JPH0831488B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0831488B2 JPH0831488B2 JP62308055A JP30805587A JPH0831488B2 JP H0831488 B2 JPH0831488 B2 JP H0831488B2 JP 62308055 A JP62308055 A JP 62308055A JP 30805587 A JP30805587 A JP 30805587A JP H0831488 B2 JPH0831488 B2 JP H0831488B2
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- JP
- Japan
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- electrode
- insertion hole
- insulator
- diameter
- elastic
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/10—Containers or parts thereof
- H10W76/12—Containers or parts thereof characterised by their shape
- H10W76/13—Containers comprising a conductive base serving as an interconnection
- H10W76/138—Containers comprising a conductive base serving as an interconnection having another interconnection being formed by a cover plate parallel to the conductive base, e.g. sandwich type
Landscapes
- Thyristors (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、エレメントの主電極および補助電極をパッ
ケージの主電極および補助電極に圧接して電気的に接触
させる半導体装置に関する。
ケージの主電極および補助電極に圧接して電気的に接触
させる半導体装置に関する。
従来、この種の半導体装置はサイリスタ装置として特
開昭62−79669号公報に開示され、第４図に示すように
構成されている。これを同図に基づいて概略説明する
と、同図において、符号１はサイリスタエレメント、２
はサイリスタエレメント１のカソード電極、３はサイリ
スタエレメント１のアノード電極、４はサイリスタエレ
メント１のゲート電極、５は有底筒状の外部カソード電
極、６は外部アノード電極、７はゲートリード、８はゲ
ートリード７を支持する環状の絶縁体、９はゲートリー
ド７を覆う絶縁管、10は絶縁筒、11はゲート端子、12は
カソード電極２と外部カソード電極５との間に介装され
た温度補償板、13は皿ばねである。
開昭62−79669号公報に開示され、第４図に示すように
構成されている。これを同図に基づいて概略説明する
と、同図において、符号１はサイリスタエレメント、２
はサイリスタエレメント１のカソード電極、３はサイリ
スタエレメント１のアノード電極、４はサイリスタエレ
メント１のゲート電極、５は有底筒状の外部カソード電
極、６は外部アノード電極、７はゲートリード、８はゲ
ートリード７を支持する環状の絶縁体、９はゲートリー
ド７を覆う絶縁管、10は絶縁筒、11はゲート端子、12は
カソード電極２と外部カソード電極５との間に介装され
た温度補償板、13は皿ばねである。
このように構成されたサイリスタ装置の組み立ては次
に示す方法によって行われる。
に示す方法によって行われる。
すなわち、先ずゲートリード７を絶縁体８の孔8aと絶
縁管９に挿通させることにより組立体Ａとし、次にこれ
を外部カソード電極５に取り付けた後、温度補償板12を
絶縁体８の外周面に係合するように外部カソード電極５
の上部に設置し、サイリスタエレメント１を絶縁筒10内
に挿入してから外部アノード電極６を設置する。
縁管９に挿通させることにより組立体Ａとし、次にこれ
を外部カソード電極５に取り付けた後、温度補償板12を
絶縁体８の外周面に係合するように外部カソード電極５
の上部に設置し、サイリスタエレメント１を絶縁筒10内
に挿入してから外部アノード電極６を設置する。
ところで、この種の半導体装置においては、外部カソ
ード電極５に対して絶縁体８および温度補償板12を位置
決めする機能を備えておらず、このため装置の組立時に
第５図（ａ）に示すように絶縁体８の孔径ａとゲートリ
ード７の外径ｂの差によるクリアランスおよび絶縁体８
の外径ｃと外部カソード電極５の孔径ｄの差によるクリ
アランスによって同図（ｂ）に示すように位置ずれが生
じ、また温度補償板12が絶縁体８の外径ｃと外部カソー
ド電極５の孔径ｄの差によるクリアランスおよび絶縁体
８の外径ｃと温度補償板12の孔径ｅの差によるクリアラ
ンスによって位置ずれが生じ、サイリスタエレメント１
のカソード電極２のサイリスタエレメント１のゲート電
極４に対して温度補償板12の接触面とゲートリード７の
電極先端部を高精度に位置合わせすることができず、パ
ターン精度が低下するという問題があった。このこと
が、静電誘導形サイリスタやゲートターンオフサイリス
タ，大電力トランジスタ等のパターンサイズの小さい半
導体装置については大口径化，ファインパターン化に対
してネックとなっていた。
ード電極５に対して絶縁体８および温度補償板12を位置
決めする機能を備えておらず、このため装置の組立時に
第５図（ａ）に示すように絶縁体８の孔径ａとゲートリ
ード７の外径ｂの差によるクリアランスおよび絶縁体８
の外径ｃと外部カソード電極５の孔径ｄの差によるクリ
アランスによって同図（ｂ）に示すように位置ずれが生
じ、また温度補償板12が絶縁体８の外径ｃと外部カソー
ド電極５の孔径ｄの差によるクリアランスおよび絶縁体
８の外径ｃと温度補償板12の孔径ｅの差によるクリアラ
ンスによって位置ずれが生じ、サイリスタエレメント１
のカソード電極２のサイリスタエレメント１のゲート電
極４に対して温度補償板12の接触面とゲートリード７の
電極先端部を高精度に位置合わせすることができず、パ
ターン精度が低下するという問題があった。このこと
が、静電誘導形サイリスタやゲートターンオフサイリス
タ，大電力トランジスタ等のパターンサイズの小さい半
導体装置については大口径化，ファインパターン化に対
してネックとなっていた。
本発明はこのような事情に鑑みなされたもので、第２
電極および温度補償板の位置合わせを確実に行うことが
でき、もってパターン精度を大幅に高めることができる
半導体装置を提供するものである。
電極および温度補償板の位置合わせを確実に行うことが
でき、もってパターン精度を大幅に高めることができる
半導体装置を提供するものである。
本発明に係る半導体装置は、その端面に開口する電極
挿入孔を有する第１電極と、この第１電極の電極挿入孔
内に保持された円柱状の第２電極と、この第２電極の軸
線方向に開口する挿通孔を有し前記第１電極上に保持さ
れた温度補償板とを備え、この温度補償板の挿通孔と前
記第２電極間、および前記電極挿入孔と前記第２電極間
に跨って筒状の弾性絶縁体を介装するとともに、この弾
性絶縁体の内周面と前記第２電極の外周面との間に、前
記電極挿入孔への装着前の内径が前記第２電極の外周面
に形成した環状溝の溝底部外径より小さくかつ装着後の
外径が前記電極挿入孔の口径から前記弾性絶縁体の肉厚
の２倍を減じた寸法よりも大きい寸法に設定される弾性
リングを介装したものである。
挿入孔を有する第１電極と、この第１電極の電極挿入孔
内に保持された円柱状の第２電極と、この第２電極の軸
線方向に開口する挿通孔を有し前記第１電極上に保持さ
れた温度補償板とを備え、この温度補償板の挿通孔と前
記第２電極間、および前記電極挿入孔と前記第２電極間
に跨って筒状の弾性絶縁体を介装するとともに、この弾
性絶縁体の内周面と前記第２電極の外周面との間に、前
記電極挿入孔への装着前の内径が前記第２電極の外周面
に形成した環状溝の溝底部外径より小さくかつ装着後の
外径が前記電極挿入孔の口径から前記弾性絶縁体の肉厚
の２倍を減じた寸法よりも大きい寸法に設定される弾性
リングを介装したものである。
本発明においては、第２電極が、弾性リングを介装し
た状態で筒状の絶縁体内に圧入されると共に、この絶縁
体が温度補償板の挿通孔内と第１電極の電極挿入孔内に
圧入され、第２電極と絶縁体間および温度補償板と絶縁
体間のクリアランスを吸収する。
た状態で筒状の絶縁体内に圧入されると共に、この絶縁
体が温度補償板の挿通孔内と第１電極の電極挿入孔内に
圧入され、第２電極と絶縁体間および温度補償板と絶縁
体間のクリアランスを吸収する。
以下、本発明の構成等を図に示す実施例によって詳細
に説明する。第１図は本発明に係る半導体装置（サイリ
スタ装置）を示す断面図、第２図は同じく本発明におけ
る第２電極とＯリングの組立状態を示す斜視図で、同図
以下において第４図および第５図と同一の部材について
は同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。同図にお
いて、符号21で示すものはその端面に開口する電極挿入
孔22を有する第１電極としての外部カソード電極で、全
体がフランジ付の円柱状に形成されている。23は第２電
極としての外部ゲート電極で、前記電極挿入孔22内に保
持されており、全体が前記外部カソード電極21と同様に
円柱状に形成されている。この外部ゲート電極23の外周
面には、弾性リングとしてのＯリング24を装着する環状
溝25が設けられており、また前記ゲート端子11を有する
ゲートリード26が取り付けられている。27は前記外部ゲ
ート電極23の軸線方向に開口する挿通孔27aを有する温
度補償板で、前記外部カソード電極21と前記カソード電
極２との間に保持されている。28は筒状の弾性絶縁体
で、前記電極挿入孔22と前記外部ゲート電極23間および
前記挿通孔27aと前記外部ゲート電極23間に跨って介装
されている。29は円形状の絶縁板で、前記電極挿入孔22
内に設けられ、かつ前記皿ばね13と外部ゲート電極23と
の間に介装されている。
に説明する。第１図は本発明に係る半導体装置（サイリ
スタ装置）を示す断面図、第２図は同じく本発明におけ
る第２電極とＯリングの組立状態を示す斜視図で、同図
以下において第４図および第５図と同一の部材について
は同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。同図にお
いて、符号21で示すものはその端面に開口する電極挿入
孔22を有する第１電極としての外部カソード電極で、全
体がフランジ付の円柱状に形成されている。23は第２電
極としての外部ゲート電極で、前記電極挿入孔22内に保
持されており、全体が前記外部カソード電極21と同様に
円柱状に形成されている。この外部ゲート電極23の外周
面には、弾性リングとしてのＯリング24を装着する環状
溝25が設けられており、また前記ゲート端子11を有する
ゲートリード26が取り付けられている。27は前記外部ゲ
ート電極23の軸線方向に開口する挿通孔27aを有する温
度補償板で、前記外部カソード電極21と前記カソード電
極２との間に保持されている。28は筒状の弾性絶縁体
で、前記電極挿入孔22と前記外部ゲート電極23間および
前記挿通孔27aと前記外部ゲート電極23間に跨って介装
されている。29は円形状の絶縁板で、前記電極挿入孔22
内に設けられ、かつ前記皿ばね13と外部ゲート電極23と
の間に介装されている。
このように構成されたサイリスタ装置においては、外
部ゲート電極23を弾性絶縁体28内に圧入すると共に、こ
の弾性絶縁体28を温度補償板27の挿通孔27a内と外部カ
ソード電極21の電極挿入孔22内に圧入し、外部ゲート電
極23と弾性絶縁体28間および温度補償板27と弾性絶縁体
28間のクリアランスを吸収することができる。このと
き、外部ゲート電極23は弾性絶縁体28によって電極挿入
孔22の軸線上に位置付けられている。
部ゲート電極23を弾性絶縁体28内に圧入すると共に、こ
の弾性絶縁体28を温度補償板27の挿通孔27a内と外部カ
ソード電極21の電極挿入孔22内に圧入し、外部ゲート電
極23と弾性絶縁体28間および温度補償板27と弾性絶縁体
28間のクリアランスを吸収することができる。このと
き、外部ゲート電極23は弾性絶縁体28によって電極挿入
孔22の軸線上に位置付けられている。
次に、前記構成したサイリスタ装置の組立方法につい
て説明する。
て説明する。
先ず、外部ゲート電極23の環状溝25にＯリング24を装
着すると共に、絶縁管９の内部にゲートリード26を挿入
する。次に、外部カソード電極21の電極挿入孔22内に皿
ばね13,絶縁板29,弾性絶縁体28を順次取り付けた後、こ
の弾性絶縁体28の内部に外部ゲート電極23,Oリング24,
ゲートリード26および絶縁管９からなる組立体Ｂを圧入
する。そして、弾性絶縁体28の外周面に温度補償板27を
圧入し、サイリスタエレメント１を絶縁筒10内に挿入し
てから外部アノード電極６を取り付ける。
着すると共に、絶縁管９の内部にゲートリード26を挿入
する。次に、外部カソード電極21の電極挿入孔22内に皿
ばね13,絶縁板29,弾性絶縁体28を順次取り付けた後、こ
の弾性絶縁体28の内部に外部ゲート電極23,Oリング24,
ゲートリード26および絶縁管９からなる組立体Ｂを圧入
する。そして、弾性絶縁体28の外周面に温度補償板27を
圧入し、サイリスタエレメント１を絶縁筒10内に挿入し
てから外部アノード電極６を取り付ける。
このようにして、サイリスタ装置を組み立てることが
できる。
できる。
ここで、本発明におけるＯリング24の装着前の内径は
環状溝25の溝底の外径より小さい寸法に設定することが
望ましく、また装着後の外径は電極挿入孔22の口径から
弾性絶縁体28の肉厚の２倍を減じた寸法より大きい寸法
に設定することが必要である。さらに、温度補償板27と
弾性絶縁体28の係合部の内径は、電極挿入孔22の口径よ
り小さい寸法に設定することが望ましい。
環状溝25の溝底の外径より小さい寸法に設定することが
望ましく、また装着後の外径は電極挿入孔22の口径から
弾性絶縁体28の肉厚の２倍を減じた寸法より大きい寸法
に設定することが必要である。さらに、温度補償板27と
弾性絶縁体28の係合部の内径は、電極挿入孔22の口径よ
り小さい寸法に設定することが望ましい。
なお、本実施例においては、センターゲート形のサイ
リスタ装置について説明したが、本発明はこれに限定さ
れるものではなく、第３図に示すようにリングゲート形
のサイリスタ装置にも適用することができる。この他、
本発明は静電誘導形サイリスタやパターン精度の高いゲ
ートターンオフサイリスタ，大電力トランジスタ等の半
導体装置にも適用可能である。
リスタ装置について説明したが、本発明はこれに限定さ
れるものではなく、第３図に示すようにリングゲート形
のサイリスタ装置にも適用することができる。この他、
本発明は静電誘導形サイリスタやパターン精度の高いゲ
ートターンオフサイリスタ，大電力トランジスタ等の半
導体装置にも適用可能である。
以上説明したように本発明に係る半導体装置によれ
ば、第１電極と、これに設けた電極挿入孔内に保持され
た円柱状の第２電極と、この第２電極の軸線方向に開口
する挿通孔を有し第１電極上に保持された保持補償板を
備え、この温度補償板の挿通孔と第２電極間、および電
極挿入孔と第２電極間に跨って筒状の弾性絶縁体を介装
するとともに、この弾性絶縁体内周面と第２電極外周面
に、電極挿入孔への装着前の内径が第２電極外周面の環
状溝の溝底部外径よりも小さくかつ装着後の外径が電極
挿入孔の口径から弾性絶縁体の肉厚の２倍を減じた寸法
よりも大きい寸法に設定されている弾性リングを介装し
たので、第２電極と弾性絶縁体間、および温度補償板と
弾性絶縁体間のクリアランスを吸収し、これにより第２
電極、温度補償板の第１電極上での位置合わせを簡単に
しかも確実に行え、結果としてパターン精度を大幅に高
めることができるという優れた効果を奏する。
ば、第１電極と、これに設けた電極挿入孔内に保持され
た円柱状の第２電極と、この第２電極の軸線方向に開口
する挿通孔を有し第１電極上に保持された保持補償板を
備え、この温度補償板の挿通孔と第２電極間、および電
極挿入孔と第２電極間に跨って筒状の弾性絶縁体を介装
するとともに、この弾性絶縁体内周面と第２電極外周面
に、電極挿入孔への装着前の内径が第２電極外周面の環
状溝の溝底部外径よりも小さくかつ装着後の外径が電極
挿入孔の口径から弾性絶縁体の肉厚の２倍を減じた寸法
よりも大きい寸法に設定されている弾性リングを介装し
たので、第２電極と弾性絶縁体間、および温度補償板と
弾性絶縁体間のクリアランスを吸収し、これにより第２
電極、温度補償板の第１電極上での位置合わせを簡単に
しかも確実に行え、結果としてパターン精度を大幅に高
めることができるという優れた効果を奏する。
第１図は本発明に係る半導体装置を示す断面図、第２図
は同じく本発明における第２電極とＯリングの組立状態
を示す斜視図、第３図は他の実施例を示す断面図、第４
図は従来の半導体装置を示す断面図、第５図（ａ）およ
び（ｂ）は半導体装置における組立部品の位置ずれを説
明するための断面図である。 21……外部カソード電極（第１電極）、22……電極挿入
孔、23……外部ゲート電極（第２電極）、24……Ｏリン
グ（弾性リング）、25……環状溝、27……温度補償板、
27a……挿通孔、28……弾性絶縁体。
は同じく本発明における第２電極とＯリングの組立状態
を示す斜視図、第３図は他の実施例を示す断面図、第４
図は従来の半導体装置を示す断面図、第５図（ａ）およ
び（ｂ）は半導体装置における組立部品の位置ずれを説
明するための断面図である。 21……外部カソード電極（第１電極）、22……電極挿入
孔、23……外部ゲート電極（第２電極）、24……Ｏリン
グ（弾性リング）、25……環状溝、27……温度補償板、
27a……挿通孔、28……弾性絶縁体。
Claims (1)
- 【請求項１】その端面に開口する電極挿入孔を有する第
１電極と、この第１電極の電極挿入孔内に保持された円
柱状の第２電極と、この第２電極の軸線方向に開口する
挿通孔を有し前記第１電極上に保持された温度補償板と
を備え、 この温度補償板の挿通孔と前記第２電極間、および前記
電極挿入孔と前記第２の電極間に跨って筒状の弾性絶縁
体を介装するとともに、 この弾性絶縁体の内周面と前記第２電極の外周面との間
に、前記電極挿入孔への装着前の内径が前記第２電極の
外周面に形成した環状溝の溝底部外径よりも小さくかつ
装着後の外径が前記電極挿入孔の口径から前記弾性絶縁
体の肉厚の２倍を減じた寸法よりも大きい寸法に設定さ
れる弾性リングを介装したことを特徴とする半導体装
置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62308055A JPH0831488B2 (ja) | 1987-12-03 | 1987-12-03 | 半導体装置 |
| DE3856061T DE3856061T2 (de) | 1987-12-03 | 1988-11-29 | Halbleiteranordnung mit Druckkontakten |
| EP19880119894 EP0324929B1 (en) | 1987-12-03 | 1988-11-29 | Pressure connection type semiconductor device |
| US07/593,383 US5047836A (en) | 1987-12-03 | 1990-10-02 | Temperature compensating contact to avoid misregistration |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62308055A JPH0831488B2 (ja) | 1987-12-03 | 1987-12-03 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01147837A JPH01147837A (ja) | 1989-06-09 |
| JPH0831488B2 true JPH0831488B2 (ja) | 1996-03-27 |
Family
ID=17976341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62308055A Expired - Lifetime JPH0831488B2 (ja) | 1987-12-03 | 1987-12-03 | 半導体装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5047836A (ja) |
| EP (1) | EP0324929B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0831488B2 (ja) |
| DE (1) | DE3856061T2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3153638B2 (ja) * | 1992-06-26 | 2001-04-09 | 三菱電機株式会社 | 圧接型半導体装置及びその製造方法並びに熱補償板 |
| JP3471880B2 (ja) * | 1994-02-23 | 2003-12-02 | 三菱電機株式会社 | 圧接型半導体装置 |
| DE10041112B4 (de) * | 2000-08-22 | 2006-05-24 | eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG | Isolierelement |
| DE102005055713B4 (de) * | 2005-11-23 | 2011-11-17 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul mit Anschlusselementen |
| EP2071621A1 (en) * | 2007-12-11 | 2009-06-17 | ABB Research Ltd. | Semiconductor switching device with gate connection |
| CN109494206B (zh) * | 2017-09-12 | 2022-05-24 | 株洲中车时代半导体有限公司 | 一种晶闸管 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2103146A1 (de) * | 1970-01-26 | 1971-08-05 | Westinghouse Electric Corp | Mittels einer Gate Elektrode Steuer bares Schaltelement |
| JPS5147577B2 (ja) * | 1973-06-12 | 1976-12-15 | ||
| DE2641483A1 (de) * | 1976-09-15 | 1978-03-16 | Siemens Ag | Halbleiterbauelement |
| JPS57104283U (ja) * | 1980-12-17 | 1982-06-26 | ||
| JPS58207644A (ja) * | 1982-05-29 | 1983-12-03 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPS6063945U (ja) * | 1983-10-05 | 1985-05-07 | 日本インター株式会社 | 加圧接触型半導体装置 |
| JPH065685B2 (ja) * | 1984-06-20 | 1994-01-19 | 株式会社日立製作所 | 加圧接触形半導体装置 |
| JPS61136269A (ja) * | 1984-12-07 | 1986-06-24 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPS62101072A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-11 | シ−メンス、アクチエンゲゼルシヤフト | サイリスタ |
| JPH0770552B2 (ja) * | 1986-03-29 | 1995-07-31 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
-
1987
- 1987-12-03 JP JP62308055A patent/JPH0831488B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-11-29 DE DE3856061T patent/DE3856061T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-11-29 EP EP19880119894 patent/EP0324929B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-10-02 US US07/593,383 patent/US5047836A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01147837A (ja) | 1989-06-09 |
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