JPH02209754A - 集積回路装置の電極配線法 - Google Patents
集積回路装置の電極配線法Info
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- JPH02209754A JPH02209754A JP3047189A JP3047189A JPH02209754A JP H02209754 A JPH02209754 A JP H02209754A JP 3047189 A JP3047189 A JP 3047189A JP 3047189 A JP3047189 A JP 3047189A JP H02209754 A JPH02209754 A JP H02209754A
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- Japan
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- Pending
Links
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- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は集積回路装置の電極配線法に関する。
［従来の技術］
従来、集積回路装置の電極配線法は、Ｓ１０゜［発明が
解決しようとする課題］ しかし、上記従来技術によると電極配線間隔や多層配線
の配線間隔がサブ、ミクロン領域になると、８１０□等
の絶縁膜の誘電率が大体６程度であるために、配線間電
気容量が大となり、集積回路の動作速度を上げることが
できないと云う課題があった。
解決しようとする課題］ しかし、上記従来技術によると電極配線間隔や多層配線
の配線間隔がサブ、ミクロン領域になると、８１０□等
の絶縁膜の誘電率が大体６程度であるために、配線間電
気容量が大となり、集積回路の動作速度を上げることが
できないと云う課題があった。
本発明は、かかる従来技術の課題を解決し、集積回路装
置の電極配線の配線間隔がサブ・ミクロン領域となって
も配線間電気容量が増大せず、集積回路装置の動作速度
を向上させることができる新しい電極配線法を提供する
事を目的とする。
置の電極配線の配線間隔がサブ・ミクロン領域となって
も配線間電気容量が増大せず、集積回路装置の動作速度
を向上させることができる新しい電極配線法を提供する
事を目的とする。
［課題を解決するための手段］
上記課題を解決するために、本発明は、集積回路装置の
電極配線法に係り、集積回路装置における配線をエアー
・アイソレーションして配すると共に、パッド部に於て
は、絶縁膜を配する手段をとる事、及び前記配線をタン
グステン配線となす手段をとる。
電極配線法に係り、集積回路装置における配線をエアー
・アイソレーションして配すると共に、パッド部に於て
は、絶縁膜を配する手段をとる事、及び前記配線をタン
グステン配線となす手段をとる。
［実施例コ
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体集積回路装置の
要部の断面図である。すなわち、Ｓｉ基板１の表面には
、拡散層２及び半導体表面保護膜としての５−ｉ０２膜
やＳｉ、Ｎ４膜等から成る第１の絶縁膜４が形成される
と共に、前記拡散層２のコンタクト部にはフンタクト抵
抗を下げるためのＴｉＳｉ膜６が形成され、更に、その
上に第１のＷ配線５がサブ・ミクロン巾と間隔でもって
Ｗ又はＴｉＷ又はＴ１上のＷ配線としてエアー・アイソ
レーションされて形成されて成り、該第１のＷ配線５の
上に更に第２のＷ配線がエアー・アイソレーションして
成る。尚、第２のＷ配線２は、パッド部に於て、第２の
絶縁膜６の上にまたがって形成されて成り、該第２のＷ
配線７の表面又は表面と連らなって第２の絶縁膜乙の上
でＡｔパッド８が形成されて成り、外部リード取り出し
口を形成して成る。Ｗ配線のエアー・アイソレーション
部は、ホト・レジスト膜等にて予しめ埋められているが
、後程アッシング処理や加熱処理（ある種の有機物ｊ摸
は４００℃程度の加熱で蒸発させる事ができる。）して
形成することとなる。又、本例の如く必ずしも多層配線
構造をとる必要のない事は云うまでもない。
要部の断面図である。すなわち、Ｓｉ基板１の表面には
、拡散層２及び半導体表面保護膜としての５−ｉ０２膜
やＳｉ、Ｎ４膜等から成る第１の絶縁膜４が形成される
と共に、前記拡散層２のコンタクト部にはフンタクト抵
抗を下げるためのＴｉＳｉ膜６が形成され、更に、その
上に第１のＷ配線５がサブ・ミクロン巾と間隔でもって
Ｗ又はＴｉＷ又はＴ１上のＷ配線としてエアー・アイソ
レーションされて形成されて成り、該第１のＷ配線５の
上に更に第２のＷ配線がエアー・アイソレーションして
成る。尚、第２のＷ配線２は、パッド部に於て、第２の
絶縁膜６の上にまたがって形成されて成り、該第２のＷ
配線７の表面又は表面と連らなって第２の絶縁膜乙の上
でＡｔパッド８が形成されて成り、外部リード取り出し
口を形成して成る。Ｗ配線のエアー・アイソレーション
部は、ホト・レジスト膜等にて予しめ埋められているが
、後程アッシング処理や加熱処理（ある種の有機物ｊ摸
は４００℃程度の加熱で蒸発させる事ができる。）して
形成することとなる。又、本例の如く必ずしも多層配線
構造をとる必要のない事は云うまでもない。
［発明の効果コ
本発明によりサブ・ミクロン配線間を誘電率１のエアー
・アイソレーションする事ができ、集積回路装置の配線
電気容量を小さくする事ができ、集積回路装置の動作速
度を向上する事ができる効果がある。
・アイソレーションする事ができ、集積回路装置の配線
電気容量を小さくする事ができ、集積回路装置の動作速
度を向上する事ができる効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体集積回路装置の
要部の断面図である。 １・・・・・・・・・Ｓ１基板 ２・・・・・・・・・拡散層 ３・・・・・・・・・ＴｉＳｉ層 ４・・・・・・・・・第１の絶縁膜 ５・・・・・・・・・第１のＷ配線 ６・・・・・・・・・第２の絶縁膜 ７・・・・・・・・・第２のＷ配線 ８・・・・・・・・・Ａｔパッド 以上
要部の断面図である。 １・・・・・・・・・Ｓ１基板 ２・・・・・・・・・拡散層 ３・・・・・・・・・ＴｉＳｉ層 ４・・・・・・・・・第１の絶縁膜 ５・・・・・・・・・第１のＷ配線 ６・・・・・・・・・第２の絶縁膜 ７・・・・・・・・・第２のＷ配線 ８・・・・・・・・・Ａｔパッド 以上
Claims (2)
- （１）集積回路装置における配線はエアー・アイソレー
ションされて配されて成ると共にパッド部に於ては、絶
縁膜を介して配されて成る事を特徴とする集積回路装置
の電極配線法。 - （２）集積回路装置における配線をタングステン配線と
なす事を特徴とする請求項１記載の集積回路装置の電極
配線法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3047189A JPH02209754A (ja) | 1989-02-09 | 1989-02-09 | 集積回路装置の電極配線法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3047189A JPH02209754A (ja) | 1989-02-09 | 1989-02-09 | 集積回路装置の電極配線法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02209754A true JPH02209754A (ja) | 1990-08-21 |
Family
ID=12304782
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3047189A Pending JPH02209754A (ja) | 1989-02-09 | 1989-02-09 | 集積回路装置の電極配線法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02209754A (ja) |
-
1989
- 1989-02-09 JP JP3047189A patent/JPH02209754A/ja active Pending
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