JPH02214017A - 磁気記録テープ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は磁気記録テープに関する。更に詳細には、本発
明は耐久性が向上された磁気テープに関する。

［従来の技術］ 磁気記録テープは磁気ヘッドやガイドピン等と常に摺接
するため、高度な走行耐久性が要求される。オーディオ
テープの場合はベースフィルム面を荒らすことにより対
応しているが、スタンダードビデオテープ、ハイグレー
ドビデオテープ、８ｍｍＶＴＲ用メタルビデオテープと
テープのグレードが上がるにつれて高Ｓ／Ｎ１高記録密
度のためにベースフィルムの平滑性が要求され、走行耐
久性の向上には磁気記録層の反対の而にカーボンや種々
のフィラーおよびバインダよりなるバックコート層を設
けることにより対応している。

特に強磁性金属薄膜を磁気記録層とする高記録密度磁気
テープにおいては走行性の劣る超平滑なベースフィルム
を使用するため、バックコート層の形成は不可欠となっ
ている。

［発明が解決しようとする課題］ ところがバインダの架橋が不完全でバックコート層の強
度が十分でないため走行中にバックコート層が傷ついた
り、また固形分がこぼれ落ちる、いわゆる「粉落ち」現
象がヘッド目詰まりの原因となるなとの問題がある。

本発明は−１−記従来品のバックコート層の欠陥を改善
し、以て走行性、耐久性に優れた磁気記録テープを提供
することを目的とする。

［課題を解決するための手段］ 前記目的を達成するために、本発明では、少なくとも、
非磁性基体の表面に磁気記録層を形成し、裏面にバック
コート層を形成してなる磁気記録テープにおいて、該バ
ックコート層の而１−に高分子重合保護膜を更に形成す
る。

高分子重合保護膜はプラズマＣＶＤ法によりプラズマ重
合させて形成することが好ましい。

［作用コ バックコート層上にモノマーあるいはオリゴマーなどを
塗布し、これを光、熱あるいは放射線などで重合させて
高分子保護膜を形成させる方法に比べて、本発明のよう
に気相状態で高分子保護膜を形成させると、バックコー
ト層上に緻密で高架橋度の保護膜が形成され、傷付や粉
落ちなどが著しく抑制される。しかも、保護膜中にオリ
ゴマーを含まないため耐溶剤性に優れる。

また、本発明のような気相状態で形成された高分子重合
保護膜は塗布法の保護膜に比べて、下のバックコート層
との密着度が高い。しがも、膜厚を薄くすることができ
るめで、スペーシングロスの問題が避けられる。

高分子重合保護膜の膜厚自体は本発明の必須要件ではな
いが、一般的に、５０人〜５０００人の範囲内であるこ
とが好ましい。５０人未滴ではト分な保護効果が期待で
きない。一方、５０００人超の膜厚はＣＶＤ法では作製
が技術的に困難であるばかりか、保護効果も飽和し、単
に不経済となるだけである。

プラズマ重合時に使用するガスとしては炭化水素や、酸
素、窒素、フッ素、硫黄、燐、塩素等を含む有機化合物
、有機金属化合物、有機珪素化合物などの、常温で気体
あるいは十分な蒸気圧を有する有機化合物がすべて好適
に使用され、これらを単独または混合して使用する。

プラズマ重合時に使用するガス中の有機化合物１度はｌ
　ｗｔ％以上、好ましくは２０　ｗｔ％以上であればよ
い。

成膜速度を上げたり膜の繊成を最適化するために、希ガ
ス、酸素、窒素、フッ素、水蒸気等の非有機化合物ガス
を混合することもできる。

プラズマ処理時のガス流量とガス圧力は小さすぎるとバ
ックコート層にダメージを与え、大きすぎるとプラズマ
重合膜の架橋が十分に行われないため、それぞれ１〜１
０００１０００ｓｅ、ｏ。

２〜１０　ｔｏｒｒの範囲内であることが好ましい。

また、印加電力密度は小さすぎるとプラズマ重合膜の架
橋が十分に行われず、大きすぎるとバックコート層にダ
メージを与えるため、０．０５〜５Ｗ／ｃｍ２の範囲内
であることが好ましい。

基体上に形成される磁気記録層は、γ−Ｆｅ２０３粉末
、Ｆｅ３Ｏ４粉末、Ｃｏ含有γ−Ｆｅ２０３粉末、Ｃｏ
含ＷＦｅ３０＋粉末、Ｆｅ粉末、Ｇｏ粉末、Ｆ　ｅ−Ｎ
　を粉末などの磁性粉末を結合剤成分および有機溶剤等
と共に基体上に塗布、乾燥するなどの方法で形成される
。別法として、Ｃａｓ　Ｆ　ｅｓ　Ｎ　ｉｓ　Ｃｏ−Ｎ
　ｓ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｃｏ−Ｐ合金、Ｃｏ−Ｎｉ
−Ｐ合金などの強磁性金属や合金をペーパーデポジショ
ン法により非磁性基体」−に被着させることによっても
形成することができる。′ペーパーーデポジション法”
とは気体または真空空間中で、析出させようとする物質
あるいは化合物等を蒸気またはイオン化蒸気として基体
上に析出させる方法を意味する。この方法には、真空蒸
着法、イオン・ブレーティング法、高周波イオン・ブレ
ーティング法、イオン・クラスタービーム法、イオンビ
ームデポジション法、スパッタリング法、ＣＶＤ法など
がある。

雫 本発明の磁気記録テープにおけるバックコート層の厚さ
自体は本発明の必須要件ではない。一般的には２０００
人〜２００００人の範囲内である。

同様に、バックコート層の形成方法も本発明の必須要件
ではない。塗布または転写などの慣用手段により形成す
ることができる。

磁気記録テープとしてはポリエステルフィルム、ポリイ
ミドフィルムなどの合成樹脂フィルムを基体とするオー
ディオテープ、ＶＴＲテープ、ＤＡＴテープ、ストリー
マテープ等、磁気ヘッドと摺接する構造の種々の形態を
包含する。

［実施例コ 実施例により本発明を更に詳細に説明する。

支五肚Ｐ 厚さ１０μｍのポリエステルフィルムを真空蒸着装置に
装填し、１ｘｌＯ−５Ｔｏｒｒの真空下でＣｏａｏＮｉ
２ｏ合金を加熱蒸発させてポリエステルフィルム表面上
に厚さ１５００人の強磁性金属薄膜層を形成した。次い
で強磁性金属薄膜層を形成したポリエステルフィルムを
グラビア塗布装置に装填し、ポリエステルフィルム裏面
上にバックコート塗料を塗布し、厚さ１μｍのバックコ
ート層を形成した。

次いで第１図に示すプラズマ処理装置を使用し、強磁性
金属薄膜層とバックコート層を形成したポリエステルフ
ィルム１を処理槽２内の原反ロール３から円筒上キャン
ロール４の周側面に沿って移動させ、巻取りロール５に
巻取るようにセットした。続いてポリエステルフィルム
１を５ｍ／分の速度で走行させながら処理槽２に取り付
けたガス導入管６からテトラメチルシランガスを２０ｓ
ｅｃｍの流量で導入し、ガス圧を０．０２Ｔｏｒｒとし
てＲＦ電極７に１３．５６ＭＨｚの高周波を０゜５Ｗ／
ｃｍ２の電力密度で印加し、バックコート層上に厚さ５
０人のプラズマ重合膜層を形成した。

なお、第１図中の符号８はＲＦ電極７に高周波を印加す
る高周波電源を示し、符号９は処理槽２を排気するため
の排気系を示す。

その後、処理槽２からポリエステルフィルム１を取り出
し、所定の幅に裁断して第２図に示すような磁気記録層
１０、バックコート層１１およびプラズマ重合保護膜１
２を仔する磁気テープ１３を作製した。

実ｊｌ舛２一 実施例１において、テトルメチルシランを使用する代わ
りにベンゼンを使用し、高周波電力密度を０　、５　Ｗ
／　ｃ　ｍ２に代えて０．８Ｗ／ｃｍ２とした他は実施
例１と同様にしてバックコート層上にプラズマ重合膜を
形成し磁気テープを作製した。

プラズマ重合膜層の厚さは７０人であった。

光五健１ 実施例１において、テトラメチルシランを使用する代わ
りにエチレンガスを使用し、ガス圧力を０．０２Ｔｏｒ
ｒに代えて０．０３Ｔｏｒｒとし、高周波電力密度を０
．５Ｗ／ｃｍ２に代えて１．２Ｗ／ｃｍ２とした他は実
施例１と同様にしてバックコート層上にプラズマ重合膜
を形成し磁気テープを作製した。プラズマ重合膜層の厚
さは５０人であった。

災胤肚生 実施例１において、テトルメチルシランを使用する代わ
りに塩化ビニールを使用した他は実施例１と同様にして
バックコート層上にプラズマ重合膜を形成し磁気テープ
を作製した。プラズマ重合膜層の厚さは７０人であった
。

尖直肚ｉ 実施例１において、テトルメチルシランを使用する代わ
りにテトラメチルシランとアルゴンの重量比２対１混合
ガスを使用し、ガス圧力を０．０２　Ｔｏｒｒに代えて
０．０３Ｔｏｒｒとした他は実施例１と同様にしてバッ
クコート層上にプラズマ重合膜を形成し磁気テープを作
製した。プラズマ重合膜層の厚さは４０人であった。

Ｘ厩九１ 実施例１において、テトルメチルシランを使用する代わ
りにテトラメチルシランと酸素の重量比１対２混合ガス
を使用し、ガス圧力を０．０２Ｔ。

ｒｒに代えて０．０４Ｔｏｒｒとし、高周波電力密度を
０．５Ｗ／ｃｍ２に代えて０　、４　Ｗ／　ｃ　ｍ２と
した他は実施例１と同様にしてバックコート層上にプラ
ズマ重合膜を形成し磁気テープを作製した。

プラズマ重合膜層の厚さは４０人であった。

Ｌ佼匠１ 実施例１において、プラズマ重合膜の形成を省いた他は
実施例１と同様にして磁気テープを作製した。

前記の実施例１〜６および比較例１で得られた各磁気テ
ープについて耐久性とバックコート層表面の強度を調べ
た。耐久性は９０分記録用テープを用いて実機で１００
回の連続走行試験を行い、出力の劣化量（試験開始時と
終了時の再生出力の比）と「粉落ち」の程度により評価
した。またバックコート層表面を固定ビンに巻き付けて
５０ｇ荷重で摺動させ、バックコート層表面に傷が付き
始める（目視）摺動回数によりバックコート層表面の強
度を評価した。結果を下記の表１に示す。

及Ｐ 表１に示された結果から明らかなように、実施例１〜６
の磁気テープは比較例１の磁気テープに比べ走行耐久性
に優れ、またバックコート層自体の強度も優れている。

［発明の効果］ 以１−説明したように、すくなくとも、非磁性基体の表
面に磁気記録層を形成し、裏面にバックコート層を形成
してなる磁気記録媒体において、バックコート層形成後
に真空槽中でバックコート而りにプラズマＣＶＤ法によ
り気相状態で高分子重合膜を形成させると、バックコー
ト層上に緻密で高架橋の保護薄膜が形成され、バックコ
ート層の強度を向上させて傷付、粉落ち等を抑制し、磁
気テープの耐久性を著しく改善することが出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の磁気記録テープの製造に使用されるプ
ラズマ処理装置の一例を示す概略図であり、第２図は実
施例１で得られた本発明の磁気記録テープの部分拡大断
面図である。 １・・・非磁性基体（ポリエステルフィルム）０・・・
蒸着磁気記録層 １・・・バックコート層 ２・・・プラズマ重合保護膜 ３・・・本発明の磁気記録テープ 第１図

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）少なくとも、非磁性基体の表面に磁気記録層を形
   成し、裏面にバックコート層を形成してなる磁気記録テ
   ープにおいて、該バックコート層の面上に高分子重合保
   護膜が更に形成されていることを特徴とする磁気記録テ
   ープ。
2. （２）高分子重合保護膜はプラズマＣＶＤ法によりプラ
   ズマ重合されて形成されたものであることを特徴とする
   請求項１記載の磁気記録テープ。
3. （３）プラズマ重合におけるガス中の有機化合物濃度は
   １ｗｔ％以上であることを特徴とする請求項２記載の磁
   気記録テープ。
4. （４）プラズマ重合におけるガス中の有機化合物濃度は
   ２０ｗｔ％以上であることを特徴とする請求項３記載の
   磁気記録テープ。