JPH02198893A - 光カードの製造方法 - Google Patents
光カードの製造方法Info
- Publication number
- JPH02198893A JPH02198893A JP1018748A JP1874889A JPH02198893A JP H02198893 A JPH02198893 A JP H02198893A JP 1018748 A JP1018748 A JP 1018748A JP 1874889 A JP1874889 A JP 1874889A JP H02198893 A JPH02198893 A JP H02198893A
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- JP
- Japan
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- film
- recording film
- sputtering method
- optical card
- recording
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野〕
本発明はレーザ光を照射することにより情報の記録およ
び再生を行う光カードの量産に好適な光カードの製造方
法に関する。
び再生を行う光カードの量産に好適な光カードの製造方
法に関する。
［従来の技術］
従来、光カードの記録膜としては、ゼラチン層の母体中
に反射性の銀粒子を分散させたものが、たとえば、特開
昭５５−１０８９９５号等に開示されている。しかしこ
の方法でつくられた光カードは、上記ゼラチン層が吸湿
するため、高温高湿下での耐久性が劣る問題点がある。
に反射性の銀粒子を分散させたものが、たとえば、特開
昭５５−１０８９９５号等に開示されている。しかしこ
の方法でつくられた光カードは、上記ゼラチン層が吸湿
するため、高温高湿下での耐久性が劣る問題点がある。
上記問題を解決するため、Ｄ ＲＡ Ｗ型光ディスクに
用いられる記録膜を光カードに適用し、ＴｅやＳｅ等の
カルコゲナイドを光カードの記録膜に使用することが考
えられる。そして、ＤＲＡＷ型光カードには、耐酸化性
、記録特性および機械的強度の向上といった目的で、３
元素以上の合金記録膜を用いることが多い。量産化に際
しては、上記合金記録膜組成の安定化が要求される。そ
こで、組成の安定化が比較的容易なスパッタリング法に
より光カードの記録膜を形成している（特開昭６０−２
０８２９０号等）。ところで、上記スパッタリング法に
は、各元素のターゲットを用いたり、ターゲット上に他
元素のチップを置いた複合ターゲットを用いたり、光カ
ードの記録膜の目標組成とほぼ等しい組成の合金ターゲ
ットを用いる方法がある。
用いられる記録膜を光カードに適用し、ＴｅやＳｅ等の
カルコゲナイドを光カードの記録膜に使用することが考
えられる。そして、ＤＲＡＷ型光カードには、耐酸化性
、記録特性および機械的強度の向上といった目的で、３
元素以上の合金記録膜を用いることが多い。量産化に際
しては、上記合金記録膜組成の安定化が要求される。そ
こで、組成の安定化が比較的容易なスパッタリング法に
より光カードの記録膜を形成している（特開昭６０−２
０８２９０号等）。ところで、上記スパッタリング法に
は、各元素のターゲットを用いたり、ターゲット上に他
元素のチップを置いた複合ターゲットを用いたり、光カ
ードの記録膜の目標組成とほぼ等しい組成の合金ターゲ
ットを用いる方法がある。
［発明が解決しようとする課題］
上記従来のＤＲＡＷ型ディ大デイスク方法と同様の方法
で光カードを製造しようとすると、安価な光カードを量
産することは困難であった。すなわち、上記ＤＲＡＷ型
光カードに記録膜を形成するには、従来光ディスクの製
造方法で行われていたように、光カード大のフィルムに
バッチ方法で成膜する方法が考えられる。しかし、スパ
ッタリング法で成膜する場合、成膜できる面積は小面積
に限られるため、量産には適さない。次に、磁気テープ
の製造方法で行われているように、フィルムに連続成膜
する方法が考えられる。この場合、Ｓｅ単独ターゲット
および他元素のターゲットを用いた、多元スパッタリン
グ法を行うと、Ｓｓの融点が低いために成膜時の投入電
力パワーが制限され、成膜レートを高くすることができ
ず、量産には適さない。
で光カードを製造しようとすると、安価な光カードを量
産することは困難であった。すなわち、上記ＤＲＡＷ型
光カードに記録膜を形成するには、従来光ディスクの製
造方法で行われていたように、光カード大のフィルムに
バッチ方法で成膜する方法が考えられる。しかし、スパ
ッタリング法で成膜する場合、成膜できる面積は小面積
に限られるため、量産には適さない。次に、磁気テープ
の製造方法で行われているように、フィルムに連続成膜
する方法が考えられる。この場合、Ｓｅ単独ターゲット
および他元素のターゲットを用いた、多元スパッタリン
グ法を行うと、Ｓｓの融点が低いために成膜時の投入電
力パワーが制限され、成膜レートを高くすることができ
ず、量産には適さない。
ところで、複合ターゲットまたは合金ターゲットを用い
た（ＲＦ）スパッタリング法により記録膜を成膜するこ
とがある。ここで、光デイスク記録膜の成膜においては
、成膜時間が短゛くてすむため、高周波プラズマによる
基板の温度上昇は、問題とはならない。しかし、連続し
たフィルムに記録膜を形成する光カードの製造において
は、成膜時に上記フィルムが高温に曝される時間が、長
時間になるため、上記フィルムの温度が上昇するので、
フィルムに形成されたトラッキングラインの形状等が変
形することがあり、好ましくない。
た（ＲＦ）スパッタリング法により記録膜を成膜するこ
とがある。ここで、光デイスク記録膜の成膜においては
、成膜時間が短゛くてすむため、高周波プラズマによる
基板の温度上昇は、問題とはならない。しかし、連続し
たフィルムに記録膜を形成する光カードの製造において
は、成膜時に上記フィルムが高温に曝される時間が、長
時間になるため、上記フィルムの温度が上昇するので、
フィルムに形成されたトラッキングラインの形状等が変
形することがあり、好ましくない。
本発明は上記従来の問題点に鑑みてなされたもので、量
産性良く記録膜を成膜することができる光カードの製造
方法を提供することを目的とする。
産性良く記録膜を成膜することができる光カードの製造
方法を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
上記課題を解決するためにこの発明の請求項（１）に記
載の光カードの製造方法は、Ｓｅと１種類以上の他元素
との合金ターゲットを用いて、連続したフィルム上にス
パッタリング法により記録膜を形成することを特徴とす
る 請求項（２）の光カードの製造方法では、ＤＣスパッタ
リング法により記録膜を形成する。
載の光カードの製造方法は、Ｓｅと１種類以上の他元素
との合金ターゲットを用いて、連続したフィルム上にス
パッタリング法により記録膜を形成することを特徴とす
る 請求項（２）の光カードの製造方法では、ＤＣスパッタ
リング法により記録膜を形成する。
［作 用］
Ｓｅと１種類以上の他元素を合金化したターゲットの融
点は、Ｓｅのみのターゲットの融点よりも高く、成膜時
の投入電力パワーを上げることができる。したがって、
成膜レートを高くすることができ、連続したフィルムの
巻き取り時間（成膜時間）を大きく短縮することが可能
となる。またＤＣスパッタリング法によって記録膜を形
成することにより、高周波プラズマから基板を保護する
ことが可能となる。
点は、Ｓｅのみのターゲットの融点よりも高く、成膜時
の投入電力パワーを上げることができる。したがって、
成膜レートを高くすることができ、連続したフィルムの
巻き取り時間（成膜時間）を大きく短縮することが可能
となる。またＤＣスパッタリング法によって記録膜を形
成することにより、高周波プラズマから基板を保護する
ことが可能となる。
［実施例］
以下に実施例によって本発明をより詳細に説明する。
（実施例Ｉ）
厚さが３０μ私幅が２００ｍｍで長さが５０ｍのポリエ
ステル樹脂フィルムに連続プレス成形法によって、光カ
ードのトラッキングラインやプリフォーマット等のパタ
ーニングを行った。上記フィルムをロール状に巻き、巻
取式スパッタリング装置（たとえば日本真空技術株式会
社製ＳＰＷシリーズ（商品名））に装着した。装着後真
空引きを行い、真空度が５ｘ １０−”Ｔｏｒｒにおい
てＡｒガスを導入し、Ａｒガス圧を５ｘ １Ｏ−３Ｔｏ
ｒｒに設定した。ここでターゲットにはＰｔ５（７ｅｔ
・Ｓｅ、−）組成（原子数比）の合金ターゲットを用い
た。上記フィルムの送りを開始し、没入電力がＤ Ｃ５
００ＷでＰｔ−Ｔｅ−３ｅ記録膜（ａ厚４２０人）を上
記フィルム上に成膜した。成膜時の放電状格を観察する
と、アーク放電は発生しておらず、安定した放電が確認
された。なおフィルムの送りおよび投入電力の設定は、
光学的膜厚モニターによってフィードバックした。およ
そ４時間で成膜を終了し、成膜したフィルムを用いて光
カードを作成した。この光カードを記録再生装置によっ
て評価したところ、バッチ方式によって記録膜を成膜し
た光カードと変わりない特性が得られた。
ステル樹脂フィルムに連続プレス成形法によって、光カ
ードのトラッキングラインやプリフォーマット等のパタ
ーニングを行った。上記フィルムをロール状に巻き、巻
取式スパッタリング装置（たとえば日本真空技術株式会
社製ＳＰＷシリーズ（商品名））に装着した。装着後真
空引きを行い、真空度が５ｘ １０−”Ｔｏｒｒにおい
てＡｒガスを導入し、Ａｒガス圧を５ｘ １Ｏ−３Ｔｏ
ｒｒに設定した。ここでターゲットにはＰｔ５（７ｅｔ
・Ｓｅ、−）組成（原子数比）の合金ターゲットを用い
た。上記フィルムの送りを開始し、没入電力がＤ Ｃ５
００ＷでＰｔ−Ｔｅ−３ｅ記録膜（ａ厚４２０人）を上
記フィルム上に成膜した。成膜時の放電状格を観察する
と、アーク放電は発生しておらず、安定した放電が確認
された。なおフィルムの送りおよび投入電力の設定は、
光学的膜厚モニターによってフィードバックした。およ
そ４時間で成膜を終了し、成膜したフィルムを用いて光
カードを作成した。この光カードを記録再生装置によっ
て評価したところ、バッチ方式によって記録膜を成膜し
た光カードと変わりない特性が得られた。
（実施例２．３ 比較例Ａ）
実施例１と同じポリエステル樹脂フィルムに異なる種類
のターゲットを用いてＰｔ −Ｔｅ −Ｓｅ記録膜（膜
厚４２０人）を成膜し、光カードを作成した。
のターゲットを用いてＰｔ −Ｔｅ −Ｓｅ記録膜（膜
厚４２０人）を成膜し、光カードを作成した。
ここで成膜レートを変えて記録膜を形成し、ターゲット
の溶融やアーク放電の発生等の不都合が生じない、最大
成膜レートを測定した。その結果を第１表に示した。第
１表において、実施例２はｐｔ−Ｔｅ−Ｓｅの合金ター
ゲットを用いたＤＣスパッタリング法、実施例３は同様
の合金ターゲットを用いたＲＦスパッタリング法、比較
例ＡはＳｅターゲットとＴｅターゲット上にＰｔチップ
を置いた複合ターゲットとを用いた多元スパッタリング
法により記録膜を成膜した。第１表から明らかなように
本発明によると、最大成膜レートが高いので、成膜時の
フィルムの送り速度を高くすることができる。
の溶融やアーク放電の発生等の不都合が生じない、最大
成膜レートを測定した。その結果を第１表に示した。第
１表において、実施例２はｐｔ−Ｔｅ−Ｓｅの合金ター
ゲットを用いたＤＣスパッタリング法、実施例３は同様
の合金ターゲットを用いたＲＦスパッタリング法、比較
例ＡはＳｅターゲットとＴｅターゲット上にＰｔチップ
を置いた複合ターゲットとを用いた多元スパッタリング
法により記録膜を成膜した。第１表から明らかなように
本発明によると、最大成膜レートが高いので、成膜時の
フィルムの送り速度を高くすることができる。
なお本発明の記録膜としては上記実施例に示したＰＬ
−Ｔｅ −Ｓｅのほかに、Ｔｅ −Ｓｅ、 Ｓｅ −Ｂ
ｉ、 Ｓｅ −Ｓｂ。
−Ｔｅ −Ｓｅのほかに、Ｔｅ −Ｓｅ、 Ｓｅ −Ｂ
ｉ、 Ｓｅ −Ｓｂ。
Ｔｅ −Ｓｓ −Ｓｂ、 Ｔｅ −Ｓｅ −Ｐｂ、 Ｐ
Ｌ −Ｓｅ −Ｂｉ％Ｓｂ −５ｅＢｉ、 Ｓｅ −Ｂ
ｉ −Ｐｂ、 Ａｕ −Ｔｅ −ＳｅおよびＡｕ−５ｅ
−Ｂｉ等があげられる。
Ｌ −Ｓｅ −Ｂｉ％Ｓｂ −５ｅＢｉ、 Ｓｅ −Ｂ
ｉ −Ｐｂ、 Ａｕ −Ｔｅ −ＳｅおよびＡｕ−５ｅ
−Ｂｉ等があげられる。
本発明に用いられるフィルムとしては、ポリエステル樹
脂フィルムのほかに、ポリイミド樹脂フィルムやポリカ
ーボネイト樹脂フィルムが用いられる。また本発明によ
り製造される光カードは任意の保護膜を有していても良
い。
脂フィルムのほかに、ポリイミド樹脂フィルムやポリカ
ーボネイト樹脂フィルムが用いられる。また本発明によ
り製造される光カードは任意の保護膜を有していても良
い。
第
表
［発明の効果］
本発明の光カードの製造方法では、Ｓｅと１種類以上の
他の元素との合金ターゲットを用いて、連続したフィル
ム上にスパッタリング法により記録膜を形成しているの
で、成膜時の上記フィルムの送り速度を高くすることが
でき、先カードの記録膜の量産性を向上させることがで
きる。そして上記スパッタリング法がＤＣスパッタリン
グ法であれば特に量産性が向上する。
他の元素との合金ターゲットを用いて、連続したフィル
ム上にスパッタリング法により記録膜を形成しているの
で、成膜時の上記フィルムの送り速度を高くすることが
でき、先カードの記録膜の量産性を向上させることがで
きる。そして上記スパッタリング法がＤＣスパッタリン
グ法であれば特に量産性が向上する。
Claims (2)
- （１）Ｓｅと１種類以上の他元素との合金ターゲットを
用いて、連続したフィルム上にスパッタリング法により
記録膜を形成することを特徴とする光カードの製造方法
。 - （２）上記連続したフィルム上にＤＣスパッタリング法
により記録膜を形成することを特徴とする請求項（１）
記載の光カードの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1018748A JPH02198893A (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | 光カードの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1018748A JPH02198893A (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | 光カードの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02198893A true JPH02198893A (ja) | 1990-08-07 |
Family
ID=11980272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1018748A Pending JPH02198893A (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | 光カードの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02198893A (ja) |
-
1989
- 1989-01-27 JP JP1018748A patent/JPH02198893A/ja active Pending
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