JPH022137A - Ｍｏｓｆｅｔ製造方法 - Google Patents
Ｍｏｓｆｅｔ製造方法Info
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- JPH022137A JPH022137A JP14591988A JP14591988A JPH022137A JP H022137 A JPH022137 A JP H022137A JP 14591988 A JP14591988 A JP 14591988A JP 14591988 A JP14591988 A JP 14591988A JP H022137 A JPH022137 A JP H022137A
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- polycrystal silicon
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はＭ ＯＳ Ｆ−’ Ｅ Ｔの製造方法に関し、
ざらに詳しくは、極く薄い拡散層を簡便に形、成ｌるこ
とので８゛るＭＯ５ＦＥＴ″”１４造り法に関づる。
ざらに詳しくは、極く薄い拡散層を簡便に形、成ｌるこ
とので８゛るＭＯ５ＦＥＴ″”１４造り法に関づる。
［従来の技術およびその課題］
従来のＭ ＯＳ Ｆ−’ Ｅ Ｔの製造方法のうら、特
にソース、トレインといった高濃度拡散層の形成方法と
しては、イオン注入もしくは熱拡散による方法が主であ
った。一方、近年のようにＭ ＯＳ Ｆ Ｅ Ｔの微細
化が進められていくと、拡＠層の厚みはより博くするこ
とが望まれる。
にソース、トレインといった高濃度拡散層の形成方法と
しては、イオン注入もしくは熱拡散による方法が主であ
った。一方、近年のようにＭ ＯＳ Ｆ Ｅ Ｔの微細
化が進められていくと、拡＠層の厚みはより博くするこ
とが望まれる。
しかし、従来のような熱拡散法により拡散層を形成した
場合には、その厚みは０．５μＩＩ程度となり、また、
イオン注入法を用いた場合でｔ）０．２〜０，３迦程度
が限度であり、従来の方法では、これより薄い拡散層を
形成することは困難であった。
場合には、その厚みは０．５μＩＩ程度となり、また、
イオン注入法を用いた場合でｔ）０．２〜０，３迦程度
が限度であり、従来の方法では、これより薄い拡散層を
形成することは困難であった。
これらを解決するために、イオン注入の７Ｉ（Ｉ ｍエ
ネルギーを低電圧化するなどの方法か検問されているが
、これには、イオン注入機の開発か必要であり、容易な
方法ではない。
ネルギーを低電圧化するなどの方法か検問されているが
、これには、イオン注入機の開発か必要であり、容易な
方法ではない。
本発明は以上述べたような従来の事情に対処してなされ
たもので、拡散層の厚みを薄くしたＭＯＳ Ｆ ＥＴの
製造方法を提供することを目的とする。
たもので、拡散層の厚みを薄くしたＭＯＳ Ｆ ＥＴの
製造方法を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明は、ＭＯＳＦＥＴの製造方法におけるＳｉ基板中
への不純物拡散層の形成段階が、ゲート電極の形成され
たＳｉ基板金而面酸化膜で覆い、該酸化膜上に不純物を
ドープした多結晶シリコンを形成刃る工程と、前記多結
晶シリ」ンを加熱処理して熔融・ｍ固化させる工程と、
再固化された多結晶シリコン層を完全に除去する工程と
からなることを特徴とＪるＭ ＯＳ Ｆ Ｅ Ｔ製ｊａ
ｈ法である。
への不純物拡散層の形成段階が、ゲート電極の形成され
たＳｉ基板金而面酸化膜で覆い、該酸化膜上に不純物を
ドープした多結晶シリコンを形成刃る工程と、前記多結
晶シリ」ンを加熱処理して熔融・ｍ固化させる工程と、
再固化された多結晶シリコン層を完全に除去する工程と
からなることを特徴とＪるＭ ＯＳ Ｆ Ｅ Ｔ製ｊａ
ｈ法である。
ＭＯ８Ｆ［ニー［の製造り法としては、例えば、Ｓ基板
」の一部分を除いて素子分離用のフィールド酸化膜を形
成し、前記８１基板七でフィールド酸化膜を形成しなか
った箇所にはゲート酸化膜を形成した後、所望のグーミ
ル電極を多結晶シリコンにより形成刃る。その後、不純
物拡散層を形成した俊、絶縁層を形成し、二１ンタクト
ホールを開孔し、配線を行う、という方法か挙げられる
。本発明では、例えば１−記の方法における不純物拡散
層の形成段階を所定の工程とすることにより、拡散層の
厚みを従来よりも薄くせんとするしのである。
」の一部分を除いて素子分離用のフィールド酸化膜を形
成し、前記８１基板七でフィールド酸化膜を形成しなか
った箇所にはゲート酸化膜を形成した後、所望のグーミ
ル電極を多結晶シリコンにより形成刃る。その後、不純
物拡散層を形成した俊、絶縁層を形成し、二１ンタクト
ホールを開孔し、配線を行う、という方法か挙げられる
。本発明では、例えば１−記の方法における不純物拡散
層の形成段階を所定の工程とすることにより、拡散層の
厚みを従来よりも薄くせんとするしのである。
［作用］
本発明の特徴は、高）閃度にリンやボロン等の不純物を
含有した多結晶シリコンを熔融さぼることにより、薄い
絶縁膜を介し−にの多結晶シリコンと接触しているシリ
コン単結晶中に不純物を拡散させることにある。拡散層
の厚みは熔融・ｍ固化の部間を制御することにより、適
当な厚さとＪることかできる。
含有した多結晶シリコンを熔融さぼることにより、薄い
絶縁膜を介し−にの多結晶シリコンと接触しているシリ
コン単結晶中に不純物を拡散させることにある。拡散層
の厚みは熔融・ｍ固化の部間を制御することにより、適
当な厚さとＪることかできる。
［実施例１
次に本発明の実施例について図面を参照して詳細に説明
する。
する。
第１図は本発明の一実施例を工程順に示した半導体チッ
プの縦断面図で、まずＳｉＭ板１０−１の素子領域とな
る部分に５ｉＱ２を４００人、Ｓｉ３Ｎ４を１２００人
形成したのらパターニングし、これをマスク祠として熱
酸化法を用いて、８０００へのフィールド酸化膜１を形
成する。その後、前述のンスク祠を除去した後、ゲート
酸化膜２を／１００人、次いで多結晶シリコンをＬＰＣ
ＶＤ法により５０００人成長させたのら、ゲート電極３
をＰＲ工程とトライエツチング法により形成する。その
後、ゲート電極３表面にゲート保護膜４として、酸化膜
を約４００人形成する。この状態を第１図（ａ）に示す
。
プの縦断面図で、まずＳｉＭ板１０−１の素子領域とな
る部分に５ｉＱ２を４００人、Ｓｉ３Ｎ４を１２００人
形成したのらパターニングし、これをマスク祠として熱
酸化法を用いて、８０００へのフィールド酸化膜１を形
成する。その後、前述のンスク祠を除去した後、ゲート
酸化膜２を／１００人、次いで多結晶シリコンをＬＰＣ
ＶＤ法により５０００人成長させたのら、ゲート電極３
をＰＲ工程とトライエツチング法により形成する。その
後、ゲート電極３表面にゲート保護膜４として、酸化膜
を約４００人形成する。この状態を第１図（ａ）に示す
。
次いで、この表面に多結晶シリコンをＬＰＣＶＤ法によ
り５０００人堆積した後、ソースまたはドレインを形成
するために導入する不純物を前述の多結晶シリコン中に
イオン注入または熱拡散法により拡散ηる。本実施例で
はｐチャネルＭＯ５ＦＥ１を作製するため、第１図（ｂ
）に示すように不純物としてボロンを々大したボロンド
ープト多結晶シリ」ン５ノを形成ηる。
り５０００人堆積した後、ソースまたはドレインを形成
するために導入する不純物を前述の多結晶シリコン中に
イオン注入または熱拡散法により拡散ηる。本実施例で
はｐチャネルＭＯ５ＦＥ１を作製するため、第１図（ｂ
）に示すように不純物としてボロンを々大したボロンド
ープト多結晶シリ」ン５ノを形成ηる。
その後、レーザアニール法、電子線加熱法、ストリップ
ヒータ法等を用いて、ボロンドープト多結晶シリ：１ン
５を熔融し、再同化覆る。このよう（こＪること（こよ
り、熔門東シリ」ン層からボロンがＳｉ桔仮１０やグー
１〜電極３に１１八敗し、第１図（Ｃ）に示１ようにソ
ースまたはドレイン領域となるボロン拡？’＆層６か形
成される。
ヒータ法等を用いて、ボロンドープト多結晶シリ：１ン
５を熔融し、再同化覆る。このよう（こＪること（こよ
り、熔門東シリ」ン層からボロンがＳｉ桔仮１０やグー
１〜電極３に１１八敗し、第１図（Ｃ）に示１ようにソ
ースまたはドレイン領域となるボロン拡？’＆層６か形
成される。
次いでボロンドープト多結晶シリコン５をドライエッチ
法により除去した後、ＬＰＣＶＤ法により５ｉ０２を５
０００人堆積して絶縁膜７とした。次に、この絶縁膜７
にコンタクト孔９を開孔した後、配線８をＭを用いて形
成した。この状態を第１図（ｄ）に示づ。
法により除去した後、ＬＰＣＶＤ法により５ｉ０２を５
０００人堆積して絶縁膜７とした。次に、この絶縁膜７
にコンタクト孔９を開孔した後、配線８をＭを用いて形
成した。この状態を第１図（ｄ）に示づ。
以上の工程によって拡散層が０．１庫程度に至る厚みを
有するＭ ＯＳ Ｆ−’ Ｅ Ｔを製２覆ることかでき
た。
有するＭ ＯＳ Ｆ−’ Ｅ Ｔを製２覆ることかでき
た。
なお、上記ではｐチャネルＭ ＯＳ ｒ−ｒニーｒにつ
いて述べたが、「）ブレネルＭＯＳト［−［でもよい。
いて述べたが、「）ブレネルＭＯＳト［−［でもよい。
さらに、他の不純物を使用しても差支えない。
し発明の効果コ
以１．説明したように、本発明の方法によれば、新規な
低加速電圧イオン注入機を用いたすせずに薄い拡散層を
簡便に形成づることか０１能となり、素子の微細化を達
成覆ることかできる。
低加速電圧イオン注入機を用いたすせずに薄い拡散層を
簡便に形成づることか０１能となり、素子の微細化を達
成覆ることかできる。
第１図は本発明の一実施例を工程順に示す半導体チップ
の縦断面図である。 １・・・フィールド酸化膜 ２・・・ゲート酸化膜３
・・・ゲート電ＶＭ ４・・・グーｌ−保護膜
５・・・ボロンドープト多結晶シリコン６・・・ボロン
拡散層 ７・・・絶縁膜８・・・配線 １０・・・Ｓｉ基板 ９・・・コンタクト孔 代 即 人
の縦断面図である。 １・・・フィールド酸化膜 ２・・・ゲート酸化膜３
・・・ゲート電ＶＭ ４・・・グーｌ−保護膜
５・・・ボロンドープト多結晶シリコン６・・・ボロン
拡散層 ７・・・絶縁膜８・・・配線 １０・・・Ｓｉ基板 ９・・・コンタクト孔 代 即 人
Claims (1)
- （１）ＭＯＳＦＥＴの製造方法におけるＳｉ基板中への
不純物拡散層の形成段階が、ゲート電極の形成されたＳ
ｉ基板全面を酸化膜で覆い、該酸化膜上に不純物をドー
プした多結晶シリコンを形成する工程と、前記多結晶シ
リコンを加熱処理して熔融・再固化させる工程と、再固
化された多結晶シリコン層を完全に除去する工程とから
なることを特徴とするＭＯＳＦＥＴ製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14591988A JPH022137A (ja) | 1988-06-15 | 1988-06-15 | Ｍｏｓｆｅｔ製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14591988A JPH022137A (ja) | 1988-06-15 | 1988-06-15 | Ｍｏｓｆｅｔ製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH022137A true JPH022137A (ja) | 1990-01-08 |
Family
ID=15396114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14591988A Pending JPH022137A (ja) | 1988-06-15 | 1988-06-15 | Ｍｏｓｆｅｔ製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH022137A (ja) |
-
1988
- 1988-06-15 JP JP14591988A patent/JPH022137A/ja active Pending
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