりか、プリ
ント回路基板に実装するときに、外部リードと配線パッ
ドの接続部が短絡したり、断線したりする重大な品質問
題が起きる。また、この問題は、最近の半導体装置の多
ビン化に伴ない特に顕著となってきている。
本発明の目的は、複数の外部リードの先端部が同一面に
揃う樹脂封止型半導体装置を提供することにある。
揃う樹脂封止型半導体装置を提供することにある。
本発明の樹脂封止型半導体装置は、樹脂体で形成された
外郭体と、この外郭体の周囲より突出して設けられた複
数の外部リードとを有する樹脂封止型半導体装置におい
て、隣接する前記外部リード相互間を接着保持する絶縁
性耐熱テープを備え構成される。
外郭体と、この外郭体の周囲より突出して設けられた複
数の外部リードとを有する樹脂封止型半導体装置におい
て、隣接する前記外部リード相互間を接着保持する絶縁
性耐熱テープを備え構成される。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）及び（ｂ）は本発明の一実施例を示す樹脂
封止型半導体装置の平面図及び側面図である。この樹脂
封止型半導体装置の従来例と異なる点は、複数外部リー
ド２の折り曲げ部２ａの裏面に、隣接する外部リード２
の相互を固定保持する絶縁性耐熱テープ３が接着されて
いることである。
封止型半導体装置の平面図及び側面図である。この樹脂
封止型半導体装置の従来例と異なる点は、複数外部リー
ド２の折り曲げ部２ａの裏面に、隣接する外部リード２
の相互を固定保持する絶縁性耐熱テープ３が接着されて
いることである。
ここで、この絶縁性耐熱テープ３としては、例えば、３
００℃程度の耐熱性を有するポリイミド樹脂テープ（例
えば、出用製紙所、ニレファンＲ７２２）を用いればよ
い。このことは、この半導体装置をプリント回路基板に
実装するときに使用する、例えば、赤外線ランプ等の高
温においても、テープの変形や熱分解を防ぐことが出来
る。
００℃程度の耐熱性を有するポリイミド樹脂テープ（例
えば、出用製紙所、ニレファンＲ７２２）を用いればよ
い。このことは、この半導体装置をプリント回路基板に
実装するときに使用する、例えば、赤外線ランプ等の高
温においても、テープの変形や熱分解を防ぐことが出来
る。
また、この絶縁性耐熱テープ３は、外部リード２の寸法
にもよるが、通常厚さが約５０μｍ１幅が０．５〜１．
０龍程度のものを使用すれば充分である。
にもよるが、通常厚さが約５０μｍ１幅が０．５〜１．
０龍程度のものを使用すれば充分である。
このような構造により、外部リード２に外部からの力が
加わった場合には、絶縁性耐熱テープ３により、力が全
外部リード２に分散されるため、外部リード２は変形を
起こしにくい。
加わった場合には、絶縁性耐熱テープ３により、力が全
外部リード２に分散されるため、外部リード２は変形を
起こしにくい。
第２図（ａ）及び（ｂ）は本発明による他の実施例を示
す樹脂封止型半導体装置の平面図及び側面図である。こ
の樹脂封止型半導体装置は、前述の実施例で示した絶縁
性耐熱テープ３を外部り−ド２の折曲げ部２ａの表面に
張付けたことである。
す樹脂封止型半導体装置の平面図及び側面図である。こ
の樹脂封止型半導体装置は、前述の実施例で示した絶縁
性耐熱テープ３を外部り−ド２の折曲げ部２ａの表面に
張付けたことである。
この実施例では、前述の実施例と比べ、絶縁性耐熱テー
プ３を外部リード２の先端平坦部４迄張付けることが出
来るので外部リード２全体の変形ばかりでなく、外部リ
ードの先端平坦部４の浮き等の変形も防止することが出
来るという利点がある。
プ３を外部リード２の先端平坦部４迄張付けることが出
来るので外部リード２全体の変形ばかりでなく、外部リ
ードの先端平坦部４の浮き等の変形も防止することが出
来るという利点がある。
以上説明したように本発明は、樹脂封止型半導体装置の
外部端子となる複数の外部リード相互間を絶縁性耐熱テ
ープで接着保持することにより、隣り合う外部リードと
の接触及び外部からの力によるリード曲りを生じないと
ともに外部リード先端部が同一面に揃う樹脂封止型半導
体装置が得られるという効果がある。
外部端子となる複数の外部リード相互間を絶縁性耐熱テ
ープで接着保持することにより、隣り合う外部リードと
の接触及び外部からの力によるリード曲りを生じないと
ともに外部リード先端部が同一面に揃う樹脂封止型半導
体装置が得られるという効果がある。
第１図（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施例を示す樹
脂封止型半導体装置の平面図及び側面図、第２図（ａ）
及び（ｂ）は本発明による他の実施例を示す樹脂封止型
半導体装置の平面図及び側面図、第３図は従来の一例を
示す樹脂封止型半導体装置の斜視図である。 １・・・外郭体、２・・・外部リード、２ａ・・・折曲
げ部、３・・・絶縁性耐熱テープ、４・・・先端平坦部
。
脂封止型半導体装置の平面図及び側面図、第２図（ａ）
及び（ｂ）は本発明による他の実施例を示す樹脂封止型
半導体装置の平面図及び側面図、第３図は従来の一例を
示す樹脂封止型半導体装置の斜視図である。 １・・・外郭体、２・・・外部リード、２ａ・・・折曲
げ部、３・・・絶縁性耐熱テープ、４・・・先端平坦部
。
Claims (1)
- 樹脂体で形成された外郭体と、この外郭体の周囲より突
出して設けられた複数の外部リードとを有する樹脂封止
型半導体装置において、隣接する前記外部リード相互間
を接着保持する絶縁性耐熱テープを備えたことを特徴と
する樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1672889A JPH02196456A (ja) | 1989-01-25 | 1989-01-25 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1672889A JPH02196456A (ja) | 1989-01-25 | 1989-01-25 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02196456A true JPH02196456A (ja) | 1990-08-03 |
Family
ID=11924326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1672889A Pending JPH02196456A (ja) | 1989-01-25 | 1989-01-25 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02196456A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6124261A (ja) * | 1984-07-13 | 1986-02-01 | Nec Corp | リ−ドフレ−ム |
| JPS63136555A (ja) * | 1986-11-26 | 1988-06-08 | Mitsubishi Electric Corp | 集積回路装置 |
| JPS63169754A (ja) * | 1987-01-07 | 1988-07-13 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPS644054A (en) * | 1987-06-25 | 1989-01-09 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
-
1989
- 1989-01-25 JP JP1672889A patent/JPH02196456A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6124261A (ja) * | 1984-07-13 | 1986-02-01 | Nec Corp | リ−ドフレ−ム |
| JPS63136555A (ja) * | 1986-11-26 | 1988-06-08 | Mitsubishi Electric Corp | 集積回路装置 |
| JPS63169754A (ja) * | 1987-01-07 | 1988-07-13 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPS644054A (en) * | 1987-06-25 | 1989-01-09 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
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