JPH0219974Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0219974Y2 JPH0219974Y2 JP1979175925U JP17592579U JPH0219974Y2 JP H0219974 Y2 JPH0219974 Y2 JP H0219974Y2 JP 1979175925 U JP1979175925 U JP 1979175925U JP 17592579 U JP17592579 U JP 17592579U JP H0219974 Y2 JPH0219974 Y2 JP H0219974Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate
- electrode
- contact
- ring
- compensating plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Description
【考案の詳細な説明】
この考案は平形サイリスタなどの半導体装置に
関し、特に半導体素子とこれに接触する主電極と
の位置決め構造に係わるものである。
関し、特に半導体素子とこれに接触する主電極と
の位置決め構造に係わるものである。
従来の平形サイリスタの構造を第１図に示して
ある。この第１図において、１は半導体素子であ
つて、PNPN構造の半導体基体を第１電極とな
るモリブデン円板にロー付けすると共に、表面側
にアルミ蒸着などで第２電極および第３（ゲート）
電極を形成させ、かつジヤンクシヨンが露出する
周辺部を安定化処理してある。また２はアルミセ
ラミツクからなる絶縁筒体であつて、その一方の
端面には前記第１電極に接してこれを位置決めし
得るようにした第１主電極となる金属薄板３が、
他方の端面には溶接リング４が、かつ筒体中程に
はゲートパイプ５が各々にロー付けされている。
ある。この第１図において、１は半導体素子であ
つて、PNPN構造の半導体基体を第１電極とな
るモリブデン円板にロー付けすると共に、表面側
にアルミ蒸着などで第２電極および第３（ゲート）
電極を形成させ、かつジヤンクシヨンが露出する
周辺部を安定化処理してある。また２はアルミセ
ラミツクからなる絶縁筒体であつて、その一方の
端面には前記第１電極に接してこれを位置決めし
得るようにした第１主電極となる金属薄板３が、
他方の端面には溶接リング４が、かつ筒体中程に
はゲートパイプ５が各々にロー付けされている。
そしてまた６は前記絶縁筒体２の内側に嵌入さ
れるガイドリング、７はこのガイドリング６によ
り位置決めされて、前記第２電極に接する熱補償
板、８はこの熱補償板７に嵌合されるゲートリン
グ、９は一端部を前記ゲートパイプ５に嵌挿さ
せ、他端を前記ゲートリング８に挿通位置決めし
て第３電極に接圧させたゲートスプリング、１０
はこのゲートスプリング９に挿通した絶縁チユー
ブであり、さらに１１は前記ゲートスプリング９
を絶縁チユーブ１０の被覆部分で受入れると共
に、一端部を前記ガイドリング６に位置決めして
熱補償板７に接した金属ブロツク、１２は金属ブ
ロツク１１の他端部に接して、これを位置決めし
得るようにした第２主電極となる金属薄板であつ
て、前記溶接リング４と溶接される。
れるガイドリング、７はこのガイドリング６によ
り位置決めされて、前記第２電極に接する熱補償
板、８はこの熱補償板７に嵌合されるゲートリン
グ、９は一端部を前記ゲートパイプ５に嵌挿さ
せ、他端を前記ゲートリング８に挿通位置決めし
て第３電極に接圧させたゲートスプリング、１０
はこのゲートスプリング９に挿通した絶縁チユー
ブであり、さらに１１は前記ゲートスプリング９
を絶縁チユーブ１０の被覆部分で受入れると共
に、一端部を前記ガイドリング６に位置決めして
熱補償板７に接した金属ブロツク、１２は金属ブ
ロツク１１の他端部に接して、これを位置決めし
得るようにした第２主電極となる金属薄板であつ
て、前記溶接リング４と溶接される。
しかして前記従来構成の平形サイリスタを組み
立てるのには、まず前記半導体素子１を絶縁筒体
２内に挿入させて、その第１電極を第１主電極と
なる金属薄板３の内面に位置決め接触させた上
で、ガイドリング６、熱補償板７およびゲートリ
ング８を各々所定通りにセツトさせ、ついで絶縁
チユーブ１０を被覆させたゲートスプリング９を
配して、その一端部をゲートパイプ５に嵌挿さ
せ、かつ他端をゲートリング８を通して第３電極
に接圧させ、さらに金属ブロツク１１を前記熱補
償板７を介して第２電極に接触させたのち、この
金属ブロツク１１に第２主電極となる金属薄板１
２をセツトさせ、その後、この金属薄板１２と絶
縁筒体２の溶接リング４とを、各外周部で溶接し
て取付け、かつゲートパイプ５から装置内部の排
気を行なつて、代わりに不活性ガスを封入し、最
後にこのゲートパイプ端部をゲートスプリング端
部と共に溶接封止して密封するのである。
立てるのには、まず前記半導体素子１を絶縁筒体
２内に挿入させて、その第１電極を第１主電極と
なる金属薄板３の内面に位置決め接触させた上
で、ガイドリング６、熱補償板７およびゲートリ
ング８を各々所定通りにセツトさせ、ついで絶縁
チユーブ１０を被覆させたゲートスプリング９を
配して、その一端部をゲートパイプ５に嵌挿さ
せ、かつ他端をゲートリング８を通して第３電極
に接圧させ、さらに金属ブロツク１１を前記熱補
償板７を介して第２電極に接触させたのち、この
金属ブロツク１１に第２主電極となる金属薄板１
２をセツトさせ、その後、この金属薄板１２と絶
縁筒体２の溶接リング４とを、各外周部で溶接し
て取付け、かつゲートパイプ５から装置内部の排
気を行なつて、代わりに不活性ガスを封入し、最
後にこのゲートパイプ端部をゲートスプリング端
部と共に溶接封止して密封するのである。
しかし乍らこのように構成される従来の平形サ
イリスタでは、半導体素子の第１ないし第３の各
電極に接する各部材のうち、一方の主面側の第１
電極と、他方の主面側の第２および第３電極とが
個別に位置決めされているために、外部から振
動、衝撃などが加えられると、各主面側での部材
間にずれを生じ易く、特に第３電極、すなわちゲ
ート電極に接圧しているゲートスプリングがずれ
てしまつて、ゲート特性不良という致命的な欠陥
を招き、使用不能となるという不都合があつた。
イリスタでは、半導体素子の第１ないし第３の各
電極に接する各部材のうち、一方の主面側の第１
電極と、他方の主面側の第２および第３電極とが
個別に位置決めされているために、外部から振
動、衝撃などが加えられると、各主面側での部材
間にずれを生じ易く、特に第３電極、すなわちゲ
ート電極に接圧しているゲートスプリングがずれ
てしまつて、ゲート特性不良という致命的な欠陥
を招き、使用不能となるという不都合があつた。
この考案は従来のこのような欠点を改善するた
めに、従来、第２電極に接する熱補償板およびこ
の熱補償板に接する金属ブロツクを各々に位置決
めし、かつ熱補償板を介してゲートリングの位置
決めを行なうガイドリングにより、半導体素子自
体の位置決めをも行なわせるようにしたものであ
る。
めに、従来、第２電極に接する熱補償板およびこ
の熱補償板に接する金属ブロツクを各々に位置決
めし、かつ熱補償板を介してゲートリングの位置
決めを行なうガイドリングにより、半導体素子自
体の位置決めをも行なわせるようにしたものであ
る。
以下、この考案に係わる半導体装置の一実施例
につき、第２図を参照して詳細に説明する。
につき、第２図を参照して詳細に説明する。
第２図において前記第１図と同一符号は同一ま
たは相当部分を示しており、この実施例では、前
記絶縁筒体２の内側に嵌入されて位置決め確保さ
れ、かつ同時にその内側で前記熱補償板７および
金属ブロツク１１を位置決めしているガイドリン
グ６に突出部６ａを形成させ、この突出部６ａに
よつて前記半導体素子１の側周部、ひいては半導
体素子１自体の位置決めをも行なえるようにした
ものである。
たは相当部分を示しており、この実施例では、前
記絶縁筒体２の内側に嵌入されて位置決め確保さ
れ、かつ同時にその内側で前記熱補償板７および
金属ブロツク１１を位置決めしているガイドリン
グ６に突出部６ａを形成させ、この突出部６ａに
よつて前記半導体素子１の側周部、ひいては半導
体素子１自体の位置決めをも行なえるようにした
ものである。
従つてこのように構成されたこの実施例によれ
ば、従来、半導体素子を第１電極のある一方の主
面側と、第２および第３電極のある他方の主面側
とで各別に位置決めしていたために生じたところ
の、第３電極、すなわちゲート電極とゲートスプ
リングとのずれは、この第３電極を含む他方の主
面側での位置決めの役割りを果すガイドリングに
より、半導体素子自体の位置決め確保をさせるよ
うにしているから、たとえ外部から振動、衝撃な
どが加えられても、半導体素子とそのゲート電極
に接圧されているゲートスプリングとは、常に一
体化されることになつて、両者の間にずれを生ず
ることがなくなるもので、極めて簡単な構造であ
るにも拘らずその効果が極めて大きい。
ば、従来、半導体素子を第１電極のある一方の主
面側と、第２および第３電極のある他方の主面側
とで各別に位置決めしていたために生じたところ
の、第３電極、すなわちゲート電極とゲートスプ
リングとのずれは、この第３電極を含む他方の主
面側での位置決めの役割りを果すガイドリングに
より、半導体素子自体の位置決め確保をさせるよ
うにしているから、たとえ外部から振動、衝撃な
どが加えられても、半導体素子とそのゲート電極
に接圧されているゲートスプリングとは、常に一
体化されることになつて、両者の間にずれを生ず
ることがなくなるもので、極めて簡単な構造であ
るにも拘らずその効果が極めて大きい。
第１図は従来例による平形サイリスタの構成を
示す断面図、第２図はこの考案の一実施例を適用
した平形サイリスタの構造を示す断面図である。 １……半導体素子、２……絶縁筒体、３，１２
……金属薄板、４……溶接リング、５……ゲート
パイプ、６……ガイドリング、６ａ……ガイドリ
ングの突出部、７……熱補償板、８……ゲートリ
ング、９……ゲートスプリング、１０……絶縁チ
ユーブ、１１……金属ブロツク。
示す断面図、第２図はこの考案の一実施例を適用
した平形サイリスタの構造を示す断面図である。 １……半導体素子、２……絶縁筒体、３，１２
……金属薄板、４……溶接リング、５……ゲート
パイプ、６……ガイドリング、６ａ……ガイドリ
ングの突出部、７……熱補償板、８……ゲートリ
ング、９……ゲートスプリング、１０……絶縁チ
ユーブ、１１……金属ブロツク。
Claims (1)
- 一方の主面に第１電極、他方の主面に第２およ
び第３（ゲート）電極をもつ半導体素子と、一端
部に前記第１電極に接して第１主電極となる金属
薄板を、他端部に溶接リングを各々に設け、かつ
ゲートパイプを配した絶縁筒体と、前記第２電極
に接する熱補償板およびこの熱補償板に位置決め
支持されるゲートリングと、一端部を前記ゲート
パイプに嵌挿させ、他端部を前記ゲートリングに
通し位置保持して前記第３（ゲート）電極に接圧
させ、かつ絶縁チユーブで被覆したゲートスプリ
ングと、このゲートスプリングの絶縁チユーブ部
分を受け入れて前記熱補償板に接する金属ブロツ
クと、前記金属ブロツクに接して第２主電極とな
り、かつ前記溶接リングに溶接される金属薄板と
を備えて気密封止するものにおいて、前記金属ブ
ロツクの熱補償板側の端面の周縁角部を切り欠い
て凹部を設けて、この凹部と前記絶縁筒体の内周
面との間にガイドリングを嵌入して、このガイド
リングの内周面の前記熱補償板側の端部をこの熱
補償板の周側面に当接させるとともに、ガイドリ
ングの前記半導体素子に対向する端面の外周部に
突出部を設けて、この突出部の内周面を前記半導
体素子の周側面に当接させるようにしたことを特
徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1979175925U JPH0219974Y2 (ja) | 1979-12-18 | 1979-12-18 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1979175925U JPH0219974Y2 (ja) | 1979-12-18 | 1979-12-18 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5694064U JPS5694064U (ja) | 1981-07-25 |
| JPH0219974Y2 true JPH0219974Y2 (ja) | 1990-05-31 |
Family
ID=29686572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1979175925U Expired JPH0219974Y2 (ja) | 1979-12-18 | 1979-12-18 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0219974Y2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS416670Y1 (ja) * | 1964-09-16 | 1966-04-05 | ||
| GB1465328A (en) * | 1973-06-19 | 1977-02-23 | Westinghouse Electric Corp | Compression bond assembly for a planar semiconductor device |
| JPS5023593A (ja) * | 1973-06-29 | 1975-03-13 |
-
1979
- 1979-12-18 JP JP1979175925U patent/JPH0219974Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5694064U (ja) | 1981-07-25 |
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