JPH0479067B2 - - Google Patents
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- JPH0479067B2 JPH0479067B2 JP58028644A JP2864483A JPH0479067B2 JP H0479067 B2 JPH0479067 B2 JP H0479067B2 JP 58028644 A JP58028644 A JP 58028644A JP 2864483 A JP2864483 A JP 2864483A JP H0479067 B2 JPH0479067 B2 JP H0479067B2
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- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
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- G11B5/726—Two or more protective coatings
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10T428/265—1 mil or less
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
本発明は磁性薄膜を磁気記録層とする磁気記録
媒体に関し、特に防蝕性、電磁変換特性、走行
性、耐摩耗性にすぐれた金属薄膜型磁気記録媒体
に関する。 磁気記録媒体としては、非磁性支持体上に磁性
粉末を結合剤中に分散せしめ、塗布乾燥させる塗
布型のものが広く使用されてきている。しかし、
近年高密度記録への要求が高まるにつれ、真空蒸
着、スパツタリング、イオンプレーテイング等の
ベーパーデポジシヨン法あるいは電気メツキ、無
電解メツキ等のメツキ法により形成される強磁性
金属薄膜を磁気記録層とする金属薄膜型磁気記録
媒体が注目を浴びており実用化に至つている。 金属薄膜型磁気記録媒体は、飽和磁化の大きな
強磁性金属をバインダーの如き非磁性物質を介在
させない状態で、極めて薄い層として形成できる
ので、電磁変換特性上非常に有利で、高密度記録
にも適している。 しかしながら、金属薄膜型磁気記録媒体につい
ての大きな問題点は、製造後経時しておくと金属
表面が腐蝕し電磁変換特性が低下してしまうこと
である。この欠点を防止する方法として、熱可塑
性ポリマー、熱硬化性ポリマーを金属表面に塗設
し、保護層を付与することによつて解決すること
が提案されている。この方法では、ヘツドと磁性
層間のスペーシング損失のために保護層の厚みを
大きくできないという制約があるため、充分な防
蝕性を付与することはできなかつた。（第２図参
照）また、磁性層表面を窒化させる方法（特開昭
50−33806号）あるいは酸化させる方法（特公昭
42−20025号）などによつて防蝕性が向上するこ
とが知られているが、これらの方法では10分〜２
時間もの長時間処理が必要であつたり、処理時間
を短かくすると充分な防蝕効果が得られなかつ
た。 また、金属薄膜型磁気記録媒体についてのもう
ひとつの大きな問題点は、走行性及び耐久性が悪
く、デツキ走行中に走行経路に貼りついて走行停
止したり、あるいは、スチル耐久性が悪かつたり
することである。この欠点を防止するため、熱可
塑性、熱硬化性ポリマーあるいは脂肪酸、脂肪酸
エステル等の潤滑剤を強磁性金属薄膜上に塗設す
る方法が考えられるが、これらの方法を用いたと
き走行性が不充分であつたり、あるいは耐久性が
不充分であつたりする。また充分な走行性、耐久
性を確保しようとする、塗設層が厚くなりスペー
シング損失によつて電磁変換特性が悪化するので
ある。防蝕性を充分満足のあるものを得るために
も塗設層を厚くする必要があり電磁変換特性上好
ましくなかつた。 本発明者らは上記欠点を克服するため鋭意研究
を重ねた結果本発明に到達した。 本発明の目的は、ヘツドと磁性層間のスペーシ
ング損失を極力小さくするため超薄層でしかも防
蝕性、走行性、耐久性の全ての面で極めて良好な
保護層を有する金属薄膜型磁気記録媒体を得るこ
とにある。 本発明の上記の目的は、強磁性金属薄膜を有す
る高分子支持体の該強磁性金属薄膜上に、厚さ20
〜270Åのプラズマ重合層を付与し、更に末端に
炭素炭素不飽和基を有する炭素数８以上の化合物
の群から成る一種以上の化合物による滑性層をプ
ラズマ重合層の上に設けたことを特徴とする磁気
記録媒体によつて達成される。 本発明によるプラズマ重合層は通常のポリマー
層と比較すると、緻密な架橋構造を有している。
即ち、非常に緻密で、しかも金属薄膜上に均一な
厚みの層として形成されていると考えられる。こ
のために、腐蝕の原因となる酸素、水分等を金属
薄膜から遮断しかつ酸素、水分等を透過しないこ
とによつて防蝕性に優れ、しかも極めて薄い層と
して形成できるのでヘツド・磁性層間のスペーシ
ング損失が小さくなることによつて電磁変換特性
の良好な磁気記録媒体を得ることができる。しか
しながら上記のプラズマ重合層だけでは充分な走
行性、耐久性を兼ね備えた磁気記録媒体は得られ
なかつた。 さらにプラズマ重合層の上に或種の化合物から
成る滑性層を設けることにより驚くべきことに電
磁変換特性が良好で防蝕性、走行性及び耐久性を
兼ね備えた磁気記録媒体を得ることができた。滑
性層として種々の素材を検討した結果、末端に炭
素炭素不飽和結合を有し炭素数８以上の化合物
（以下モノマーと略称する）を選択することによ
り極めて走行性、耐久性の良好な磁気記録媒体を
得ることができたのであるこれは恐らくプラズマ
重合によつて発生したラジカル活性種が炭素炭素
不飽和結合と反応してプラズマ重合層の上に強固
に結合した滑性層が形成されたためであろうと思
われる。 本発明の有利なことはプラズマ重合層を形成し
たのち滑性層を設ける方法として、モノマーガス
の雰囲気を通過させる方法あるいはモノマーガス
を噴霧する方法で行うことができるので、溶剤を
全く使わないことも可能なことである。このよう
にすれば作業が簡単で乾燥ゾーン等の付帯設備も
不要となり、しかも、金属薄膜の形成を真空条件
下での蒸着等によるベーパーデポジシヨン法と組
合せると、真空を破ることなく共通のラインで金
属薄膜と保護層とを逐次に形成できるので設備的
にも経済的にも有利である。 本発明によるプラズマ重合層の形成に用いる化
合物（以下低分子化合物と称する）としては、20
℃、10-4torrで蒸気圧を有するものなら使用可能
であるが、沸点が200℃以下のものが好ましい。
特に好ましい例としては、下記のものを挙げるこ
とができるが、本発明はこれらの化合物に限定さ
れるものではない。即ち、メタン、エタン、プロ
パン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、オクタン等
の脂肪族飽和炭化水素、エチレン、プロピレン、
ブテン、ヘキセン等の脂肪族不飽和炭化水素、ベ
ンゼン、トルエン、キシレン、スチレン、エチル
ベンゼン等の芳香族炭化水素、フロロメタン、ジ
フロロメタン、トリフロロメタン、テトラフロロ
メタン、ジプロロエタン、テトラフロロエチレ
ン、ヘキサフロロプロピレン、テトラフロロシラ
ン、ジクロロエチレン、テトラクロロエタン等の
飽和又は、不飽和のハロゲン化合物、アルコール
類、ケトン類、エーテル類、脂肪酸などを単独又
はは混合して用いることができる。 プラズマ重合処理の装置としては無電極放電
型、電極放電型のいずれを用いてもよく、また電
極が重合槽の中にある内部電極型、重合槽の外に
電極を有する外部電極型を用いてもよい。さら
に、後グロー中に低分子化合物のガスを導入する
方法も可能である。特に好ましくは、安定なプラ
ズマ状態が得られ易い、内部電極型（第１図参
照）及び後グロー中に、低分子化合物を導入する
方法である。 第１図は本発明のプラズマ重合層を形成するに
適した内部電極型プラズマ重合装置の１例を示す
略図である。真空装置（重合槽）内に、サンプル
送出部１とサンプル巻取部２を設置し、平行板電
極部３，３の間を、高分子支持体上に強磁性金属
薄膜の形成されたサンプル４を連続的に走行させ
てプラズマ重合層を形成させるようになつてい
る。排気口から真空ポンプ（図示せず）によつて
適当な真空度に排気した後に、ガス導入部から、
低分子化合物のガスＡを流量計８及びバルブ７を
通つて適当圧で導入する。なお、必要に応じて不
活性ガスＢを同様に流量計８及びバルブを通つて
導入することができる。 重合槽中の低分子化合物の圧力は、１〜
10-4torrが好ましく、更に好ましくは、10-1〜５
×10-3torrである。これより圧力が高いときはプ
ラズマ重合層が粉状で形成されたり、プラズマ槽
内部の汚れが大きく、低いときは重合層の形成に
時間を要したりするので好ましくない。必要に応
じて窒素ガス、アルゴンガス等の不活性気体を重
合槽内に導入することができる。 プラズマの発振周波数は特に限定されるもので
はないが、13.56MHzが便利である。 プラズマ重合層の好ましい厚みは20〜270Åで
あり、更に好ましくは50〜200Åである。この範
囲を越えて厚くなるとヘツド磁性層のスペーシン
グ損失が大きくなるし、薄くなると防蝕性が低下
したり、プラズマ重合条件の許容範囲が狭くなつ
て好ましくない。 本発明のプラズマ重合層としては密度が1.4以
上であることが好ましいが特に限定されるもので
はない。ここでいう密度とは、形成したプラズマ
重合層を削り取り、得られたプラズマ重合層の粉
末をｎ−ヘキサンとテトラクロルメタンからなる
密度勾配管法により求めたものである。 本発明の滑性層の付与に用いるモノマーとして
は末端に炭素炭素不飽和基を有する炭素数８以上
の化合物の群から選ばれた化合物であり２種以上
を混合して用いてもよい。より好ましくは末端に
炭素炭素不飽和基を有する炭素数12以上の化合物
である。 これらの化合物の好ましい例としては、末端に
炭素炭素不飽和基を有する脂肪族不飽和炭化水素
あるいは前記脂肪族不飽和炭化水素の水素の一部
フツソで置換した化合物、末端に炭素炭素不飽和
基を有する不飽和脂肪族アルコールと、脂肪酸の
エステル類、あるいは前記エステル類の水素を一
部フツソで置換した化合物、末端に炭素炭素不飽
和基を有する不飽和脂肪酸と脂肪族アルコールと
のエステル類あるいは前記エステル類の水素を一
部フツソで置換した化合物等であり、しかも一分
子中の炭素数が８以上の化合物である。具体例と
しては、１オクテン、１−デセン、１−ドデセ
ン、１−テトラデセン、１−ペンタデセン、１−
オクタデセン、１−アイコセン、２，４−ジメチ
ル−１−ヘプタン、ビニルカプリレート、ビニル
ラウレート、ビニルミリステート、ビニルパルミ
テート、ビニルステアレート、アリルラウレー
ト、アリルオレート、デシルアクリレート、ドデ
シルアクリレート、テトラデシルアクリレート、
オクタデシルアクリレート、テトラデシルメタク
リレート、ヘキシル−４−ペンテネート、及びこ
れらの化合物の一部または全部の水素原子をフツ
ソ原子に置きかえた化合物である。 滑性層を設ける方法としてはプラズマ重合層を
付与した後 常圧条件でモノマーをガス状で噴霧する方法 減圧条件でモノマー気体にプラズマ重合層を
接触させる方法 モノマーをそのままもしくは有機溶剤で希釈
して塗布する方法 などを用いることができる。これらの方法のうち
最も有利な方法はの方法であり、極めて薄層で
走行性の良好な滑性層を付与することができる。 本発明でいう滑性層とは必らずしも均一な層構
造を有するものではない。 本発明に使用される高分子支持体としては、酢
酸セルロース；硝酸セルロース；エチルセルロー
ス；メチルセルロース；ポリアミド；ポリメチル
メタクリレート；ポリテトラフルオルエチレン；
ポリトリフルオルエチレン；エチレン；プロピレ
ンのようなα−オレフインの重合体あるいは共重
合体；塩化ビニルの重合体あるいは共重合体；ポ
リ塩化ビニリデン；ポリカーボネート；ポリイミ
ド；ポリアミドイミド；ポリエチレンテレフタレ
ートのようなポリエステル類等がある。 本発明における強磁性金属薄膜は、ベーパーデ
ポジシヨンあるいはメツキ法により形成される。
ベーパーデポジシヨン法とは、不活性ガスあるい
は酸素等の気体あるいは真空空間中において、膜
として形成せしめようという物質又はその化合物
を蒸気あるいはイオン化した蒸気として発生もし
くは導入させて所望の支持体上に膜として析出さ
せる方法で、真空蒸着法、スパツタリング法、イ
オンプレーテイング法、イオンビームデポジシヨ
ン法、化学気相メツキ法等がこれに相当する。ま
たメツキ法とは電気メツキあるいは無電解メツキ
法等の液相より支持体上に物質を膜として形成さ
せる方法を言う。強磁性金属薄膜の材料として
は、Fe、Co、Niその他の強磁性金属あるいはこ
れらの合金、さらにFe−Si、Fe−Rh、Fe−Ｖ、
Fe−Ti、Co−Ｐ、Co−Ｂ、Co−Si、Co−Ｖ、
Co−Ｙ、Co−Sm、Co−Mn、Co−Ni−Ｐ、Co
−Ni−Ｂ、Co−Cr、Co−Ni−Cr、Co−Ni−
Ag、Co−Ni−Pd、Co−Ni−Zn、Co−Cu、Co
−Ni−Cu、Co−Ｗ、Co−Ni−Ｗ、Co−Mn−
Ｐ、Co−Sm−Cu、Co−Ni−Zn−Ｐ、Co−Ｖ−
Cr、等が用いられる。特に好ましくは、強磁性
薄膜はCoを50wt％以上含有する。 本発明による磁気記録媒体の強磁性薄膜の膜厚
は一般には0.02μm〜5μm、好ましくは0.05μm〜
2μmである。高分子支持体の厚さは4μm〜50μm
が好ましい。強磁性薄膜の密着向上、磁気特性の
改良のために高分子支持体上に下地層を設けても
いい。高分子支持体の磁性層と反対側にバツクコ
ート層を設けてもよい。 磁気記録媒体の形状はテープ、シート、カー
ド、デイスク等いずれでも良いが、特に好ましい
のはテープ形状である。 次に本発明の実施例について説明するが、本発
明は下記の実施例に制限されるものではない。 12μm厚のポリエチレンテレフタレートフイル
ムの表面に、斜め蒸着によつてCo−Ni（Ni20wt
％）磁性膜（膜厚1000Å）を設けたものを以下の
実験に使用した。 なお、次のようにしてプラズマ重合層を有する
サンプルを作成した。 第１図の装置を用いて、CH4ガスとN2ガスの
混合比が１／10、重合槽内の圧力10-2torr、
50wattで電極間の滞在時間が10秒間になるよう
にしてプラズマ重合処理を行ないサンプルNo.１を
得た。 第１図の装置を用いて、CF2＝CF2ガスとN2ガ
スの混合比が１／10、重合槽内の圧力５×
10-3torr、50wattで電極間の滞在時間が10秒間に
なるようにしてプラズマ重合処理を行ないサンプ
ルNo.２を得た。 実施例 １ No.１のサンプルをプラズマ重合層を付与したの
ちプラズマ放電を中止し同重合槽中で１ドデセン
で1torrの圧力にしサンプルをもう一度巻きかえ
した。１ドデセンの雰囲気にさらされる時間は10
秒とした。このサンプルをNo.３とする。 実施例 ２ No.１のサンプルを常圧で取り出し、ビニルラウ
レートをエアージエツトを用いて噴霧しながら巻
き替えした。このサンプルをNo.４とする。 実施例 ３ No.１のサンプルを空気中に取り出したのち再び
第１図の装置を用いてCH2CHCO2（CF2）9CF3で
0.5torrの圧力にしてさらし時間が10秒間となる
ようにして巻き替えしサンプルNo.５を得た。 実施例 ４ No.２のサンプルを常圧で取り出し１−テトラデ
センのメチルエチルケトン0.1％溶液を塗布し、
乾燥してサンプルNo.６を得た。 比較例 １、２ サンプルNo.１、No.２をそのまま評価した。 比較例 ３ サンプルNo.１にパルミチン酸のメチルエチルケ
トン0.1％溶液を塗布し乾燥しサンプルNo.７を得
た。 比較例 ４ プラズマ重合を施す前の試料に塩ビ酢ビ共重合
体のメチルエチルケトン0.1％溶液を塗布し乾燥
してサンプルNo.８を得た。 比較例 ５ プラズマ重合を施す前の試料をそのまま評価し
た。これをサンプルNo.９とする。 比較例 ６ No.８のサンプルを1torrの圧力で１−ドデセン
の雰囲気に10秒間さらしてサンプルNo.10を得た。 実施例 ５ サンプルNo.１の作成に於て、電極間内の滞在時
間を以下のように変えたサンプルを用いて実施例
１と同様な処理を施してサンプルNo.11〜15を得
た。 50秒間 … サンプルNo.11 25秒間 … サンプルNo.12 ５〃 〃 13 ２〃 〃 14 １〃 〃 15 上記のサンプルNo.１〜No.15について以下の評価
方法に従つてテストを行なつた。結果を第一表に
まとめた。 防蝕性 60℃、80％RHの雰囲気で７日間曝したのち
目視で錆の発生を調べた。 走行性 サンプルを1/2インチ巾にスリツトし家庭用
ビデオテープレコーダー（松下電器産業(株)製
NV8310）を用いて回転シリンダーの入口側の
テンシヨンT1と出口側のテンシヨンT2を測定
した。 T2／T1＝ｅ×ｐ（μπ）の関係式よりμを算
出した。T1、T2の測定は23℃65％RHで行つ
た。 耐久性 家庭用ビデオテープレコーダー（ビクター製
3600）を用いてスチル耐久時間（分）を調べ
た。測定条件は23℃65％RH。 厚み測定 水晶発振子を用いて測定した。厚みの薄いも
のは、ウエブスピードを遅くして1000Å以上の
ものを作成し電極内滞在時間を算出した。第１
表には金属薄膜磁拙層の上の保護層及び滑性層
の合計厚みで示した。※印はプラズマ重合処理
時間からの推定値。
媒体に関し、特に防蝕性、電磁変換特性、走行
性、耐摩耗性にすぐれた金属薄膜型磁気記録媒体
に関する。 磁気記録媒体としては、非磁性支持体上に磁性
粉末を結合剤中に分散せしめ、塗布乾燥させる塗
布型のものが広く使用されてきている。しかし、
近年高密度記録への要求が高まるにつれ、真空蒸
着、スパツタリング、イオンプレーテイング等の
ベーパーデポジシヨン法あるいは電気メツキ、無
電解メツキ等のメツキ法により形成される強磁性
金属薄膜を磁気記録層とする金属薄膜型磁気記録
媒体が注目を浴びており実用化に至つている。 金属薄膜型磁気記録媒体は、飽和磁化の大きな
強磁性金属をバインダーの如き非磁性物質を介在
させない状態で、極めて薄い層として形成できる
ので、電磁変換特性上非常に有利で、高密度記録
にも適している。 しかしながら、金属薄膜型磁気記録媒体につい
ての大きな問題点は、製造後経時しておくと金属
表面が腐蝕し電磁変換特性が低下してしまうこと
である。この欠点を防止する方法として、熱可塑
性ポリマー、熱硬化性ポリマーを金属表面に塗設
し、保護層を付与することによつて解決すること
が提案されている。この方法では、ヘツドと磁性
層間のスペーシング損失のために保護層の厚みを
大きくできないという制約があるため、充分な防
蝕性を付与することはできなかつた。（第２図参
照）また、磁性層表面を窒化させる方法（特開昭
50−33806号）あるいは酸化させる方法（特公昭
42−20025号）などによつて防蝕性が向上するこ
とが知られているが、これらの方法では10分〜２
時間もの長時間処理が必要であつたり、処理時間
を短かくすると充分な防蝕効果が得られなかつ
た。 また、金属薄膜型磁気記録媒体についてのもう
ひとつの大きな問題点は、走行性及び耐久性が悪
く、デツキ走行中に走行経路に貼りついて走行停
止したり、あるいは、スチル耐久性が悪かつたり
することである。この欠点を防止するため、熱可
塑性、熱硬化性ポリマーあるいは脂肪酸、脂肪酸
エステル等の潤滑剤を強磁性金属薄膜上に塗設す
る方法が考えられるが、これらの方法を用いたと
き走行性が不充分であつたり、あるいは耐久性が
不充分であつたりする。また充分な走行性、耐久
性を確保しようとする、塗設層が厚くなりスペー
シング損失によつて電磁変換特性が悪化するので
ある。防蝕性を充分満足のあるものを得るために
も塗設層を厚くする必要があり電磁変換特性上好
ましくなかつた。 本発明者らは上記欠点を克服するため鋭意研究
を重ねた結果本発明に到達した。 本発明の目的は、ヘツドと磁性層間のスペーシ
ング損失を極力小さくするため超薄層でしかも防
蝕性、走行性、耐久性の全ての面で極めて良好な
保護層を有する金属薄膜型磁気記録媒体を得るこ
とにある。 本発明の上記の目的は、強磁性金属薄膜を有す
る高分子支持体の該強磁性金属薄膜上に、厚さ20
〜270Åのプラズマ重合層を付与し、更に末端に
炭素炭素不飽和基を有する炭素数８以上の化合物
の群から成る一種以上の化合物による滑性層をプ
ラズマ重合層の上に設けたことを特徴とする磁気
記録媒体によつて達成される。 本発明によるプラズマ重合層は通常のポリマー
層と比較すると、緻密な架橋構造を有している。
即ち、非常に緻密で、しかも金属薄膜上に均一な
厚みの層として形成されていると考えられる。こ
のために、腐蝕の原因となる酸素、水分等を金属
薄膜から遮断しかつ酸素、水分等を透過しないこ
とによつて防蝕性に優れ、しかも極めて薄い層と
して形成できるのでヘツド・磁性層間のスペーシ
ング損失が小さくなることによつて電磁変換特性
の良好な磁気記録媒体を得ることができる。しか
しながら上記のプラズマ重合層だけでは充分な走
行性、耐久性を兼ね備えた磁気記録媒体は得られ
なかつた。 さらにプラズマ重合層の上に或種の化合物から
成る滑性層を設けることにより驚くべきことに電
磁変換特性が良好で防蝕性、走行性及び耐久性を
兼ね備えた磁気記録媒体を得ることができた。滑
性層として種々の素材を検討した結果、末端に炭
素炭素不飽和結合を有し炭素数８以上の化合物
（以下モノマーと略称する）を選択することによ
り極めて走行性、耐久性の良好な磁気記録媒体を
得ることができたのであるこれは恐らくプラズマ
重合によつて発生したラジカル活性種が炭素炭素
不飽和結合と反応してプラズマ重合層の上に強固
に結合した滑性層が形成されたためであろうと思
われる。 本発明の有利なことはプラズマ重合層を形成し
たのち滑性層を設ける方法として、モノマーガス
の雰囲気を通過させる方法あるいはモノマーガス
を噴霧する方法で行うことができるので、溶剤を
全く使わないことも可能なことである。このよう
にすれば作業が簡単で乾燥ゾーン等の付帯設備も
不要となり、しかも、金属薄膜の形成を真空条件
下での蒸着等によるベーパーデポジシヨン法と組
合せると、真空を破ることなく共通のラインで金
属薄膜と保護層とを逐次に形成できるので設備的
にも経済的にも有利である。 本発明によるプラズマ重合層の形成に用いる化
合物（以下低分子化合物と称する）としては、20
℃、10-4torrで蒸気圧を有するものなら使用可能
であるが、沸点が200℃以下のものが好ましい。
特に好ましい例としては、下記のものを挙げるこ
とができるが、本発明はこれらの化合物に限定さ
れるものではない。即ち、メタン、エタン、プロ
パン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、オクタン等
の脂肪族飽和炭化水素、エチレン、プロピレン、
ブテン、ヘキセン等の脂肪族不飽和炭化水素、ベ
ンゼン、トルエン、キシレン、スチレン、エチル
ベンゼン等の芳香族炭化水素、フロロメタン、ジ
フロロメタン、トリフロロメタン、テトラフロロ
メタン、ジプロロエタン、テトラフロロエチレ
ン、ヘキサフロロプロピレン、テトラフロロシラ
ン、ジクロロエチレン、テトラクロロエタン等の
飽和又は、不飽和のハロゲン化合物、アルコール
類、ケトン類、エーテル類、脂肪酸などを単独又
はは混合して用いることができる。 プラズマ重合処理の装置としては無電極放電
型、電極放電型のいずれを用いてもよく、また電
極が重合槽の中にある内部電極型、重合槽の外に
電極を有する外部電極型を用いてもよい。さら
に、後グロー中に低分子化合物のガスを導入する
方法も可能である。特に好ましくは、安定なプラ
ズマ状態が得られ易い、内部電極型（第１図参
照）及び後グロー中に、低分子化合物を導入する
方法である。 第１図は本発明のプラズマ重合層を形成するに
適した内部電極型プラズマ重合装置の１例を示す
略図である。真空装置（重合槽）内に、サンプル
送出部１とサンプル巻取部２を設置し、平行板電
極部３，３の間を、高分子支持体上に強磁性金属
薄膜の形成されたサンプル４を連続的に走行させ
てプラズマ重合層を形成させるようになつてい
る。排気口から真空ポンプ（図示せず）によつて
適当な真空度に排気した後に、ガス導入部から、
低分子化合物のガスＡを流量計８及びバルブ７を
通つて適当圧で導入する。なお、必要に応じて不
活性ガスＢを同様に流量計８及びバルブを通つて
導入することができる。 重合槽中の低分子化合物の圧力は、１〜
10-4torrが好ましく、更に好ましくは、10-1〜５
×10-3torrである。これより圧力が高いときはプ
ラズマ重合層が粉状で形成されたり、プラズマ槽
内部の汚れが大きく、低いときは重合層の形成に
時間を要したりするので好ましくない。必要に応
じて窒素ガス、アルゴンガス等の不活性気体を重
合槽内に導入することができる。 プラズマの発振周波数は特に限定されるもので
はないが、13.56MHzが便利である。 プラズマ重合層の好ましい厚みは20〜270Åで
あり、更に好ましくは50〜200Åである。この範
囲を越えて厚くなるとヘツド磁性層のスペーシン
グ損失が大きくなるし、薄くなると防蝕性が低下
したり、プラズマ重合条件の許容範囲が狭くなつ
て好ましくない。 本発明のプラズマ重合層としては密度が1.4以
上であることが好ましいが特に限定されるもので
はない。ここでいう密度とは、形成したプラズマ
重合層を削り取り、得られたプラズマ重合層の粉
末をｎ−ヘキサンとテトラクロルメタンからなる
密度勾配管法により求めたものである。 本発明の滑性層の付与に用いるモノマーとして
は末端に炭素炭素不飽和基を有する炭素数８以上
の化合物の群から選ばれた化合物であり２種以上
を混合して用いてもよい。より好ましくは末端に
炭素炭素不飽和基を有する炭素数12以上の化合物
である。 これらの化合物の好ましい例としては、末端に
炭素炭素不飽和基を有する脂肪族不飽和炭化水素
あるいは前記脂肪族不飽和炭化水素の水素の一部
フツソで置換した化合物、末端に炭素炭素不飽和
基を有する不飽和脂肪族アルコールと、脂肪酸の
エステル類、あるいは前記エステル類の水素を一
部フツソで置換した化合物、末端に炭素炭素不飽
和基を有する不飽和脂肪酸と脂肪族アルコールと
のエステル類あるいは前記エステル類の水素を一
部フツソで置換した化合物等であり、しかも一分
子中の炭素数が８以上の化合物である。具体例と
しては、１オクテン、１−デセン、１−ドデセ
ン、１−テトラデセン、１−ペンタデセン、１−
オクタデセン、１−アイコセン、２，４−ジメチ
ル−１−ヘプタン、ビニルカプリレート、ビニル
ラウレート、ビニルミリステート、ビニルパルミ
テート、ビニルステアレート、アリルラウレー
ト、アリルオレート、デシルアクリレート、ドデ
シルアクリレート、テトラデシルアクリレート、
オクタデシルアクリレート、テトラデシルメタク
リレート、ヘキシル−４−ペンテネート、及びこ
れらの化合物の一部または全部の水素原子をフツ
ソ原子に置きかえた化合物である。 滑性層を設ける方法としてはプラズマ重合層を
付与した後 常圧条件でモノマーをガス状で噴霧する方法 減圧条件でモノマー気体にプラズマ重合層を
接触させる方法 モノマーをそのままもしくは有機溶剤で希釈
して塗布する方法 などを用いることができる。これらの方法のうち
最も有利な方法はの方法であり、極めて薄層で
走行性の良好な滑性層を付与することができる。 本発明でいう滑性層とは必らずしも均一な層構
造を有するものではない。 本発明に使用される高分子支持体としては、酢
酸セルロース；硝酸セルロース；エチルセルロー
ス；メチルセルロース；ポリアミド；ポリメチル
メタクリレート；ポリテトラフルオルエチレン；
ポリトリフルオルエチレン；エチレン；プロピレ
ンのようなα−オレフインの重合体あるいは共重
合体；塩化ビニルの重合体あるいは共重合体；ポ
リ塩化ビニリデン；ポリカーボネート；ポリイミ
ド；ポリアミドイミド；ポリエチレンテレフタレ
ートのようなポリエステル類等がある。 本発明における強磁性金属薄膜は、ベーパーデ
ポジシヨンあるいはメツキ法により形成される。
ベーパーデポジシヨン法とは、不活性ガスあるい
は酸素等の気体あるいは真空空間中において、膜
として形成せしめようという物質又はその化合物
を蒸気あるいはイオン化した蒸気として発生もし
くは導入させて所望の支持体上に膜として析出さ
せる方法で、真空蒸着法、スパツタリング法、イ
オンプレーテイング法、イオンビームデポジシヨ
ン法、化学気相メツキ法等がこれに相当する。ま
たメツキ法とは電気メツキあるいは無電解メツキ
法等の液相より支持体上に物質を膜として形成さ
せる方法を言う。強磁性金属薄膜の材料として
は、Fe、Co、Niその他の強磁性金属あるいはこ
れらの合金、さらにFe−Si、Fe−Rh、Fe−Ｖ、
Fe−Ti、Co−Ｐ、Co−Ｂ、Co−Si、Co−Ｖ、
Co−Ｙ、Co−Sm、Co−Mn、Co−Ni−Ｐ、Co
−Ni−Ｂ、Co−Cr、Co−Ni−Cr、Co−Ni−
Ag、Co−Ni−Pd、Co−Ni−Zn、Co−Cu、Co
−Ni−Cu、Co−Ｗ、Co−Ni−Ｗ、Co−Mn−
Ｐ、Co−Sm−Cu、Co−Ni−Zn−Ｐ、Co−Ｖ−
Cr、等が用いられる。特に好ましくは、強磁性
薄膜はCoを50wt％以上含有する。 本発明による磁気記録媒体の強磁性薄膜の膜厚
は一般には0.02μm〜5μm、好ましくは0.05μm〜
2μmである。高分子支持体の厚さは4μm〜50μm
が好ましい。強磁性薄膜の密着向上、磁気特性の
改良のために高分子支持体上に下地層を設けても
いい。高分子支持体の磁性層と反対側にバツクコ
ート層を設けてもよい。 磁気記録媒体の形状はテープ、シート、カー
ド、デイスク等いずれでも良いが、特に好ましい
のはテープ形状である。 次に本発明の実施例について説明するが、本発
明は下記の実施例に制限されるものではない。 12μm厚のポリエチレンテレフタレートフイル
ムの表面に、斜め蒸着によつてCo−Ni（Ni20wt
％）磁性膜（膜厚1000Å）を設けたものを以下の
実験に使用した。 なお、次のようにしてプラズマ重合層を有する
サンプルを作成した。 第１図の装置を用いて、CH4ガスとN2ガスの
混合比が１／10、重合槽内の圧力10-2torr、
50wattで電極間の滞在時間が10秒間になるよう
にしてプラズマ重合処理を行ないサンプルNo.１を
得た。 第１図の装置を用いて、CF2＝CF2ガスとN2ガ
スの混合比が１／10、重合槽内の圧力５×
10-3torr、50wattで電極間の滞在時間が10秒間に
なるようにしてプラズマ重合処理を行ないサンプ
ルNo.２を得た。 実施例 １ No.１のサンプルをプラズマ重合層を付与したの
ちプラズマ放電を中止し同重合槽中で１ドデセン
で1torrの圧力にしサンプルをもう一度巻きかえ
した。１ドデセンの雰囲気にさらされる時間は10
秒とした。このサンプルをNo.３とする。 実施例 ２ No.１のサンプルを常圧で取り出し、ビニルラウ
レートをエアージエツトを用いて噴霧しながら巻
き替えした。このサンプルをNo.４とする。 実施例 ３ No.１のサンプルを空気中に取り出したのち再び
第１図の装置を用いてCH2CHCO2（CF2）9CF3で
0.5torrの圧力にしてさらし時間が10秒間となる
ようにして巻き替えしサンプルNo.５を得た。 実施例 ４ No.２のサンプルを常圧で取り出し１−テトラデ
センのメチルエチルケトン0.1％溶液を塗布し、
乾燥してサンプルNo.６を得た。 比較例 １、２ サンプルNo.１、No.２をそのまま評価した。 比較例 ３ サンプルNo.１にパルミチン酸のメチルエチルケ
トン0.1％溶液を塗布し乾燥しサンプルNo.７を得
た。 比較例 ４ プラズマ重合を施す前の試料に塩ビ酢ビ共重合
体のメチルエチルケトン0.1％溶液を塗布し乾燥
してサンプルNo.８を得た。 比較例 ５ プラズマ重合を施す前の試料をそのまま評価し
た。これをサンプルNo.９とする。 比較例 ６ No.８のサンプルを1torrの圧力で１−ドデセン
の雰囲気に10秒間さらしてサンプルNo.10を得た。 実施例 ５ サンプルNo.１の作成に於て、電極間内の滞在時
間を以下のように変えたサンプルを用いて実施例
１と同様な処理を施してサンプルNo.11〜15を得
た。 50秒間 … サンプルNo.11 25秒間 … サンプルNo.12 ５〃 〃 13 ２〃 〃 14 １〃 〃 15 上記のサンプルNo.１〜No.15について以下の評価
方法に従つてテストを行なつた。結果を第一表に
まとめた。 防蝕性 60℃、80％RHの雰囲気で７日間曝したのち
目視で錆の発生を調べた。 走行性 サンプルを1/2インチ巾にスリツトし家庭用
ビデオテープレコーダー（松下電器産業(株)製
NV8310）を用いて回転シリンダーの入口側の
テンシヨンT1と出口側のテンシヨンT2を測定
した。 T2／T1＝ｅ×ｐ（μπ）の関係式よりμを算
出した。T1、T2の測定は23℃65％RHで行つ
た。 耐久性 家庭用ビデオテープレコーダー（ビクター製
3600）を用いてスチル耐久時間（分）を調べ
た。測定条件は23℃65％RH。 厚み測定 水晶発振子を用いて測定した。厚みの薄いも
のは、ウエブスピードを遅くして1000Å以上の
ものを作成し電極内滞在時間を算出した。第１
表には金属薄膜磁拙層の上の保護層及び滑性層
の合計厚みで示した。※印はプラズマ重合処理
時間からの推定値。
【表】
【表】
積は試料の
30％)
以上の結果から本発明がいかに防錆性、走行性
及び耐久性が良好でスペーシングロスの少ない電
磁変換特性の良好な磁気記録媒体を提供するかが
わかる。更に実施例１及び３の方法は、金属薄膜
の磁性層形成、プラズマ重合層の形成と同一ライ
ンで処理できる有利な方法であることがわかる。
30％)
以上の結果から本発明がいかに防錆性、走行性
及び耐久性が良好でスペーシングロスの少ない電
磁変換特性の良好な磁気記録媒体を提供するかが
わかる。更に実施例１及び３の方法は、金属薄膜
の磁性層形成、プラズマ重合層の形成と同一ライ
ンで処理できる有利な方法であることがわかる。
第１図は内部電極型プラズマ重合装置である。
１：サンプル送出部（実施例１の滑性層付与の
プロセスでは巻取部となる）、２：サンプル巻取
部（実施例１の滑性層付与のプロセスでは送出部
となる）、３：平行板電極部、４：サンプル、
５：雰囲気ガス導入部、６：真空部との接続部、
７：バルブ、８：流量計、 第２図は、ヘツド−テープ間隔（Å）とスペー
シングロス（dB）との関係を示す。
プロセスでは巻取部となる）、２：サンプル巻取
部（実施例１の滑性層付与のプロセスでは送出部
となる）、３：平行板電極部、４：サンプル、
５：雰囲気ガス導入部、６：真空部との接続部、
７：バルブ、８：流量計、 第２図は、ヘツド−テープ間隔（Å）とスペー
シングロス（dB）との関係を示す。
Claims (1)
- １ 強磁性金属薄膜を有する高分子支持体の該強
磁性金属薄膜上に、厚さ20〜270Åのプラズマ重
合層を付与し、更に末端に炭素炭素不飽和基を有
する炭素数８以上の化合物の群から成る一種以上
の化合物による滑性層をプラズマ重合層の上に設
けたことを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58028644A JPS59154643A (ja) | 1983-02-24 | 1983-02-24 | 磁気記録媒体 |
| NLAANVRAGE8400565,A NL189885C (nl) | 1983-02-24 | 1984-02-23 | Magnetisch registratiemedium omvattende een polymeerondersteuningsbasis, een ferromagnetische dunne metaalfilm, een plasmapolymerisatielaag en een smeermiddellaag. |
| DE3406587A DE3406587C2 (de) | 1983-02-24 | 1984-02-23 | Magnetisches Aufzeichnungsmaterial vom Typ eines metallischen Dünnfilms |
| US07/309,327 US4873138A (en) | 1983-02-24 | 1988-10-18 | Metallic thin film type magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58028644A JPS59154643A (ja) | 1983-02-24 | 1983-02-24 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59154643A JPS59154643A (ja) | 1984-09-03 |
| JPH0479067B2 true JPH0479067B2 (ja) | 1992-12-14 |
Family
ID=12254220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58028644A Granted JPS59154643A (ja) | 1983-02-24 | 1983-02-24 | 磁気記録媒体 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4873138A (ja) |
| JP (1) | JPS59154643A (ja) |
| DE (1) | DE3406587C2 (ja) |
| NL (1) | NL189885C (ja) |
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| JPS6163917A (ja) * | 1984-09-05 | 1986-04-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| GB2166668B (en) * | 1984-11-09 | 1988-03-09 | Tdk Corp | Magnetic recording medium |
| JPH0610871B2 (ja) * | 1984-12-25 | 1994-02-09 | ティーディーケイ株式会社 | 磁気記録媒体 |
| JP2562320B2 (ja) * | 1986-05-09 | 1996-12-11 | ティーディーケイ株式会社 | 磁気記録媒体 |
| DE3635524A1 (de) * | 1986-10-18 | 1988-04-28 | Leybold Ag | Verfahren zum herstellen von schutzschichten auf magnetischen datentraegern und durch das verfahren hergestellter datentraeger |
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| WO2006102592A1 (en) * | 2005-03-24 | 2006-09-28 | 3M Innovative Properties Company | Metallized films and articles containing the same |
| US20100143724A1 (en) * | 2005-03-24 | 2010-06-10 | Johnson Michael A | Corrosion resistant metallized films and methods of making the same |
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| US4252848A (en) * | 1977-04-11 | 1981-02-24 | Rca Corporation | Perfluorinated polymer thin films |
| JPS588982B2 (ja) * | 1977-09-22 | 1983-02-18 | グンゼ株式会社 | ガス遮断性及び遮光性を有する金属蒸着積層フイルム |
| US4188426A (en) * | 1977-12-12 | 1980-02-12 | Lord Corporation | Cold plasma modification of organic and inorganic surfaces |
| US4188434A (en) * | 1978-05-15 | 1980-02-12 | Storage Technology Corporation | Lubricant for a magnetic member |
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| US4267238A (en) * | 1979-12-18 | 1981-05-12 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Flexible magnetic recording media lubricated with fluorinated telechelic polyether polymer |
| JPS5625232A (en) * | 1979-08-06 | 1981-03-11 | Sony Corp | Magnetic recording medium |
| JPS5782229A (en) * | 1980-11-07 | 1982-05-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Magnetic recording body and its manufacture |
| JPS57135442A (en) * | 1981-02-16 | 1982-08-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | Magnetic recording medium and its manufacture |
| JPS57150136A (en) * | 1981-03-09 | 1982-09-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | Magnetic recording medium and its manufacture |
| JPS57164432A (en) * | 1981-04-02 | 1982-10-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | Magnetic recording medium |
| US4495242A (en) * | 1981-04-02 | 1985-01-22 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
| JPS57198542A (en) * | 1981-05-29 | 1982-12-06 | Sekisui Chem Co Ltd | Magnetic recording medium |
| JPS5829119A (ja) * | 1981-08-14 | 1983-02-21 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 帯電防止性磁気テ−プ |
| US4391843A (en) * | 1981-08-14 | 1983-07-05 | Rca Corporation | Adherent perfluorinated layers |
| JPS58111127A (ja) * | 1981-12-24 | 1983-07-02 | Ulvac Corp | 耐摩耗性磁気記録体の製造法 |
| JPS58122622A (ja) * | 1982-01-18 | 1983-07-21 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体に有機保護膜を形成する方法 |
| JPS5979426A (ja) * | 1982-10-29 | 1984-05-08 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
| JPS59160828A (ja) * | 1983-03-01 | 1984-09-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体 |
-
1983
- 1983-02-24 JP JP58028644A patent/JPS59154643A/ja active Granted
-
1984
- 1984-02-23 NL NLAANVRAGE8400565,A patent/NL189885C/xx not_active IP Right Cessation
- 1984-02-23 DE DE3406587A patent/DE3406587C2/de not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-10-18 US US07/309,327 patent/US4873138A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3406587A1 (de) | 1984-08-30 |
| JPS59154643A (ja) | 1984-09-03 |
| DE3406587C2 (de) | 1995-05-24 |
| US4873138A (en) | 1989-10-10 |
| NL189885C (nl) | 1993-08-16 |
| NL8400565A (nl) | 1984-09-17 |
| NL189885B (nl) | 1993-03-16 |
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