JPH02212463A - アリルビフエニルカルボン酸誘導体液晶 - Google Patents
アリルビフエニルカルボン酸誘導体液晶Info
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- JPH02212463A JPH02212463A JP1031970A JP3197089A JPH02212463A JP H02212463 A JPH02212463 A JP H02212463A JP 1031970 A JP1031970 A JP 1031970A JP 3197089 A JP3197089 A JP 3197089A JP H02212463 A JPH02212463 A JP H02212463A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、新規なアリルビフェニルカルボン酸誘導体液
晶および該化合物を含有する液晶組成物に関する。
晶および該化合物を含有する液晶組成物に関する。
(従来の技術〕
液晶金利用した表示素子は時計、電卓等に広く使用され
ている。これらの液晶表示素子は液晶物質の光学異方性
および誘電異方性を利用したものである。液晶相にはネ
マチック液晶相、スメクチック液晶相、コレステリック
液晶相があり、そのうちネマチック液晶を利用し喪もの
が最も広く実用化されている。それらには液晶表示に応
用されている電気光学効果に対応して、TN(ねじれネ
マチック)壓、DS(動的散乱)型、ゲスト・ホスト型
、DAP型等の表示素子があり、それぞれに使用される
液晶物質は自然界のなるべく広い温度範囲で液晶相を示
すものが望ましい。
ている。これらの液晶表示素子は液晶物質の光学異方性
および誘電異方性を利用したものである。液晶相にはネ
マチック液晶相、スメクチック液晶相、コレステリック
液晶相があり、そのうちネマチック液晶を利用し喪もの
が最も広く実用化されている。それらには液晶表示に応
用されている電気光学効果に対応して、TN(ねじれネ
マチック)壓、DS(動的散乱)型、ゲスト・ホスト型
、DAP型等の表示素子があり、それぞれに使用される
液晶物質は自然界のなるべく広い温度範囲で液晶相を示
すものが望ましい。
現在のところ単一の液晶物質でそのような条件をみたす
物質はなく、数種の液晶物質またはさらに非液晶物質を
混合して実用に供している。
物質はなく、数種の液晶物質またはさらに非液晶物質を
混合して実用に供している。
これらの物質は水分、光、熱、空気等に対しても安定で
あることを要求されている。
あることを要求されている。
又近年表示素子の多桁駆動表示が望まれ、従来のTN型
方式では表示品位が劣るため、新たに一連のスーパー・
ツイスト型表示素子(STNと略す)がM、シャット(
5chadt )、F、リーンフーツ(Leenhou
ts )により提案され(Appl 。
方式では表示品位が劣るため、新たに一連のスーパー・
ツイスト型表示素子(STNと略す)がM、シャット(
5chadt )、F、リーンフーツ(Leenhou
ts )により提案され(Appl 。
Phy+s Lett、 50.236 (1987)
) 、多桁駆動表示でも品位が優れ九ものである。
) 、多桁駆動表示でも品位が優れ九ものである。
この方式に望まれる液晶の性質はKs/ Klが大きく
、Kt /Ktは小さい、Δε/ t 上は小さい値が
望まれているCM−5ehadt+ F、 Leenh
outsSoclet7 for Informa
tton Display’Internation
al Symposium Digest of
Technical Papars Vol−XVI
New 0rleans+Louisiana May
12−14. (1987)372−375)。
、Kt /Ktは小さい、Δε/ t 上は小さい値が
望まれているCM−5ehadt+ F、 Leenh
outsSoclet7 for Informa
tton Display’Internation
al Symposium Digest of
Technical Papars Vol−XVI
New 0rleans+Louisiana May
12−14. (1987)372−375)。
〔発明の目的)
本発明はKs /に+が大きく、ΔCが正の化合物であ
り、相溶性に優れている化合物で、上述のSTN型表示
素子に好適な液晶組成物として有用な新規化合物を提供
することである。他の目的は、誼化合物を含有すること
′t−特徴とする液晶組成物を提供することである。
り、相溶性に優れている化合物で、上述のSTN型表示
素子に好適な液晶組成物として有用な新規化合物を提供
することである。他の目的は、誼化合物を含有すること
′t−特徴とする液晶組成物を提供することである。
〔発明の構成]
本発明(二発明)は−最大
(上式中Rは直鎖又は枝分れした炭素数1〜15のアル
キル基またはアルコキシ基であり、nは1又は2を示す
。) で表わされるアリルビフェニルカルボン酸誘導体液晶お
よび該化合物を含有することを特徴とする液晶組成物で
ある。
キル基またはアルコキシ基であり、nは1又は2を示す
。) で表わされるアリルビフェニルカルボン酸誘導体液晶お
よび該化合物を含有することを特徴とする液晶組成物で
ある。
本発明の液晶組成物の成分にできる本発明の化合物以外
の他の成分としては、例えばエステル系、シッフ塩基系
、ビフェニル系、フェニルシクロヘキサン系、複素環系
等の液晶化合物をあげることができる。
の他の成分としては、例えばエステル系、シッフ塩基系
、ビフェニル系、フェニルシクロヘキサン系、複素環系
等の液晶化合物をあげることができる。
れる。
Δ
(上式中R%nは前記に同じである)
すなわち、4−7リルオキシビ7エエリルー47−カル
ボン酸エチルエステルをN、N−ジエチルアニリンを溶
媒としてクライゼン転位して3−7!Jルー4−ヒドロ
キシビフェニリル−4′−カルボン酸エチルエステルと
し、ついで臭化アルキルと無水炭酸ナトリウムとアセト
ン中で反応を行って3−アリル−4−アルコキシビフェ
ニリル−4′−カルボン酸エチルエステルとした。これ
を水酸化カリウムを用いて加水分解してカルボン酸とし
、このカルボン酸と塩化チオニルで醗クロリドとし、つ
いでピリジン存在下4−シアノフェノール誘導体と反応
して目的の化合物を製造した。
ボン酸エチルエステルをN、N−ジエチルアニリンを溶
媒としてクライゼン転位して3−7!Jルー4−ヒドロ
キシビフェニリル−4′−カルボン酸エチルエステルと
し、ついで臭化アルキルと無水炭酸ナトリウムとアセト
ン中で反応を行って3−アリル−4−アルコキシビフェ
ニリル−4′−カルボン酸エチルエステルとした。これ
を水酸化カリウムを用いて加水分解してカルボン酸とし
、このカルボン酸と塩化チオニルで醗クロリドとし、つ
いでピリジン存在下4−シアノフェノール誘導体と反応
して目的の化合物を製造した。
(発明の効果〕
本発明の化合物は他の多くの液晶化合物、すなわちエス
テル系、シッフ塩基系、ビフェニル系、フェニルシクロ
ヘキサン系、複素環系等の液晶化合物との相溶性がよく
、本発明の化合物t−液晶組成物に加えるとKs /
KIの値を大きくすることができるのでSTN型表不表
示素子用晶組成物に好適な化合物である。又本発明の化
合物はN−I点の高く、この化合物を用いることにより
N−I点の高い液晶組成物をつくることができる。
テル系、シッフ塩基系、ビフェニル系、フェニルシクロ
ヘキサン系、複素環系等の液晶化合物との相溶性がよく
、本発明の化合物t−液晶組成物に加えるとKs /
KIの値を大きくすることができるのでSTN型表不表
示素子用晶組成物に好適な化合物である。又本発明の化
合物はN−I点の高く、この化合物を用いることにより
N−I点の高い液晶組成物をつくることができる。
以下に述べる実施例により本発明の化合物につき、さら
に詳細に説明する。
に詳細に説明する。
実施例1
(3−71フルー4−ペンチルオキシビフェニリル−4
′−カルボン酸4−シアノフェニルエステルの製造〕 4−アリルビフェニル−4′−カルボン酸エチルエステ
ル171fN、N−ジエチルアニリン100+m?に溶
かし、8時間窒素算凹気下、煮沸還流した。放冷後、反
応液を3N塩酸500 mlに加えよく攪拌した。析出
した沈澱物を口過し、よく水洗を行った後乾燥した。こ
の固体を全量アセトンIE、無水炭酸ナトリウムと共に
激しく攪拌しながら、臭化べ/チル20gを加え、さら
に24時間煮沸還流した。熱いうちに沈澱物を日別し、
アセトンを留去したい残った固灘物をトルエン300
mlに溶解し、2N水醸化ナトリウムで洗滌後、水で中
性になるまで洗った。
′−カルボン酸4−シアノフェニルエステルの製造〕 4−アリルビフェニル−4′−カルボン酸エチルエステ
ル171fN、N−ジエチルアニリン100+m?に溶
かし、8時間窒素算凹気下、煮沸還流した。放冷後、反
応液を3N塩酸500 mlに加えよく攪拌した。析出
した沈澱物を口過し、よく水洗を行った後乾燥した。こ
の固体を全量アセトンIE、無水炭酸ナトリウムと共に
激しく攪拌しながら、臭化べ/チル20gを加え、さら
に24時間煮沸還流した。熱いうちに沈澱物を日別し、
アセトンを留去したい残った固灘物をトルエン300
mlに溶解し、2N水醸化ナトリウムで洗滌後、水で中
性になるまで洗った。
トルエン層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、トルエンを
減圧にて留去し、残った油状物をエタノール500 m
lに溶かした。別の反応器に水200 dに水酸化カリ
ウム301に溶かしたものを入れ、常温にて激しく攪拌
しながらさきに作っておいたエタノール溶液を10分で
加えた。
減圧にて留去し、残った油状物をエタノール500 m
lに溶かした。別の反応器に水200 dに水酸化カリ
ウム301に溶かしたものを入れ、常温にて激しく攪拌
しながらさきに作っておいたエタノール溶液を10分で
加えた。
5時間煮沸還流後冷却し、この反応液を6N塩酸700
mlに加えると沈澱物が析出した。口過抜水でよく洗
い、乾燥した。このものが3−アリル−4−ペンチルオ
キシビフェニル−4′−カルボ/酸である。
mlに加えると沈澱物が析出した。口過抜水でよく洗
い、乾燥した。このものが3−アリル−4−ペンチルオ
キシビフェニル−4′−カルボ/酸である。
このようにして製造した3−アリル−4−ペンチルオキ
シビフェニル−4′−カルボン酸6.4fと大過剰の塩
化チオニルをマントルヒーター上で4時間加熱還流した
。ついで水流ポンプ音用いて減圧にし、過剰の塩化チオ
ニルを留去すると結晶物が析出した。これが酸塩化物で
ある。
シビフェニル−4′−カルボン酸6.4fと大過剰の塩
化チオニルをマントルヒーター上で4時間加熱還流した
。ついで水流ポンプ音用いて減圧にし、過剰の塩化チオ
ニルを留去すると結晶物が析出した。これが酸塩化物で
ある。
別のフラスコに4−シアンフェノール’2.4ft−ピ
リジン20耐に溶解し、これに、先に製造した酸クロリ
ドを加え、更にトルエン200g/l−加え激しく攪拌
した。
リジン20耐に溶解し、これに、先に製造した酸クロリ
ドを加え、更にトルエン200g/l−加え激しく攪拌
した。
一晩放置してから、水500g/にあけ、トルエン10
0gJを加えて抽出した。トルエン層を6Nm!!で、
ついで2N水酸化ナトリウムで洗滌後、中性になるまで
水洗した。トルエン層を無水硫酸す) IJウムで乾燥
後、トルエンを減圧で留去し、残った結晶物を活性アル
ミナのカラムを用いて、トルエン溶媒でクロマト処理し
た。
0gJを加えて抽出した。トルエン層を6Nm!!で、
ついで2N水酸化ナトリウムで洗滌後、中性になるまで
水洗した。トルエン層を無水硫酸す) IJウムで乾燥
後、トルエンを減圧で留去し、残った結晶物を活性アル
ミナのカラムを用いて、トルエン溶媒でクロマト処理し
た。
溶出したトルエンを減圧にて留去し、残った結晶物をエ
タノールで再結晶して目的の3−アリル−4−ペンチル
オキシビフェニル−4’ −カルボン酸4−シアノフェ
ニルエステルを製造した。
タノールで再結晶して目的の3−アリル−4−ペンチル
オキシビフェニル−4’ −カルボン酸4−シアノフェ
ニルエステルを製造した。
収量は8.5F(収率43%)、結晶−ネマチック液晶
転移点(C=N点・)は85.9〜86゜5℃、ネマチ
ック液晶−透明点(N−I点)は116.4℃であった
。
転移点(C=N点・)は85.9〜86゜5℃、ネマチ
ック液晶−透明点(N−I点)は116.4℃であった
。
実施例2
実施例Iにおいて、3−アリル−4−ペンチルオキシビ
フェニル−4′−カルボン酸の代すに徨々の3−アリル
−4−[換ビフェニルー4′−カルボン酸を、また4−
シアノフェノールの代りに4−シアノ−4′−ヒドロキ
シビフェニルを用いて目的のエステル誘導体t−ml造
した結果を第1表に実施例1の結果と共に示した。
フェニル−4′−カルボン酸の代すに徨々の3−アリル
−4−[換ビフェニルー4′−カルボン酸を、また4−
シアノフェノールの代りに4−シアノ−4′−ヒドロキ
シビフェニルを用いて目的のエステル誘導体t−ml造
した結果を第1表に実施例1の結果と共に示した。
表 1
実施例3(応用例)
トランス−4−プロピル−(4−シアノフェニル)シク
ロヘキサン 30重量%トランス−4−ペンチ
ルー(4−シアノフェニル)シクロヘキサン
4031量%トランスー4−へブチル−(4−シアノフ
ェニル)シクロヘキサン 30重量%なる組成
の液晶混合物(至)のN−I点U52.1”C1Δgは
11.2.20°Cにおける粘度は28.4CP% Δ
nは0.119、Ks/Ktは1.82である。
ロヘキサン 30重量%トランス−4−ペンチ
ルー(4−シアノフェニル)シクロヘキサン
4031量%トランスー4−へブチル−(4−シアノフ
ェニル)シクロヘキサン 30重量%なる組成
の液晶混合物(至)のN−I点U52.1”C1Δgは
11.2.20°Cにおける粘度は28.4CP% Δ
nは0.119、Ks/Ktは1.82である。
液晶セルとして、酸化ケイ素をコーティングし、2ピン
グ処理した酸化スズ透明電極を有する基板を対向させて
組立てた、電極間距離が10μmのものを用意し、上記
の液晶組成物(4)を封入して20℃でその特性を測定
したところ、しきい電圧(以下vthと略記する)は1
.55Vであった。
グ処理した酸化スズ透明電極を有する基板を対向させて
組立てた、電極間距離が10μmのものを用意し、上記
の液晶組成物(4)を封入して20℃でその特性を測定
したところ、しきい電圧(以下vthと略記する)は1
.55Vであった。
この液晶組成物囚90重量%に本発明の実施例1で製造
した3−アリル−4−ペンチルオキシビフェニリル−4
7−カルボン酸4−シアノフェニルエステル10!量%
溶解した液晶組成物のN−I点は57.5℃、ΔCは8
.5、Δnは0、125、vthは1.60Vであり粘
度は32.Oepであシ、 N−I点を大巾に上昇させ
ることができた。又Ks /KIは2.02と大きくな
り、STN用としても好適である。
した3−アリル−4−ペンチルオキシビフェニリル−4
7−カルボン酸4−シアノフェニルエステル10!量%
溶解した液晶組成物のN−I点は57.5℃、ΔCは8
.5、Δnは0、125、vthは1.60Vであり粘
度は32.Oepであシ、 N−I点を大巾に上昇させ
ることができた。又Ks /KIは2.02と大きくな
り、STN用としても好適である。
以上
Claims (2)
- (1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (上式中Rは直鎖又は枝分れした炭素数1〜15のアル
キル基またはアルコキシ基であり、nは1又は2を示す
。) で表わされるアリルビフェニルカルボン酸誘導体液晶。 - (2)請求項1記載のアリルビフェニルカルボン酸誘導
体液晶を含有することを特徴とする液晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1031970A JPH02212463A (ja) | 1989-02-10 | 1989-02-10 | アリルビフエニルカルボン酸誘導体液晶 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1031970A JPH02212463A (ja) | 1989-02-10 | 1989-02-10 | アリルビフエニルカルボン酸誘導体液晶 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02212463A true JPH02212463A (ja) | 1990-08-23 |
Family
ID=12345810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1031970A Pending JPH02212463A (ja) | 1989-02-10 | 1989-02-10 | アリルビフエニルカルボン酸誘導体液晶 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02212463A (ja) |
-
1989
- 1989-02-10 JP JP1031970A patent/JPH02212463A/ja active Pending
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