JPH0221413A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は高密度記録を行うために比較的厚い磁気コアを
有する薄膜磁気ヘッドの製造方法に関するものである。

〔従来の技術〕

従来、巻線型薄膜磁気ヘッドにおいては、第２図に示す
ように、基板１上に下部磁気コア２が積層されている。

この下部磁気コア２上には絶縁層（第２図には図示せず
）により被覆された巻線導体ＷＪ３・３が配設されてい
る。更に、巻線導体層３・３、上記絶縁層及び下部磁気
コア２上には、Ｎ　ｉ　−Ｆ　ｅ、　Ｆ　ｅ−Ａｊ！−
３ｉ或いはＣｏ　−Ｚ　ｒ等からなる上部磁気コア４・
４が設けられている。

ところで、近年の高記録密度化に伴って磁気記録媒体の
高保磁力化が促進されていることにより、薄膜磁気ヘッ
ドには高保磁力媒体を充分に磁化する能力が要求されつ
つある。そのため、上記のような薄膜磁気ヘッドの上部
磁気コア４・４は飽和磁化特性の向上に伴って膜厚が厚
くなる傾向にあり、通常５〜３０μｍ程度の磁性薄膜が
使用されている。

以下、上述した程度の膜厚の上部磁気コア４・４を備え
た薄膜磁気ヘッドの製造方法につき説明する。

まず、第３図（ａ）に示すように、基板１上に下部磁気
コア２を積層し、続いて、絶縁層５、巻線導体層３、絶
縁層５、巻線導体層３、絶縁層５を順次積層した後、最
上部の絶縁層５上に上部磁気コア形成Ｎ６を積層する。

次に、上部磁気コア形成層６上に、上部磁気コア４の形
状に対応したレジスト層７を形成する。そして、スパッ
タエツチング法、イオンミーリング法或いはりアクティ
ブイオンエツチング法等により上記上部磁気コア形成層
６にエツチングを施し、上部磁気コア４を形成するもの
であった。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところが、上記従来の製造方法には、以下に述べるよう
な問題点があった。

（ｉ）第１の問題点は、上部磁気コア４・４０幅の精度
を確保することが難しいことである。すなわち、高記録
密度化が進むにつれて記録媒体のトラック幅も狭くなり
、それに応じて上部磁気コア４・４も最小１０μｍ程度
の幅に加工する必要があるが、その場合、加工の誤差は
１〜２μｍ程度以内が要求される。

しかしながら、従来の方法によれば、エツチングの終結
点において上部磁気コア４・４の幅が決定されるが、上
記のように上部磁気コア４・４の厚みが大きくなると、
エツチングの形状精度が低下して、必要な精度を確保す
ることが困難になる。

（ｉｉ　）第２の問題点は、上部磁気コア形成層６から
上部磁気コア４・４を削設するためのエツチングにより
巻線導体層３が損傷を受けることである。すなわち、上
部磁気コア形成層６と、その下地層である絶縁層５との
エツチングの選択比が充分に取れないために、エツチン
グの終結時において、第３図（ｂ）に示すように、一部
のエツチングが絶縁層５を越えて巻線導体層３に到達し
、甚だしい場合は、巻線導体層３の断線等を生じること
になる。

（ｉｉｉ　）第３の問題点は、上部磁気コア形成層６か
ら上部磁気コア４・４を削設するのに多くの時間を要す
ることである。すなわち、前述したように、上部磁気コ
ア４・４の膜厚は５〜３０ｕｍと厚いものであり、従来
のように、スパッタエツチング法、イオンミーリング法
、リアクティブイオンエツチング法等により上部磁気コ
ア４・４を削設する方法では、長時間のエツチングを要
し、生産性が良好であるとは言えない。

以下、これらの問題につき一般的に使用されているイオ
ンミーリング法を例に取って説明する。

第１表にイオンミーリング法による薄膜磁気ヘッドにお
ける各部のエツチング速度の一例を示す。

第１表より明らかなように、被エツチング層である上部
磁気コア形成層６を成すＦｅ−Ａｆｌ−３ｉ或いはＮｉ
−Ｆｅ、レジスト層７を成すフォトレジスト及び下地層
としての絶縁層５を成す５ｔＯ２にはエツチングレイト
に大きな差がない。

例えば、巻線導体層３が厚み２μｍのＣｕ膜、絶縁層５
が厚み１μｍのＳｉＯ□膜、上部磁気コア形成層６が厚
み１０．ｃｚｍのＦｅ−Ａｆｆｉ−３ｉ膜、レジスト層
７の厚みが１０μｍの場合、理想的には２００分でエツ
チングによる上部磁気コア４の形成が終了する。ところ
が、その場合、エツチング終了時のレジスト層７の厚み
は２μｍとなり、レジスト層７の大部分は消失してしま
う。そのため、安全のため、上部磁気コア形成層６を成
すＦｅ−Ａｌ−３ｔ膜の厚みがエツチング開始時の半分
の厚みとなった時点で、エツチングを中断し、再度レジ
スト層７を形成する工程が必要となるが、この際、１回
目のレジストパターンと２回目のレジストパターンとの
間に位置ずれが生じやすく、それが、上記した第１の問
題点である上部磁気コア４・４０幅の精度の低下の一因
となるものである。

又、上記の如く、エツチングは２００分で終了するのが
理想的であるが、実際には上部磁気コア形成層６を成す
Ｆｅ−Ａｆｆ−３ｔ膜の膜厚にばらつきがあること、イ
オンミーリングにおけるイオン密度のばらつき及び基板
１上の段差又はパターン間隔によるエツチングレイトの
低下等の影響により８０分程度のオーバーエツチングが
必要となる。このため、第３図（ｂ）に示すように、上
部磁気コア４のエツチングが早期に終了した部分では、
８０分のオーバーエツチングにより絶縁層５及び巻線導
体層３の一部が削り取られるので、上述の第２の問題点
の部分で述べたように、基板１上のかなり広い領域にお
いて巻線導体層３が損傷を受けることになる。

その上、上記のように、エツチングの時間に２８０分を
要し、これにレジスト層７の再形成等の時間を加えると
、上部磁気コア４の形成にかなりの長時間を要すること
となり、生産性の低下は回避できない。

〔課題を解決するための手段〕

本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法は、上記の課題
を解決するために、下部磁気コア上に巻線導体層を絶縁
層にて被覆して設け、続いて巻線導体層上に上部磁気コ
アの形状に対応する上部磁気コア配設部を有する有機膜
を形成し、次にこの有機膜上に上部磁気コア形成層を積
層した後上部磁気コア配設部以外の部位の上部磁気コア
形成層を研削により除去し、引続き上記有機膜を除去す
ることにより薄膜磁気ヘッドを製造するようにしたこと
を特徴とするものである。

〔作　用〕

上記の方法によれば、予め上部磁気コアに対応する形状
を有する上部磁気コア配設部を設けた」二記有機膜上に
上部磁気コア形成層を積層することにより上部磁気コア
を形成するようにしたので、上部磁気コアの幅寸法の精
度を向上させることができるようになる。

又、上部磁気コア形成層における上部磁気コア以外の部
位の除去を研削で行った後、有機膜を除去することによ
り上部磁気コアを形成するようにしたので、作業時間を
短縮することができるとともに、巻線導体層及び絶縁層
の損傷を回避することができる。

〔実施例〕

本発明の一実施例を第１図に基づいて説明すれば、以下
の通りである。

第１図（ｃ）に示すように、薄膜磁気ヘッドは基板１１
と、基板ｌｌ上に積層された下部磁気コア１２と、この
下部磁気コア１２上に絶縁層１３・１３・・・を介して
積層された上下２層の巻線導体層１４．１４と、巻線導
体層１４が設けられた部位における最上部の絶縁層１３
上に積層された上部磁気コア１５とを備えている。

以下、この薄膜磁気ヘッドの製造方法につき述べる。

第１図（ａ）に示すように、まず、耐摩耗性に優れた結
晶化ガラス又はフェライト等からなる基板１１上に、Ｎ
　ｉ　−Ｆ　ｅ、　Ｆ　ｅ−Ａｆ−Ｃｏ或いはＣｏ−Ｚ
ｒ等からなる下部磁気コア１２を積層する。続いて、下
部磁気コア１２上に５ｉｎ２．５ｉａＮ４或いは／１．
０３等から成る絶縁層１３、Ｃｕ、Ａｌ１、Ａｕ或いは
Ａｇ等から成る巻線導体層１４、絶縁層１３、巻線導体
層１４、絶縁層１３を順次積層し、絶縁層１３・１３・
・・により被覆された上下２層の巻線導体層１４・１４
を形成する。

次に、巻線導体Ｆ！Ｊ１４・１４の上方における最上部
の絶縁層１３上に、上部磁気コアＩ５の厚みに対応した
厚みを有する、ポリイミド樹脂等から成る有機膜１６を
スピンコード等の方法で積層する。有機膜１６の膜厚は
、上部磁気コア１５の厚み、巻線導体層１４・１４によ
る段差、後に行う上部磁気コア形成層１８の研削の精度
及び有機膜１６の膜厚のばらつき等の総和により決定さ
れ、例えば、上部磁気コア１５の厚みを１０μｍ、巻線
導体層１４による段差を５μｍ、有機膜１６の研削精度
を５μｍ、有機膜１６の膜厚のばらつきを５μｍとすれ
ば、有機膜１６の膜厚は２５μｍとなる。

次いで、有機膜１６における上部磁気コア１５の形成部
位に上部磁気コア１５の形状に対応する形状を有する穴
である上部磁気コア配設部１７を形成する。この上部磁
気コア配設部１７の加工は、酸素を使用したプラズマエ
ツチング等により容易に、かつ、高精度に行うことがで
きる。

続いて、有機膜１６上にＮ　ｉ−Ｆ　ｅ、　Ｆ　ｅ　−
Ａ１−３ｉ或いはＣｏ　−Ｚ　ｒ等から成る上部磁気コ
ア形成Ｊ！！１８を積層した後、上部磁気コア形成層１
８における上部磁気コア配設部１７内の部位を除く部位
を平面研削等により機械的に除去し、第１図（ｂ）に示
すように、有機膜１６を露出させる。

その後、第１図（Ｃ）に示すように、有機膜１６を酸素
を使用したプラズマエツチング或いは溶剤等により除去
し、加工を終了する。

〔発明の効果〕

本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法は、以上のよう
に、下部磁気コア上に巻線導体層を絶縁層にて被覆して
設け、続いて巻線導体層上に上部磁気コアの形状に対応
する上部磁気コア配設部を有する有機膜を形成し、次に
この有機膜上に上部磁気コア形成層を積層した後上部磁
気コア配設部以外の部位の上部磁気コア形成層を研削に
より除去し、引続き上記有機膜を除去することにより薄
膜磁気ヘッドを製造するようにした構成である。

これにより、予め上部磁気コアに対応する形状を有する
上部磁気コア配設部を設けた上記有機膜上に上部磁気コ
ア形成層を積層することにより上部磁気コアを形成する
ようにしたので、上部磁気コアの幅寸法の精度を向上さ
せることができるようになる。

又、上部磁気コア形成層における上部磁気コア以外の部
位の除去を研削で行った後、有機膜を除去することによ
り上部磁気コアを形成するようにしたので、作業時間の
短縮を図ることができるとともに、巻線導体層及び絶縁
層の損傷を回避することができるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施例における薄膜磁
気ヘッドの製造手順を示す概略断面図、第２図は薄膜磁
気ヘッドの斜視図、第３図（ａ）及び（ｂ）は従来の薄
膜磁気ヘッドの製造手順を示す概略断面図である。 １２は下部磁気コア、１３は絶縁層、１４は巻線導体層
、１５は上部磁気コア、１６は有機膜、１７は上部磁気
コア配設部、１日は上部磁気コア形成層である。 第１図（ａ） 特許出願人　　　　　シャープ　株式会社代理人　　弁
理士　　原　　　　謙 第１　図（ｂ） 第 ズ 第 ズ（ａ） 第３ 図（ｂ）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、下部磁気コア上に巻線導体層を絶縁層にて被覆して
   設け、続いて巻線導体層上に上部磁気コアの形状に対応
   する上部磁気コア配設部を有する有機膜を形成し、次に
   この有機膜上に上部磁気コア形成層を積層した後上部磁
   気コア配設部以外の部位の上部磁気コア形成層を研削に
   より除去し、引続き上記有機膜を除去することにより薄
   膜磁気ヘッドを製造するようにしたことを特徴とする薄
   膜磁気ヘッドの製造方法。