JPH02205332A - フィルムキャリア及びその製造方法 - Google Patents
フィルムキャリア及びその製造方法Info
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- JPH02205332A JPH02205332A JP2530589A JP2530589A JPH02205332A JP H02205332 A JPH02205332 A JP H02205332A JP 2530589 A JP2530589 A JP 2530589A JP 2530589 A JP2530589 A JP 2530589A JP H02205332 A JPH02205332 A JP H02205332A
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- layer
- film carrier
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明はIC,LSI等の集積回路チップの実装に用い
られるフィルムキャリアの製造方法に関するものである
。
られるフィルムキャリアの製造方法に関するものである
。
〈従来技術〉
従来のフィルムキャリアは第3図に示すようにポリイミ
ド系フィルムあるいはポリエステル系フィルムからなる
絶縁層2の片面上に液状の接着剤4をコーティングした
後に導電層3である銅箔をラミネートした三層式のもの
と、第4図に示すように前記したものと同材質の絶縁層
2の片面上にめっき、真空蒸着などの手段で導電層3を
形成したり、逆に導電層3に液状のポリイミドをコーテ
ィングして絶縁層2を形成させるという二層式の二種類
が考えだされていた。
ド系フィルムあるいはポリエステル系フィルムからなる
絶縁層2の片面上に液状の接着剤4をコーティングした
後に導電層3である銅箔をラミネートした三層式のもの
と、第4図に示すように前記したものと同材質の絶縁層
2の片面上にめっき、真空蒸着などの手段で導電層3を
形成したり、逆に導電層3に液状のポリイミドをコーテ
ィングして絶縁層2を形成させるという二層式の二種類
が考えだされていた。
〈発明が解決しようとする課題〉
従来のフィルムキャリアは下記の点に問題があったΦ
三層式の場合、耐熱性に難点があった。すなわち、絶縁
層2に耐熱性のあるポリイミドを使用しても導電層3で
ある銅箔との接着の役割を果たす接着層4にエポキシ系
の材料を用いなければならず、この接着層の耐熱性が1
50℃と低いため、たとえば回路基板と接続を行なう際
、半田接合法を用いる場合、260℃程度の熱がかかる
ため数秒の作業時間しか許容されなかった。この事は、
こうした作業を行なう際の制約条件となっていた。
層2に耐熱性のあるポリイミドを使用しても導電層3で
ある銅箔との接着の役割を果たす接着層4にエポキシ系
の材料を用いなければならず、この接着層の耐熱性が1
50℃と低いため、たとえば回路基板と接続を行なう際
、半田接合法を用いる場合、260℃程度の熱がかかる
ため数秒の作業時間しか許容されなかった。この事は、
こうした作業を行なう際の制約条件となっていた。
また、材質の異なる液状の接着剤と絶縁層2にコーティ
ングする際は、科学的結合があまり望めないため、接着
力を向上させるのに物理的なアンカー効果に頼らざるを
得なく、この場合、絶縁層2を液体ホーニング等の手段
で砂目立て9を行なうなど製造時において手間のかかる
工程をかかえていた。
ングする際は、科学的結合があまり望めないため、接着
力を向上させるのに物理的なアンカー効果に頼らざるを
得なく、この場合、絶縁層2を液体ホーニング等の手段
で砂目立て9を行なうなど製造時において手間のかかる
工程をかかえていた。
一方、二層式の場合、三層式とは異なり、接着層4を有
さないため、半田耐熱性不良という事態は生じないが、
製造工程が頻雑であるという問題があった。すなわち、
二層式の場合、前記したように構造上、絶縁層2のデバ
イスホール5や、スプロケットホール6をプレス打抜き
法など簡便な方法で予め形成させる事が出来ず、絶縁層
2をフォトリソ方式で所定のパターンに形成させなけれ
ばならなかった。この場合導電層3のパターニングとあ
わせて2回のフォトリソ工程を経る事により、かなり頻
雑な製造法であった。
さないため、半田耐熱性不良という事態は生じないが、
製造工程が頻雑であるという問題があった。すなわち、
二層式の場合、前記したように構造上、絶縁層2のデバ
イスホール5や、スプロケットホール6をプレス打抜き
法など簡便な方法で予め形成させる事が出来ず、絶縁層
2をフォトリソ方式で所定のパターンに形成させなけれ
ばならなかった。この場合導電層3のパターニングとあ
わせて2回のフォトリソ工程を経る事により、かなり頻
雑な製造法であった。
また従来のフィルムキャリアは絶縁層としてポリイミド
やポリエステルを用いた関係上、その誘導率はそれぞれ
3.5 、3.2(IMHz)前後であり、後述するが
、高速演算に使用されるコンピューターなどの部門で使
用できないなどの不都合を生じていた。
やポリエステルを用いた関係上、その誘導率はそれぞれ
3.5 、3.2(IMHz)前後であり、後述するが
、高速演算に使用されるコンピューターなどの部門で使
用できないなどの不都合を生じていた。
さらにポリエステルを絶縁層2として用いた場合、耐熱
性はさらに低く、安価な電卓などその用途は限られてい
た。
性はさらに低く、安価な電卓などその用途は限られてい
た。
く課題を解決するための手段〉
本発明の目的は、耐熱性があり、しかも製造方法におい
ては三層式で必要であった絶縁層2の砂目立て工程がい
らず、また二層式のようにフォトリソ工程が二回も必要
ではなく一回で良いなど、簡便な製造方法ですむフィル
ムキャリアを提供する事にある。具体的にいえば、絶縁
層及び接着層にフッ素系樹脂を用い、導体層を含め構成
される三層を一度に熱圧着方式で接着させるという製造
方法を提供する事にある。
ては三層式で必要であった絶縁層2の砂目立て工程がい
らず、また二層式のようにフォトリソ工程が二回も必要
ではなく一回で良いなど、簡便な製造方法ですむフィル
ムキャリアを提供する事にある。具体的にいえば、絶縁
層及び接着層にフッ素系樹脂を用い、導体層を含め構成
される三層を一度に熱圧着方式で接着させるという製造
方法を提供する事にある。
く作用〉
本発明のフィルムキャリアの特徴の一つである絶縁層2
にフッ素系樹脂を用いるという点に関して説明する。
にフッ素系樹脂を用いるという点に関して説明する。
コンピューターなど情報関連機器は大容量になる方向で
あり信号伝播速度のアップが望まれている。信号伝播速
度(V)はV −K X C/(T’−(K一定数、C
−光速、ε=誘電率)で表わされるため、誘電率が小さ
いほど伝播速度は速くなりより高速演算が可能となるわ
けである。フッ素系樹脂は誘電率2.2〜2.5 と最
も誘電率の小さい樹脂でありこうした目的の絶縁層とし
て最適である。従来のフィルムキャリアが使用されてい
るポリイミドやポリエステルは誘電率がそれぞれ3.5
、3.2前後であり、これらを比べるとフッ素系樹脂
の場合的1.1〜1.3倍の信号伝播速度アップの可能
性がある。また通信関係では衛星放送において12GH
2帯の高周波が使用されるがこの領域では誘電率の高い
ポリイミドを使用した場合ノイズをひろう事があり適当
ではない、その点低誘電率であるフッ素系樹脂では問題
がなく、BSアンテナ用コンバーターなどに用いる事が
できる。
あり信号伝播速度のアップが望まれている。信号伝播速
度(V)はV −K X C/(T’−(K一定数、C
−光速、ε=誘電率)で表わされるため、誘電率が小さ
いほど伝播速度は速くなりより高速演算が可能となるわ
けである。フッ素系樹脂は誘電率2.2〜2.5 と最
も誘電率の小さい樹脂でありこうした目的の絶縁層とし
て最適である。従来のフィルムキャリアが使用されてい
るポリイミドやポリエステルは誘電率がそれぞれ3.5
、3.2前後であり、これらを比べるとフッ素系樹脂
の場合的1.1〜1.3倍の信号伝播速度アップの可能
性がある。また通信関係では衛星放送において12GH
2帯の高周波が使用されるがこの領域では誘電率の高い
ポリイミドを使用した場合ノイズをひろう事があり適当
ではない、その点低誘電率であるフッ素系樹脂では問題
がなく、BSアンテナ用コンバーターなどに用いる事が
できる。
本発明のもう一つの特徴である製造工程のポイントにつ
いて述べる0本発明は、従来の三層式フィルムキャリア
と比較されるものとする。従来は前記したように液状の
接着剤を絶縁N2上にコーティングするがその際、接着
力をあげるために、絶縁N2の表面を液体ホーニング等
の手段で砂目立ての処理を施さなければならなかっな。
いて述べる0本発明は、従来の三層式フィルムキャリア
と比較されるものとする。従来は前記したように液状の
接着剤を絶縁N2上にコーティングするがその際、接着
力をあげるために、絶縁N2の表面を液体ホーニング等
の手段で砂目立ての処理を施さなければならなかっな。
本発明の絶縁層2として、フッ素系樹脂、接着層4とし
てシート状のフッ素系樹脂を用いると両者とも熱可塑性
物質であるため、融点以上の温度で熱圧着すれば、互い
に溶融し、貼り合せる事が可能である。したがって、従
来のように絶縁N2の表面を租すという工程は不要であ
る。
てシート状のフッ素系樹脂を用いると両者とも熱可塑性
物質であるため、融点以上の温度で熱圧着すれば、互い
に溶融し、貼り合せる事が可能である。したがって、従
来のように絶縁N2の表面を租すという工程は不要であ
る。
本発明で用いるフッ素樹脂としてポリテトラフルオルエ
チレン(以下PTFEと略す)、ポリクロルトリオルエ
チレン、ポリフッ化ビニリデン、ポリフッ化ビニル、テ
トラフルオルエチレンとへキサフルオルプロピレンとの
共重合物があげられるが耐熱性の点ではPTFBが望ま
しい。
チレン(以下PTFEと略す)、ポリクロルトリオルエ
チレン、ポリフッ化ビニリデン、ポリフッ化ビニル、テ
トラフルオルエチレンとへキサフルオルプロピレンとの
共重合物があげられるが耐熱性の点ではPTFBが望ま
しい。
この絶縁層2の形態として、フッ素樹脂単体の他、ガラ
スクロスに含浸させたもの、独立気泡が存在するものな
どが考えられる。厚みは10〜250μmが適当である
。また、接着層4として、テトラフルオロチレンーパー
フルオロアルカリビニルエーテルコボリマ−(以下PF
^と略す)が望ましい。
スクロスに含浸させたもの、独立気泡が存在するものな
どが考えられる。厚みは10〜250μmが適当である
。また、接着層4として、テトラフルオロチレンーパー
フルオロアルカリビニルエーテルコボリマ−(以下PF
^と略す)が望ましい。
導電層3の材質としては銅の他アルミニウム、ニッケル
、鉄−ニッケル合金、ステンレス、銀、半田、金などが
良く、厚みは5〜200 μmが適当である。
、鉄−ニッケル合金、ステンレス、銀、半田、金などが
良く、厚みは5〜200 μmが適当である。
本発明のフィルムキャリア及びその製造方法に関して実
施例を用いて以下に記す。
施例を用いて以下に記す。
〈実施例〉
中35mのガラス布(■有沢製作所10BOA、厚み8
0μm)にフッ素系樹脂(旭硝子■製、PTF[!フル
オンAD−1)を含浸させベースの絶縁N2とした。
0μm)にフッ素系樹脂(旭硝子■製、PTF[!フル
オンAD−1)を含浸させベースの絶縁N2とした。
この後、接着層4としてPFA (ダイキン工業■製
厚み25μm)を選び絶縁層2の片面上にのせ軽く熱圧
着し仮どめを行なった。さらにプレス打抜き法にてワイ
ドタイプの仕様(有効中26.996+as)でデバイ
スホール5とスプロケットホール6を形成させた。さら
に導電層3として電解銅箔(日鉱グールド■製、JTC
箔、厚み35μm、巾26.0 am)を選択し、上記
の接着層4付絶縁層2とラミネートを行なった。ラミネ
ートには、真空プレス機を用い、条件とし温度はPTF
I!の融点(327”c)以上である370℃に設定し
、圧力30kg、時1a130分で熱圧着させた。この
ようにして作られたフィルムキャリア本体において銅箔
の絶縁層に対するピーリング剥離強度は約2.0 kg
/ ctaであり、接着力は従来のポリイミドベース
と比べて遜色のないものであつた。また誘電率は2.5
であった。
厚み25μm)を選び絶縁層2の片面上にのせ軽く熱圧
着し仮どめを行なった。さらにプレス打抜き法にてワイ
ドタイプの仕様(有効中26.996+as)でデバイ
スホール5とスプロケットホール6を形成させた。さら
に導電層3として電解銅箔(日鉱グールド■製、JTC
箔、厚み35μm、巾26.0 am)を選択し、上記
の接着層4付絶縁層2とラミネートを行なった。ラミネ
ートには、真空プレス機を用い、条件とし温度はPTF
I!の融点(327”c)以上である370℃に設定し
、圧力30kg、時1a130分で熱圧着させた。この
ようにして作られたフィルムキャリア本体において銅箔
の絶縁層に対するピーリング剥離強度は約2.0 kg
/ ctaであり、接着力は従来のポリイミドベース
と比べて遜色のないものであつた。また誘電率は2.5
であった。
この後、従来のフィルムキャリア1と同様な工程で導電
層3である銅箔のバターニングを行なった。すなわち、
東京応化工業■製のネガ型レジストPM[!Rを用い、
レジスト形成を行なった後に銅箔を塩化第2銅系エッチ
ャントにてインナーリード7(ピッチ160βm、平坦
中80/7m、ピン数250ピン)のエツチング加工を
行なった。この後、インナーリード7及びアウタ−リー
ド8先端部を除き、スクリーン印g++法にてソルダー
レジストを印刷した。(インキは、アサヒ化学研究所製
CCR240GS)さらにソルダーレジストが形成され
ていない部分に9:1半田めっき(厚み7μm)を施し
フィルムキャリアIとして仕上げた。
層3である銅箔のバターニングを行なった。すなわち、
東京応化工業■製のネガ型レジストPM[!Rを用い、
レジスト形成を行なった後に銅箔を塩化第2銅系エッチ
ャントにてインナーリード7(ピッチ160βm、平坦
中80/7m、ピン数250ピン)のエツチング加工を
行なった。この後、インナーリード7及びアウタ−リー
ド8先端部を除き、スクリーン印g++法にてソルダー
レジストを印刷した。(インキは、アサヒ化学研究所製
CCR240GS)さらにソルダーレジストが形成され
ていない部分に9:1半田めっき(厚み7μm)を施し
フィルムキャリアIとして仕上げた。
このようにして製造した本発明による絶縁llI2がフ
ッ素系樹脂ベースのフィルムキャリア1はBSアンテナ
用コンバータの部品の一部として用いられ、実装の際の
半田耐熱性(260°C30μm)を容易にクリヤーし
、製品としてその信顧性など要求仕様のすべてを満たし
良好なものであった。
ッ素系樹脂ベースのフィルムキャリア1はBSアンテナ
用コンバータの部品の一部として用いられ、実装の際の
半田耐熱性(260°C30μm)を容易にクリヤーし
、製品としてその信顧性など要求仕様のすべてを満たし
良好なものであった。
〈発明の効果〉
本発明の、絶縁層としてフッ素系樹脂を用いるフィルム
キャリアは以上のように、高耐熱性を有し、また、その
製造においても工程を短縮する事ができるなどのメリッ
トをみいだす事ができた。
キャリアは以上のように、高耐熱性を有し、また、その
製造においても工程を短縮する事ができるなどのメリッ
トをみいだす事ができた。
また、本発明のフィルムキャリアを用いる事でその低誘
電率であるメリット、すなわち、信号伝播速度が速く、
高周波M域(たとえば12GIIz以上)での使用が可
能である事など従来のフィルムキャリアでは対応できな
かったスーパーコンピューターや衛星放送の分野での使
用可能となった。
電率であるメリット、すなわち、信号伝播速度が速く、
高周波M域(たとえば12GIIz以上)での使用が可
能である事など従来のフィルムキャリアでは対応できな
かったスーパーコンピューターや衛星放送の分野での使
用可能となった。
第1図 本発明によるテープキャリアの一部を示す平面
図 第2図 本発明によるテープキャリアの一部を示す概略
断面図 第3図 従来の三層式テープキャリアの一部を示す概略
断面図 第4図 従来の二層式テープキャリアの一部を示す概略
断面図 1、テープキャリア 2絶縁層 3.導電層4、接着層
5.デバイスホール6、スプロケットホール
7.インナーリード8、アエターリード 9.砂目室
て 特 許 出 願 人 凸版印刷株式会社 代表者 鈴木和夫
図 第2図 本発明によるテープキャリアの一部を示す概略
断面図 第3図 従来の三層式テープキャリアの一部を示す概略
断面図 第4図 従来の二層式テープキャリアの一部を示す概略
断面図 1、テープキャリア 2絶縁層 3.導電層4、接着層
5.デバイスホール6、スプロケットホール
7.インナーリード8、アエターリード 9.砂目室
て 特 許 出 願 人 凸版印刷株式会社 代表者 鈴木和夫
Claims (2)
- (1)絶縁層及び接着層がフッ素系樹脂よりなり、絶縁
層、接着層および導電層が熱圧着により接合されてなる
フィルムキャリア。 - (2)絶縁層にフィルム状の接着層を仮接着し、プレス
打抜き法で所定の孔を形成させた後熱圧着法にて導電層
をラミネートさせ所定のパターンをフォトリソ法にて形
成する事を特徴とする請求項1記載のフィルムキャリア
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1025305A JP2751308B2 (ja) | 1989-02-03 | 1989-02-03 | フィルムキャリア及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1025305A JP2751308B2 (ja) | 1989-02-03 | 1989-02-03 | フィルムキャリア及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02205332A true JPH02205332A (ja) | 1990-08-15 |
| JP2751308B2 JP2751308B2 (ja) | 1998-05-18 |
Family
ID=12162304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1025305A Expired - Fee Related JP2751308B2 (ja) | 1989-02-03 | 1989-02-03 | フィルムキャリア及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2751308B2 (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53149764A (en) * | 1977-06-02 | 1978-12-27 | Nitto Electric Ind Co | Method of producing tape carrier tape |
| JPS603131A (ja) * | 1983-06-20 | 1985-01-09 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 半導体素子固定用接着フイルム |
| JPS618958A (ja) * | 1984-06-25 | 1986-01-16 | Hitachi Hokkai Semiconductor Kk | 半導体装置 |
| JPS622639A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-08 | Dainippon Printing Co Ltd | 支持体付きリ−ドフレ−ムの製造方法 |
-
1989
- 1989-02-03 JP JP1025305A patent/JP2751308B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53149764A (en) * | 1977-06-02 | 1978-12-27 | Nitto Electric Ind Co | Method of producing tape carrier tape |
| JPS603131A (ja) * | 1983-06-20 | 1985-01-09 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 半導体素子固定用接着フイルム |
| JPS618958A (ja) * | 1984-06-25 | 1986-01-16 | Hitachi Hokkai Semiconductor Kk | 半導体装置 |
| JPS622639A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-08 | Dainippon Printing Co Ltd | 支持体付きリ−ドフレ−ムの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2751308B2 (ja) | 1998-05-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |