JPH02208224A - 酸化物超伝導体 - Google Patents
酸化物超伝導体Info
- Publication number
- JPH02208224A JPH02208224A JP1028849A JP2884989A JPH02208224A JP H02208224 A JPH02208224 A JP H02208224A JP 1028849 A JP1028849 A JP 1028849A JP 2884989 A JP2884989 A JP 2884989A JP H02208224 A JPH02208224 A JP H02208224A
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- Japan
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- superconductor
- bismuth
- oxide superconductor
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- raw material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は酸化物超伝導体のうち、特に化学式、B 1z
Srzca11−1CunOy(n=t、2,3゜yは
不定)で表される酸化物超伝導体(以下、これらをビス
マス系超伝導体と呼ぶ)に関する。本発明は純粋なビス
マス系超伝導体のSrの部分の5〜20%をランタノイ
ド族元素のうちイオン半径の大きなLa、Nd、Pm、
Sm、Eu、Gdの各元素で置き換えることによって、
TC(R昇温度)を上昇せしめんとするものである。
Srzca11−1CunOy(n=t、2,3゜yは
不定)で表される酸化物超伝導体(以下、これらをビス
マス系超伝導体と呼ぶ)に関する。本発明は純粋なビス
マス系超伝導体のSrの部分の5〜20%をランタノイ
ド族元素のうちイオン半径の大きなLa、Nd、Pm、
Sm、Eu、Gdの各元素で置き換えることによって、
TC(R昇温度)を上昇せしめんとするものである。
r従来の技術・問題点j
近年、発見された酸化物超伝導体の中には、そのTcが
、液体窒素の沸点を越えるものがあり、これらを実用化
するための研究が行われている。
、液体窒素の沸点を越えるものがあり、これらを実用化
するための研究が行われている。
なかでも、化学式B izs rzcan−1CunO
y (n=1.2,3.yは不定)で表される、ビスマ
ス系超伝導体はn=2のもののTcが80に、n−3の
もののTcが110 Kと高く、かつ外界の温度変化に
よる酸素の出入りが少な(、また、焼成温度も低くて済
む等加工性が優れているため、最も実用化しやすいと考
えられる。
y (n=1.2,3.yは不定)で表される、ビスマ
ス系超伝導体はn=2のもののTcが80に、n−3の
もののTcが110 Kと高く、かつ外界の温度変化に
よる酸素の出入りが少な(、また、焼成温度も低くて済
む等加工性が優れているため、最も実用化しやすいと考
えられる。
しかしながら、ビスマス系超伝導体のうちn−3のもの
は、Tcが高いながらも作成が難しく、また、n=2の
ものは、作成が容易であるがTcが低いという問題点を
持っている。特に液体窒素温度(77,3K)で使用す
るためには、Tcとしては85に以上は必要である。n
=2のもののTcは作成方法に依存するが、75〜80
にである。
は、Tcが高いながらも作成が難しく、また、n=2の
ものは、作成が容易であるがTcが低いという問題点を
持っている。特に液体窒素温度(77,3K)で使用す
るためには、Tcとしては85に以上は必要である。n
=2のもののTcは作成方法に依存するが、75〜80
にである。
「問題を解決する手段j
ビスマス系超伝導体のうち、n−=2のものは、Tcが
、作成方法によって様々な値となることが知られていた
が、最近までその原因は明らがでなかった。最近、急冷
処理によって、n=2のTcが上昇すること等から、T
cが作成方法によって異なるのは、超伝導体のキャリヤ
ー濃度が作成方法によって変わることが原因である、と
考えられるようになった。すなわち、通常の空気中での
焼成では、超伝導体のキャリヤー濃度が多すぎるため、
かえって超伝導特性が劣化し、一方、焼成温度から急冷
したものは、キャリヤー濃度がやや少なくなるため、T
cが上昇するのだと考えられている。酸化物高温超伝導
体で、Tcがあるキャリヤー濃度のときに最大になり、
それより多くても少なくてもTcが低くなるということ
は、他の酸化物超伝導体(例えばLa−3r−Cu−0
系超伝導体)で確認されている。
、作成方法によって様々な値となることが知られていた
が、最近までその原因は明らがでなかった。最近、急冷
処理によって、n=2のTcが上昇すること等から、T
cが作成方法によって異なるのは、超伝導体のキャリヤ
ー濃度が作成方法によって変わることが原因である、と
考えられるようになった。すなわち、通常の空気中での
焼成では、超伝導体のキャリヤー濃度が多すぎるため、
かえって超伝導特性が劣化し、一方、焼成温度から急冷
したものは、キャリヤー濃度がやや少なくなるため、T
cが上昇するのだと考えられている。酸化物高温超伝導
体で、Tcがあるキャリヤー濃度のときに最大になり、
それより多くても少なくてもTcが低くなるということ
は、他の酸化物超伝導体(例えばLa−3r−Cu−0
系超伝導体)で確認されている。
上述のように、ビスマス系超伝導体においても急冷処理
を施すことによって、TcをIOK程度上昇させること
ができる。しかしながら、急冷処理は高品質な超伝導体
を安定して作成する方法としては、あまり適していない
。なぜなら、急冷処理によって超伝導体にクランクが生
じたり、バルクの超伝導体に関しては、象冷速度が超伝
導体の外部と内部で異なったりして、超伝導体の均質性
が損なわれてしまうからである。そこで、本発明人は、
急冷処理でキャリヤー濃度を減らすかわりに化学的にキ
ャリヤー濃度を調節することを試み、n=2の構造の物
質でありながら、Tcが87にの超伝導体を作成するこ
とに成功した。具体的にはビスマス系超伝導体の各構成
元素を他の元素で置換することによって、ホール濃度を
最適化(この場合には少し減らす〕するのである。即ち
、+2価のイオンに対しては+3価のイオンで一部を置
換し、+3価のイオンに対しては+4価のイオンで一部
を置換するということを行うのである。この場合、ビス
マス系超伝導体の各構成元素であるBi、Sr、Ca、
Cu、Oのうち、BiとCuと0はそれぞれ、超伝導特
性に関わる重要な働き恣していると考えられており、実
際にこれらの元素を他の同じような元素で置換すること
は好ましい結果をもたらさなかった。そこで、置換の対
象はSrとCaに限定される。このうちCaのサイトを
イオン半径の同じような元素で十3価のイオン(たとえ
ばY)で置換することは、Tcの向上にはならなかった
。しかしながら、残るSrのサイトを置換することによ
ってTcの向上が見られた。Srとイオン半径が同じぐ
らいで+3価のイオンはLa、Nd、Pm、Sm、Eu
、Gdに限定される。これらの元素でそれぞれSrの5
〜20%を置換したところ、いずれも置換しないものよ
りTcが10にほど上昇した。以下に、実施例を示し、
より詳しく本発明を説明する。
を施すことによって、TcをIOK程度上昇させること
ができる。しかしながら、急冷処理は高品質な超伝導体
を安定して作成する方法としては、あまり適していない
。なぜなら、急冷処理によって超伝導体にクランクが生
じたり、バルクの超伝導体に関しては、象冷速度が超伝
導体の外部と内部で異なったりして、超伝導体の均質性
が損なわれてしまうからである。そこで、本発明人は、
急冷処理でキャリヤー濃度を減らすかわりに化学的にキ
ャリヤー濃度を調節することを試み、n=2の構造の物
質でありながら、Tcが87にの超伝導体を作成するこ
とに成功した。具体的にはビスマス系超伝導体の各構成
元素を他の元素で置換することによって、ホール濃度を
最適化(この場合には少し減らす〕するのである。即ち
、+2価のイオンに対しては+3価のイオンで一部を置
換し、+3価のイオンに対しては+4価のイオンで一部
を置換するということを行うのである。この場合、ビス
マス系超伝導体の各構成元素であるBi、Sr、Ca、
Cu、Oのうち、BiとCuと0はそれぞれ、超伝導特
性に関わる重要な働き恣していると考えられており、実
際にこれらの元素を他の同じような元素で置換すること
は好ましい結果をもたらさなかった。そこで、置換の対
象はSrとCaに限定される。このうちCaのサイトを
イオン半径の同じような元素で十3価のイオン(たとえ
ばY)で置換することは、Tcの向上にはならなかった
。しかしながら、残るSrのサイトを置換することによ
ってTcの向上が見られた。Srとイオン半径が同じぐ
らいで+3価のイオンはLa、Nd、Pm、Sm、Eu
、Gdに限定される。これらの元素でそれぞれSrの5
〜20%を置換したところ、いずれも置換しないものよ
りTcが10にほど上昇した。以下に、実施例を示し、
より詳しく本発明を説明する。
「実施例1」
SrのサイトのLaによる置換の場合を示す。
実験は以下のように行った。
原料として、純度99.9%の三酸化ビスマス(Bi2
03)、三酸化ランタン(La203)、炭酸ストロン
チウム(SrCO3)、炭酸カルシウム(CaC03)
、酸化銅(CuO)の粉末を用いた。
03)、三酸化ランタン(La203)、炭酸ストロン
チウム(SrCO3)、炭酸カルシウム(CaC03)
、酸化銅(CuO)の粉末を用いた。
これらの原料粉末をBi:Sr:La:Ca:Cu=2
: 2 (1−x) : 2x : 1 : 2
Cx=0〜0.3)となるように計りとり、よく混合し
て、空気中850°Cで24時間焼成した。そして焼成
したものを粉砕し、直径12mm、厚さ0.3闘の円板
状に加圧成形し、再び空気中850°Cで24時間焼成
し、空気中に取り出して象、冷した。
: 2 (1−x) : 2x : 1 : 2
Cx=0〜0.3)となるように計りとり、よく混合し
て、空気中850°Cで24時間焼成した。そして焼成
したものを粉砕し、直径12mm、厚さ0.3闘の円板
状に加圧成形し、再び空気中850°Cで24時間焼成
し、空気中に取り出して象、冷した。
これらの試料の磁化率を測定したところ、第1図のよう
になった。明らかにLaを添加しないものに比べて、L
aをSrに対して5%乃至20%置換したものの方がT
cが高くなっている。磁化率の測定結果からTcのオン
セットを読み取り、XとTcの関係をプロットしたのが
第2図である。
になった。明らかにLaを添加しないものに比べて、L
aをSrに対して5%乃至20%置換したものの方がT
cが高くなっている。磁化率の測定結果からTcのオン
セットを読み取り、XとTcの関係をプロットしたのが
第2図である。
x =0.1のときT c =87Kが得られたことが
わかる。Xが0.2以上になるとTcは少し減少し、ま
た第1図に示されているように、超伝導体積分率が減少
することから、x=0.1程度が最適な値であることが
わかる。
わかる。Xが0.2以上になるとTcは少し減少し、ま
た第1図に示されているように、超伝導体積分率が減少
することから、x=0.1程度が最適な値であることが
わかる。
またLa以外のNd、Pm、Sm、Eu、Cdの各元素
でSrを置換した場合も、若干の差はあるが、はぼ同様
に5%〜20%置換した時、1゛cが85に以上となり
、液体窒素温度で使用するのに適していることが判った
。
でSrを置換した場合も、若干の差はあるが、はぼ同様
に5%〜20%置換した時、1゛cが85に以上となり
、液体窒素温度で使用するのに適していることが判った
。
「実施例2j
SrのサイトのLa、Ndによる置換の場合を示す。実
験は以下のように行った。
験は以下のように行った。
原料として、純度99.9%の二酸化ビスマス(Bi2
03)、二酸化ランタン(1、a、o*)、三酸化ネオ
ジム(Nd203)、炭酸スI−ロンチウJ、(SrC
03)、炭酸カルシラl、(CaCO−、、)、酸化銅
(CuO)の粉末を用いた。これらの原料粉末をBi:
Sr:La:Nd:Ca:Cu=2:2(1−x−y)
: 2x : 2y : 1 : 2 (x、 y
=0〜0.3)となるように計りとり、よく混合して空
気中850°Cで24時間焼成した。そして焼成したも
のを粉砕し、直径12mm、厚さ0.3mmの円板状に
加圧成形し、再び空気中850°Cで24時間焼成し、
空気中に取り出して急冷した。
03)、二酸化ランタン(1、a、o*)、三酸化ネオ
ジム(Nd203)、炭酸スI−ロンチウJ、(SrC
03)、炭酸カルシラl、(CaCO−、、)、酸化銅
(CuO)の粉末を用いた。これらの原料粉末をBi:
Sr:La:Nd:Ca:Cu=2:2(1−x−y)
: 2x : 2y : 1 : 2 (x、 y
=0〜0.3)となるように計りとり、よく混合して空
気中850°Cで24時間焼成した。そして焼成したも
のを粉砕し、直径12mm、厚さ0.3mmの円板状に
加圧成形し、再び空気中850°Cで24時間焼成し、
空気中に取り出して急冷した。
以上のようにして作成した試料のTcを第1表に示す。
なお単位はK(ケルビン)である。
第
■
表
表かられかるように、0.05≦x+y≦0.2の範囲
ではTcが85に以上の値を示し、液体窒素温度で使用
するのに適している。
ではTcが85に以上の値を示し、液体窒素温度で使用
するのに適している。
また、これ以外にもLa、Nd、、Pm、Sm、Eu、
Gdの各元素のうちの複数の元素で、Srを置換して同
様の実験を行ったが、0.05≦x+y≦0.2の範囲
では、やはりTcが85に以上となり、液体窒素温度で
使用するのに適していることが判った。
Gdの各元素のうちの複数の元素で、Srを置換して同
様の実験を行ったが、0.05≦x+y≦0.2の範囲
では、やはりTcが85に以上となり、液体窒素温度で
使用するのに適していることが判った。
「効果」
本発明によってビスマス系超伝導体のTcを液体窒素温
度で使用するにあたって必要な85に以上にすることが
できた。よって本発明は工業上有益である。
度で使用するにあたって必要な85に以上にすることが
できた。よって本発明は工業上有益である。
第1図に磁化率の温度依存性を示す。
a;X=O
b;x−0,1
c;x=0.2
d ; x =0.3
第2図にTcとXの関係を示す。
Claims (1)
- 1、化学式Bi_2Sr_2Ca_n_−_1Cu_n
O_y(n=1、2、3、yは不定)で表される酸化物
超伝導体において、Srの5〜20%をLa、Nd、P
m、Sm、Eu、Gdの各元素のうち1種もしくは2種
以上の組合せで置き換えた超伝導体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1028849A JPH02208224A (ja) | 1989-02-08 | 1989-02-08 | 酸化物超伝導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1028849A JPH02208224A (ja) | 1989-02-08 | 1989-02-08 | 酸化物超伝導体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02208224A true JPH02208224A (ja) | 1990-08-17 |
Family
ID=12259822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1028849A Pending JPH02208224A (ja) | 1989-02-08 | 1989-02-08 | 酸化物超伝導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02208224A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH038755A (ja) * | 1989-06-05 | 1991-01-16 | Nec Corp | 酸化物超伝導体組成物およびその製造方法 |
-
1989
- 1989-02-08 JP JP1028849A patent/JPH02208224A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH038755A (ja) * | 1989-06-05 | 1991-01-16 | Nec Corp | 酸化物超伝導体組成物およびその製造方法 |
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