JPH0220166B2 - - Google Patents

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Publication number
JPH0220166B2
JPH0220166B2 JP59051448A JP5144884A JPH0220166B2 JP H0220166 B2 JPH0220166 B2 JP H0220166B2 JP 59051448 A JP59051448 A JP 59051448A JP 5144884 A JP5144884 A JP 5144884A JP H0220166 B2 JPH0220166 B2 JP H0220166B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
transistor
emitter
capacitor
emitter follower
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP59051448A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS60194811A (ja
Inventor
Akira Usui
Kazuhiko Kubo
Hiroyuki Nagai
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP59051448A priority Critical patent/JPS60194811A/ja
Publication of JPS60194811A publication Critical patent/JPS60194811A/ja
Publication of JPH0220166B2 publication Critical patent/JPH0220166B2/ja
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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03DDEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
    • H03D7/00Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
    • H03D7/14Balanced arrangements
    • H03D7/1425Balanced arrangements with transistors
    • H03D7/1433Balanced arrangements with transistors using bipolar transistors
    • HELECTRICITY
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    • H03D7/14Balanced arrangements
    • H03D7/1425Balanced arrangements with transistors
    • HELECTRICITY
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    • H03DDEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
    • H03D7/00Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
    • H03D7/14Balanced arrangements
    • H03D7/1425Balanced arrangements with transistors
    • H03D7/1458Double balanced arrangements, i.e. where both input signals are differential

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Superheterodyne Receivers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、主としてテレビジヨンチユーナー回
路、CATVコンバーター回路等に用いることの
できる高周波領域における集積回路を用いた高周
波信号処理装置に関するものである。
従来例の構成とその問題点 従来の高周波信号処理装置の一例を第1図に示
す。
図示する高周波信号処理装置は周波数混合回路
1、エミツタホロア回路2、中間周波数増幅回路
3によつて構成されている。周波数混合回路1
は、ダブルバランス型回路により構成され、端子
Aより局部発振信号が供給され、端子Bより高周
波信号が供給される。周波数混合回路1の出力信
号はシングルバランスでとり出され、高周波成分
と直流成分の両方をエミツタホロア回路2に供給
する。エミツタホロア回路2にて、インピーダン
ス変換を行つたのち、その出力は中間周波数増幅
回路3に供給され、ここで帯域同調がなされて端
子Gより所望の周波数帯域を示す中間周波信号を
得ることができる。各段の回路は、集積回路4の
内部にて構成されている。
中間周波数増幅回路3の内部構成は、エミツタ
ホロワ回路2の出力をトランジスタ31のベース
に供給し、そのエミツタに抵抗32,33とバイ
パス容量34による帰還をかけ利得調整をなし、
かつトランジスタ31のコレクタに接続される容
量35とコイル36,37にて帯域同調負荷を構
成し、コイル36,37の分割点よりインピーダ
ンス変換された所望の周波数帯域の出力信号を結
合容量8を介して出力端子に供給している。
ところが、トランジスタ31のベース側から見
た入力インピーダンスは負性インピーダンスとな
り第1図のエミツタホロア回路2の入力側や、周
波数混合回路1の入力端子への正帰還ループを構
成し、発振状態等の不安定動作に陥いつてしまう
という欠点があつた。
発明の目的 本発明は、かかる動作の不安定状態を改善する
ものであり、安定動作を確保するための手段を集
積回路内で構成することを目的とするものであ
る。
発明の構成 本発明による高周波信号処理装置は、高周波信
号と、局部発振信号とをダブルバランス型周波数
混合回路に加え、その出力をダブルバランス回路
の第1〜4のスイツチングトランジスタの一方の
共通コレクタに接続された負荷回路と該共通コレ
クタの交点からとり、これをエミツタホロア回路
を通した後に、トランジスタのベースに加え、上
記トランジスタはそのエミツタとアース間に抵抗
を挿入し、この抵抗の中間からアース間に容量を
挿入し、かつ上記トランジスタのコレクタに帯域
同調負荷回路を構成するとともに、上記トランジ
スタのベースとエミツタ間に容量を接続し、この
容量を集積回路内で構成することを特徴とするも
のであり、上記容量にて正帰還ループを遮断する
ことができ、回路動作の不安定状態を除去するこ
とができるものである。
実施例の説明 本発明の一実施例の構成を第2図に示す。
図示する高周波信号処理装置はダブルバランス
型周波数混合回路1とエミツタホロア回路2と中
間周波数増幅回路3により構成され、図の4で示
す範囲が集積回路で構成されている部分である。
なお、ここで第1図と同一回路、同一素子には同
一番号を付している。局部発振信号を端子Aから
供給し、端子Bより高周波信号を供給するとダブ
ルバランス型周波数混合回路1のシングル出力に
は、前述と同様に高周波成分と直流成分とを含ん
だ信号が出力されエミツタホロア回路2に供給さ
れる。エミツタホロア回路2はインピーダンス変
換した信号を中間周波増幅回路3に供給する。
中間周波増幅回路3の動作は第1図と同様であ
り、構成要素1〜8は同じ物で同じ番号を付して
いるのでその説明は省略する。
この回路では、第1図の場合に問題となつたト
ランジスタ1のベース側から見た負性インピーダ
ンスを改善するために、トランジスタ1のベース
とエミツタ間に容量39を接続することによりこ
れを改善し、周波数混合回路1の入力端子B及び
エミツタホロア回路2の入力端子への正帰還ルー
プをしや断している。上記容量39は0.5pF〜
1pFの値で十分であり、集積回路4内で構成して
もチツプ面積の著しい増加にはならない。
また集積回路の外部ピン数をも増加させないと
いう点で実用上有効な手段であるといえる。
発明の効果 このように、本発明によれば、集積回路のピン
数を増やすことなく簡単な構成によつて動作の安
定した高周波信号処理装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の高周波信号処理装置の構成を示
す回路図、第2図は本発明による高周波信号処理
装置の実施例を示す回路図である。 1……ダブルバランス型周波数混合回路、2…
…エミツタホロア回路、3……中間周波増幅回
路、31……トランジスタ、34,35,38,
39……容量、32,33……抵抗、36,37
……コイル。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 高周波信号と局部発振信号とをダブルバラン
    ス型周波数混合回路に加え、この周波数混合回路
    の出力信号を同回路を構成する第1〜第4のスイ
    ツチングトランジスタの一方の共通コレクタに設
    定された負荷回路と上記共通コレクタの交点から
    取り出し、この出力信号をエミツタフオロア回路
    を通した後にエミツタ接地型トランジスタのベー
    スに加えるようにするとともに、上記周波数混合
    回路、エミツタフオロア回路並びにトランジスタ
    は集積回路化し、上記トランジスタのエミツタと
    アース間に抵抗を挿入し、この抵抗の中間からア
    ース間に容量を挿入し、かつ上記トランジスタの
    コレクタに帯域同調負荷回路を構成するととも
    に、上記トランジスタのベースとエミツタ間に容
    量を接続し、かつこの容量は上記集積回路内で構
    成することを特徴とする高周波信号処理装置。
JP59051448A 1984-03-16 1984-03-16 高周波信号処理装置 Granted JPS60194811A (ja)

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JP59051448A JPS60194811A (ja) 1984-03-16 1984-03-16 高周波信号処理装置

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JP59051448A JPS60194811A (ja) 1984-03-16 1984-03-16 高周波信号処理装置

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Publication Number Publication Date
JPS60194811A JPS60194811A (ja) 1985-10-03
JPH0220166B2 true JPH0220166B2 (ja) 1990-05-08

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JPS60194811A (ja) 1985-10-03

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