JPH02214040A - 情報記録媒体 - Google Patents
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- JPH02214040A JPH02214040A JP1034165A JP3416589A JPH02214040A JP H02214040 A JPH02214040 A JP H02214040A JP 1034165 A JP1034165 A JP 1034165A JP 3416589 A JP3416589 A JP 3416589A JP H02214040 A JPH02214040 A JP H02214040A
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光学的又は磁気的に情報の記録、再生(及び
消去)が可能な、ディスク状又はカード状の情報記録媒
体に関する。
消去)が可能な、ディスク状又はカード状の情報記録媒
体に関する。
〔従来技術及び発明が解決しようとする課題〕近年の情
報化社会を担うものとして欠かせない情報記録媒体(以
下単に「媒体」又は「メディア」とも記載する)は、最
近益々高密度化、大容量化へと進歩している。かかるメ
ディアを更に高密度のものにする手段の1つに、レーザ
ー光等を照射して微小な光スポットや微小な磁区を形成
する試みが検討されている。又、記録膜に関しては、光
磁気膜や垂直磁化膜の研究、開発が精力的に進められて
いる。また、メディアを大容量にする手段の1つに、そ
の表面〈樹脂膜、基板面等)に予め溝を物理的、化学的
に形成しておいて、溝信号を検出しながら制御信号を得
て、情報の記録、再生を行なう媒体も開発されつうある
。
報化社会を担うものとして欠かせない情報記録媒体(以
下単に「媒体」又は「メディア」とも記載する)は、最
近益々高密度化、大容量化へと進歩している。かかるメ
ディアを更に高密度のものにする手段の1つに、レーザ
ー光等を照射して微小な光スポットや微小な磁区を形成
する試みが検討されている。又、記録膜に関しては、光
磁気膜や垂直磁化膜の研究、開発が精力的に進められて
いる。また、メディアを大容量にする手段の1つに、そ
の表面〈樹脂膜、基板面等)に予め溝を物理的、化学的
に形成しておいて、溝信号を検出しながら制御信号を得
て、情報の記録、再生を行なう媒体も開発されつうある
。
光磁気ディスクはその代表的な例であるが、磁気ディス
クの分野でも、溝を形成してトラッキング用に使用する
技術が提案されており、たとえば特開昭57−1671
72号(静電容量方式)、特開昭51−42485号(
光方式)等が既に知られている。記録媒体にトラッキン
グ用の溝を形成する技術は、光ディスクが先行している
が、これにはスタンパと呼ばれる金型を用いて熱可塑性
樹脂を射出成形する方法や、透明な樹脂基板上に紫外線
硬化樹脂(2P)Mを形成した後これを硬化させる方法
(2P法)等がある。
クの分野でも、溝を形成してトラッキング用に使用する
技術が提案されており、たとえば特開昭57−1671
72号(静電容量方式)、特開昭51−42485号(
光方式)等が既に知られている。記録媒体にトラッキン
グ用の溝を形成する技術は、光ディスクが先行している
が、これにはスタンパと呼ばれる金型を用いて熱可塑性
樹脂を射出成形する方法や、透明な樹脂基板上に紫外線
硬化樹脂(2P)Mを形成した後これを硬化させる方法
(2P法)等がある。
本出願人は、−層の高密度、且つ大容量化を実現するた
めの記録メディアを鋭意検討したところ、光磁気膜、垂
直磁化膜のいずれにおいても微小磁区の形成が必要であ
り、そのためには記録膜の粒子の小径化、優れた配向性
、及び高保磁力化が重要であることを突止めた。そして
これらの特性は、高い基板温度におけるスパッタリング
又は真空蒸着により達成できることが判明した。
めの記録メディアを鋭意検討したところ、光磁気膜、垂
直磁化膜のいずれにおいても微小磁区の形成が必要であ
り、そのためには記録膜の粒子の小径化、優れた配向性
、及び高保磁力化が重要であることを突止めた。そして
これらの特性は、高い基板温度におけるスパッタリング
又は真空蒸着により達成できることが判明した。
そこで本出願人は、このようなスパッタリング又は蒸着
に耐え得る耐熱性基板を捜し求めたが、射出成形された
熱可塑性樹脂基板は、ガラス転移点(Tg)を越えると
急激に軟化する性質があり、転移点を高く設定した材料
で作った基板では、トラッキング溝やアドレスの形成が
不十分となり、実用に適さないことが判った。一方、市
販の22(紫外線硬化樹脂)レジンを用いた2P基板の
実験では、トラッキング溝やアドレスは十分形成される
が、耐熱性に乏しく、スパッタリングを行なうと2P表
面に微細な皺が発生してしまい、やはり実用には適さな
いことが判った。
に耐え得る耐熱性基板を捜し求めたが、射出成形された
熱可塑性樹脂基板は、ガラス転移点(Tg)を越えると
急激に軟化する性質があり、転移点を高く設定した材料
で作った基板では、トラッキング溝やアドレスの形成が
不十分となり、実用に適さないことが判った。一方、市
販の22(紫外線硬化樹脂)レジンを用いた2P基板の
実験では、トラッキング溝やアドレスは十分形成される
が、耐熱性に乏しく、スパッタリングを行なうと2P表
面に微細な皺が発生してしまい、やはり実用には適さな
いことが判った。
以上の実験結果から、基板は支持体と2P層とを積層し
た構造とすると共に、耐熱性の高い2P樹脂を新規に開
発すべきであるという結論に達した。
た構造とすると共に、耐熱性の高い2P樹脂を新規に開
発すべきであるという結論に達した。
本発明は、支持体の上に情報記録用の溝を有する紫外線
硬化樹脂層を形成した基板と、この基板上に形成され、
レーザー光又は磁界の印加により光学的又は磁気的状態
が変化する記録層と、この記録層上に形成される保護層
とから成り、上記紫外線硬化樹脂層として200℃での
ヤング率が70kg / vd以上の範囲の物を使用し
て作製した情報記録a体及びその製造方法を提供するこ
とにより、上記問題点を解決した。
硬化樹脂層を形成した基板と、この基板上に形成され、
レーザー光又は磁界の印加により光学的又は磁気的状態
が変化する記録層と、この記録層上に形成される保護層
とから成り、上記紫外線硬化樹脂層として200℃での
ヤング率が70kg / vd以上の範囲の物を使用し
て作製した情報記録a体及びその製造方法を提供するこ
とにより、上記問題点を解決した。
本発明の情報記録媒体の一実施例について説明する。ま
ず、上記支持体としては、熱可塑性樹脂。
ず、上記支持体としては、熱可塑性樹脂。
熱硬化性樹脂、ガラス、又は金属のいずれの材料でも良
い0次に、2P(紫外線硬化樹脂)層としては、200
℃でのヤング率が70kg/mm2以上である物を使用
する。かかる特性を有する2PIl!l脂としては、以
下に示す化学式を有する化合物又は、 C
H20−X CH3CH2CCH20−X・・・・・・・・・(II
)CH20−X のうちの少なくともいずれか一方の化合物を含む樹脂で
、且つそれにDarocur 1173等の光重合開始
剤が0.1〜10重量%均一に配合されたものを用いる
。なお、両式中Xは(メタ)アクリロイル基(TL=3
〜6)、Yは水酸基である。
い0次に、2P(紫外線硬化樹脂)層としては、200
℃でのヤング率が70kg/mm2以上である物を使用
する。かかる特性を有する2PIl!l脂としては、以
下に示す化学式を有する化合物又は、 C
H20−X CH3CH2CCH20−X・・・・・・・・・(II
)CH20−X のうちの少なくともいずれか一方の化合物を含む樹脂で
、且つそれにDarocur 1173等の光重合開始
剤が0.1〜10重量%均一に配合されたものを用いる
。なお、両式中Xは(メタ)アクリロイル基(TL=3
〜6)、Yは水酸基である。
次に、具体的実施例及びその製造方法について、支持体
としてポリエチレンテレフタレート、ルミラーQ77(
東し株式会社)を用い、2P樹脂上にCoCr垂直磁化
膜及びカーボン膜をスパッタリングにより成膜したディ
スクを例にとって説明する。なお、支持体上に2pH脂
を成膜する方法は周知の2P成形法によった。
としてポリエチレンテレフタレート、ルミラーQ77(
東し株式会社)を用い、2P樹脂上にCoCr垂直磁化
膜及びカーボン膜をスパッタリングにより成膜したディ
スクを例にとって説明する。なお、支持体上に2pH脂
を成膜する方法は周知の2P成形法によった。
く比較例1〉
2P樹脂として■スリーボンド社のUVX−33120
を用いて基板を作製した。このとき基板の表面にはスタ
ンバ上のビットが正しく転写されており、滑らかな表面
状態を呈していた。続いて基板温度=20℃、Arガス
圧= 0.8mTorrで、CoCrを2000人スパ
ッタリングして取出したところ、表面全体が白色になっ
ており、これを顕微鏡で観察。
を用いて基板を作製した。このとき基板の表面にはスタ
ンバ上のビットが正しく転写されており、滑らかな表面
状態を呈していた。続いて基板温度=20℃、Arガス
圧= 0.8mTorrで、CoCrを2000人スパ
ッタリングして取出したところ、表面全体が白色になっ
ており、これを顕微鏡で観察。
調査したら、微細な皺になっていることが判明した。ま
た、ビットの一部が歪んでいることも発見された。この
ディスクの磁気特性をVSM (振動試料式磁力計)に
より測定したところ、垂直成分のHc(保磁力)は17
1 (Oe)であり、垂直磁気記録には不十分な値であ
った。
た、ビットの一部が歪んでいることも発見された。この
ディスクの磁気特性をVSM (振動試料式磁力計)に
より測定したところ、垂直成分のHc(保磁力)は17
1 (Oe)であり、垂直磁気記録には不十分な値であ
った。
く比較例2〉
2Pv!j脂として東洋インキ製造■社のLE−362
9を用いて基板を作製し、その他は比較例1と同様にし
てディスクを作製した。この場合にも、基板の表面には
スタンパ上のビットが正しく転写され、滑らかな表面状
態を呈しており、CoCrのスパッタリング後もビット
の歪みは認められなかったが、VSMにより測定した垂
直成分のHcは比較例1と同様170ってあり、垂直磁
気記録には不十分な値であった。
9を用いて基板を作製し、その他は比較例1と同様にし
てディスクを作製した。この場合にも、基板の表面には
スタンパ上のビットが正しく転写され、滑らかな表面状
態を呈しており、CoCrのスパッタリング後もビット
の歪みは認められなかったが、VSMにより測定した垂
直成分のHcは比較例1と同様170ってあり、垂直磁
気記録には不十分な値であった。
く比較例3〉
比較例2と同一条件で基板を作製し、基板温度=80℃
、Arガス圧= 0.8+1TOrrで、CoCrを2
000人スパッタリングして取出したところ、表面全体
が白色になっており、顕微鏡観察の結果、やはり微細な
皺が生じて全面を覆っていた。VSMにより測定した垂
直成分のHcは240 r:Jに向上したが、垂直磁気
記録にはまだ不十分な値であった。
、Arガス圧= 0.8+1TOrrで、CoCrを2
000人スパッタリングして取出したところ、表面全体
が白色になっており、顕微鏡観察の結果、やはり微細な
皺が生じて全面を覆っていた。VSMにより測定した垂
直成分のHcは240 r:Jに向上したが、垂直磁気
記録にはまだ不十分な値であった。
従来よりCoCrの磁気特性の垂直成分のHcは、基板
温度の上昇と共に増大すると言われており、上記各比較
例にも同様の傾向が認められた。
温度の上昇と共に増大すると言われており、上記各比較
例にも同様の傾向が認められた。
従って、最少限必要といわれるHc700tjを得るた
めには、基板温度を最低でも200℃まで加熱すること
が必要と考えられる。
めには、基板温度を最低でも200℃まで加熱すること
が必要と考えられる。
そこで、2P樹脂の耐熱性を評価するために、TMA
(熱機械分析)により、2P樹脂単独の温度−ヤング率
特性を調べたところ、上記比較例1及び2で使用L タ
UVX−3S120 及びLE−36294,1第1図
のような特性を示した。即ちuvx−ssi2oは20
〜50℃の低温域で急激に軟化する特徴がある。
(熱機械分析)により、2P樹脂単独の温度−ヤング率
特性を調べたところ、上記比較例1及び2で使用L タ
UVX−3S120 及びLE−36294,1第1図
のような特性を示した。即ちuvx−ssi2oは20
〜50℃の低温域で急激に軟化する特徴がある。
従って、基板の温度を20℃に設定しても、スパッタリ
ング時のプラズマに晒されて表面温度が上昇し、軟化し
た樹脂が支持体上を漂って皺を発生させたと考えられる
。
ング時のプラズマに晒されて表面温度が上昇し、軟化し
た樹脂が支持体上を漂って皺を発生させたと考えられる
。
一方、LE−3629は、基板温度20℃でのスパッタ
リングには耐えたが、80℃では皺を生じてしまった。
リングには耐えたが、80℃では皺を生じてしまった。
この樹脂の20℃及び80℃でのヤング率は夫々105
kg/−及び64kg/w(であり、スパッタリング中
には更に低下すると考えられる。
kg/−及び64kg/w(であり、スパッタリング中
には更に低下すると考えられる。
以上の実験結果から、皺を生じない(基板表面が白化し
ない)ヤング率の条件は、約70hg/+tj1以上、
望ましくは100kg/d以上であるといえる。
ない)ヤング率の条件は、約70hg/+tj1以上、
望ましくは100kg/d以上であるといえる。
そこで、耐熱性の高い2P樹脂を調査、検討するために
、■DPHA、■M−309.■DPCA−60、■M
−315.■MANDA、■R−551の6種類のオリ
ゴマー(■と■は東亜合成化学工業■、その他は日本化
薬■の製品)を選び(各々の分子構造式は13頁の第1
表に示す”とおりである)、夫々に対して、光開始剤D
arOCtlr 1173(メルク・ジャパン■製)を
全体の3重量%添加して2P樹脂を作製した。これらの
硬化サンプルの温度−ヤング率特性を第2図に示す、こ
の図から明白なように、200℃において70kg/N
4以上のヤング率を持つオリゴマーは■と■だけであも
0両者とも温度変化に対してヤング率は略一定で、安定
な樹脂と言える。 オリゴマー■、■とその他のオリゴ
マーの分子構造を第1表から比較してみると、■。
、■DPHA、■M−309.■DPCA−60、■M
−315.■MANDA、■R−551の6種類のオリ
ゴマー(■と■は東亜合成化学工業■、その他は日本化
薬■の製品)を選び(各々の分子構造式は13頁の第1
表に示す”とおりである)、夫々に対して、光開始剤D
arOCtlr 1173(メルク・ジャパン■製)を
全体の3重量%添加して2P樹脂を作製した。これらの
硬化サンプルの温度−ヤング率特性を第2図に示す、こ
の図から明白なように、200℃において70kg/N
4以上のヤング率を持つオリゴマーは■と■だけであも
0両者とも温度変化に対してヤング率は略一定で、安定
な樹脂と言える。 オリゴマー■、■とその他のオリゴ
マーの分子構造を第1表から比較してみると、■。
■のみが3次元的架橋を構成し得る構造、即ち、少なく
とら3官能以上の(メタ)アクリロイル基を持っている
ことが判明した。更に、各々のアクリロイル基間の鎖の
長さが短いという特徴も条件に挙げられる。
とら3官能以上の(メタ)アクリロイル基を持っている
ことが判明した。更に、各々のアクリロイル基間の鎖の
長さが短いという特徴も条件に挙げられる。
〈実施例1〉
日本化薬■製のDPHAにメルク・ジャパン■製のDa
rOCur 1173を全体の3重量%添加して2P樹
脂を得た。この樹脂を用いて前記比較例1と同様な方法
で基板を作製した。続いて基板温度=150’C,Ar
ガス圧= 0.811■orrでCoCrを2000人
スパッタリングした。ここで表面を顕微鏡で観察、調査
したところ、ビットの歪みは認められず、滑らかな表面
状態を呈しており、皺の発生も認められなかった、又、
磁気特性をVSMにより測定したところ、垂直成分のH
c(保磁力)は800◇であり、垂直磁気記録には十分
なレベル値であった。
rOCur 1173を全体の3重量%添加して2P樹
脂を得た。この樹脂を用いて前記比較例1と同様な方法
で基板を作製した。続いて基板温度=150’C,Ar
ガス圧= 0.811■orrでCoCrを2000人
スパッタリングした。ここで表面を顕微鏡で観察、調査
したところ、ビットの歪みは認められず、滑らかな表面
状態を呈しており、皺の発生も認められなかった、又、
磁気特性をVSMにより測定したところ、垂直成分のH
c(保磁力)は800◇であり、垂直磁気記録には十分
なレベル値であった。
〈実施例2〉
東亜合成化学工業−のM−309にDarocur 1
173を3重量%添加して2P樹脂を得た。この樹脂を
用いて実施例1と同様な方法で基板を作製し、続いて同
様に基板温度=150℃、Arガス圧=0.81Tor
rでCoCrを2000人スパッタリングを行なった。
173を3重量%添加して2P樹脂を得た。この樹脂を
用いて実施例1と同様な方法で基板を作製し、続いて同
様に基板温度=150℃、Arガス圧=0.81Tor
rでCoCrを2000人スパッタリングを行なった。
この場合にも基板表面上のピットの歪みや皺の発生は認
められなかった。又、垂直成分のHcは800σと良好
な値であった。
められなかった。又、垂直成分のHcは800σと良好
な値であった。
〈実施例3〉
DPHAとM−309を夫々50重量%ずつ計量。
混合し、これにDarocur 1173を全体の3重
量%添加して2P樹脂を得た。この樹脂を用いて実施例
1と同様にして基板を作製し、続いて同一条件下でCo
Crを2000人スパッタリングした後、更に保護膜と
してカーボンを、Arガス圧=13mTorrで300
人スパッタリングした。この場合も皺の発生やビットの
歪みは認められず、垂直成分のHc(保磁力)も800
dと良好なレベル値であった。リングヘッドを用いた記
録再生実験を行なったところ、D6111が70 kF
cI、C/N= 50daの再生出力が得られた。
量%添加して2P樹脂を得た。この樹脂を用いて実施例
1と同様にして基板を作製し、続いて同一条件下でCo
Crを2000人スパッタリングした後、更に保護膜と
してカーボンを、Arガス圧=13mTorrで300
人スパッタリングした。この場合も皺の発生やビットの
歪みは認められず、垂直成分のHc(保磁力)も800
dと良好なレベル値であった。リングヘッドを用いた記
録再生実験を行なったところ、D6111が70 kF
cI、C/N= 50daの再生出力が得られた。
なお、この実施例3の22樹脂を単独で硬化させ、TM
A (熱機械分析)により温度−ヤング率特性を測定し
たところ、第2図に破線で示すような結果が得られた。
A (熱機械分析)により温度−ヤング率特性を測定し
たところ、第2図に破線で示すような結果が得られた。
このように、本発明になる2P樹脂は画然性に優れ、良
質の垂直磁化膜を形成し得る基板となる。
質の垂直磁化膜を形成し得る基板となる。
なお、以上の説明においては、記OHとして垂直磁化膜
を取上げて実験したが、CoNi、C。
を取上げて実験したが、CoNi、C。
NiCr、CoPt等の面内磁化膜においても基板温度
とHa(面内成分)に相関があることから、同様の効果
が得られる。又、TbFe、TbFeCo、DyFe、
GdFe等の光磁気膜においても、高い基板温度下で高
Hc(垂直成分)の良質な膜を得ることができる。
とHa(面内成分)に相関があることから、同様の効果
が得られる。又、TbFe、TbFeCo、DyFe、
GdFe等の光磁気膜においても、高い基板温度下で高
Hc(垂直成分)の良質な膜を得ることができる。
ところで、光磁気膜では一般に再生時のカー回転角(θ
k)と記録膜のキュリー点(Tc)との相関が知られて
いる0本発明媒体に使用される耐熱性基板を使用すれば
、高Tcの材料を選定でき、結果的にS/Nの向上が図
れる。又、このような磁気特性の他に、高い基板温度下
での成膜は、基板と記録膜間の密着力向上にも貢献し、
媒体(ディスク)の信頼性を各段に上げる効果もある。
k)と記録膜のキュリー点(Tc)との相関が知られて
いる0本発明媒体に使用される耐熱性基板を使用すれば
、高Tcの材料を選定でき、結果的にS/Nの向上が図
れる。又、このような磁気特性の他に、高い基板温度下
での成膜は、基板と記録膜間の密着力向上にも貢献し、
媒体(ディスク)の信頼性を各段に上げる効果もある。
更に、従来の光磁気ディスクや光ディスクの場合には、
記録時にレーザー光が基板を加熱することにより、案内
溝を変形させたり、記録膜にクラックを発生させたりす
ることがあるが、本発明による2PI脂の場合にはかか
る不都合は非常に少なく、記録レーザー出力を高く設定
できるという利点もある。
記録時にレーザー光が基板を加熱することにより、案内
溝を変形させたり、記録膜にクラックを発生させたりす
ることがあるが、本発明による2PI脂の場合にはかか
る不都合は非常に少なく、記録レーザー出力を高く設定
できるという利点もある。
なお、本実施例ではいずれも支持体にポリエチレンテレ
フタレートを用いたが、本発明になる媒体はこれに限定
されるものではなく、その他ポリカーボネート、ポリサ
ルフォン、ポリイミド、ポリエーテルサルフォン、ポリ
エーテルイミド等の樹脂や、金属板、更にはガラス板で
も使用可能である。
フタレートを用いたが、本発明になる媒体はこれに限定
されるものではなく、その他ポリカーボネート、ポリサ
ルフォン、ポリイミド、ポリエーテルサルフォン、ポリ
エーテルイミド等の樹脂や、金属板、更にはガラス板で
も使用可能である。
また、2P樹脂の光重合開始剤としてDarocur1
173を用いたが、その他、ベンジル1ベンゾイン、ベ
ンゾフェノン、4〜メトキシベンゾフエノン、ベンジル
ジメチルケタール、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾ
インイソ10ピルエーテル。
173を用いたが、その他、ベンジル1ベンゾイン、ベ
ンゾフェノン、4〜メトキシベンゾフエノン、ベンジル
ジメチルケタール、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾ
インイソ10ピルエーテル。
ミルラーズケトン、アントラキノン、2−メチルアント
ラキノン、アセトフェノン、αα−ジクロル−4−フェ
ノキシアセトフェノン、 p−tertブチルトリクロ
ロアセトフェノン、メチルオルソベンゾイルベンゾエー
ト、2−クロロチオキサントン2及び2,4−ジエチル
チオキサントンでも使用可能である。又、必要に応じて
、光重合促進剤としてアミン化合物を添加しても良い。
ラキノン、アセトフェノン、αα−ジクロル−4−フェ
ノキシアセトフェノン、 p−tertブチルトリクロ
ロアセトフェノン、メチルオルソベンゾイルベンゾエー
ト、2−クロロチオキサントン2及び2,4−ジエチル
チオキサントンでも使用可能である。又、必要に応じて
、光重合促進剤としてアミン化合物を添加しても良い。
更に又、支持体との接着性を良好にするなめに、支持体
との濡れ性の良好なモノマー或いはシランカップリング
剤を添加しても良い。
との濡れ性の良好なモノマー或いはシランカップリング
剤を添加しても良い。
なお、本発明の情報記録媒体は、硬度の高い基板を提供
するという特徴もあるが、柔軟性を持なせる必要があれ
ば、日本イヒ薬■製のHX−820,HX−220等に
代表される柔軟性モノマーを添加することも可能である
。但し、この場合には耐熱性が低下するので、本発明の
特徴、効果を失わない程度に添加量を制限することが肝
心である。
するという特徴もあるが、柔軟性を持なせる必要があれ
ば、日本イヒ薬■製のHX−820,HX−220等に
代表される柔軟性モノマーを添加することも可能である
。但し、この場合には耐熱性が低下するので、本発明の
特徴、効果を失わない程度に添加量を制限することが肝
心である。
軟土の如く、本発明の情報記録媒体によれば、耐熱性に
優れ良質の記taMを形成し得るので、垂直磁気記録媒
体等の、高密度化を図ることができる等の特長を有する
。
優れ良質の記taMを形成し得るので、垂直磁気記録媒
体等の、高密度化を図ることができる等の特長を有する
。
第1図は代表的な2PVA脂単独の温度−ヤング率特性
図、第2図は代表的なオリゴマーにて作製した2P樹脂
硬化サンプルと本発明記録媒体各実施例の温度−ヤング
率特性図である。 11図 特許出願人 日本ビクター株式会社 代表者 埋木 邦夫
図、第2図は代表的なオリゴマーにて作製した2P樹脂
硬化サンプルと本発明記録媒体各実施例の温度−ヤング
率特性図である。 11図 特許出願人 日本ビクター株式会社 代表者 埋木 邦夫
Claims (2)
- (1)支持体の上に情報記録用の溝を有する紫外線硬化
樹脂層を形成した基板と、この基板上に形成され、レー
ザー光又は磁界の印加により光学的又は磁気的状態が変
化する記録層と、この記録層上に形成される保護層とか
ら成り、上記紫外線硬化樹脂層として200℃でのヤン
グ率が70kg/mm^2以上の範囲の物を使用して作
製したことを特徴とする情報記録媒体。 - (2)上記紫外線硬化樹脂層は、下記( I )又は(II
)の一般式で示される化合物の少なくとも一方を含み、
且つ光重合開始剤が0.1乃至10重量%均一に配合さ
れた紫外線硬化樹脂組成物を硬化させたものである特許
請求の範囲第1項記載の情報記録媒体。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・・・・
( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・・・・
(II) {但し、Xは(メタ)アクリロイル基 (n=3〜6)、Yは水酸基}
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1034165A JP2959573B2 (ja) | 1989-02-14 | 1989-02-14 | 情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1034165A JP2959573B2 (ja) | 1989-02-14 | 1989-02-14 | 情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02214040A true JPH02214040A (ja) | 1990-08-27 |
| JP2959573B2 JP2959573B2 (ja) | 1999-10-06 |
Family
ID=12406599
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1034165A Expired - Lifetime JP2959573B2 (ja) | 1989-02-14 | 1989-02-14 | 情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2959573B2 (ja) |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58159202A (ja) * | 1982-03-16 | 1983-09-21 | Toshiba Corp | 情報記録担体 |
| JPS61198420A (ja) * | 1985-02-28 | 1986-09-02 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 複合基板 |
| JPS6284446A (ja) * | 1985-10-09 | 1987-04-17 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 光デイスク基板 |
| JPS6288155A (ja) * | 1985-10-14 | 1987-04-22 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 光デイスク基板 |
| JPS62119217A (ja) * | 1985-11-20 | 1987-05-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光デイスク基板 |
| JPS62180782A (ja) * | 1986-02-04 | 1987-08-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光デイスク基板 |
| JPS63100635A (ja) * | 1986-06-20 | 1988-05-02 | Pioneer Electronic Corp | 光学式情報記録担体 |
| JPS63112825A (ja) * | 1986-10-28 | 1988-05-17 | Kobe Steel Ltd | 磁気デイスク用サブストレ−トの製造方法 |
-
1989
- 1989-02-14 JP JP1034165A patent/JP2959573B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58159202A (ja) * | 1982-03-16 | 1983-09-21 | Toshiba Corp | 情報記録担体 |
| JPS61198420A (ja) * | 1985-02-28 | 1986-09-02 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 複合基板 |
| JPS6284446A (ja) * | 1985-10-09 | 1987-04-17 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 光デイスク基板 |
| JPS6288155A (ja) * | 1985-10-14 | 1987-04-22 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 光デイスク基板 |
| JPS62119217A (ja) * | 1985-11-20 | 1987-05-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光デイスク基板 |
| JPS62180782A (ja) * | 1986-02-04 | 1987-08-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光デイスク基板 |
| JPS63100635A (ja) * | 1986-06-20 | 1988-05-02 | Pioneer Electronic Corp | 光学式情報記録担体 |
| JPS63112825A (ja) * | 1986-10-28 | 1988-05-17 | Kobe Steel Ltd | 磁気デイスク用サブストレ−トの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2959573B2 (ja) | 1999-10-06 |
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