JPH02199808A - 薄膜磁気ヘッド用基板材料 - Google Patents
薄膜磁気ヘッド用基板材料Info
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- JPH02199808A JPH02199808A JP1018910A JP1891089A JPH02199808A JP H02199808 A JPH02199808 A JP H02199808A JP 1018910 A JP1018910 A JP 1018910A JP 1891089 A JP1891089 A JP 1891089A JP H02199808 A JPH02199808 A JP H02199808A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate material
- magnetic head
- film magnetic
- sinterability
- thin
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- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明はコンピューターの周辺装置であるフロッピーデ
ィスク装置やハードディスク装置に組み込まれる磁気ヘ
ッドの基板材料に関し、特に薄膜磁気ヘッド用非磁性基
板材料に関するも・のである。
ィスク装置やハードディスク装置に組み込まれる磁気ヘ
ッドの基板材料に関し、特に薄膜磁気ヘッド用非磁性基
板材料に関するも・のである。
〈従来の技術〉
高密度記録用磁気ヘッドとして従来のフェライトを使用
したヘッドに変り、最近では薄膜ヘッドが注目されて来
ている。
したヘッドに変り、最近では薄膜ヘッドが注目されて来
ている。
ここで薄膜ヘッド用基板材料としてはＡＮ２０、−Ｔｉ
ｃが用いられている。その理由としては、他材料に比較
し高硬度かつ高強度なため高密度磁気記録用として使わ
れる金属系の記録媒体との接触起動停止に対し高い耐久
性を示す事があげられる。
ｃが用いられている。その理由としては、他材料に比較
し高硬度かつ高強度なため高密度磁気記録用として使わ
れる金属系の記録媒体との接触起動停止に対し高い耐久
性を示す事があげられる。
〈発明が解決しようとする課題〉
しかしながらＡＮｚＯｘ ＴｉＣセラミックスよりな
る薄膜磁気ヘッド用基板材料は■焼結性が悪いために、
基板材料として必要な緻密なものを得るためには焼結温
度を１８５０〜１９００℃の高温としなければならない
事、■機械加工性が悪いために小型化の要求に対応でき
ない事等の欠点があげられる。
る薄膜磁気ヘッド用基板材料は■焼結性が悪いために、
基板材料として必要な緻密なものを得るためには焼結温
度を１８５０〜１９００℃の高温としなければならない
事、■機械加工性が悪いために小型化の要求に対応でき
ない事等の欠点があげられる。
本発明は斯る欠点を除去するため行われたもので、その
技術的：１Ｊｆｆｉは焼結性及び機械加工性に優れた薄
膜磁気ヘッド用基板材料を提供する事にある。
技術的：１Ｊｆｆｉは焼結性及び機械加工性に優れた薄
膜磁気ヘッド用基板材料を提供する事にある。
く課題を解決するための手段〉
本発明は前述の欠点を改善する様構成したもので薄膜磁
気ヘッド用基板材料であるＡＮ ２０３１５〜６０ｗｔ
％ＴｉＣセラミックスにおいて周期律表ＴＶａ、Ｖａ、
Ｖｉａ族金属Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ。
気ヘッド用基板材料であるＡＮ ２０３１５〜６０ｗｔ
％ＴｉＣセラミックスにおいて周期律表ＴＶａ、Ｖａ、
Ｖｉａ族金属Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ。
Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ等の珪化物を０．１〜１ｗｔ％、
ＡＩＮとＣａＯとをそれぞれ０．１〜ｌｗｔ％添加した
事を特徴としその焼結性、及び加工性を改良したもので
ある。
ＡＩＮとＣａＯとをそれぞれ０．１〜ｌｗｔ％添加した
事を特徴としその焼結性、及び加工性を改良したもので
ある。
つまり本発明において金属珪化物の添加量を制御するこ
とにより焼結性を改善したもので、特に０．１〜ｌｗｔ
％の添加量の時、焼結体の密度最大となる。この時金属
珪化物は主成分の粒成長を抑えながら緻密化を進行させ
るため相対密度が高いにもかかわらず得られた焼結体は
機械加工性に優れたものとなる。この様な効果は添加量
が０．１ｗｔ％未満では得られず、またｌｗｔ％を超え
ると焼結時に粒界層における液相の生成が著しくなり焼
結性は向上するものの粒径は大きくなりまた同時に粒界
強度も低下し材料の機械強度は劣化する。
とにより焼結性を改善したもので、特に０．１〜ｌｗｔ
％の添加量の時、焼結体の密度最大となる。この時金属
珪化物は主成分の粒成長を抑えながら緻密化を進行させ
るため相対密度が高いにもかかわらず得られた焼結体は
機械加工性に優れたものとなる。この様な効果は添加量
が０．１ｗｔ％未満では得られず、またｌｗｔ％を超え
ると焼結時に粒界層における液相の生成が著しくなり焼
結性は向上するものの粒径は大きくなりまた同時に粒界
強度も低下し材料の機械強度は劣化する。
一方ＡｆｉＮとＣａＯの添加についても焼結性の改善と
、これと同時に機械加工性の向上が観察されＡＩＮ、Ｃ
ａＯそれぞれの添加量が０．１〜１ｗｔ２６の時最大と
なる。ＡＩＮとＣａＯは液相を生成する事が知られてお
りＡｆｌＮとＣａＯとの同時添加により液相焼結が進行
するものと考えられる。
、これと同時に機械加工性の向上が観察されＡＩＮ、Ｃ
ａＯそれぞれの添加量が０．１〜１ｗｔ２６の時最大と
なる。ＡＩＮとＣａＯは液相を生成する事が知られてお
りＡｆｌＮとＣａＯとの同時添加により液相焼結が進行
するものと考えられる。
またＡ、ＱＮは高硬度、高強度であるにもかかわらず比
較的機械加工性に優れているため得られた焼結体は高強
度でかつ機械加工性に優れたものとなる。この様な効果
はＡ、ＱＮとＣａＯとを同時に添加した場合しか得られ
ずまたそれぞれの添加量が０、Ｉｗｔ％未満では効果が
不十分であり一方１ｗｔ％を超えるとＡ、９Ｎの難焼結
性が顕著になり焼結性の低下を引起す。
較的機械加工性に優れているため得られた焼結体は高強
度でかつ機械加工性に優れたものとなる。この様な効果
はＡ、ＱＮとＣａＯとを同時に添加した場合しか得られ
ずまたそれぞれの添加量が０、Ｉｗｔ％未満では効果が
不十分であり一方１ｗｔ％を超えるとＡ、９Ｎの難焼結
性が顕著になり焼結性の低下を引起す。
さらに主成分に関してはＴｉＣとＡＩ！ｚ０３の合計に
対するＴ ｉ Ｃｍが１５ｗｔ％未満ではＨｖが２００
０ ｋｇ／ ｍｓ２以下となり、また６０ｗｔ％を超え
ると焼結性が著しく低下するため主成分のＴｉＣ量は１
５〜６０ｗｔ９６が望ましい。
対するＴ ｉ Ｃｍが１５ｗｔ％未満ではＨｖが２００
０ ｋｇ／ ｍｓ２以下となり、また６０ｗｔ％を超え
ると焼結性が著しく低下するため主成分のＴｉＣ量は１
５〜６０ｗｔ９６が望ましい。
以下本発明を実施例に従い詳細に説明する。
〈実施例〉
平均粒径０．１〜０．５μｍ１純度９９％以上のＡｌ２
Ｏ３、ＴｉＣ，ＴｉＳｉ、、ＺｒＳｉ２．ＮｂＳｉ２．
ＴａＳｉ２．Ｃｒ′Ｓｉ、、Ｍｏ５ｔ２゜ＷＳ ｉ ２
、 Ａｉｌ Ｎ、 Ｃａ ＣＯｘの各粉末原料を第
１表に示す組成比となる様に秤量しＮ１１１．１〜１０
の各試料とした。表中の主成分子ｊＣ及びＡ１２０１は
主成分の組成比（ｗｔ％）を示し、添加物の量は主成分
の総量に対する重量比（ｗｔ％）で示している。なおＣ
ａＣ０＞についてはＣａＯに換算した値である。
Ｏ３、ＴｉＣ，ＴｉＳｉ、、ＺｒＳｉ２．ＮｂＳｉ２．
ＴａＳｉ２．Ｃｒ′Ｓｉ、、Ｍｏ５ｔ２゜ＷＳ ｉ ２
、 Ａｉｌ Ｎ、 Ｃａ ＣＯｘの各粉末原料を第
１表に示す組成比となる様に秤量しＮ１１１．１〜１０
の各試料とした。表中の主成分子ｊＣ及びＡ１２０１は
主成分の組成比（ｗｔ％）を示し、添加物の量は主成分
の総量に対する重量比（ｗｔ％）で示している。なおＣ
ａＣ０＞についてはＣａＯに換算した値である。
試料魔１〜５が本発明の適用例であり、ＮＱ、６〜１０
は比較のためのものである。
は比較のためのものである。
Ｎａｌ〜１０の各試料をそれぞれ前述の様に秤量後エタ
ノールを溶媒としボールミルにて２０〜４０時間混合し
た。次に濾過、乾燥後、有機系バインダーを添加し３０
Ｘ３０Ｘ１０龍のブロックに加圧成型した。次にこのブ
ロックを１７５０℃、Ａ「気流中にて２時間焼結した後
Ａ「ガスを圧力媒体として用い、圧力１０００ｋｇ／ｃ
−温度１６５０℃２時間保持の条件で熱間静水圧プレス
（ＨＥＰ）処理を施した。
ノールを溶媒としボールミルにて２０〜４０時間混合し
た。次に濾過、乾燥後、有機系バインダーを添加し３０
Ｘ３０Ｘ１０龍のブロックに加圧成型した。次にこのブ
ロックを１７５０℃、Ａ「気流中にて２時間焼結した後
Ａ「ガスを圧力媒体として用い、圧力１０００ｋｇ／ｃ
−温度１６５０℃２時間保持の条件で熱間静水圧プレス
（ＨＥＰ）処理を施した。
以上の工程より得られた試料の材料特性の評価として相
対密度ビッカース硬度Ｈｖ、抗折強度Ｆ。
対密度ビッカース硬度Ｈｖ、抗折強度Ｆ。
の測定を行った。また各試料より５８５ Ｘ ２０ ｍ
＋＊の角柱を切り出した後この角柱の隣接する５×２０
ｍｍの２面を鏡面加工し陵部に生じた２×２μｍ以上
のチッピング数を１０００倍の倍率を有する光学顕微鏡
を用いてカウントして１（７）当りの発生率に換算し加
工性の評価とした。さらに組織観察を行い平均粒径を求
めた。
＋＊の角柱を切り出した後この角柱の隣接する５×２０
ｍｍの２面を鏡面加工し陵部に生じた２×２μｍ以上
のチッピング数を１０００倍の倍率を有する光学顕微鏡
を用いてカウントして１（７）当りの発生率に換算し加
工性の評価とした。さらに組織観察を行い平均粒径を求
めた。
以上の結果を第１表に組成の値とともに記載した。
この表から、試料Ｎａ６の無添加例に比較し、Ｎｏ。
１〜５のＴ ｉ Ｓ ｉ ２ 、 Ｚ ｒ Ｓ ｉ ２
、 Ｎ ｂ Ｓ ｉ ２ 。
、 Ｎ ｂ Ｓ ｉ ２ 。
ＴａＳｉ２．ＣｒＳｉ２．ＭｏＳｉ、、ＷＳｉ２の少な
くとも一種を０．１〜１ｗｔ％、ＡＩＮとＣａＯのそれ
ぞれを０．１〜１ｗｔ％添加した試料では平均粒径１．
１〜１．２μｍの小粒径組織であるにもかかわらず相対
密度は９９．９８〜９９．９Ｊ１％と高く、かつＨｖ、
Ｆ、チッピング発生率ともに向上している。
くとも一種を０．１〜１ｗｔ％、ＡＩＮとＣａＯのそれ
ぞれを０．１〜１ｗｔ％添加した試料では平均粒径１．
１〜１．２μｍの小粒径組織であるにもかかわらず相対
密度は９９．９８〜９９．９Ｊ１％と高く、かつＨｖ、
Ｆ、チッピング発生率ともに向上している。
また金属珪化物のみの添加（魔７）の場合、無添加例（
ｋ６）に比較し密度、組成、機械強度及び加工性いずれ
も改善されているが、金属珪化物の添加に加えさらにＡ
ＩＩＮとＣａＯとを同時に添加した本発明例（Ｎａｌ〜
５）よりはＦ、チッピング発生率ともに多少劣っている
。
ｋ６）に比較し密度、組成、機械強度及び加工性いずれ
も改善されているが、金属珪化物の添加に加えさらにＡ
ＩＩＮとＣａＯとを同時に添加した本発明例（Ｎａｌ〜
５）よりはＦ、チッピング発生率ともに多少劣っている
。
試料に８についてはＡｆＩＮ、ＣａＯのみの添加であり
、無添加例に比較し焼結性は向上しているものの相対密
度は９５％程度と低い。
、無添加例に比較し焼結性は向上しているものの相対密
度は９５％程度と低い。
金属珪化物の添加量がｌｗｔ％を超えると（＆９）焼結
性は向上するものの粒成長が顕著になり、かつＨｖ、Ｆ
の低下、チッピング発生率の増加が観察される。
性は向上するものの粒成長が顕著になり、かつＨｖ、Ｆ
の低下、チッピング発生率の増加が観察される。
一方ＡｐＮの添加量が１ｗｔ％を超えると（随１０）
、ＡＲＮの持つ難焼結性が現れ焼結性の低下をきたす。
、ＡＲＮの持つ難焼結性が現れ焼結性の低下をきたす。
以下余白
〈発明の効果〉
以上述べた如く本発明によれば、焼結性に優れ小粒径組
織かつ緻密で機械加工性に優れた薄膜磁気ヘッド用高密
度ＡＪ２２０．−ＴｉＣセラミックス基板材料の提供が
可能となった。
織かつ緻密で機械加工性に優れた薄膜磁気ヘッド用高密
度ＡＪ２２０．−ＴｉＣセラミックス基板材料の提供が
可能となった。
Claims (1)
- １．ＴｉＣを１５〜６０ｗｔ％含み残部Ａｌ＿２Ｏ＿３
から成る主成分１００重量部に対しＴｉ，Ｚｒ，Ｎｂ，
Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗの珪化物のうち少なくとも一種を
０．１〜１ｗｔ％、ＡｌＮ及びＣａＯをそれぞれ０．１
〜１ｗｔ％添加してなることを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ド用基板材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1018910A JPH0744111B2 (ja) | 1989-01-28 | 1989-01-28 | 薄膜磁気ヘッド用基板材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1018910A JPH0744111B2 (ja) | 1989-01-28 | 1989-01-28 | 薄膜磁気ヘッド用基板材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02199808A true JPH02199808A (ja) | 1990-08-08 |
| JPH0744111B2 JPH0744111B2 (ja) | 1995-05-15 |
Family
ID=11984761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1018910A Expired - Fee Related JPH0744111B2 (ja) | 1989-01-28 | 1989-01-28 | 薄膜磁気ヘッド用基板材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0744111B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009026405A (ja) * | 2007-07-20 | 2009-02-05 | Tdk Corp | 磁気ヘッドスライダ用材料、磁気ヘッドスライダ、ハードディスク装置、及び磁気ヘッドスライダ用材料の製造方法 |
| CN1974473B (zh) | 2005-12-02 | 2010-06-02 | Tdk株式会社 | 磁头滑块用烧结体、磁头滑块和磁头滑块用烧结体的制造方法 |
-
1989
- 1989-01-28 JP JP1018910A patent/JPH0744111B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1974473B (zh) | 2005-12-02 | 2010-06-02 | Tdk株式会社 | 磁头滑块用烧结体、磁头滑块和磁头滑块用烧结体的制造方法 |
| JP2009026405A (ja) * | 2007-07-20 | 2009-02-05 | Tdk Corp | 磁気ヘッドスライダ用材料、磁気ヘッドスライダ、ハードディスク装置、及び磁気ヘッドスライダ用材料の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0744111B2 (ja) | 1995-05-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |