JPS6320116Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 この考案は、半導体素子とこれを支持する熱的
補償板とを有する加圧接触形半導体装置に関する
ものである。

以下、加圧接触形ダイオードを例にとつて説明
する。

第１図は従来の加圧接触形ダイオードの一例を
示す断面図である。第１図において、１はPN接
合を有するシリコン（Si）ウエハ、２はアルミニ
ウム（Al）からなりSiウエハ１の一方の主面上
に形成された陰極、３はSiウエハ１に近似した熱
膨張係数を有するモリブデン（Mo）、タングス
テン（Ｗ）からなりSiウエハ１の他方の主面にろ
う付けされてこのSiウエハ１を支持すると共に陽
極および熱的補償板として働く支持板、４はSiウ
エハ１、陰極２および支持板３によつて構成され
たダイオード素子、５はSiウエハ１に近似した熱
膨張係数を有するMo、Ｗからなり陰極２に加圧
接触させられる円板状の陰極補償板、６は銅柱か
らなり陰極補償５に加圧接触させられる陰極導電
体、７はアルミナセラミツクからなりダイオード
素子４の周りに配置された絶縁筒体、８は銅板か
らなり内周部が陰極導電体６に固着され外周部が
絶縁筒体７の一方の端面に固着された陰極リン
グ、９は鉄板からなり内周部が絶縁筒体７の他方
の端面に固着され外周部が外方へ延びた溶接リン
グ、１０は鉄板からなり内周部が支持板３に固着
され外周部が溶接リング９の外周部と電気抵抗溶
接法またはアーク溶接法によつて気密封着された
陽極リングである。

上記のように構成された従来装置においては、
支持板３および陰極導電体６のそれぞれの端面に
冷却体（図示せず）を取り付けて、ダイオード素
子４に対する電気および熱の伝導を行う。

ところが、陰極２、陰極補償板５および陰極導
電体６の相互の接触部において、電気および熱に
対する接触抵抗を生じ、電気抵抗および熱抵抗が
大きくなる。また、陰極２上に陰極補償板５を完
全に固定しないと、陰極補償板５がずれてダイオ
ード素子４を破損することがあり、位置決め用ガ
イド（図示せず）が必要となり、構造が複雑にな
る。

この考案は、上述の問題点に鑑みてなされたも
のであり、半導体素子の主面上に形成された主電
極と接触している熱的補償板を絶縁筒体の一方の
端面に固着している金属リングに固着することに
よつて、この熱的補償板に加圧接触させられる主
電極導電体を不要にすると共に位置決め用ガイド
を不要にして、電気抵抗および熱抵抗が小さくか
つ構造が簡単で安価な加圧接触形半導体装置を提
供することを目的としたものである。

以下、実施例に基づいてこの考案を説明する。

第２図はこの考案の一実施例である加圧接触形
ダイオードを示す断面図である。第２図におい
て、第１図と同一符号は第１図にて示したものと
同様のものを表わしている。

５ａはSiウエハ１に近似した熱膨張係数を有す
るMo，Ｗからなりダイオード素子４の陰極２に
加圧接触させられると共に外周部に次記の陰極リ
ングが固着されている陰極補償板、８ａは銅板か
らなり内周部が陰極補償板５ａの外周部に固着さ
れ外周部が絶縁筒体７の一方の端面に固着された
陰極リングである。このダイオードにおいては、
陰極導電体は存在しない。

上記の実施例装置においては、接触部が、従来
装置では２箇所であるのに対して、陰極２と陰極
補償板５ａとの間の１箇所となり、電気抵抗およ
び熱抵抗が約1/2と小さくなる。また、陰極補償
板５ａは絶縁筒体７に固着されている陰極リング
８ａに直接に固着されているから、従来装置で用
いられた陰極導電体６、および陰極２に対して陰
極補償板５を位置決めする位置決め用ガイドが不
要となり、構造が簡単で安価な加圧接触形ダイオ
ードを得ることができる。

上記の実施例においては、この考案を加圧接触
形ダイオードに適用した場合について述べたが、
この考案は、加圧接触形サイリスタその他の加圧
接触形半導体装置に広く適用することができるも
のである。

以上説明したように、この考案による加圧接触
形半導体装置においては、半導体素子の一主面上
に形成された主電極に加圧接触させられる主電極
補償板を、絶縁筒体に固着されている金属リング
に直接に固着することにより、主電極導電体を除
去したので接触部が減少し電気抵抗および熱抵抗
が小さくなる。また、主電極導電体、および主電
極補償板を主電極に対して位置決めする位置決め
用ガイドが不要になるから、構造が簡単で安価に
なる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の加圧接触形ダイオードの一例を
示す断面図、第２図はこの考案の一実施例である
加圧接触形ダイオードを示す断面図である。 図において、１はSiウエハ（半導体ウエハ）、
２は陰極（第１の主電極）、３は支持板（熱的補
償板）、４はダイオード素子（半導体素子）、５ａ
は陰極補償板（主電極補償板）、７は絶縁筒体、
８ａは陰極リング（第１の金属リング）、９は溶
接リング（第２の金属リング）、１０は陽極リン
グ（第３の金属リング）である。なお、図中同一
符号はそれぞれ同一または相当部分を示す。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. PN接合を有する半導体ウエハとこの半導体ウ
   エハの一方の主面上に形成された第１の主電極と
   この半導体ウエハに近似した熱膨張係数を有しこ
   の半導体ウエハの他方の主面にろう付けされてこ
   の半導体ウエハを支持すると共に第２の主電極を
   構成する熱的補償板とを有する半導体素子、上記
   半導体ウエハに近似した熱膨張係数を有し上記半
   導体素子の上記第１の主電極に加圧接触させられ
   る主電極補償板、上記半導体素子を取り囲むよう
   に設けられた絶縁筒体、内周部が上記主電極補償
   板に固着され外周部が上記絶縁筒体の一方の端面
   に固着された第１の金属リング、内周部が上記絶
   縁筒体の他方の端面に固着された第２の金属リン
   グ、および内周部が上記熱的補償板の外周面に固
   着され外周部が上記第２の金属リングの外周部と
   気密封着されている第３の金属リングを備えてな
   る加圧接触形半導体装置。