JPH02199645A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH02199645A JPH02199645A JP2032489A JP2032489A JPH02199645A JP H02199645 A JPH02199645 A JP H02199645A JP 2032489 A JP2032489 A JP 2032489A JP 2032489 A JP2032489 A JP 2032489A JP H02199645 A JPH02199645 A JP H02199645A
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- Japan
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- magneto
- optical recording
- protective layer
- recording medium
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は光学的記録に用いる光磁気記録媒体に係り、特
に記録層上に反射層を有する反射膜型の光磁気記録媒体
に関する。
に記録層上に反射層を有する反射膜型の光磁気記録媒体
に関する。
［従来の技術］
高密度の記録媒体である光メモリーのなかで、光磁気記
録媒体は書き換え可能な媒体としては最も開発が進んで
いる媒体である。
録媒体は書き換え可能な媒体としては最も開発が進んで
いる媒体である。
この光磁気記録媒体の特性を向上させる方法として、記
録層上に反射層を設ける方式が提案されている。この方
式は、カー効果とファラデー効果の併用により、高いＣ
／Ｎ比が得られるという点で優れている。この方式にお
いて、記録層上に設ける反射層としては、一般に、高反
射率の物質を用いる０例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｌ
２．Ｃｕ等であるが、コスト等の点から、Ａｌ１やＡ１
合金を用いることが多い。
録層上に反射層を設ける方式が提案されている。この方
式は、カー効果とファラデー効果の併用により、高いＣ
／Ｎ比が得られるという点で優れている。この方式にお
いて、記録層上に設ける反射層としては、一般に、高反
射率の物質を用いる０例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｌ
２．Ｃｕ等であるが、コスト等の点から、Ａｌ１やＡ１
合金を用いることが多い。
［発明が解決しようとする課題］
このような反射層の膜を最外層とした場合には、その腐
食の問題が起ってくる。反射膜が不動態を形成しない場
合、腐食電流は反射膜を通って記録層を腐食する恐れが
あり、また、貴金属以外の反射膜では、それ自身の腐食
も問題になる。反射膜が不動態を形成する場合でも、−
度ビンホールが生成すると腐食電流の集中が起こり、ピ
ンホールの拡大をもたらす。この現象は特に水分の存在
下において顕著である。
食の問題が起ってくる。反射膜が不動態を形成しない場
合、腐食電流は反射膜を通って記録層を腐食する恐れが
あり、また、貴金属以外の反射膜では、それ自身の腐食
も問題になる。反射膜が不動態を形成する場合でも、−
度ビンホールが生成すると腐食電流の集中が起こり、ピ
ンホールの拡大をもたらす。この現象は特に水分の存在
下において顕著である。
本発明は上記従来の問題点を解決し、耐腐食性に優れた
光磁気記録媒体を提供することを目的とする。
光磁気記録媒体を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明の光磁気記録媒体は、基板上に記録層、反射層、
および保護層をこの順に積層してなる光磁気記録媒体に
おいて、前記保護層は、水溶液中でのガルバニ系列が反
射層を構成する主たる元素と同等又は該元素より卑であ
る元素の酸化物又は窒化物からなることを特徴とする。
および保護層をこの順に積層してなる光磁気記録媒体に
おいて、前記保護層は、水溶液中でのガルバニ系列が反
射層を構成する主たる元素と同等又は該元素より卑であ
る元素の酸化物又は窒化物からなることを特徴とする。
即ち、本発明者等は前記従来の欠点を克服した高耐候性
を備える光磁気記録媒体を得るべく鋭意検討を重ねた結
果、反射層上に特定の物質よりなる保護層を形成するこ
とにより、非常に優れた耐候性を有し、腐食の問題が殆
どない光磁気記録媒体が得られることを見出し、本発明
を完成させた。
を備える光磁気記録媒体を得るべく鋭意検討を重ねた結
果、反射層上に特定の物質よりなる保護層を形成するこ
とにより、非常に優れた耐候性を有し、腐食の問題が殆
どない光磁気記録媒体が得られることを見出し、本発明
を完成させた。
以下に本発明の詳細な説明する。
本発明の光磁気記録媒体において、記録層等を形成する
基板としては、ポリカーボネート、ＰＭＭＡ等のプラス
チック又はガラス基板上に紫外線硬化樹脂層を形成した
ものなどが挙げられる。
基板としては、ポリカーボネート、ＰＭＭＡ等のプラス
チック又はガラス基板上に紫外線硬化樹脂層を形成した
ものなどが挙げられる。
このような基板上に形成する光磁気記録層の構成材料と
しては、希土類と遷移金属との合金、例えば、ＴｂＦｅ
、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ。
しては、希土類と遷移金属との合金、例えば、ＴｂＦｅ
、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ。
ＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ等が主として用いられる。
また、ガーネット、フェライト等の酸化物磁性体も利用
できる。記録層としては、隼−の層よりなるもので良く
、また、ＧｄＦｅＣｏ／ＴｂＦｅのように２以上の層よ
りなるものでも良い、記録層の膜厚は２５０〜５００Ａ
程度とするのが好ましい。
できる。記録層としては、隼−の層よりなるもので良く
、また、ＧｄＦｅＣｏ／ＴｂＦｅのように２以上の層よ
りなるものでも良い、記録層の膜厚は２５０〜５００Ａ
程度とするのが好ましい。
なお、記録層と基板との間には、干渉層として透明な誘
電体層を設けることもできる。この干渉ｌ１Ｉ（以下「
第１干渉層」と言うことがある。）は、基板からの水分
透過の防止と、干渉効果による反射率の低減でノイズを
低下させることを目的として形成される。干渉効果を充
分に得るために、干渉層には高屈折率の物質を用いるの
が良く、その好ましい屈折率は１．５＜ｎ＜２．６であ
る。干渉層としては、一般にＳｉＯ２゜Ｓｉｎ、ＡＪ１
２０３．Ｔａ２０５ 、ＴｉＯ２等の酸化物、３１３Ｎ
４１ Ａ ４２ Ｎ等の窒化物、又は、該酸化物と窒
化物との混合物等が用いられる。干渉層の膜厚は、膜の
屈折率、光の波長から、その反射率が最低となるように
調整する。通常の場合、干渉層の膜厚は、５００〜１ｏ
ｏｏＡ程度である。
電体層を設けることもできる。この干渉ｌ１Ｉ（以下「
第１干渉層」と言うことがある。）は、基板からの水分
透過の防止と、干渉効果による反射率の低減でノイズを
低下させることを目的として形成される。干渉効果を充
分に得るために、干渉層には高屈折率の物質を用いるの
が良く、その好ましい屈折率は１．５＜ｎ＜２．６であ
る。干渉層としては、一般にＳｉＯ２゜Ｓｉｎ、ＡＪ１
２０３．Ｔａ２０５ 、ＴｉＯ２等の酸化物、３１３Ｎ
４１ Ａ ４２ Ｎ等の窒化物、又は、該酸化物と窒
化物との混合物等が用いられる。干渉層の膜厚は、膜の
屈折率、光の波長から、その反射率が最低となるように
調整する。通常の場合、干渉層の膜厚は、５００〜１ｏ
ｏｏＡ程度である。
本発明の光磁気記録媒体において、前記記録層上に形成
する反射層の構成材料としては、−数的な高反射率の物
質が用いられ、例えば、Ａｕ。
する反射層の構成材料としては、−数的な高反射率の物
質が用いられ、例えば、Ａｕ。
Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、ＡＪＺ又はこれらの合金等を用いる
ことができる。これらのうち、特にＡｌ１又はＡ１１．
合金がコスト及び耐候性の両面から好ましく、更に、Ａ
ｆＬ又はＡ１合金にＴａ、Ｔｉ。
ことができる。これらのうち、特にＡｌ１又はＡ１１．
合金がコスト及び耐候性の両面から好ましく、更に、Ａ
ｆＬ又はＡ１合金にＴａ、Ｔｉ。
Ｚｒ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ｖ、Ｃｒ及びＰｄの少くとも１種を
ｏ、ｉ〜１５原子％程度好ましくは１〜１０原子％程度
添加した合金は、高反射率であると共に熱伝導度も低く
、Ｃ／Ｎ比及び感度が共に良好な高特性反射膜を形成す
ることができることから、極めて好適である。反射層は
、その膜厚が厚過ぎる場合には感度が低下し、薄過ぎる
場合には反射率が低下し、Ｃ／Ｎ比が落ちる。通常の場
合、反射層の膜厚は１００〜ｔｏｏｏＡ程度、好ましく
は２００〜６００八程度とする。
ｏ、ｉ〜１５原子％程度好ましくは１〜１０原子％程度
添加した合金は、高反射率であると共に熱伝導度も低く
、Ｃ／Ｎ比及び感度が共に良好な高特性反射膜を形成す
ることができることから、極めて好適である。反射層は
、その膜厚が厚過ぎる場合には感度が低下し、薄過ぎる
場合には反射率が低下し、Ｃ／Ｎ比が落ちる。通常の場
合、反射層の膜厚は１００〜ｔｏｏｏＡ程度、好ましく
は２００〜６００八程度とする。
なお、記録層と反射層との間にも、干渉層を設けること
ができる。この干渉層（以下、「第２干渉層」と言うこ
とがある。）の構成材料としては、基板と記録層との間
に形成する前記第１干渉層と同様の物質を用いることが
できる。第２干渉層の膜厚は通常１００〜５００八程度
である。
ができる。この干渉層（以下、「第２干渉層」と言うこ
とがある。）の構成材料としては、基板と記録層との間
に形成する前記第１干渉層と同様の物質を用いることが
できる。第２干渉層の膜厚は通常１００〜５００八程度
である。
本発明においては、反射層上に酸化物（以下、’ Ｍ
Ｏｘ Ｊと言うことがある。）又は窒化物（以下ｒＭＮ
ｘＪと言うことがある。）よりなる保護層を設ける０本
発明において、この保護層を構成するＭＯ！又はＭＮ、
の元素Ｍは、水溶液中でのガルバニ系列が、反射層を構
成する主たる元素（以下、「Ｒ」と言うことがある。）
と同等であるか、又は、Ｒより卑である元素である。
Ｏｘ Ｊと言うことがある。）又は窒化物（以下ｒＭＮ
ｘＪと言うことがある。）よりなる保護層を設ける０本
発明において、この保護層を構成するＭＯ！又はＭＮ、
の元素Ｍは、水溶液中でのガルバニ系列が、反射層を構
成する主たる元素（以下、「Ｒ」と言うことがある。）
と同等であるか、又は、Ｒより卑である元素である。
水溶液中のガルバニ系列を求めるには、水素電極を基準
とした標準電極電位を用いるのが便利である。即ち、Ｍ
の電位Ｅ” （Ｍ）とＲの電位Ｅ。
とした標準電極電位を用いるのが便利である。即ち、Ｍ
の電位Ｅ” （Ｍ）とＲの電位Ｅ。
（Ｒ）を比較して、Ｅ” （Ｍ）≦Ｅ” （Ｒ）の
関係が成り立つものであれば良い。
関係が成り立つものであれば良い。
具体的には、主としてＡ１で構成される反射層と組み合
わせが可能な保護層の酸化物としては、Ａｎ２０３ 、
ＭｇＯ，Ｎｄ２０３．Ｙ２０２等が挙げられ、窒化物と
してはＡｆｌＮ等が挙げられる。
わせが可能な保護層の酸化物としては、Ａｎ２０３ 、
ＭｇＯ，Ｎｄ２０３．Ｙ２０２等が挙げられ、窒化物と
してはＡｆｌＮ等が挙げられる。
保護層の膜厚は厚いほど保護効果が高いが、過度に厚い
と感度の低下を起こすことがある。十分な保護効果と感
度を得るためには、保護層の膜厚は、２００〜１５００
Ａ、好ましくは３００〜１０００Ａ程度とするのが適当
である。
と感度の低下を起こすことがある。十分な保護効果と感
度を得るためには、保護層の膜厚は、２００〜１５００
Ａ、好ましくは３００〜１０００Ａ程度とするのが適当
である。
なお、本発明において、基板上に前記干渉層、記録層、
反射層及び保護層を形成するには、例えば、電子ビーム
蒸着法、スパッタリング法等が用いられる。特に、干渉
層の形成には、金属ターゲットのＡｒと０２又はＮ２に
よる反応性スパッタリングが成膜速度、膜質等の点から
優れている。
反射層及び保護層を形成するには、例えば、電子ビーム
蒸着法、スパッタリング法等が用いられる。特に、干渉
層の形成には、金属ターゲットのＡｒと０２又はＮ２に
よる反応性スパッタリングが成膜速度、膜質等の点から
優れている。
［作用］
保護層を構成する酸化物ＭＯつ又は窒化物ＭＮ、の元素
Ｍが反射層を構成する主たる元素Ｒよりも還元され易い
元素である場合、即ちＲの方が酸化され易い場合には、
保護層よりも反射層の方が酸化し易くなり、反射層と保
護層との界面で、下記のような酸化還元反応が起り、保
護層はむしろ反射層を劣化させる要因となる。
Ｍが反射層を構成する主たる元素Ｒよりも還元され易い
元素である場合、即ちＲの方が酸化され易い場合には、
保護層よりも反射層の方が酸化し易くなり、反射層と保
護層との界面で、下記のような酸化還元反応が起り、保
護層はむしろ反射層を劣化させる要因となる。
Ｍ”＋ｘｅ−→Ｍ
Ｒ−４Ｒ”” ＋ｘ’ ｅ−
このような反応が起るか否かは、水溶液中でのガルバニ
系列を考えれば良く、ＭがＲと同等又はＲよりも卑であ
れば、ＭよりもＲが酸化され易いことはなく、従って、
保護層と反射層との間で、反射層を酸化させる酸化還元
反応は起こらず、優れた耐候性、耐腐食性が得られる。
系列を考えれば良く、ＭがＲと同等又はＲよりも卑であ
れば、ＭよりもＲが酸化され易いことはなく、従って、
保護層と反射層との間で、反射層を酸化させる酸化還元
反応は起こらず、優れた耐候性、耐腐食性が得られる。
なお、水溶液を想定するのは、腐食は大部分水を介して
進むからである。
進むからである。
［実施例］
以下に実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが
、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限
定されるものではない。
、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限
定されるものではない。
実施例１
第１図に示す、基板１上に、干渉層２、記録層３、反射
層４、保護層５を順次積層してなる光磁気記録媒体を作
製した。
層４、保護層５を順次積層してなる光磁気記録媒体を作
製した。
即ち、１３０ｍｍφのポリカーボネート基板１をスパッ
タリング装置に導入し、まずａ ｘ ｔ ｏ −７ｔｏ
ｒｒ以下まで排気し、Ａｒを２０ｓｃｃｍ。
タリング装置に導入し、まずａ ｘ ｔ ｏ −７ｔｏ
ｒｒ以下まで排気し、Ａｒを２０ｓｃｃｍ。
０２を５ｓｅｃｍ導入し、圧力を０．８Ｐａに調整した
。この状態で５００Ｗのパワーで４インチφのＴａター
ゲットを直流スパッタリングし、４Ａ／秒の速度で、膜
厚８００Ａの酸化タンタルの干渉層２を形成した０次に
、ＴｂターゲットとＦｅ９゜ＣＯＩｅツタ−ットの同時
スパッタリングを行いＴ ｂ２３ （Ｆ ｅ９ｏＣ０１
６） ７７の記録層３を干渉層２の上に膜厚３００Ａで
形成した。
。この状態で５００Ｗのパワーで４インチφのＴａター
ゲットを直流スパッタリングし、４Ａ／秒の速度で、膜
厚８００Ａの酸化タンタルの干渉層２を形成した０次に
、ＴｂターゲットとＦｅ９゜ＣＯＩｅツタ−ットの同時
スパッタリングを行いＴ ｂ２３ （Ｆ ｅ９ｏＣ０１
６） ７７の記録層３を干渉層２の上に膜厚３００Ａで
形成した。
この記録層３上に、反射層４としてＡｎ。
Ｔａ、Ｃｕの３種類を膜厚３００Ａで形成し、更に保ｆ
ｆ１ｆｆｉ５としてＭｇＯ，ＡＩＬ２０ａ 、ＺｎＯ。
ｆ１ｆｆｉ５としてＭｇＯ，ＡＩＬ２０ａ 、ＺｎＯ。
Ｃｒ２ ｏ２ 、ＮｉＯの５ ｆｌ類を膜厚３００Ａで
形成した。なお、反射層４及び保護層５の構成元素の標
準電極電位を第１表に示す。
形成した。なお、反射層４及び保護層５の構成元素の標
準電極電位を第１表に示す。
第１表 反射層、保護層の構成元素の
標準電極電位（Ｅｏ）
（「化学便覧基礎ＭＩＩ Ｊ日本化学会線（１９８４年
）） 得られた光磁気記録媒体を６０℃、８５％ＲＨの条件で
３００時間の加速試験を行なってドロップ・イン・エラ
ーレートの測定を行ない、下記式によりその増加率を求
めた。
）） 得られた光磁気記録媒体を６０℃、８５％ＲＨの条件で
３００時間の加速試験を行なってドロップ・イン・エラ
ーレートの測定を行ない、下記式によりその増加率を求
めた。
結果を第２表に示
す。
エラーレートの増加率
１層による反射層の劣化のおそれがないため、耐候性、
耐腐食性に著しく優れる。
耐腐食性に著しく優れる。
第１図は実施例１で作製した光磁気記録媒体の構成を示
す断面図である。 １・・・基板、 ２・・・干渉層３・・・記
録層、 ４・・・反射層、５・・・保護層。 （＊は比較例、その他は本発明例） 第２表より、反射層構成元素Ｒの電位Ｅ。 （Ｒ）と保護層の元素Ｍの電位Ｅ” （Ｍ）を比較し
て、Ｅ” （Ｍ）≦Ｅ’ （Ｒ）の場合にエラーレ
ートの増加が小さい、即ち、耐候性に優れることが明ら
かである。 ［発明の効果］ 以上詳述した通り、本発明の光磁気記録媒体は、反射層
に対する保護層の保護効果が高く、保代理人 弁理士
重 野 剛
す断面図である。 １・・・基板、 ２・・・干渉層３・・・記
録層、 ４・・・反射層、５・・・保護層。 （＊は比較例、その他は本発明例） 第２表より、反射層構成元素Ｒの電位Ｅ。 （Ｒ）と保護層の元素Ｍの電位Ｅ” （Ｍ）を比較し
て、Ｅ” （Ｍ）≦Ｅ’ （Ｒ）の場合にエラーレ
ートの増加が小さい、即ち、耐候性に優れることが明ら
かである。 ［発明の効果］ 以上詳述した通り、本発明の光磁気記録媒体は、反射層
に対する保護層の保護効果が高く、保代理人 弁理士
重 野 剛
Claims (1)
- （１）基板上に記録層、反射層、および保護層をこの順
に積層してなる光磁気記録媒体において、前記保護層は
、水溶液中でのガルバニ系列が反射層を構成する主たる
元素と同等又は該元素より卑である元素の酸化物又は窒
化物からなることを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2032489A JPH02199645A (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2032489A JPH02199645A (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02199645A true JPH02199645A (ja) | 1990-08-08 |
Family
ID=12023952
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2032489A Pending JPH02199645A (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02199645A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6168748A (ja) * | 1984-09-11 | 1986-04-09 | Canon Inc | 光磁気記録媒体 |
| JPS61122955A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-10 | Fujitsu Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPS62267944A (ja) * | 1986-05-16 | 1987-11-20 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体 |
-
1989
- 1989-01-30 JP JP2032489A patent/JPH02199645A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6168748A (ja) * | 1984-09-11 | 1986-04-09 | Canon Inc | 光磁気記録媒体 |
| JPS61122955A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-10 | Fujitsu Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPS62267944A (ja) * | 1986-05-16 | 1987-11-20 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体 |
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