JPH02207533A - 半導体装置の熱処理方法 - Google Patents
半導体装置の熱処理方法Info
- Publication number
- JPH02207533A JPH02207533A JP1028185A JP2818589A JPH02207533A JP H02207533 A JPH02207533 A JP H02207533A JP 1028185 A JP1028185 A JP 1028185A JP 2818589 A JP2818589 A JP 2818589A JP H02207533 A JPH02207533 A JP H02207533A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- substrate
- gallium arsenide
- arsenic
- device substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置の熱処理方法に関し、特に砒化ガリ
ウム半導体装置基板アニール用のサセプタに関するもの
である。
ウム半導体装置基板アニール用のサセプタに関するもの
である。
従来の技術
砒化ガリウム半導体装置基板を熱処理する際、基板表面
からの砒素抜けを防ぎ、表面の荒れと電気特性の劣化を
最小限にする必要がある。赤外線を用いた急速加熱炉に
よる熱処理において、砒素抜は防止のための簡便な方法
として、砒化ガリウム半導体装置基板の上に砒化ガリウ
ムをのせて行う方法が行われている。第２図は、従来行
われていた方法を示す。この方法では、ガラス製の炉芯
１１の中のホルダー１２の上に、砒化ガリウム半導体装
置基ｔｒＩｉ１３とサセプタとして砒化ガリウム基板４
をお互いの表面が接触するように置き、炉芯１１の外部
から赤外線を照射して急速にアニールを行う。
からの砒素抜けを防ぎ、表面の荒れと電気特性の劣化を
最小限にする必要がある。赤外線を用いた急速加熱炉に
よる熱処理において、砒素抜は防止のための簡便な方法
として、砒化ガリウム半導体装置基板の上に砒化ガリウ
ムをのせて行う方法が行われている。第２図は、従来行
われていた方法を示す。この方法では、ガラス製の炉芯
１１の中のホルダー１２の上に、砒化ガリウム半導体装
置基ｔｒＩｉ１３とサセプタとして砒化ガリウム基板４
をお互いの表面が接触するように置き、炉芯１１の外部
から赤外線を照射して急速にアニールを行う。
発明が解決しようとする課題
従来の方法では、半導体装置基板自身が砒化ガリウムで
あるため、上にのせる砒化ガリウムと同じ砒素圧力にな
る。このためお互いの基板から抜ける砒素の量が同じと
なり、半導体基板に供給される砒素の量が不充分となる
という課題を有している。
あるため、上にのせる砒化ガリウムと同じ砒素圧力にな
る。このためお互いの基板から抜ける砒素の量が同じと
なり、半導体基板に供給される砒素の量が不充分となる
という課題を有している。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するため砒化ガリウム半導体装置基板の
アニール用のサセプタとして砒化インジウム基板を用い
ることを特徴とする。
アニール用のサセプタとして砒化インジウム基板を用い
ることを特徴とする。
作用
砒化インジウム基板をサセプタとして用いたアニール方
法では、砒化インジウムは半導体装置基板である砒化ガ
リウムよりも砒素圧力が大きいため、アニールによる砒
化ガリウム半導体装置基板の砒素抜けを防ぎ、その表面
の荒れと電気特性の劣化が少なくなるという特徴を有す
る。
法では、砒化インジウムは半導体装置基板である砒化ガ
リウムよりも砒素圧力が大きいため、アニールによる砒
化ガリウム半導体装置基板の砒素抜けを防ぎ、その表面
の荒れと電気特性の劣化が少なくなるという特徴を有す
る。
実施例
以下本発明の一実施例のアニール方法について、図面を
参照しながら説明する。第１図は本発明のアニール方法
を示す構成図である。砒化ガリウム半導体装置基板１３
の表面と砒化インジウム基板１４の表面が互いに重なる
ようにホルダー１２に配置する。上記砒化ガリウム半導
体装置基板１３と砒化インジウム基板１４を、窒素雰囲
気の炉芯１１内に入れ、７００〜８００度で赤外線を炉
芯１１の外部から照射して急速加熱を行い、上記砒化ガ
リウム半導体装置基板１３をアニールする。このアニー
ル方法により、上記砒化インジウム基板１４は、砒化ガ
リウム半導体装置基板１３より高い砒素圧を有している
ので、上記砒化ガリウム半導体装置基板１３の表面上に
は充分な砒素が供給され、基板上に形成された半導体装
置の砒素抜けによる表面の荒れと電気特性の劣化は大幅
に減少する。同じように、砒素系の化合物半導体として
砒化アルミニウムがあるが、これは砒化ガリウムよりも
砒素圧が低く、かつ空気中での酸化が激しいのでサセプ
タとして用いることはできない。これに対し、上記砒化
インジウム基板１４は、空気中での酸化も遅いので、使
用前に塩酸溶液等でエツチングすることにより、何度で
も使用できる。
参照しながら説明する。第１図は本発明のアニール方法
を示す構成図である。砒化ガリウム半導体装置基板１３
の表面と砒化インジウム基板１４の表面が互いに重なる
ようにホルダー１２に配置する。上記砒化ガリウム半導
体装置基板１３と砒化インジウム基板１４を、窒素雰囲
気の炉芯１１内に入れ、７００〜８００度で赤外線を炉
芯１１の外部から照射して急速加熱を行い、上記砒化ガ
リウム半導体装置基板１３をアニールする。このアニー
ル方法により、上記砒化インジウム基板１４は、砒化ガ
リウム半導体装置基板１３より高い砒素圧を有している
ので、上記砒化ガリウム半導体装置基板１３の表面上に
は充分な砒素が供給され、基板上に形成された半導体装
置の砒素抜けによる表面の荒れと電気特性の劣化は大幅
に減少する。同じように、砒素系の化合物半導体として
砒化アルミニウムがあるが、これは砒化ガリウムよりも
砒素圧が低く、かつ空気中での酸化が激しいのでサセプ
タとして用いることはできない。これに対し、上記砒化
インジウム基板１４は、空気中での酸化も遅いので、使
用前に塩酸溶液等でエツチングすることにより、何度で
も使用できる。
発明の効果
以上に記したように、本発明の砒化ガリウム半導体装置
のアニール方法では、砒化ガリウムより高い砒素圧力が
得られる砒化インジウム基板をサセプタに用いることに
より、砒化ガリウム半導体装置基板表面からの砒素抜け
を防ぎ、表面の荒れと電気特性の劣化を最小限にするこ
とができる。
のアニール方法では、砒化ガリウムより高い砒素圧力が
得られる砒化インジウム基板をサセプタに用いることに
より、砒化ガリウム半導体装置基板表面からの砒素抜け
を防ぎ、表面の荒れと電気特性の劣化を最小限にするこ
とができる。
第１図は、本発明のアニール方法を示す構成図、第２図
は従来のアニール方法を示す構成図である。 １１・・・・・・炉芯、１２・・・・・・ホルダー、１
３・・・・・・砒化ガリウム半導体装置基板、１４・・
・・・・砒化インジウム基板。
は従来のアニール方法を示す構成図である。 １１・・・・・・炉芯、１２・・・・・・ホルダー、１
３・・・・・・砒化ガリウム半導体装置基板、１４・・
・・・・砒化インジウム基板。
Claims (1)
- 砒化ガリウム基板アニール用のサセプタとして砒化イン
ジウム基板を用いることを特徴とする半導体装置の熱処
理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1028185A JPH02207533A (ja) | 1989-02-07 | 1989-02-07 | 半導体装置の熱処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1028185A JPH02207533A (ja) | 1989-02-07 | 1989-02-07 | 半導体装置の熱処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02207533A true JPH02207533A (ja) | 1990-08-17 |
Family
ID=12241642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1028185A Pending JPH02207533A (ja) | 1989-02-07 | 1989-02-07 | 半導体装置の熱処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02207533A (ja) |
-
1989
- 1989-02-07 JP JP1028185A patent/JPH02207533A/ja active Pending
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