JPH021989A - 高耐圧スイッチングダイオード - Google Patents
高耐圧スイッチングダイオードInfo
- Publication number
- JPH021989A JPH021989A JP14282388A JP14282388A JPH021989A JP H021989 A JPH021989 A JP H021989A JP 14282388 A JP14282388 A JP 14282388A JP 14282388 A JP14282388 A JP 14282388A JP H021989 A JPH021989 A JP H021989A
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- Japan
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- substrate
- semiconductor substrate
- high concentration
- opposite
- silicon substrate
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はプレーナ接合による高耐圧のスイッチングダイ
オードの構造に関するものである。
オードの構造に関するものである。
従来の技術
ＣＣ東、プレーナ接合によるスイッチングダイオードの
構造としては、Ｎ”ＮＰ’″又はＰ”））Ｎ”構造かｒ
ｐ ＋ｌｉ、す、Ｎ Ｐ＋接合又はＰＮ＋接合における
接合曲率部で耐圧が決まる（第３図及び第４図参照）。
構造としては、Ｎ”ＮＰ’″又はＰ”））Ｎ”構造かｒ
ｐ ＋ｌｉ、す、Ｎ Ｐ＋接合又はＰＮ＋接合における
接合曲率部で耐圧が決まる（第３図及び第４図参照）。
又これらのチップを放熱板にマウントする場合には、プ
レーナ接合部がマウント面と反対方向になる様にマウン
トするために、Ｎ“Ｎ Ｐ”ｆＭｊｂの場合にはＮ＋面
がカソードとなり、Ｐ”ＰＮ＋構造の場合にはＰ＋面が
アノードとなる。
レーナ接合部がマウント面と反対方向になる様にマウン
トするために、Ｎ“Ｎ Ｐ”ｆＭｊｂの場合にはＮ＋面
がカソードとなり、Ｐ”ＰＮ＋構造の場合にはＰ＋面が
アノードとなる。
発明が解決しようとする課題
上述した従来構造のブレーナ形ダイオードでは、′ｒ導
体Ｊ、１Ｈ板の導電型によって放熱板の極性が決ま−−
＋てしまい、同一の半導体基板を使用して放熱板の極性
の異なる半導体装置を作ることはできなかった。即ち、
Ｎ゛型基板を使用した時には、放熱板の極性はカソード
となり、放熱板基板をアノードにすることはできない。
体Ｊ、１Ｈ板の導電型によって放熱板の極性が決ま−−
＋てしまい、同一の半導体基板を使用して放熱板の極性
の異なる半導体装置を作ることはできなかった。即ち、
Ｎ゛型基板を使用した時には、放熱板の極性はカソード
となり、放熱板基板をアノードにすることはできない。
従って、逆極性の半導体装置を得るためには、異なる導
電型の半導体基板を使用する必要があり、半導体装置の
設計上制約となる。
電型の半導体基板を使用する必要があり、半導体装置の
設計上制約となる。
本発明は従来の上記実情に鑑みてなされたものであり、
従って本発明の目的は、従来の技術に内在する上記課題
を解決することを可能と・した新規な高耐圧スイッチン
グダイオードを提供することにある。
従って本発明の目的は、従来の技術に内在する上記課題
を解決することを可能と・した新規な高耐圧スイッチン
グダイオードを提供することにある。
発明の従来技術に対する相違点
上述した従来の１トーナ形ダイオードに対し、本発明は
同一の半導体基板を用いて極性の異なる半導体装置を提
供することが可能である。
同一の半導体基板を用いて極性の異なる半導体装置を提
供することが可能である。
課題を解決するための手段
前記目的を達成する為に、本発明に係る高耐圧スイッチ
ングダイオードは、半導体基板を垂直に貫通する不純物
層と、シリコン基板の一主面に形成された基板と反対の
導電型をもつ高濃度不純物層と、前記シリコン基板の反
対側の主面に選択的に形成された基板と同一の導電型の
高濃度不純物層と、それぞれの高不純物層に固着された
金属電極とを備えて構成される。
ングダイオードは、半導体基板を垂直に貫通する不純物
層と、シリコン基板の一主面に形成された基板と反対の
導電型をもつ高濃度不純物層と、前記シリコン基板の反
対側の主面に選択的に形成された基板と同一の導電型の
高濃度不純物層と、それぞれの高不純物層に固着された
金属電極とを備えて構成される。
実施例
次に本発明をその好ましい各実施例について図面を参ｊ
ｊｒｊ シなから具体的に説明する。
ｊｒｊ シなから具体的に説明する。
第１１４は本発明による第１の実施例を示す縦断１ｒ＋
ｉ ｌ］である。
ｉ ｌ］である。
第１１Ａｔ−を明するに、参照番号１はＮ型土シダ体基
板を；ｒｚシ、３１．Ｎ型半導体基板１は抵抗率約４０
ΩでＪゾさは約２０Ｕ７Ｌｍである 「）をの絶縁層２が半導体基板１の両面からプレー１−
１ｔｎ２法により選択的に形成され、シリコンに板の東
面左向に４通している。
板を；ｒｚシ、３１．Ｎ型半導体基板１は抵抗率約４０
ΩでＪゾさは約２０Ｕ７Ｌｍである 「）をの絶縁層２が半導体基板１の両面からプレー１−
１ｔｎ２法により選択的に形成され、シリコンに板の東
面左向に４通している。
次に半導体基板１の一主面からＰ＋高１度不縄物層３か
形成される。接合深さは約２１）８階である。
形成される。接合深さは約２１）８階である。
次に゛￥導体ＪＳ板１の反対（１１の而からＮ１高濃度
を純杓層４が形成される。接合深さは約１Ｏ）ｌＩＩＩ
である。
を純杓層４が形成される。接合深さは約１Ｏ）ｌＩＩＩ
である。
次に金属電極５と６が蒸首によって形成される。
第５図は本発明に係る半導体チップを放熱板にマウント
し、リード線３を′）けな後、樹脂封止したｌｌ７ｉ而
を示す。
し、リード線３を′）けな後、樹脂封止したｌｌ７ｉ而
を示す。
以上シ；ｌ明した一実施例は半導体基板１としてＮ型判
導体分用いた場合であるが１代わりにＰ型半導体を用い
てもほぼ同様に実現可能である。
導体分用いた場合であるが１代わりにＰ型半導体を用い
てもほぼ同様に実現可能である。
第２図は本発明による第２の実施例を示す縦断面図であ
る。
る。
第２図において、本第２の実施例では、同−Ｎ基板上に
Ｐ”ＮＮ”ダイオードを２固並列に形成し、共通の金属
電極で両者のＰ＋ベース、Ｉｌｌを電気的に接続するこ
とにより、Ｐ千ベース層を共通の・接地とする。
Ｐ”ＮＮ”ダイオードを２固並列に形成し、共通の金属
電極で両者のＰ＋ベース、Ｉｌｌを電気的に接続するこ
とにより、Ｐ千ベース層を共通の・接地とする。
発明の詳細
な説明したように、本発明によれば、Ｎ型半導体基板を
用いて放熱板の極性は陽極となり、従来と反対極性の半
導体装置をＰ”ＮＮ＋構造で得るこ′とができる。
用いて放熱板の極性は陽極となり、従来と反対極性の半
導体装置をＰ”ＮＮ＋構造で得るこ′とができる。
一方、従来の方法で上と同一の極性の半導体装置を得る
にはＰ型半導体基板を用いるので、■）＋ＰＮ“構造と
なる。
にはＰ型半導体基板を用いるので、■）＋ＰＮ“構造と
なる。
これに対応する反χ・を極性の半導体装置はＮ４ＮＰ”
構造であるから、本発明による半導体装置はその電気的
特性が非常に似た特性をもつのに対して ｌ） １％ｇ
基板を用いた従来の構造の場合には電気的特性が上とは
異なったものとなる。これはＰハ“厚基板とＮ型基板で
は半導体中の担体の移動度が胃なるためである。
構造であるから、本発明による半導体装置はその電気的
特性が非常に似た特性をもつのに対して ｌ） １％ｇ
基板を用いた従来の構造の場合には電気的特性が上とは
異なったものとなる。これはＰハ“厚基板とＮ型基板で
は半導体中の担体の移動度が胃なるためである。
よって本発明により、電極の極性が反対で電気的１？性
が非常に似たダイオードが得られ、装置応用Ｅ在（ｊｌ
となる。
が非常に似たダイオードが得られ、装置応用Ｅ在（ｊｌ
となる。
又、ｒｔ ｎの価格面においては、Ｎ型基板の方が１）
をＪｋ板より製造し鴇いたｙ）に、コストが安いのて
Ｎ Ｉｌ’ｌ 、Ｊ５板を使用した方がコストの安い半
導体装置を提供できるという有利な点が得られる。
をＪｋ板より製造し鴇いたｙ）に、コストが安いのて
Ｎ Ｉｌ’ｌ 、Ｊ５板を使用した方がコストの安い半
導体装置を提供できるという有利な点が得られる。
＝１ 、 、Ｉ：４面の簡噴な説明
第１［７１は本発明による第１の実施例を示す縦断面図
（ＦＪ“ＮＮ＋構造）、第２１Ｍは本発明による第２の
実施例を示す縦断面図、第３図は本発明に係る寥導体千
・１アをケースに封止した時の状態を示す縦断面図、第
、１図は従来におけるこの種の装置の構造の縦断面図（
Ｎ”ＮＰ＋構造）、第５図は従来におけるこの種の装；
４の構造の縦断面図（［け ＰＮ＋構造）である。
（ＦＪ“ＮＮ＋構造）、第２１Ｍは本発明による第２の
実施例を示す縦断面図、第３図は本発明に係る寥導体千
・１アをケースに封止した時の状態を示す縦断面図、第
、１図は従来におけるこの種の装置の構造の縦断面図（
Ｎ”ＮＰ＋構造）、第５図は従来におけるこの種の装；
４の構造の縦断面図（［け ＰＮ＋構造）である。
１・・・Ｎ型半導体基板、２・・・Ｐ型絶縁層、３・・
・Ｐ＋ベース層、４・・・Ｎ＋ベース層、５．６・・・
金属電極、１１］・・・シリコンチ・ツブ、１１・・・
金属放熱板、！３・・・危属ワイヤ、１４・・・樹脂、
１５・・・リード、２１・・・Ｎ型半導体基板、２３・
・・Ｐ“ベース層、２４・・・Ｎ”ベース層、２５２６
・・・金属電極、１１・・・Ｐ型半導体基板、３１・・
・Ｎ＋ヘース層、３４・・・Ｐ＋ベース層、３５．３６
・・・倉属電極第 図
・Ｐ＋ベース層、４・・・Ｎ＋ベース層、５．６・・・
金属電極、１１］・・・シリコンチ・ツブ、１１・・・
金属放熱板、！３・・・危属ワイヤ、１４・・・樹脂、
１５・・・リード、２１・・・Ｎ型半導体基板、２３・
・・Ｐ“ベース層、２４・・・Ｎ”ベース層、２５２６
・・・金属電極、１１・・・Ｐ型半導体基板、３１・・
・Ｎ＋ヘース層、３４・・・Ｐ＋ベース層、３５．３６
・・・倉属電極第 図
Claims (1)
- 高抵抗率（４０Ω・ｃｍ以上）を有する一導電型シリコ
ン基板と、拡散層が該シリコン基板の垂直方向において
貫通した上記シリコン基板と反対の導電型の不純物層と
、上記シリコン基板の一表面に形成され上記シリコン基
板と反対導電型の高濃度不純物層と、上記シリコン基板
の反対表面に選択的に形成され上記シリコン基板と同一
の導電型の高濃度不純物層と、上記２つの高濃度不純物
層上にそれぞれ形成された金属電極層とをもち、上記シ
リコン基板と反対導電型の高濃度不純物層側を半導体装
置の接地とすることを特徴とする高耐圧スイッチングダ
イオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14282388A JPH021989A (ja) | 1988-06-10 | 1988-06-10 | 高耐圧スイッチングダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14282388A JPH021989A (ja) | 1988-06-10 | 1988-06-10 | 高耐圧スイッチングダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH021989A true JPH021989A (ja) | 1990-01-08 |
Family
ID=15324457
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14282388A Pending JPH021989A (ja) | 1988-06-10 | 1988-06-10 | 高耐圧スイッチングダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH021989A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53126384A (en) * | 1977-04-05 | 1978-11-04 | Tsuneo Iwasaki | Production of specific patterned article |
| US5588297A (en) * | 1993-09-22 | 1996-12-31 | Saga University | Thermal power generator |
-
1988
- 1988-06-10 JP JP14282388A patent/JPH021989A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53126384A (en) * | 1977-04-05 | 1978-11-04 | Tsuneo Iwasaki | Production of specific patterned article |
| US5588297A (en) * | 1993-09-22 | 1996-12-31 | Saga University | Thermal power generator |
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