JPH02202852A - フッ素置換フェニルエステル化合物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は新規なフェニルエステル化合物に関し、さらに
詳しくは光学活性基を有するフェニルエステル化合物に
関する。

［従来の技術］ 従来、フェニルエステル化合物として、たとえば強誘電
性を示すフェニルエステル化合物である光学活性４−ｎ
−アルキルオキシ安息香酸−ｐ−（２−ｎ−アルコキシ
プロピルオキシ）フェニルエステル［デイ−エム　ワル
バ　（Ｄ、Ｍ、Ｗａｌ　ｂａ）”。

ジャーナル　オブ　ジ　アメリカン　ケミカルソサイア
ティー　１９８６．１０８．５２１０〜５２２１（Ｊｏ
ｕｒｎａｌ　　ｏｆ　　ｔｈｅ　　Ａｍｅｒｉｃａｎ　
　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　　５ｏｃｉｅｔ、ｙ）コが知られ
ている。

［発明が解決しようとする課題］ しかし、これらのものは、強誘電性を示すカイシルスメ
クチックＣ相の温度範囲が狭く、かつカイラルスメクチ
ックＣ相の低温側に他のスメクチック相があるため、他
の液晶と混合してカイラルスメクチックＣ相の温度範囲
を広げることが難しく、実用上困難を生じている。

［課題を解決するための手段］ 本発明者らは強誘電性を示すカイラルスメクチックＣ相
の温度範囲が広く、かつ他の液晶と混合してカイラルス
メクチックＣ相の温度範囲を広げることができるフェニ
ルエステル化合物について鋭意検討した結果本発明に到
達した。

すなわち、本発明は一般式 〔式中、Ｒはハロゲン原子またはアルコキシ基で置換さ
れていてもよい炭素数３〜１８のアルキル基であり、Ｘ
は−ｏ−１−ｏｃｏｏ−または単結合（直接結合）であ
り、Ａはフッ素原子、塩素原子、臭素原子、シアノ基、
ニトロ基およびトリフルオロメチル基からなる群より選
ばれる置換基で置換されていてもよいフェニレン基また
はビフェニレン基であり、ｍは１〜１３の整数であり、
Ｙはメチ素数１〜１８のアルキル基であり、Ｃｏは不斉
炭素原子を表す。ｎは、Ｙがメチル基の場合１であり、
Ｙがフッ素原子の場合０である。〕で示されるフッ素置
換フェニルエステル化合物である。

本発明のフェニルエステル化合物には、単独で液晶状態
が観察できるものと、単独では液晶状態を観察できなく
ても液晶組成物の構成成分として有用な物質が含まれる
。

一般式（１）において、Ｒのハロゲン原子またはアルコ
キシ基で置換されていてもよい炭素数３〜１８のアルキ
ル基としては、直鎖アルキル基（プロピル基、ブチル基
、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、
ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリ
デシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデ
シル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基など）、分岐
アルキル基（１−メチルプロピル基、１−メチルブチル
基、１−メチルペンチル基、１−メチルヘキシル基、２
−メチルブチル基、２−メチルペンチル基、２−メチル
ヘキシル基、２−メチルへブチル基、２−メチルオクチ
ル基、３−メチルペンチル基、４−メチルペンチル基、
４−メチルヘキシル基、５−メチルヘプチル基、６−メ
チルオクチル基、７−メチルノニル基、８−メチルデシ
ル基、９−メチルデシル基、など）、置換基を有するア
ルキル基〔たとえばＣＩ　（塩素原子）で置換されたア
ルキル基（２−クロロプロピル基、２−クロロブチル基
、２−クロロペンチル基、２−クロロヘキシル基、２−
クロロヘプチル基、２−クロロオクチル基、１−クロロ
−２−メチルプロピル基、１−クロロ−２−メチルブチ
ル基、１−クロロ−３−メチルブチル基など）、Ｆ（フ
ッ素原子）で置換されたアルキル基（２−フルオロプロ
ピル基、２−フルオロブチル基、２−フルオロペンチル
基、２−フルオロヘキシル基、２−フルオロヘプチル基
、２−フルオロオクチル基、１−フルオロ−２−メチル
プロピル基、１−フル第１コー２−メチルブチル基、１
−フルオロ−３−メチルブチル基など）、アルキルオキ
シ基で置換されたアルキル基（２−メトキシプロピル基
、２−エトキシプロピル基、２−プロピルオキシプロビ
ル基、３−メトキシブチル基、３−エトキシブチル基、
３−プロピルオキシブチル基、４−メトキシペンチル基
、４−エトキシペンチル基、４−プロピルオキシペンチ
ル基、３−メトキシプロピル基、３−エトキシプロピル
基、３−プロピルオキシプロビル基、３−へキシルオキ
シプロピル基、４−メトキシブチル基、４−プロピルオ
キシブチル基、４−へキシルオキジブチル基など）など
〕、光学活性なアルキル基（光学活性２−メチルブチル
基、光学活性２−メチルペンチル基、光学活性２−メチ
ルヘキシル基、光学活性２−メチルヘプチル基、光学活
性２−メチルオクチル基、光学活性３−メチルペンチル
基、光学活性４−メチルヘキシル基、光学活性５−メチ
ルヘプチル基、光学活性６−メチルオクチル基、光学活
性１−メチルプロピル基、光学活性１−メチルブチ一〇
− ル基、光学活性１−メチルへブチル基、光学活性１−メ
チルオクチル基など）および置換基を有する光学活性な
アルキル基〔たとえば、ＣＩ　（塩素原子）で置換され
た光学活性なアルキル基（光学活性２−クロロプロピル
基、光学活性２−クロロブチル基、光学活性２−クロロ
ペンチル基、光学活性２−クロロヘキシル基、光学活性
２−クロロヘプチル基、光学活性２−クロロオクチル基
、光学活性１−クロロ−２−メチルプロピル基、光学活
性１−クロロ−２−メチルブチル基、光学活性１−クロ
ロ−３−メチルブチル基など）、Ｆ（フッ素原子）で置
換された光学活性なアルキル基（光学活性２−フルオロ
プロピル基、光学活性２−フルオロブチル基、光学活性
２−フルオロペンチル基、光学活性２−フルオロヘキシ
ル基、光学活性２−フルオロヘプチル基、光学活性２−
フルオロオクチル基、光学活性１−フルオロ−２−メチ
ルプロピル基、光学活性１−フルオロ−２−メチルブチ
ル基、光学活性１−フルオロ−３−メチルブチル基など
）およびアルキルオキシ基で置換された光学活性なアル
キル基（光学活性２−メトキシプロピル基、光学活性２
−エトキシプロピル基、光学活性２−プロピルオキシプ
ロビル基、光学活性３−メチルオクチル基、光学活性３
−エトキシブチル基、光学活性３−プロピルオキシブチ
ル基、光学活性４−、メトキシペンチル基、光学活性４
−エトキシペンチル基、光学活性４−プロピルオキシペ
ンチル基、光学活性４−（２−メチルブチルオキシ）ブ
チル基など）など〕が挙げられる。これらのうち、好ま
しくは炭素数６〜１８の直鎖アルキル基である。

Ｘは好ましくは一〇−である。

Ａとしては、１〜４個までのフッ素原子または塩素原子
、臭素原子、シアノ基、二１・口塞およびトリフルオロ
メチル基からなる群より選ばれる１〜２個の置換基で置
換されていてもよいフェニレン基およびビフェニレン基
が挙げられる。

Ａは、好ましくは１〜４個までのフッ素原子により置換
されていてもよいフェニレン基およびビフェニレン基で
あり、室温付近で強誘電性を示すという点を考慮すると
、特に好ましくは１〜４個までのフッ素原子により置換
されていてもよいフェアー ニレン基である。

Ｒ′のハロゲン原子またはアルコキシ基で置換さして使
用するのが好ましい。

分岐アルキル基としてイソプロピル基の他、−数式（１
）のＲのハロゲン原子またはアルコキシ基で置換されて
いてもよい炭素数３〜１８のアルキル基で挙げたものと
同様のものが挙げられる。

これらのうち、好ましくはＹがメチル基の場合、炭素数
１〜９のアルキル基であり、Ｙがフッ素原子の場合、炭
素数４〜１２のアルキル基である。

−数式（１）においてｍは好ましくは１〜５の整数であ
る。４を超えると原料光学活性アルコールカイ入手しに
くい。

一般式（１）で示されるフッ素置換フェニルエステル化
合物の具体例としては、表−１に示すような基および数
を有する化合物が挙げられる。

−数式（１）で示される化合物は単独で使用してもよい
が、他の一般式（１）で示される化合物および／または
他の成分との二種以上の混合物と表 表 表 表 表 一般式（１）の化合物は、 たとえば次の工程を ｍは一般式（１）の場合と同一である。）■。

Ｙがメチル基の場合。

を、四ハロゲン化炭素及びトリフェニルボスフ１′ンあ
るいは、ｐ−トルエンスルホン酸クロライドでハロゲン
化または１〕−トルエンスルホン酸ニスデル化した後、
−数式（４）の化合物（たとえば１）−ブロモ−Ｏ−フ
ルオロフェノール）と反応させて一般式（５）または（
１１）の化合物を得る。

−数式（５）または（１１）の化合物を金属マグネシウ
ムと反応させてグリニヤール試薬を調整した後、トリメ
トキシボラン（たとえばトリメトキシボラン）と反応さ
せ、次に過酸化水素水で酸化させるか、あるいは有機過
酸化物（たとえば過安息香酸ｔ−ブチル）で酸化してフ
ェノールエーテル誘導体にした後、酸（たとえば塩酸）
で加水分解することにより一般式（６）または（１２）
の化合物を得ることが出来る。

一般式（６）または（１２）の化合物と一般式（７）の
化合物を乾燥ピリジンまたは乾燥ピリジンと乾燥トルエ
ンの混合溶媒中で縮合させることにより、本発明の化合
物である一般式（８）と−数式（１３）の化合物を得る
ことが出来る。

また上記化合物の原料である一般式（２）の化合物は、
ｍが３以上の場合は、特願昭６２−１４１９１９号明細
書記載の方法、ｍが２の場合は、特願昭６２−１４１９
２０号明細書記載の方法により合成することが出来る。

ｍが１の場合は、光学活性な乳酸エチルエステルを原料
にして合成することが出来る。

また−数式（９）の化合物は、光学活性なアルキルエポ
キサイドをフッ化水素・とりジン錯体と反応させること
により得ることが出来る。

−数式（１）で示される化合物の少なくとも一種を含有
させて液晶組成物を得ることが出来る。

液晶組成物には、本発明の一般式（１）の化合物以外の
スメクチック液晶、たとえば強誘電性〔特開昭６２−１
３５４４９号公報記載の一般式（１）の化合物、特開昭
６２−２２８０４３号公報記載の一般式　　　　゛（１
）の化合物、光学活性４−ｎ−アルキルオキシ−４′−
ビフェニルカルボン酸−ｐ’−（２−メチルブトキシカ
ルボニル）フェニルエステル、光学活性４−ｎ−アルキ
ルオキシ−４′−ビフェニルカルボン酸−２−メチルブ
チルエステル、光学活性ｐ−アルキルオキシベンジリデ
ン−ｐ′−アミノ−２−クロロ−プロピルシンナメート
、光学活性ｐ−アルキルオキシベンジリデン−ｐ′−ア
ミノ−２−メチルブチルシンナメートなど〕および／ま
たは通常のカイラルスメクチック液晶〔光学活性４−　
（ｐ−アルキルオキシビフェニル−ｐ′−オキシカルボ
ニル）−４′（２−メチルブチルオキシカルボニル）−
シクロヘキサン、光学活性ｐ−ｎ−アルキルオキシベン
ジリデン−ｐ’−（２−メチルブチルオキシカルボニル
）アニリンなど〕および／または光学活性部位を有しな
いスメクチック液晶〔４−ｎ−アルキルオキシ−シービ
フェニルカルボン酸−ｐ’　−（ｎ−アルキルオキシカ
ルボニル）フェニルエステル、４−ｎ−アルキルオキシ
−４′−ビフェニルカルボン酸−ｎ−アルキルエステル
、４−ｎ−アルキルオキシ安息香酸−ｐ−（ｎ−アルキ
ルオキシ）フェニルエステル、５−アルキル−２−（４
−アルキルオキシフェニル）ピリミジン、５−アルキル
オキシ−２−（４−アルキルオキシフェニル）ピリミジ
ンなど〕を含有しＣもよい。また２色性色素、たとえば
アントラキノン系色素、アゾ系色素などを含んでいても
よい。

液晶組成物の配合例を示せば下記の通りである。

（Ｉ）−数式（１）の化合物：１〜１００重量％（好ま
しくは１〜８０重量％） （ｎ）他のカイラルスメクチック液晶（強誘電性液晶お
よび／またはカイラルスメクチック液晶）二〇〜９９重
量％（好ましくは５〜９５重量％） （Ｉ［［）他のスメクチック液晶：０〜９０重量％（好
ましくは０〜６０重量％） （■）２色性色素：０〜５重量％ 本発明における液晶組成物はカイラルスメクチックＣ相
（以下、昭和と略記）を呈するものであり、昭相を示す
温度範囲の上限（すなわちスメクチックＡ相またはカイ
ラルネマチック相または等方性液体相から昭相に変わる
温度）は通常１５〜７０°Ｃて、また、その下限（すな
わち昭和から個体または高次のスメクチック相に変わる
温度）は通常−１０〜 ４０°Ｃであり“、この範囲において強誘電性を示す。

強誘電性を示す液晶は、電圧印加により光スイツチング
現象を起こし、これを利用した応答の速い表示素子を作
製できる〔たとえば特開昭５６−１０７２１６号公報、
特開昭５９−１１８７４４号公報、エヌエークラーク（
Ｎ、Ａ、ＣＩａｒｋ）、ニス　ティー　ラガウォール　
（Ｓ、Ｔ、Ｌａｇｅｒｗａｌ　Ｉ）　；アプライド　フ
ィジックス　レター　（Ａｐｐｌｉｅｄ　　Ｐｈｙｓｉ
ｃｓ　　Ｌｉｔｅｆ、ｔｅｒ）茜、８９９（１９８０）
など〕。

本発明における液晶組成物は、セル間隔０．５〜ＩＯμ
ｍ５好ましくは０．５〜３μｍの液晶セルに真空封入し
、両側偏光子を設置することにより光スイツチング素子
（表示素子）として使用できる。

上記液晶セルは透明電極を設け、表面を配向処理した２
枚のガラス基板をスペーサーを挟んで貼り合わせること
によって作製することができる。

上記スペーサーとしては、アルミナビーズ、ガラスファ
イバー、ポリイミドフィルムなどが挙げられる。配向処
理方法としては、通常の配向処理、たとえばポリイミド
膜、ラビング処理、ＳｉＯ斜め蒸着などが適用できる。

［実施例コ 以下、本発明を実施例により更に説明するが、本発明は
これに限定されない。

以下の実施例において、％は重量％をしめす。

以下の説明における、相転移温度は測定方法や純度によ
り若干の変動を伴うものである。

実施例　１ 光学活性４−ｎ−ドデシルオキシ安息香酸−ｐ−（４−
ｎ−プロピルオキシペンチルオキシ）−ｍ−フルオロフ
ェニルエステル　（表−１中ＮＯ４６の化合物）の製造 （Ｉ）光学活性１−ブロモ−４−ｎ−プロピルオキシペ
ンタンの製造 四臭化炭素３３．５ｇを乾燥ＴＨＦ５０ｍｌにとかした
ものを、光学活性４−ｎ−プロピルオキシペンタノール
１４．６ｇ、トリフェニルボスフィン２７．０ｇを乾燥
ＴＨＦ　１００ｍ１にとかしたものの中へ水冷下３０分
で滴下した。そのまま１時間攪拌後、ざらに室温で一昼
夜攪拌した。反応混合物を氷水５００ｎ＋　ｌの中へ投
入し、上層の水をデカンテーションで除いた後ヘキサン
で抽出した。ヘキサン層を一晩冷蔵庫で放置し、生じた
結晶（トリフェニルホスインオキサイド）をろ過により
除去した。ヘキサン層を水洗後、無水硫酸ナトリウムで
乾燥し減圧蒸留することにより目的の化合物である、光
学活性１−ブロモ−４−プロピルオキシペンタン１８．
８ｇを得た。ｂ、ｐ、８０〜８６℃１５１皿Ｈ８ （ｎ）光学活性ｐ−（４−ｎ−プロピルオキシペンチル
オキシ）　−ｍ−フルオロブロムベンゼンの製造 ジメチルスルホキシド１５０ｒｎ　ｌ中に、ｐ−ブロモ
−〇−フルオロフェノール１０．０ｇ、水酸化ナトリウ
ム２．１８とかしたものの中へ、上記光学活性１−ブロ
モ−４−ｎ−プロピルオキシペンタン１０．９ｇを加え
て室温で二日間攪拌した。反応終了後、水中に投じヘキ
サン１００ｍ　ｌで抽出した。水洗乾燥後、シリカゲル
を詰めた短いカラムを通し、ヘキサンを留去して液状の
光学活性ｐ−（４−ｎ−プロピルオキシペンチルオキシ
）−ｍ−フルオロブロムベンゼン１４＠Ｊｌ）を？”７
た。

（ＩＩＩ）光学活性ｐ−（４−ｎ−プロピルオキシペン
チルオキシ）−ｍ−フルオロフェノールの製造ｐ−（４
−ｎ−プロピルオキシペンチルオキシ５−ｍ−フルオロ
ブロムベンゼン１４．５３をＴ　ＨＦ　４５ｎ＋　Ｉに
溶解した溶液の４分の１量に金属マグネシウム１．２ｇ
を加え、約６０℃まで加熱してグリニヤール反応を開始
させた。反応開始後、残りの４分の３量を約１時間で滴
下してさらに１時間還流した後、室温まで冷却した。

ホウ酸トリメチル５．２３＠　Ｔ　ＨＦ　５０＋＋＋Ｉ
の中へ溶かした溶液へ、上記グリニヤール試薬を一２０
℃で滴下（滴下時間：１時間）し、さらにその温度で１
時間攪拌した後、酢酸４ｍｌ、過酸化水素水（３０χ）
　６ｍｌを０℃以下で滴下した。室温に戻して溶媒を減
圧で除去した後、エーテルで抽出した。エーテル層を炭
酸水素ナトリウム水、水で洗浄後、エーテルを除去した
。３χＮａＯＨ水１００ｍ１で目的物をナトリウム塩と
して水層に抽出し、た後、塩酸を加えて目的物を遊離さ
せ、エーテル抽出した。エーテル層炭酸水素ナトリウム
水、水で洗浄後、エーテルを除去することにより液状の
光学活性ｐ−（４−ｎ−プロピルオキシペンチルオキシ
）−ｍ−フルオロフェノール７．０ｇを得た。

（ＩＶ）光学活性４−ｎ−ドデシルオキシ安息香Ｍ−ｐ
−（４−ｎ−プロピルオキシペンチルオキシ）−ｍ−フ
ルオロフェニルエステルのに ４−ｎ−ドデシルオキシ安息香酸１．５ｇに塩化チオニ
ル５ｍｌを加え還流下３時間反応後、過剰の塩化チオニ
ルをアスピレータ−で除去して４−ｎ−ドデシル安息香
酸塩化物を得た。このものはとくに精製せず、トルエン
溶液として次の段階で使用した。

一方、光学活性ｐ−（４−ｎ−プロピルオキシペンチル
オキシ）−ｍ−フルオロフェノール１．３ｇを乾燥ピリ
ジン１０ｍ１に溶かしたものを氷冷しておき、そこへ上
記の酸塩化物のトルエン溶液を攪拌下に約３０分で滴下
し、ざらに９０℃の湯浴上で５時間反応させた。冷却後
、６Ｎ塩酸および水を加えて酸性とし分液して有機層を
とり、水洗、飽和炭酸すトリウム水による洗浄、水洗を
経てからトルエンな減圧で留去して油状の物質を得た。

ヘキサン可容部を短いシリカゲルカラムに通し、ヘキサ
ンを留去後、エタノールで２回再結晶して、本発明の化
合物である、光学活性４−ｎ−ドデシルオキシ安息香酸
−ｐ−（４−ｎ−プロピルオキシペンチルオキシ）−ｍ
−フルオロフェニルエステル１．５ｇを得た。

化合物の構造は、ＮＭＲ（核磁気共鳴スペクトル分析）
、ＭＳ（質量分析）、ＩＲ（赤外吸収スペクトル分析）
および元素分析により確認した。上記化合物のＩＲスペ
クトル、Ｈ−ＮＭＲスペクトルおよびＦ−ＮＭＲスペク
トルをそれぞれ第１図、第２図および第３図に示す。

元素分析値：　理論値（％） Ｃ：　７２．７９ Ｈ：　９．０１ ０：　１４．６１ Ｆ：３．４９ 実測値（％） Ｃ：　７２．９３ Ｈ：９．０５ ０　：　１４．６１ Ｆ：３．４１ 実施例　２ 光学活性４−ｎ−ウンデシルオキシ安息香ｍ−ｐ−（４
−エトキシペンチルオキシ）−ｍ−フルオロフェニルエ
ステル　（表−１中Ｎ０−４２の化合物）の製造） （Ｉ）光学活性１−ブロモ−４−エトキシペンタンの製
造 光学活性４−エトキシペンタノールを用いて実施例１の
（Ｉ）と同様の方法で合成した。ｂ、ｐ、７９〜８２°
Ｇ／３０ｍｍＨｇ （ｎ）光学活性ｐ−（４−エトキシペンチルオキシ）−
ｍ−フルオロブロムベンゼンの製造。

光学活性１−ブロモ−４−エトキシペンタンを用いて実
施例１の（ｎ）と同様の方法で合成した。

（ｍ）光学活性ｐ−（４−エトキシペンチルオキシ−ｍ
−フルオロフェノールの製造。

光学活性ｐ−（４−エトキシペンチルオキシ）−ｍ−フ
ルオロブロムベンゼンを用いて実施例１の（ｍ）と同様
の方法で合成した。

（ＩＶ）光学活性４−ｎ−ウンデシルオキシ安息香酸−
ｐ−（４−エトキシペンチルオキシ）−ｍ−フルオロフ
ェニルエステルの製造。

４−ｎ−ドデシル安息香酸と光学活性ｐ−（４−ｎ−プ
ロピルオキシペンチルオキシ）−ｍ−フルオロフェノー
ルのかわりに、４−ｎ−ウンデシル安息香酸と光学活性
ｐ−（４−エトキシペンチルオキシ）−ｍ−フルオロフ
ェノールを用いて実施例１の（ＩＶ）と同様の方法で合
成した。

ＩＲ（ＫＢｒ） 波数（ａｍ−’）　：　　１７４０（Ｃ−０）　　１２
２０（Ｃ−Ｆ）Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣ１３
）ｃ　（ｐｐｍ）　：　　０．８８（ｔ、３Ｈ）　　１
．１８（ｄ、３Ｈ）　　１．１９（ｄ、３Ｈ）　　１．
２０〜１．３９（ｍ、１４１−１）　　１．３９〜１．
５１（ｍ、２Ｈ）　　１．７２〜１．９５（ｍ、４Ｈ）
　　３．３５〜３．６０（ｍ、３Ｈ）３．９８〜４．１
０（ｍ、４Ｈ）　　６．８５〜７．０４（ｍ、５Ｈ）　
　８．８０　（ｄ。

２Ｈ） Ｆ−ＮＭＲ（２８，２ＭＨｚ、ＣＤＣ１３）ａ　（ｐｐ
ｍ）　：　　−５５，４（ｔ、ｘＦ）元素分析値：　　
理論値（％） Ｃニア２．１０ Ｈ：　８．７２ ０・：　１５．５０ Ｆ　：　３．６８ 実測値（％） Ｃ：　７２．３５ Ｈ：　８．６０ ０：　１５．６２ Ｆ：３．４３ 実施例　３ 光学活性４−ｎ−ウンデシルオキシ安息香酸−ｐ−（４
−メトキシペンチルオキシ）−ｍ−フルオロフェニルエ
ステル　（表−１中Ｎ０−４１の化合物）の製造） （Ｉ）光学活性ｐ−トルエンスルホン酸４−メトギシペ
ンチルエステルの製造 光学活性４−メトキシペンタノール１７．７８をピリジ
ン２０■１に溶かしたものを氷冷しておき、そこへｐ−
）ルエンスルホン酸クロライド３２．０ｇをトルエン３
０ｍ１に溶かした溶液を攪拌下に１０℃以下で滴下した
後、更に５０℃の湯浴で２時間攪拌した。冷却後、２Ｎ
塩酸水を加えて酸性とし、分液して有機層を取り、水洗
、２Ｎ水酸化ナトリウム水による洗浄、水洗を経てから
トルエンを除去して、油状の光学活性ｐ−）ルエンスル
ホン酸４−メトキシペンチルエステル３４．７ｇを得た
。このものは特に精製せずそのまま使用した。

（ＩＩ）光学活性ｐ−（４−メトキシペンチルオキシ）
−ｍ−フルオロブロムベンゼンの製造 ０−フルオロ−ｐ−ブロモフェノール１０．０ｇと水酸
化カリウム３．５ｇを１００ｍ１のエタノールに溶解さ
せ、そこへ（Ｉ）の光学活性ｐ−）ルエンスルホン酸４
−メトキシペンチルエステル１３．６ｇを加えて還流下
に８時間加熱した。溶媒を除去後、トルエン、２Ｎ水酸
化ナトリウム水を加えて有機層を取り、水洗後、トルエ
ンを除去した。ヘキサン可溶部をシリカゲルカラムで精
製して、光学活性ｐ−（４−メトキシペンチルオキシ）
−１ＴＩ−フルオロブロムベンゼン１１．６ｇを得た。

（ｍ）光学活性ｐ−（４−メトキシペンチルオキシ）−
ｍ−フルオロフェノールの製造。

光学活性ｐ−（４−メトキシペンチルオキシ）　−ｒｎ
−フルオロブロムベンゼンを用いて実施例１の（ｍ）と
同様の方法で合成した。

（ＩＶ）光学活性４−ｎ−ウンデシル安息香１ｆＵ−ｐ
−（。

４−メトキシペンチルオキシ）−Ｉｎ−フルオロフェニ
ルエステルの製造。

４−ｎ−ドデシル安息香酸と光学活性ｐ−（４−ｎ−プ
ロピルオキシペンチルオキシ）−ｍ−フルオロフェノー
ルの代わりに、４−ｎ−ウンデシル安息香酸と光学活性
ｐ−（４−メトキシペンチルオキシ）−ｍ−フルオロフ
ェノールを用いて実施例１の（ＩＶ）と同様の方法で合
成した。

ＩＲ（ＫＢｒ） 波数（ｃｔｎ−’）　：　　１７３８（Ｃ−０）　　１
２１５（Ｃ−Ｆ）Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣ１
３）Ｕ　（りＩ）ｍ）　　：　　０．８８（ｔ、３１（
）　　１．１７（ｃｌ、３Ｈ）　　１．２０〜１．４１
（ｍ、１４日）１．４１〜１．５１（ｍ、２＋−１）　
　１．５８〜１．６７（ｍ、２Ｈ）　１．７４〜１゜９
２（ｍ、２Ｈ）　３．３１（ｓ、、３ｔｌ）　３．３０
〜３．４２（＋ｎ、　１８）　３．９５〜４．１２（ｍ
、４ｔｌ）　６．８２〜７．０３（ｍ、５ｔｌ）　８．
０６（ｄ、２Ｈ） Ｆ−ＮＭＲ（２８２ＭＨｚ、ＣＤＣ１３）ｃｒ　（ｐｐ
ｍ）　　：　　−５５−５（ｔ＊ＩＦ）元素分析値： 理論値（％） Ｃ：　７１．７１ Ｈ：　８．５７ ０　：　１５．９４ Ｆ　：　３．７８ 実測値（％） Ｃニア１．５２ Ｈ：８．６９ ０　：　１５．９９ Ｆ：３．８０ 実施例　４ 光学活性４−ｎ−ウンデシルオキシ安息香ｋ　−ＩＴＪ
　−（３−エトキシブチルオキシ）−ｍ−フルオロフェ
ニルエステル　（表−１中ＮＯ−２５の化合物）の製造
） （Ｉ）光学活性ｐ−）ルエンスルホン酸３−工トキシブ
チルエステルの製造。

光学活性３−エトキシブタノールを用いて実施例３の（
Ｉ）と同様も方法で合成した。

（Ｉ［）光学活性ｐ−（３−エトキシブチルオキシ）−
ｍ−フルオロブロムベンゼンの製造。

光学活性ｐ−）ルエンスルホン酸３−エトギシブチルエ
ステルを用いて実施例３の（ｎ）と同様の方法で合成し
た。

（ｍ）光学活性ｐ−（３−エトキシブチルオキシ）−ｍ
−フルオロフェノールの製造。

光学活性ｐ−（３−エトキシブチルオキシ）−ｍ−フル
オロブロムベンゼンを用いて実施例１の（ｍ）と同様の
方法で合成した。

（ＩＶ）光学活性４−ｎ−ウンデシルオキシ安息香酸−
ｐ−（３−エトキシブチルオキシ）−ｍ−フルオロフェ
ニルエステルの製造。

４−ｎ−ドデシルオキシ安息香酸と光学活性ｐ−（４−
ｎ−プロピルオキシペンチルオキシ）−ｍ−フルオロフ
ェノールの代わりに、４−ｎ−ウンデシルオキシ安息香
酸と光学活性ｐ−（３−エトキシブチルオキシ）−ｍ−
フルオロフェノールを用いて実施例１の（ＩＶ）と同様
の方法で合成した。

ＩＲ（ＫＢｒ） 波数（ａｍ−’）　：　　１７３６（Ｃ＝０）　　１２
１８（Ｃ−Ｆ）Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣ１３
）ａ　（ｐｐｍ）　：　　０．８７（ｔ、３）１）　　
１．１９　（ｔ、３ＩＩ）　１．２０（ｄ、３Ｈ）　　
１．２３〜１．４０（ｎ＋、１４Ｈ）’　１．４１〜１
．５２（ｍ−，２Ｈ）　　１．７６〜１．９５（ｍ、４
Ｈ）　３．３４〜３．７２（町３８）　３．９９〜４．
１４（＋ｎ、４Ｈ）　６．８３〜７゜０５（ｍ、５ｆｌ
）　８．０７（ｄ、２Ｈ）Ｆ−ＮｒｖｌＲ（２８２ＭＨ
ｚ、ＣＤＣ１３）ａ　（ｐｐｍ）　：　　−ｓ５．５（
ｔ、ｘＦ）元素分析値：　理論値（％）　　実測値（％
）Ｃ：　７１．７Ｉ　　　　Ｃ：　７１．８２Ｈ：　８
．５７　　　　　Ｈ：　８．６１０　：　１５．９４　
　　０　：　１５．７３Ｆ　：　３．７８　　　　　Ｆ
　：　３．８４実施例５ 光学活性４−ｎ−デシルオキシ安息香酸−ｐ−（２−エ
トキシプロピルオキシ）−ｍ−フルオロフェニルエステ
ル　（表−１中ＮＯ−３の化合物）の製造）（Ｉ）光学
活性１）−）ルエンスルホン酸２−工トキシプロピルエ
ステルの製造。

光学活性２−工Ｉ・キシプロパツールを用いて実施例３
の（Ｉ）と同様も方法で合成した。

（ＩＩ）光学活性ｐ−（２−エトキシプロピルオキシ）
−ｍ−フルオロブロムベンゼンの製造。

光学活性ｐ−）ルエンスルホン酸２−エトキシプロピル
エステルを用いて実施例３の（ｎ）と同様の方法で合成
した。

（Ｉ［［）光学活性ｐ−（２−エトキシプロピルオキシ
）−ｍ−フルオロフェノールの製造。

光学活性ｐ−（２−エトキシプロピルオキシ）−ｍ−フ
ルオロブロムベンゼンを用いて実施例１の（Ｉ［［）と
同様の方法で合成した。

（ＩＶ）光学活性４−ｎ−デシルオキシ安息香酸−ｐ−
（２−エトキシプロピルオキシ）−ｍ−フルオロフェニ
ルエステルの製造。

４−ｎ−ドデシルオキシ安息香酸と光学活性ｐ−（４−
ｎ−プロピルオキシペンチルオキシ）−ｍ−フルオロフ
ェノールの代わりに、４−ｎ−デシルオキシ安息香酸と
光学活性ｐ−（２−エトキシプロピルオキシ）−ｍ−フ
ルオロフェノールを用いて実施例１の（ＩＶ）と同様の
方法で合成した。

ＩＲ（ＫＢｒ） 波数（ｃｍ−’）　：　　１７３４（Ｃ＝Ｏ）　４２１
１（Ｃ−Ｆ）Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚＳＣＤＣ１３）
ｃｒ　（１）Ｉ）ｍ）　：　　０．８７（ｔ、３Ｈ）　
　１．２１　（ｔ、３日）　１．２６（ｄ、３Ｈ）　　
１．２０〜１．４０（ｍ、１２１−１）　１．４０〜１
．５５（＋ｉ、２Ｈ）　　１．７７〜１．８７（ｍ、２
１１）　３．５９〜３−６２（ｎ＋、２Ｎ）　３．８０
〜３．９９（ｍ、２Ｈ）４．００〜４．１２（ｍ、３Ｈ
）　６．８７〜７．０９（ｍ、５Ｈ）　８．１０（ｄ、
２Ｈ） Ｆ−ＮＭＲ（２８２ＭＨｚ、ＣＤＣ１３）ａ　（ｐｐｍ
）　：　　−５５，２（ｔ、ＩＦ）元素分析値： 理論値（％） Ｃ：　７０．８８ Ｈ：　８．２３ ０　：　１６．８８ 実測値（％） Ｃニア１．９９ Ｈ：８．０５ ０　：　１６．７５ Ｆ　：４．０１　　　　、　Ｆ　：４．２１実施例１か
ら実施例５に示した化合物の特性（相転移温度）を表−
２に示す。また下記の化合物を比較例１として併せて示
す。

表−２ 結晶相 カイラルスメクチックＣ相 カイラルスメクチックＣ相 スメクチックＡ相 コレステリック相 等方性液体相 実施例６．７．８ 実施例１．４または５の化合物と公知のスメクチック液
晶化合物（下記化合物ＡおよびＢ）を表−３に示す割合
で配合して本発明の液晶組成物を得た。組成物の調製法
は表−３中の化合物を所定の重量比で秤量し、三種の化
合物を試料ビン中で加熱溶解しながら混合した。このも
のは表−３に示すような室温を含む広い温度範囲でカイ
ラルスメクチック相を呈するとともに、化学的に安定で
あり、有用な液晶組成物である。

化合物Ａ：光学活性シー（１−メチルへブチルオキシ）
−４−ビフェニルカルボン酸 −ｐ−ウンデシルオキシフェニルエス テル 化合物Ｂ：光学活性シーデシルオキシ−４−（２−メチ
ルブチルオキシカルボニル）ト ラン 表−３ これらの組成物を、配向処理剤としてポリビニルアルコ
ールを塗布し、表面をラビングして平行配向処理を施し
た透明電極を備えたセル厚２μｎ１のセルに注入して光
スイツチング素子を作った。

この素子を２枚の直交する偏光子の間に設置し、±ＩＯ
Ｖの電圧印加を行い、透過光強度の変化から応答時間を
求めると、３０℃で実施例６の組成物は約３８０μ５ｅ
Ｃ１実施例７の組成物は約２９０μｓｅｃ、実施例８の
組成物は約２２０μｓｅｃであった。

［発明の効果コ 本発明は新規のフェニルベンゾエート化合物および液晶
組成物を提供するものであり、またこれらのフェニルベ
ンゾエート化合物および液晶組成物は次のような顕著な
効果を有する。

（１）強誘電性を示すカイラルスメクチック相が室温付
近で得られ、かつその温度範囲が広く、実用的な強誘電
性液晶を得てゆく上で、画期的な材料である。

（２）強誘電性を示すカイラルスメクチック相が室温付
近で得られ、かつその温度範囲が広く、またジ相より低
温側に他のスメクチック相がなく、実用的な強誘電性液
晶組成物の構成成分として有用である。

（３）光、熱、水分に対する安定性が良い。

（４）従来の強誘電性を示す液晶組成物と同等またはそ
れ以上に応答が速い。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図および第３図はそれぞれ実施例１て得ら
れた化合物の赤外吸収スペクトル、Ｈ−ＮＭＲスペクト
ルおよびＦ−ＮＭＲスペクトルを示す。 特許出願人　　三洋化成工業株式会補 凶 手続補正書 平成１年特許願第２３１１１号 ２、発明の名称 フッ素置換フェニルエステル化合物 ３、補正をする者 （１）明細書、第４３頁、第１行の「実施例６．７．８
」を「使用例１．２．３」と訂正する。 （２）同書、第４３頁、第４行の「本発明の液晶組成物
」を「液晶組成物」と訂正する。 （３）同書、第４４頁、表−３を 「　　　　　　　表−３ 自発 ５、補正により増加する発明の数 と訂正する。 （４）同書、第４４頁、下から第３行の「実施例６」を
「使用例１」と訂正する。 （５）同書、第４４頁、下から第２行の「実施例７」を
「使用例２」と訂正する。 （６）同書、第４４頁、下から第１行の「実施例８」を
「使用例３」と訂正する。 手続補正 書 １゜ ２゜ ３゜ 事件の表示 平成１年特許願第２３１１、 発明の名称 フッ素置換フェニルエステル化合物 補正をする者 ４゜ ５゜ ６゜ 自発 ７゜ （１）明細書、 第４頁、 第５行の 「または」 を「もしく は」 と訂正する。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（１） 〔式中、Ｒはハロゲン原子またはアルコキシ基で置換さ
   れていてもよい炭素数３〜１８のアルキル基であり、Ｘ
   は−Ｏ−、−ＯＣＯＯ−または単結合（直接結合）であ
   り、Ａはフッ素原子、塩素原子、臭素原子、シアノ基、
   ニトロ基およびトリフルオロメチル基からなる群より選
   ばれる置換基で置換されていてもよいフェニレン基また
   はビフエニレン基であり、ｍは１〜１３の整数であり、
   Ｙはメチル基またはフッ素原子であり、Ｒ’はハロゲン
   原子もしくはアルコキシ基で置換されていてもよい炭素
   数１〜１８のアルキル基であり、Ｃは不斉炭素原子を表
   す。ｎは、Ｙがメチル基の場合１であり、Ｙがフッ素原
   子の場合０である。〕で示されるフッ素置換フェニルエ
   ステル化合物。