JPS60219626A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は短波長記録に適する強磁性金属薄膜を磁気記録
層とする磁気記録媒体に関する。

従来例の構成とその問題点 近年磁気記録の高密度化の進展に伴い、強磁性金属薄膜
を磁気記録層とする磁気記録媒体が注目され、各方面で
実用化のための開発が進められている。

かかる媒体は、媒体の面内に磁化が残留したものを利用
するもの、媒体の垂直方向に磁化が残留したものを利用
するいずれのタイプについても、記録波長が短かくなる
程大きくなるスペーシング損失を抑制するだめ、表面は
平滑化されるため、機器の走行系で発生する磁気テープ
の振動、磁気記録層のケズレ等の問題を少なくするか、
なくすために、保護膜を配するのが一般的である。

第１図は従来の磁気記録媒体の拡大断面図である。第１
図において、１は高分子基板、２は磁気記録層、３は保
護膜である。

保護膜は、滑りを付与することと、強磁性金属薄膜の腐
蝕を抑制することを主な役割としているが、脂肪酸、脂
肪酸エステル、脂肪酸アミド、フルオロカーボン等を塗
布したものや、５ｌｏ２膜をスパッタリング法で形成し
たものが提案されているが、テープ状の磁気記録媒体で
は切断端部が、腐蝕のトリガーになることが多く、特に
、ドロップアウトが増大する原因になるため改良が望ま
れていた。

発明の目的 本発明は上記事情に′鑑みなされたもので、実使用環境
条件により発生する腐蝕に伴うドロップアクトの増加の
ない磁気記録媒体を提供するこ七を目的とするものであ
る。

発明の溝数 本発明の磁気記録媒体は高分子基板上に、この高分子基
板より疎水性の高いプラズマ重合膜を配した上に強磁性
金属薄膜からなる磁気記録層を配したことを特徴とし、
切断端部の腐蝕によるドロップアウトの増加のないもの
である。

実施例の説明 以下図面を参照しながら本発明の実施例について説明す
る。

第２図は本発明の実施例における磁気記録媒体の基本構
成の一例である。第２図で４は高分子基板、６はこの高
分子基板４より疎水性の高いプラズマ重合膜で、６は強
磁性金属薄膜からなる磁気記録層で、７は保護膜である
。

高分子基板とプラズマ重合膜の疎水性の比較は水に対す
る接触角で４０℃に於いて接触角で２０度以上の差を有
する時に疎水性が高いと定義するものとする。

本発明に用いることの出来る基板は、ポリエチレンテレ
フタレート等のポリエステル類、ポリプロピレン等のポ
リオレフィン類、セルローストリアセテート、ニトロセ
ルロース等のセルロース誘導体、ポリアミド、ポリアミ
ドイミド、ポリパラパニック酸、ポリイミド等が挙げら
れる。

本発明に用いることの出来る強磁性金属薄膜としては、
電子ビーム蒸着法、スパッタリング法。

イオンブレーティング法、無電解めっき法等で形成した
、Ｇｏ　、Ｆｅ　、Ｎｉ　、Ｃｏ−Ｎｉ　、Ｃｏ−Ｆｅ
　、Ｇｏ−Ｃｏ。

Ｇｏ−Ｃｒ　、Ｃｏ−Ｃｕ　、Ｇｏ−Ｂ　、Ｃｏ−Ｂ　
ｉ　、Ｇｏ−Ｇｏ　。

Ｃｏ−Ｌａ　、Ｇｏ　−Ｍｇ　、Ｇｏ　−Ｍｎ　、Ｃｏ
　−Ｍｏ　、Ｃｏ−Ｐ　。

Ｇｏ　−Ｐ　ｔ　、Ｃｏ−Ｒｕ　、　Ｇｏ−Ｒｈ　、Ｃ
ｏ−８ｎ　、Ｃｏ−８ｍ　。

Ｃｏ−８ｉ　、Ｃｏ−Ｔｉ　、Ｇｏ−Ｔａ　、Ｃｏ　−
Ｖ　、Ｃｏ−Ｗ、Ｃ。

−Ｎｉ−Ｏｒ、Ｃｏ−０ｒ　−Ｒｈ　、Ｇｏ−Ｎｉ−Ｐ
及びそれらの部分酸化膜、Ｓ分窒化膜等で磁化容易軸の
方向とは無関係である。

プラズマ重合膜を得るのに用いられるモノマーとしては
ポリテトラフルオロエチレン、弗素化ポ　゛リエチレン
の如きフルオロカーボン類、ポリクロロトリフルオロエ
チレン等のクロロフルオロハイドロカーボン類、ポリ弗
化ビニリデン、ポリ弗化ビニル等のフルオロハイドロカ
ーボン類、ポリアミド類、ポリイミド類、ポリカーボネ
ート類、ポリフェニレンオキサイド類、ポリエチレンの
ような炭化水素類、アリルアミン、アクリルアミド類。

ピリジン、エチレンオキサイド等のへオロ原子を含む環
状有機化合物、テトラアルキルシラン、トリアルキルシ
ラン等のシラン類９等の単−又は混合物で、材料に限定
はない。

しかし、モノマーの流量、放電条件１等については、実
験的に前述したように４０℃での水の接触角で高分子基
板より２０度以上高く、好ましくは、接触角の絶対値も
７０度以上になるような条件を見出してプラズマ重合膜
を得る必要があり、本発明の作用効果を十分得る上では
、フリズマ重合膜厚みは３００八から３００ＯＡ、好ま
しくは５００人から１０００への厚みを必要とする。

モノマーにより多少の条件の差はあるが、接触角を大き
くするには、プラズマ重合装置での放電時の真空度を１
とすると、その１０　分の１以下の圧力に一度、装置内
を排気し、使用周波数の２倍から４倍周波での予備放電
を数分行うことが得策である。

保護膜は、公知のいずれでもよいが、本発明により、こ
の厚みは、従来より大幅に小さくできる。

本発明の構成により、強磁性金属薄膜に、疎水性の高い
プラズマ重合膜が接しているため、水が高分子基板側に
切断端部で移行することになり、腐蝕が起らなくなると
推察される。

この作用があるから保護膜としては、走行性の改良のた
めに、若干量の滑剤が付与されるだけでよく、この量は
スペーシング損失になる量にはならずにすませることが
出来るものである。

以下、更に具体的な一実施例について説明する。

厚み１１μｍのポリプレイレンフィルム上に、０３Ｆ８
のプラズマ重合膜を６ｏｏ人、１２００人形成した。

放電は１３．５６Ｍ１−１．の高周波グロー放電を利用
しキャリアガスは用いなかった。

重合装置内部を１０’Ｐａまで排気したのち、Ｃ３Ｆ８
を導入し１０Ｐａで５２Ｍ）ｈの予備放電を行った。

比較例として、予備放電なしで、事前の排気も行なわず
に、プラズマ重合膜としてポリ弗化ビニリデンの重合膜
を同一厚み形成した。

それぞれに直径６０儒の円筒キャンに沿って、連続入射
角変化蒸着法でＣｏＣｏ−Ｎ１（Ｎｉ１９％）を２．ｌ
Ｘ１０　Ｐａの酸素中で０．１μｍ蒸着した。

このＣｏ　−Ｎ　ｉ膜の上に、メチルエチルケトンで溶
かしたミリスチン酸を、乾燥厚みが３０人となる量、ス
クイズコータで塗布、乾燥した。

これを８關幅に裁断し、テストした。テスト法は、４０
℃８６％ＲＨの環境で、くシ返し使用した時のドロップ
アウト変化とけん機銃観察にょシ調べた。

その結果と、構成条件をまとめて次表に示した。

以下余白 実施例によれば、高分子基板より疎水性の高いプラズマ
重合膜により、端部での水の付着現象でその重合膜厚が
極めて薄いにも拘らず、驚くほど強磁性金属薄膜の腐蝕
を、水をはじくことで抑制でき、その結果、高湿中での
くり返し使用、又は高湿中での長時間保存後の使用でも
、ドロップアウトは殆んど増加しない媒体が得られるこ
とがわかる。

以上説明した実施例の他の材料の組み合わせでも本発明
の効果を確認した。

発明の効果 本発明の磁気記録媒体は高分子基板より疎水性の高いプ
ラズマ重合膜を用い、その上に強磁性金属薄膜を配する
ことで、切断端部を腐蝕から守り、その結果、高湿下で
の使用又は、高湿環境での長期保存後でドロップアウト
の問題をなくすことができるもので、その実用的効果は
大きい。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の磁気記録媒体の拡大断面図、第２図は本
発明の磁気記録媒体の拡大断面図である。 ４・・・・・・高分子基板、６・・・・・プラズマ重合
膜、６・・・・・・強磁性金属薄膜。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名第１
図 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 高分子基板上にこの高分子基板より疎水性の高いプラズ
   マ重合膜を配した上に強磁性金属薄膜からなる磁気記録
   層を配したことを特徴とする磁気記録媒体。