JPH02214267A - 高圧発生回路 - Google Patents
高圧発生回路Info
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- JPH02214267A JPH02214267A JP3439389A JP3439389A JPH02214267A JP H02214267 A JPH02214267 A JP H02214267A JP 3439389 A JP3439389 A JP 3439389A JP 3439389 A JP3439389 A JP 3439389A JP H02214267 A JPH02214267 A JP H02214267A
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Landscapes
- Details Of Television Scanning (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ブラウン管のアノードに加える高圧出力電圧
の安定化手段を備えた高圧発生回路に関するものである
。
の安定化手段を備えた高圧発生回路に関するものである
。
第9図には従来の高圧発生回路が示されている。
この高圧発生回路は水平偏向出力回路lと、フライバッ
クトランス2とを備えている。
クトランス2とを備えている。
水平偏向出力回路1は、水平出力トランジスタ4と、ダ
ンパーダイオード5と、共振コンデンサ6と、水平偏向
コイル7と、3字補正コンデンサ8とからなる。水平出
力トランジスタ4は水平ドライブ回路から送られてくる
電圧パルスを受けてスイッチング作用を行い、ダンパー
ダイオード5との協同によって水平偏向コイル7に鋸歯
状波電流を加える。その一方において、共振コンデンサ
6と水平偏向コイル7はその共振作用によってフライバ
ックパルスを発生させ、これをフライバックトランス2
に加える。
ンパーダイオード5と、共振コンデンサ6と、水平偏向
コイル7と、3字補正コンデンサ8とからなる。水平出
力トランジスタ4は水平ドライブ回路から送られてくる
電圧パルスを受けてスイッチング作用を行い、ダンパー
ダイオード5との協同によって水平偏向コイル7に鋸歯
状波電流を加える。その一方において、共振コンデンサ
6と水平偏向コイル7はその共振作用によってフライバ
ックパルスを発生させ、これをフライバックトランス2
に加える。
フライバックトランス2はコア10に低圧コイル11と
高圧コイル12を巻装したものからなり、低圧コイル1
1の一端は水平出力トランジスタ4のコレクタ側に接続
され、また、同コイル11の他端は入力電源13に接続
されている。そして、高圧コイル12の高圧側は高圧整
流ダイオード14を介してブラウン管15のアノード1
6に接続され、同コイル12の他端はABL(八uto
matic Brightness Lim1ter)
側に接続されている。このフライバックトランス2は水
平偏向出力回路1から加えられるフライバックパルスを
昇圧してその昇圧出力(高圧出力電圧)をブラウン管1
5のアノード16に加えるものである。
高圧コイル12を巻装したものからなり、低圧コイル1
1の一端は水平出力トランジスタ4のコレクタ側に接続
され、また、同コイル11の他端は入力電源13に接続
されている。そして、高圧コイル12の高圧側は高圧整
流ダイオード14を介してブラウン管15のアノード1
6に接続され、同コイル12の他端はABL(八uto
matic Brightness Lim1ter)
側に接続されている。このフライバックトランス2は水
平偏向出力回路1から加えられるフライバックパルスを
昇圧してその昇圧出力(高圧出力電圧)をブラウン管1
5のアノード16に加えるものである。
一般に、高圧コイル12を第9図〜第11図に示すよう
にダイオード17を介して多層に積層巻きし、各層間の
コイルを同一巻数、同一巻幅、同一巻線ピッチで巻き、
かつ、各層の巻き終りと次の層の巻き始めとを前記ダイ
オード17で同一極性にすれば、交流的には各層のコイ
ル間で電位差が零となる。したがって、各層間の絶縁処
理は直流の電位差だけを考えればよく、誘電体損による
発熱を考慮する必要がないから、その絶縁処理は容易と
なる。
にダイオード17を介して多層に積層巻きし、各層間の
コイルを同一巻数、同一巻幅、同一巻線ピッチで巻き、
かつ、各層の巻き終りと次の層の巻き始めとを前記ダイ
オード17で同一極性にすれば、交流的には各層のコイ
ル間で電位差が零となる。したがって、各層間の絶縁処
理は直流の電位差だけを考えればよく、誘電体損による
発熱を考慮する必要がないから、その絶縁処理は容易と
なる。
また、前記のように高圧コイル12を多層巻きにすれば
、低圧コイル11と高圧コイル12との絶縁距離を他の
セクション巻きコイル等と比較して小さくできるから、
コイル最外層の仕上り外径も小さくできる。その結果と
して、第12図に示すように、高圧コイル12のリーケ
ージインダクタンスを小さくできるという利点があり、
かかる理由から、同コイル12を多層巻きタイプとした
フライバックトランス2が広く使用されている。
、低圧コイル11と高圧コイル12との絶縁距離を他の
セクション巻きコイル等と比較して小さくできるから、
コイル最外層の仕上り外径も小さくできる。その結果と
して、第12図に示すように、高圧コイル12のリーケ
ージインダクタンスを小さくできるという利点があり、
かかる理由から、同コイル12を多層巻きタイプとした
フライバックトランス2が広く使用されている。
ところが、第12図に示すように、高圧コイル12を多
層巻き(積層巻き)にしただけでは同コイル12からブ
ラウン管15のアノード16に流れる高圧電流INがO
〜200μAの範囲で急激に変動し、好ましくない現象
が生じる。そこで、近年においては、第9図に示すよう
に、高圧出力側(ブラウン管15のアノード側)とアー
ス間に固定抵抗器18と可変抵抗器20とを直列に配置
し、高圧出力電流Iイの約10%の電流を分流し、第1
3図に示すように、前記高圧出力電流の急変動を防止し
ている。
層巻き(積層巻き)にしただけでは同コイル12からブ
ラウン管15のアノード16に流れる高圧電流INがO
〜200μAの範囲で急激に変動し、好ましくない現象
が生じる。そこで、近年においては、第9図に示すよう
に、高圧出力側(ブラウン管15のアノード側)とアー
ス間に固定抵抗器18と可変抵抗器20とを直列に配置
し、高圧出力電流Iイの約10%の電流を分流し、第1
3図に示すように、前記高圧出力電流の急変動を防止し
ている。
すなわち、第12図および第13図に示す特性図におい
て、高圧電流!、の可変設定範囲がO〜1000μAの
範囲に設定されているとすれば、高圧電流INの分流手
段を講じない場合、出力、インピーダ7 スZ @ l
は第12図からZ、、−(27−25) KV/100
0μA−2MΩとなる。これに対し、I、tの分流手段
を講じれば、出力インピーダンス20gは第13図から
、Z−z−(26,1−24,9) KV/ 1000
/7 A =1.2MΩとなり、出力インピーダンスの
かなり大幅な改善が図られたことになる。
て、高圧電流!、の可変設定範囲がO〜1000μAの
範囲に設定されているとすれば、高圧電流INの分流手
段を講じない場合、出力、インピーダ7 スZ @ l
は第12図からZ、、−(27−25) KV/100
0μA−2MΩとなる。これに対し、I、tの分流手段
を講じれば、出力インピーダンス20gは第13図から
、Z−z−(26,1−24,9) KV/ 1000
/7 A =1.2MΩとなり、出力インピーダンスの
かなり大幅な改善が図られたことになる。
しかしながら、今日においては、ブラウン管15の画質
に対する高精細化の要請がますます強くなり、出力イン
ピーダンスを更に小さくすることが望まれている。しか
も、その出力インピーダンスを低下させる場合、電力損
失を伴わない手段が強く望まれ、前記のように、固定抵
抗器18と可変抵抗器20を介してI I+の分流を図
る方法は、かかる要望にすでに応えられなくなっており
、もはや市場に受は入れられなくなりつつある。
に対する高精細化の要請がますます強くなり、出力イン
ピーダンスを更に小さくすることが望まれている。しか
も、その出力インピーダンスを低下させる場合、電力損
失を伴わない手段が強く望まれ、前記のように、固定抵
抗器18と可変抵抗器20を介してI I+の分流を図
る方法は、かかる要望にすでに応えられなくなっており
、もはや市場に受は入れられなくなりつつある。
本発明は上記事情に鑑みなされたものであり、その目的
は、電力損失を伴うことなく出力インピーダンスの大幅
な低下、換言すれば、高圧電流の変化に対して高圧電圧
の安定化を図ることができる高圧発生回路を提供するこ
とにある。
は、電力損失を伴うことなく出力インピーダンスの大幅
な低下、換言すれば、高圧電流の変化に対して高圧電圧
の安定化を図ることができる高圧発生回路を提供するこ
とにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は上記目的を達成するため、次のように構成され
ている。すなわち、本発明は、水平偏向出力回路から加
えられるフライバックパルスをフライバックトランスで
昇圧し、高圧出力電圧を同トランスを構成する高圧コイ
ルの高圧側からブラウン管のアノードに加える高圧発生
回路において、フライバックトランスのコアに巻装され
加算電圧を発生する加算電圧発生コイルと、スイッチン
グトランジスタを含み該スイッチングトランジスタのオ
ン期間だけゲートを開いて前記加算電圧発生コイルで発
生した加算電圧を高圧出力電圧に加えるスイッチング回
路と、高圧出力電圧の変化を検出し高圧出力電圧の低下
量が大きくなるにしたがい前記スイッチングトランジス
タのオン動作期間を長く制御するスイッチング制御回路
と、前記スイッチングトランジスタのコレクタ・エミッ
タ間に直流のバイアス電圧を加えキャリアの抜け出しを
促進してスイッチングオフスピードを速めるストレージ
タイム調整用電源回路と、を有することを特徴として構
成されている。
ている。すなわち、本発明は、水平偏向出力回路から加
えられるフライバックパルスをフライバックトランスで
昇圧し、高圧出力電圧を同トランスを構成する高圧コイ
ルの高圧側からブラウン管のアノードに加える高圧発生
回路において、フライバックトランスのコアに巻装され
加算電圧を発生する加算電圧発生コイルと、スイッチン
グトランジスタを含み該スイッチングトランジスタのオ
ン期間だけゲートを開いて前記加算電圧発生コイルで発
生した加算電圧を高圧出力電圧に加えるスイッチング回
路と、高圧出力電圧の変化を検出し高圧出力電圧の低下
量が大きくなるにしたがい前記スイッチングトランジス
タのオン動作期間を長く制御するスイッチング制御回路
と、前記スイッチングトランジスタのコレクタ・エミッ
タ間に直流のバイアス電圧を加えキャリアの抜け出しを
促進してスイッチングオフスピードを速めるストレージ
タイム調整用電源回路と、を有することを特徴として構
成されている。
上記のように構成されている本発明において、例えば、
ブラウン管の輝度上昇調整等によりアノードへ高圧出力
電流が流れて高圧出力電圧が低下すると、その電圧低下
はスイッチング制御回路の電圧検出部で検出される。ス
イッチング制御回路はこの検出電圧に基づいて、例えば
、電圧低下量に比例したパルス長のオン信号をスイッチ
ング回路のスイッチングトランジスタに加える。スイッ
チングトランジスタはこのスイッチング制御回路から加
えられる制御信号のオン区間だけオン動作を行い、その
オン区間だけ加算電圧発生コイルで発生した加算電圧を
高圧出力電圧に加えるのである。したがって、高圧出力
電圧の低下量が大きくなれば、それに応じてスイッチン
グトランジスタのオン動作区間も長くなり、加えられる
加算電圧の大きさが大きくなる。逆に、高圧出力電圧の
低下量が小さければ、スイッチングトランジスタのオン
区間が短くなるので加えられる加算電圧の大きさも小さ
くなる。このように、高圧出力電圧の低下量に応じてス
イッチングトランジスタのオン動作する区間が制御され
、高圧出力電圧を安定化する方向に制御が行われるので
ある。
ブラウン管の輝度上昇調整等によりアノードへ高圧出力
電流が流れて高圧出力電圧が低下すると、その電圧低下
はスイッチング制御回路の電圧検出部で検出される。ス
イッチング制御回路はこの検出電圧に基づいて、例えば
、電圧低下量に比例したパルス長のオン信号をスイッチ
ング回路のスイッチングトランジスタに加える。スイッ
チングトランジスタはこのスイッチング制御回路から加
えられる制御信号のオン区間だけオン動作を行い、その
オン区間だけ加算電圧発生コイルで発生した加算電圧を
高圧出力電圧に加えるのである。したがって、高圧出力
電圧の低下量が大きくなれば、それに応じてスイッチン
グトランジスタのオン動作区間も長くなり、加えられる
加算電圧の大きさが大きくなる。逆に、高圧出力電圧の
低下量が小さければ、スイッチングトランジスタのオン
区間が短くなるので加えられる加算電圧の大きさも小さ
くなる。このように、高圧出力電圧の低下量に応じてス
イッチングトランジスタのオン動作する区間が制御され
、高圧出力電圧を安定化する方向に制御が行われるので
ある。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。なお
、本実施例の説明において、従来例と同一の回路部分に
は同一符号を付し、その重複説明を省略する。
、本実施例の説明において、従来例と同一の回路部分に
は同一符号を付し、その重複説明を省略する。
第1図には本発明の第1の実施例を示す回路構成が示さ
れている。
れている。
本実施例が従来例と異なる特徴的なことは、加算電圧発
生コイル21と、スイッチング回路23と、スイッチン
グ制御回路59と、ストレージタイム調整用電源回路6
0と、多倍圧回路46とが設けられていることである。
生コイル21と、スイッチング回路23と、スイッチン
グ制御回路59と、ストレージタイム調整用電源回路6
0と、多倍圧回路46とが設けられていることである。
前記加算電圧発生コイル2工は、フライバックトランス
2のコア10に他のコイルと絶縁して巻装されるもので
、そのコイル21の巻き始め端側には入力タップ19が
設けられており、また、同コイル21の出力端側(巻き
終り側)には出力タップ24が設けられている。この出
力タップ24は、同コイル21で発生した加算電圧el
を出力するものである。
2のコア10に他のコイルと絶縁して巻装されるもので
、そのコイル21の巻き始め端側には入力タップ19が
設けられており、また、同コイル21の出力端側(巻き
終り側)には出力タップ24が設けられている。この出
力タップ24は、同コイル21で発生した加算電圧el
を出力するものである。
一方、高圧コイル12の高圧側(高圧整流ダイオード1
4のカソード側)には固定抵抗器28の一端が接続され
、同抵抗器28の他端側にはフォーカス電圧調整用の可
変抵抗器VR,,スクリーン電圧調整用の可変抵抗器V
R,,高圧出力電圧調整用の可変抵抗器VR,が順に直
列接続されており、そのうち、固定抵抗器28と可変抵
抗器VR,,VR1の部分はフォーカスパックの回路部
分となっており、また、可変抵抗器VR,は高圧出力電
圧E、の電圧検出部9を構成している。そして、可変抵
抗器VR,の他端側は基準電位(図ではアース側)に接
続されている。
4のカソード側)には固定抵抗器28の一端が接続され
、同抵抗器28の他端側にはフォーカス電圧調整用の可
変抵抗器VR,,スクリーン電圧調整用の可変抵抗器V
R,,高圧出力電圧調整用の可変抵抗器VR,が順に直
列接続されており、そのうち、固定抵抗器28と可変抵
抗器VR,,VR1の部分はフォーカスパックの回路部
分となっており、また、可変抵抗器VR,は高圧出力電
圧E、の電圧検出部9を構成している。そして、可変抵
抗器VR,の他端側は基準電位(図ではアース側)に接
続されている。
前記可変抵抗器VR,はその摺動端子により高圧出力電
圧E□を検出し、この検出電圧e6を比較増幅器22の
第1の入力端子に加えている。
圧E□を検出し、この検出電圧e6を比較増幅器22の
第1の入力端子に加えている。
前記スイッチング制御回路59は基準電圧発生回路3と
、電圧検出部9と、比較増幅器22と、トランジスタ制
御回路39とによって構成されている。
、電圧検出部9と、比較増幅器22と、トランジスタ制
御回路39とによって構成されている。
前記基準電圧発生回路3は制御電圧発生コイル25と、
整流器26と、矩形波出力回路27と、固定抵抗器29
と、積分回路31とからなり、前記矩形波出力回路27
は増幅器32とクリップ回路33からなる。
整流器26と、矩形波出力回路27と、固定抵抗器29
と、積分回路31とからなり、前記矩形波出力回路27
は増幅器32とクリップ回路33からなる。
制御電圧発生コイル25はフライバックトランス2のコ
アlOに他のコイルと絶縁させて低圧側に巻装され、第
2図(a)に示すフライバックパルス波形の制御ift
圧e2を発生する。この制御電圧発生コイル25の高圧
側(巻き終わり側)は基準電位(図ではアース側)に接
続されており、同コイル25の低圧側(巻き始め側)は
固定抵抗器29を介して増幅器32のマイナス側端子に
接続されている。
アlOに他のコイルと絶縁させて低圧側に巻装され、第
2図(a)に示すフライバックパルス波形の制御ift
圧e2を発生する。この制御電圧発生コイル25の高圧
側(巻き終わり側)は基準電位(図ではアース側)に接
続されており、同コイル25の低圧側(巻き始め側)は
固定抵抗器29を介して増幅器32のマイナス側端子に
接続されている。
なお、増幅器32のプラス側端子は基準電位(図ではア
ース側)に接続されており、また、増幅器32のプラス
側端子とマイナス側端子間にはマイナス側端子の方をカ
ソード側にして整流器(図ではダイオード)26が接続
されている。尚、増幅器32の入力がトランジスタのベ
ースで構成されている場合は、そのトランジスタのベー
ス−エミッタ間の等価ダイオードにより入力波形を整流
するので、整流器26は不要となる。
ース側)に接続されており、また、増幅器32のプラス
側端子とマイナス側端子間にはマイナス側端子の方をカ
ソード側にして整流器(図ではダイオード)26が接続
されている。尚、増幅器32の入力がトランジスタのベ
ースで構成されている場合は、そのトランジスタのベー
ス−エミッタ間の等価ダイオードにより入力波形を整流
するので、整流器26は不要となる。
前記整流器26は制御電圧発生コイル25で発生した電
圧e2を整流して(負の成分をカットして)電圧e2の
正の成分のみを増幅器32の反転入力端、すなわち、マ
イナス側端子に入力する。増幅器32はこの入力電圧を
増幅してその出力をクリップ回路33へ加える。クリッ
プ回路33は前記増幅器32によって増幅された電圧波
形の頭部を切断し、第2図(b)に示すように、帰線期
間T1をパルス幅とする矩形波(本件明細書では、矩形
波は長方形の波形ばかりでなく正方形の波形をも含む広
い意味で使用している)の電圧e、を作り出し、これを
積分回路31に加えている。この積分回路31は、矩形
波電圧e3を帰線期間T、の期間に亘って積分し、第2
図(c)に示すように帰線期間の始点の位置を零とし、
同期間の終点の位置でピーク値となる右上がりの波形を
作り出す、この場合、帰線期間T、を越える範囲は積分
が行われないから、波形はピーク位置から放電(積分回
路のコンデンサからの放電)等により電圧波形は右下が
りとなり、全体的に帰線期間T、の終点の位置でピーク
となる三角波(鋸歯状波)の電圧e、が作り出される。
圧e2を整流して(負の成分をカットして)電圧e2の
正の成分のみを増幅器32の反転入力端、すなわち、マ
イナス側端子に入力する。増幅器32はこの入力電圧を
増幅してその出力をクリップ回路33へ加える。クリッ
プ回路33は前記増幅器32によって増幅された電圧波
形の頭部を切断し、第2図(b)に示すように、帰線期
間T1をパルス幅とする矩形波(本件明細書では、矩形
波は長方形の波形ばかりでなく正方形の波形をも含む広
い意味で使用している)の電圧e、を作り出し、これを
積分回路31に加えている。この積分回路31は、矩形
波電圧e3を帰線期間T、の期間に亘って積分し、第2
図(c)に示すように帰線期間の始点の位置を零とし、
同期間の終点の位置でピーク値となる右上がりの波形を
作り出す、この場合、帰線期間T、を越える範囲は積分
が行われないから、波形はピーク位置から放電(積分回
路のコンデンサからの放電)等により電圧波形は右下が
りとなり、全体的に帰線期間T、の終点の位置でピーク
となる三角波(鋸歯状波)の電圧e、が作り出される。
この三角波の電圧波形はいずれの帰線期間Trにおいて
も一定の形状を保つ。この三角波電圧e。
も一定の形状を保つ。この三角波電圧e。
は比較増幅器22の第2の入力端子に加えられる。
比較増幅器22は三角波電圧e、と前記電圧検出部9の
可変抵抗器VMIから加えられる検出電圧e6とを比較
しく第2図(c)) 、三角波電圧esが検出電圧e
、を超える区間へしたけ(図ではL3〜1sの区間とt
7〜L1゜の区間)負(零を含む)の定電圧となり、そ
れ以外は走査期間をも含めて正の一定レベルの電圧とな
る制御信号e、を反転増幅器54に加える。そして、こ
の反転増幅器54によって正負が反転された出力信号e
8はスイッチング回路23に加えられる。なお、本明細
書において、比較増幅器54は三角波電圧e、と検出電
圧e6とを比較し、その差に対応する電圧を出力する機
能を備えた回路であれば名称の如何を問わずどのような
回路でもよ(、例えば、差動増幅器、コンパレータ、演
算増幅器等、これらに準する各種の回路を包含する意味
で使用されている。
可変抵抗器VMIから加えられる検出電圧e6とを比較
しく第2図(c)) 、三角波電圧esが検出電圧e
、を超える区間へしたけ(図ではL3〜1sの区間とt
7〜L1゜の区間)負(零を含む)の定電圧となり、そ
れ以外は走査期間をも含めて正の一定レベルの電圧とな
る制御信号e、を反転増幅器54に加える。そして、こ
の反転増幅器54によって正負が反転された出力信号e
8はスイッチング回路23に加えられる。なお、本明細
書において、比較増幅器54は三角波電圧e、と検出電
圧e6とを比較し、その差に対応する電圧を出力する機
能を備えた回路であれば名称の如何を問わずどのような
回路でもよ(、例えば、差動増幅器、コンパレータ、演
算増幅器等、これらに準する各種の回路を包含する意味
で使用されている。
スイッチング回路23は、ドライブトランジスタ34と
、ダイオード35.36と、抵抗器37 、38と、コ
ンデンサ40と、駆動電源41と、ドライブトランス4
2と、スイッチングトランジスタ43とからなる。
、ダイオード35.36と、抵抗器37 、38と、コ
ンデンサ40と、駆動電源41と、ドライブトランス4
2と、スイッチングトランジスタ43とからなる。
ドライブトランジスタ34は、ベース側が反転増幅器5
4の出力端に接続され、また、エミッタ側は抵抗器37
およびコンデンサ40の一端側と駆動電源41の負側と
の共通接続部に接続されており、この共通接続部はさら
に基準電位(図ではアース側)に接続されている。前記
抵抗器37とコンデンサ40のそれぞれの他端側はダイ
オード35のカソード側に共通接続され、同ダイオード
35のアノード側はドライブトランジスタ34のコレク
タとドライブトランス42を構成する一次コイル44の
高圧側(巻き終り側)との接続部に共通して接続されて
いる。これら、抵抗器37と、コンデンサ40と、ダイ
オード35はスナバ回路を形成している。また、−次コ
イル44の低圧側(巻き始め側)は抵抗器38を介して
駆動電源41の正側に接続されている。
4の出力端に接続され、また、エミッタ側は抵抗器37
およびコンデンサ40の一端側と駆動電源41の負側と
の共通接続部に接続されており、この共通接続部はさら
に基準電位(図ではアース側)に接続されている。前記
抵抗器37とコンデンサ40のそれぞれの他端側はダイ
オード35のカソード側に共通接続され、同ダイオード
35のアノード側はドライブトランジスタ34のコレク
タとドライブトランス42を構成する一次コイル44の
高圧側(巻き終り側)との接続部に共通して接続されて
いる。これら、抵抗器37と、コンデンサ40と、ダイ
オード35はスナバ回路を形成している。また、−次コ
イル44の低圧側(巻き始め側)は抵抗器38を介して
駆動電源41の正側に接続されている。
一方、ドライブトランス42の二次コイル45はその低
圧側(巻き始め側)がスイッチングトランジスタ43の
ベース側に接続され、また、同コイル45の高圧側(巻
き終り側)はスイッチングトランジスタ43のエミッタ
側に接続されている。スイッチングトランジスタ43の
コレクタ側はダイオード36のカソード側に接続され、
さらにこの両者43.36の接続部は加算電圧発生コイ
ル21の出力タップ24に接続されている。ダイオード
36のアノード側はストレージタイム調整用電源回路6
0としての直流電源61の陽極に接続されており、同電
源゛61の陰極は前記スイッチングトランジスタ43の
エミッタ側に接続されている。このトランジスタ43の
エミッタ側はスイッチング回路23の出力端となって多
倍圧回路46の入力端に接続されている。また、加算電
圧発生コイル21の低圧側(巻き始め側)は入力タップ
19を介してABL側に通じている。このスイッチング
回路23は制御信号e7が零の電圧のとき、換言すれば
、反転増幅器54からの出力信号e−が正の電圧のとき
、後述の所定期間ゲートを開いて第2図(m)に示すパ
ルス電圧etaを多倍圧回路4Gに加えるものである。
圧側(巻き始め側)がスイッチングトランジスタ43の
ベース側に接続され、また、同コイル45の高圧側(巻
き終り側)はスイッチングトランジスタ43のエミッタ
側に接続されている。スイッチングトランジスタ43の
コレクタ側はダイオード36のカソード側に接続され、
さらにこの両者43.36の接続部は加算電圧発生コイ
ル21の出力タップ24に接続されている。ダイオード
36のアノード側はストレージタイム調整用電源回路6
0としての直流電源61の陽極に接続されており、同電
源゛61の陰極は前記スイッチングトランジスタ43の
エミッタ側に接続されている。このトランジスタ43の
エミッタ側はスイッチング回路23の出力端となって多
倍圧回路46の入力端に接続されている。また、加算電
圧発生コイル21の低圧側(巻き始め側)は入力タップ
19を介してABL側に通じている。このスイッチング
回路23は制御信号e7が零の電圧のとき、換言すれば
、反転増幅器54からの出力信号e−が正の電圧のとき
、後述の所定期間ゲートを開いて第2図(m)に示すパ
ルス電圧etaを多倍圧回路4Gに加えるものである。
スイッチング回路23の入力端側にはトランジスタ制御
回路39が接続されている。このトランジスタ制御回路
39は第1のトランジスタ47と、第2のトランジスタ
48と、微分回路50とからなる。この両トランジスタ
47.48のコレクタ同志は前記ドライブトランジスタ
34のベース側に共通接続され、また、両トランジスタ
47.48のエミッタ同志はドライブトランジスタ34
のエミッタ側に共通接続されている。そして、第1のト
ランジスタ47のベースは前記固定抵抗器29の出力端
側に接続され、また、第2のトランジスタ48のベース
は微分回路50を介してクリップ回路33の出力端に接
続されている。
回路39が接続されている。このトランジスタ制御回路
39は第1のトランジスタ47と、第2のトランジスタ
48と、微分回路50とからなる。この両トランジスタ
47.48のコレクタ同志は前記ドライブトランジスタ
34のベース側に共通接続され、また、両トランジスタ
47.48のエミッタ同志はドライブトランジスタ34
のエミッタ側に共通接続されている。そして、第1のト
ランジスタ47のベースは前記固定抵抗器29の出力端
側に接続され、また、第2のトランジスタ48のベース
は微分回路50を介してクリップ回路33の出力端に接
続されている。
前記多倍圧回路46は第1から第3の各ダイオード51
.52.53と第1から第3の各コンデンサ55゜56
、57とによって構成されている。前記第1のダイオー
ド51のアノード側は前記スイッチングトランジスタ4
3のエミッタ側に接続されており、同ダイオード51の
カソード側は第2のダイオード52のアノード側に、同
ダイオード52のカソード側は第3のダイオード53の
アノード側にそれぞれ接続されてダイオードの直列接続
体が形成されており、この第3のダイオード53のカソ
ード側は高圧コイル12の低圧側に接続されている。
.52.53と第1から第3の各コンデンサ55゜56
、57とによって構成されている。前記第1のダイオー
ド51のアノード側は前記スイッチングトランジスタ4
3のエミッタ側に接続されており、同ダイオード51の
カソード側は第2のダイオード52のアノード側に、同
ダイオード52のカソード側は第3のダイオード53の
アノード側にそれぞれ接続されてダイオードの直列接続
体が形成されており、この第3のダイオード53のカソ
ード側は高圧コイル12の低圧側に接続されている。
また、第1のコンデンサ55の一端側は前記スイッチン
グトランジスタ43のエミッタと第1のダイオード51
のアノード側との共通接続部に接続され、同コンデンサ
55の他端側は第2のダイオード52のカソード側と第
3のダイオード53のアノード側との接続部に接続され
ている。そして、第2のコンデンサ56の一端側は第1
のダイオード51のカソードと第2のダイオード52の
アノードとの接続部に接続されており、また、第3のコ
ンデンサ57の一端側は第3のダイオード53のカソー
ド側に接続されており、これら、第2のコンデンサ56
と第3のコンデンサ57の他端側同志は共にABL側に
接続されている。また、このABL側にはダイオード5
8のアノード側が接続され、同ダイオード58のカソー
ド側は第1のダイオード51と第2のダイオード52と
の接続部又は第2のダイオード52と第3のダイオード
53との接続部(第1図では第1のダイオード51と第
2のダイオード52との接続部)に接続される。
グトランジスタ43のエミッタと第1のダイオード51
のアノード側との共通接続部に接続され、同コンデンサ
55の他端側は第2のダイオード52のカソード側と第
3のダイオード53のアノード側との接続部に接続され
ている。そして、第2のコンデンサ56の一端側は第1
のダイオード51のカソードと第2のダイオード52の
アノードとの接続部に接続されており、また、第3のコ
ンデンサ57の一端側は第3のダイオード53のカソー
ド側に接続されており、これら、第2のコンデンサ56
と第3のコンデンサ57の他端側同志は共にABL側に
接続されている。また、このABL側にはダイオード5
8のアノード側が接続され、同ダイオード58のカソー
ド側は第1のダイオード51と第2のダイオード52と
の接続部又は第2のダイオード52と第3のダイオード
53との接続部(第1図では第1のダイオード51と第
2のダイオード52との接続部)に接続される。
本実施例は上記のように構成されており、以下、高圧出
力電圧Ellの安定化作用について説明する。
力電圧Ellの安定化作用について説明する。
ブラ。ラン管15の輝度を上げると、アノード16に高
圧電流1□が流れ、高圧発注部の内部インピーダンス等
の影響を受けて、高圧出力電圧E、が降下し、これに伴
い電圧検出部9で検出される電圧e、も低下する。この
検出電圧e、が低下すると第2図(C)に示すように、
同検出電圧e6が積分回路31で作り出される三角波電
圧e、のピーク位置よりも下方に下がるから、帰線期間
のΔL1の区間と帰線期間を越えたΔLtの区間で三角
波電圧esが検出電圧e6を超える。第2図(c)では
t、〜L、の期間で検出される検出電圧e6よりもt7
〜tooのM間で検出される検出電圧e、の方が低下し
ている場合が示されており、検出電圧eh、つまり高圧
出力電圧E、が低下すればするほどΔt(ただし、ΔL
=Δt1+Δtりの区間が広くなり、比較増幅器22か
ら出力される制御信号eiの負電圧(図では零の電圧)
の区間が広くなる(第2図(d))。この制御信号e7
は反転増幅器54によって波形が反転され、その出力電
圧e、がスイッチング回路23に加えられる。
圧電流1□が流れ、高圧発注部の内部インピーダンス等
の影響を受けて、高圧出力電圧E、が降下し、これに伴
い電圧検出部9で検出される電圧e、も低下する。この
検出電圧e、が低下すると第2図(C)に示すように、
同検出電圧e6が積分回路31で作り出される三角波電
圧e、のピーク位置よりも下方に下がるから、帰線期間
のΔL1の区間と帰線期間を越えたΔLtの区間で三角
波電圧esが検出電圧e6を超える。第2図(c)では
t、〜L、の期間で検出される検出電圧e6よりもt7
〜tooのM間で検出される検出電圧e、の方が低下し
ている場合が示されており、検出電圧eh、つまり高圧
出力電圧E、が低下すればするほどΔt(ただし、ΔL
=Δt1+Δtりの区間が広くなり、比較増幅器22か
ら出力される制御信号eiの負電圧(図では零の電圧)
の区間が広くなる(第2図(d))。この制御信号e7
は反転増幅器54によって波形が反転され、その出力電
圧e、がスイッチング回路23に加えられる。
(この場合、e、の波形を反転増幅器54で反転すると
e−の波形(第2図(e))となるが、t4〜Lsおよ
びtv〜t1゜の期間は走査期間T、に入っているので
、後述の如く、スイッチングトランジスタ43がカット
オフするので、結果的にはe8の波形の電圧がドライブ
トランジスタ34のベースに加えられる)以下、その出
力電圧e、がスイッチング回路23に加えられたときの
回路動作を説明すると次のようになる。
e−の波形(第2図(e))となるが、t4〜Lsおよ
びtv〜t1゜の期間は走査期間T、に入っているので
、後述の如く、スイッチングトランジスタ43がカット
オフするので、結果的にはe8の波形の電圧がドライブ
トランジスタ34のベースに加えられる)以下、その出
力電圧e、がスイッチング回路23に加えられたときの
回路動作を説明すると次のようになる。
まず、検出電圧e6が三角波の電圧e、の始点位置の電
圧(零電圧)とピーク値の電圧との間にあるときには、
帰線期間T、のり、〜L、の期間において、三角波電圧
e、よりも検出電圧e6の方が大きいから、反転増幅器
54は零の電圧e、をドライブトランジスタ34のベー
スに印加する。この結果、ドライブトランジスタ34は
カットオフとなり、同トランジスタ34のコレクタ電圧
ell+(第2図(j))は正電圧となる。この結果、
駆動電源41からドライブトランス42の一次コイル4
4に電流が流れず、同トランス42はオフ動作となり、
これに伴いスイッチングトランジスタ43のベース電圧
e11(第2図(k))は零となるので、スイッチング
トランジスタ43はカットオフしてゲートを閉じる。し
たがって、加算電圧発生コイル21から多倍圧回路46
に加算電圧e、2(第2図(m))は加えられない。
圧(零電圧)とピーク値の電圧との間にあるときには、
帰線期間T、のり、〜L、の期間において、三角波電圧
e、よりも検出電圧e6の方が大きいから、反転増幅器
54は零の電圧e、をドライブトランジスタ34のベー
スに印加する。この結果、ドライブトランジスタ34は
カットオフとなり、同トランジスタ34のコレクタ電圧
ell+(第2図(j))は正電圧となる。この結果、
駆動電源41からドライブトランス42の一次コイル4
4に電流が流れず、同トランス42はオフ動作となり、
これに伴いスイッチングトランジスタ43のベース電圧
e11(第2図(k))は零となるので、スイッチング
トランジスタ43はカットオフしてゲートを閉じる。し
たがって、加算電圧発生コイル21から多倍圧回路46
に加算電圧e、2(第2図(m))は加えられない。
次に、帰線期間T、のむ、〜t4の区間では、三角波電
圧e5よりも検出電圧e、の方が小さいから、制御信号
e、はL3で下方に立ち上がり(本明細書では立ち上が
るという用語は上方に立ち上がるばかりでなく下方に立
ち上がる(立ち下がる)場合も含めて使用している)零
電圧となり、これに伴い反転増幅器54は正の電圧e、
をドライブトランジスタ34のベースに加える。この結
果、同トランジスタ34はオン動作し、駆動電源41か
ら一次コイル44に電流が流れる。そして、二次コイル
45を介してスイッチングトランジスタ430ベースに
正のパルスe、が印加され、同トランジスタ43はオン
状態となる。このとき、加算電圧発生コイル21の出力
端には1000〜2500 V前後のフライバックパル
スel (第2図(i!、))が発生しており、この
加算電圧e1が出力タップ24からスイッチングトラン
ジスタ43のコレクタに印加されている。
圧e5よりも検出電圧e、の方が小さいから、制御信号
e、はL3で下方に立ち上がり(本明細書では立ち上が
るという用語は上方に立ち上がるばかりでなく下方に立
ち上がる(立ち下がる)場合も含めて使用している)零
電圧となり、これに伴い反転増幅器54は正の電圧e、
をドライブトランジスタ34のベースに加える。この結
果、同トランジスタ34はオン動作し、駆動電源41か
ら一次コイル44に電流が流れる。そして、二次コイル
45を介してスイッチングトランジスタ430ベースに
正のパルスe、が印加され、同トランジスタ43はオン
状態となる。このとき、加算電圧発生コイル21の出力
端には1000〜2500 V前後のフライバックパル
スel (第2図(i!、))が発生しており、この
加算電圧e1が出力タップ24からスイッチングトラン
ジスタ43のコレクタに印加されている。
したがって、このtJ−Liの区間(ΔElの区間)で
トランジスタ43がオンしてゲートを開くから、e、の
その区間の波形部分の波高値電圧e1□(第2図(m)
)が同トランジスタ43のゲートを通ってエミッタ側か
ら多倍圧回路46に加えられる。
トランジスタ43がオンしてゲートを開くから、e、の
その区間の波形部分の波高値電圧e1□(第2図(m)
)が同トランジスタ43のゲートを通ってエミッタ側か
ら多倍圧回路46に加えられる。
次に、t、〜L、の区間では前記t3〜t4の区間の場
合と同様に65 > e &の関係が成り立ち、スイッ
チングトランジスタ43のベースに正のパルスe11が
印加されるが、このt4〜も、の区間は走査期間に入っ
ているため、同トランジスタ43のコレクタ側は加算電
圧e、の負の電圧成分E、が印加され、同トランジスタ
43はオフとなりゲートを閉じる。したがって、同トラ
ンジスタ43のエミッタ側から多倍圧回路46に加えら
れる電圧el!は零となる。
合と同様に65 > e &の関係が成り立ち、スイッ
チングトランジスタ43のベースに正のパルスe11が
印加されるが、このt4〜も、の区間は走査期間に入っ
ているため、同トランジスタ43のコレクタ側は加算電
圧e、の負の電圧成分E、が印加され、同トランジスタ
43はオフとなりゲートを閉じる。したがって、同トラ
ンジスタ43のエミッタ側から多倍圧回路46に加えら
れる電圧el!は零となる。
次に、t5〜1.の区間ではe、>6.の関係となり、
ドライブトランジスタ34およびスイッチングトランジ
スタ43はカットオフとなり、同トランジスタ43がゲ
ートを閉じるから、多倍圧回路46に加えられる電圧e
1□は零となる。
ドライブトランジスタ34およびスイッチングトランジ
スタ43はカットオフとなり、同トランジスタ43がゲ
ートを閉じるから、多倍圧回路46に加えられる電圧e
1□は零となる。
以上のように、検出電圧e6が電圧e、の三角波の零電
圧とピーク値の電圧との間にあるときには、スイッチン
グ回路23は帰線期間内で制御信号e7が零の電圧とな
る位置(正の電圧から零電圧に負の方向に立ち上がる位
置)から帰線期間の終点の位置までのΔL、の区間での
みゲートを開き、加算電圧e+のその区間の波形部分の
電圧e+zを多倍圧回路46に加えるのである。この場
合、高圧出力電圧E11が低くなればそれだけΔL1の
幅が大きくなり、ゲートを開いている時間も長くなるか
ら、スイッチング回路23から多倍圧回路46に加えら
れる電圧e+zも大きくなる。
圧とピーク値の電圧との間にあるときには、スイッチン
グ回路23は帰線期間内で制御信号e7が零の電圧とな
る位置(正の電圧から零電圧に負の方向に立ち上がる位
置)から帰線期間の終点の位置までのΔL、の区間での
みゲートを開き、加算電圧e+のその区間の波形部分の
電圧e+zを多倍圧回路46に加えるのである。この場
合、高圧出力電圧E11が低くなればそれだけΔL1の
幅が大きくなり、ゲートを開いている時間も長くなるか
ら、スイッチング回路23から多倍圧回路46に加えら
れる電圧e+zも大きくなる。
次に、検出電圧e、が三角波電圧e、のピーク値と等し
いか又はこれよりも大きいとき、つまり、高圧出力電圧
E IIに電圧降下がないときはe、の三角波とe、と
が交叉することはないので、制御信号etのパルスは発
生せず、同信号e?は帰線期間T、、から走査期間T1
1にかけて正の一定レベルの電圧となる。
いか又はこれよりも大きいとき、つまり、高圧出力電圧
E IIに電圧降下がないときはe、の三角波とe、と
が交叉することはないので、制御信号etのパルスは発
生せず、同信号e?は帰線期間T、、から走査期間T1
1にかけて正の一定レベルの電圧となる。
この結果、反転増幅器54からの出力電圧e、は零とな
り、ドライブトランジスタ34およびスイッチングトラ
ンジスタ43はカットオフして多倍圧回路46に電圧e
+zが加えられることはない。
り、ドライブトランジスタ34およびスイッチングトラ
ンジスタ43はカットオフして多倍圧回路46に電圧e
+zが加えられることはない。
次に、検出電圧e、が三角波電圧eSの三角波の始点位
置の電圧(零電圧)よりも低下したときは、e7は帰線
期間と走査期間の全期間にかけて零電圧となるので、C
11は正電圧(正の直流電圧)となり、高圧出力電圧E
Hが大きく降下するにもかかわらず電圧e、□が多倍圧
回路46に加えられないという不都合を生じる。
置の電圧(零電圧)よりも低下したときは、e7は帰線
期間と走査期間の全期間にかけて零電圧となるので、C
11は正電圧(正の直流電圧)となり、高圧出力電圧E
Hが大きく降下するにもかかわらず電圧e、□が多倍圧
回路46に加えられないという不都合を生じる。
本実施例では、かかる不都合を第1のトランジスタ47
を設けることによって次のように解消している。第3図
にはこの第1のトランジスタ47を設けたときの各回路
部分の波形がehくOの条件のもとで示されている。こ
のe、<0のもとでは、第1のトランジスタ47のベー
ス側には固定抵抗器29の出力端側から走査1υ1間が
正の電圧で、帰線期間が零電圧となるパルスee (
第2図(i))が印加されている。したがって、第1の
トランジスタ47は帰線力1間T、、でカットオフとな
り、同トランジスタのコレクタ電圧は正電圧となる。つ
まり、ドライブトランジスタ340ベースには帰線期間
T、で正となるパルスeaが印加されることとなり、そ
の結果、同ドライブトランジスタ34はオン動作して帰
線期間の全期間にかけてゲートを開く。−方、このとき
、スイッチングトランジスタ43のベースには帰線期間
の始点を起点とするパルス電流12 (第3図(C)
)が流れる。これに伴いこの■2のパルス区間とほぼ同
一の区間、スイッチングトランジスタ43のコレクタ側
にパルス電流■。
を設けることによって次のように解消している。第3図
にはこの第1のトランジスタ47を設けたときの各回路
部分の波形がehくOの条件のもとで示されている。こ
のe、<0のもとでは、第1のトランジスタ47のベー
ス側には固定抵抗器29の出力端側から走査1υ1間が
正の電圧で、帰線期間が零電圧となるパルスee (
第2図(i))が印加されている。したがって、第1の
トランジスタ47は帰線力1間T、、でカットオフとな
り、同トランジスタのコレクタ電圧は正電圧となる。つ
まり、ドライブトランジスタ340ベースには帰線期間
T、で正となるパルスeaが印加されることとなり、そ
の結果、同ドライブトランジスタ34はオン動作して帰
線期間の全期間にかけてゲートを開く。−方、このとき
、スイッチングトランジスタ43のベースには帰線期間
の始点を起点とするパルス電流12 (第3図(C)
)が流れる。これに伴いこの■2のパルス区間とほぼ同
一の区間、スイッチングトランジスタ43のコレクタ側
にパルス電流■。
(第3図(d))が流れる。この結果、11のパルス幅
に対応する加算電圧e1の成分(第3図(e)の波形の
斜線部分)が多倍圧回路46を介して高圧コイル12に
加えられるのである。
に対応する加算電圧e1の成分(第3図(e)の波形の
斜線部分)が多倍圧回路46を介して高圧コイル12に
加えられるのである。
しかしながら、−S的なドライブトランス42を用いて
スイッチング回路23を構成する場合、■。
スイッチング回路23を構成する場合、■。
のパルスの終点位置がe、のパルスのピーク位置よりも
十分に手前になってしまい(スイッチングトランジスタ
43のオン期間が短かすぎるため)、高圧コイル12に
加える電圧e1□を大きくできないという不都合が生じ
る。もちろん、ドライブトランス42のコイルの巻数を
大きくしたり、あるいはコアを大きくすればI、のパル
ス幅が大きくなり、加える電圧e12を大きくできるが
、そうすると、ドライブトランス42の容量が大きくな
り、しかも動作時間が長くなるため、同ドライブトラン
ス42やスイッチングトランジスタ43からの発熱や消
費電力も大きくなり、また、ドライブトランス42も高
価なものになってしまうという新たな問題が生じる。
十分に手前になってしまい(スイッチングトランジスタ
43のオン期間が短かすぎるため)、高圧コイル12に
加える電圧e1□を大きくできないという不都合が生じ
る。もちろん、ドライブトランス42のコイルの巻数を
大きくしたり、あるいはコアを大きくすればI、のパル
ス幅が大きくなり、加える電圧e12を大きくできるが
、そうすると、ドライブトランス42の容量が大きくな
り、しかも動作時間が長くなるため、同ドライブトラン
ス42やスイッチングトランジスタ43からの発熱や消
費電力も大きくなり、また、ドライブトランス42も高
価なものになってしまうという新たな問題が生じる。
本実施例ではこのような問題を効果的に解消するため、
微分回路50と第2のコンデンサ56とを設けている。
微分回路50と第2のコンデンサ56とを設けている。
第4図にはこの微分回路50と第2のコンデンサ56と
を設けた場合におけるeh<0の条件下での各回路部分
の波形が示されている。このeb<0の条件下において
、微分回路50はクリップ回路33からの出力電圧e、
を微分し、第4図(f)に示す微分出力e13を第2の
トランジスタ48のベースに加える。
を設けた場合におけるeh<0の条件下での各回路部分
の波形が示されている。このeb<0の条件下において
、微分回路50はクリップ回路33からの出力電圧e、
を微分し、第4図(f)に示す微分出力e13を第2の
トランジスタ48のベースに加える。
第2のトランジスタ48は微分出力e13の動作電圧E
l :lで、つまり帰線期間T、の始点位置からΔt
I’3の区間でオンする。この第2のトランジスタ4
BがオンしているΔt13の区間ではドライブトランジ
スタ34はカットオフとなるのでスイッチングトランジ
スタ43もオフ状態となる。一方、Δte1の期間を過
ぎるとC13の電圧はE+ユよりも低下するから、第2
のトランジスタ48はカットオフとなり、これに伴いド
ライブトランス42がオンし、スイッチングトランジス
タ43のベースにパルス電流■! (第4図(C))が
流れ、同トランジスタ43はコレクタ側のパルス電流1
. (第4図(d))が流れる区間だけオンする。こ
の結果、この11のパルス区間に対応する加算電圧e+
(第4図(e))の波形部分(斜線部分)の電圧e
12が多倍圧回路46に加えられるのである。このよう
に、微分出力ellによってスイッチングトランジスタ
43のオン位置をずらし、1.の波形のピークと01の
波形のピークとを一致させた状態でスイッチングトラン
ジスタ43をオン動作させることにより、大型でない−
船釣なドライブトランス42を使用した場合でも大きな
加算電圧allを多倍圧回路を介して高圧コイルに加え
ることができ、前記ドライブトランス42を大型化する
ことに伴う発熱等の諸問題を効果的に解消することがで
きる。
l :lで、つまり帰線期間T、の始点位置からΔt
I’3の区間でオンする。この第2のトランジスタ4
BがオンしているΔt13の区間ではドライブトランジ
スタ34はカットオフとなるのでスイッチングトランジ
スタ43もオフ状態となる。一方、Δte1の期間を過
ぎるとC13の電圧はE+ユよりも低下するから、第2
のトランジスタ48はカットオフとなり、これに伴いド
ライブトランス42がオンし、スイッチングトランジス
タ43のベースにパルス電流■! (第4図(C))が
流れ、同トランジスタ43はコレクタ側のパルス電流1
. (第4図(d))が流れる区間だけオンする。こ
の結果、この11のパルス区間に対応する加算電圧e+
(第4図(e))の波形部分(斜線部分)の電圧e
12が多倍圧回路46に加えられるのである。このよう
に、微分出力ellによってスイッチングトランジスタ
43のオン位置をずらし、1.の波形のピークと01の
波形のピークとを一致させた状態でスイッチングトラン
ジスタ43をオン動作させることにより、大型でない−
船釣なドライブトランス42を使用した場合でも大きな
加算電圧allを多倍圧回路を介して高圧コイルに加え
ることができ、前記ドライブトランス42を大型化する
ことに伴う発熱等の諸問題を効果的に解消することがで
きる。
上記のように本実施例では、スイッチング回路23のス
イッチングトランジスタ43のオン動作により加算電圧
が多倍圧回路46に加えられるが、スイッチングトラン
ジスタ43には高圧の加算電圧e。
イッチングトランジスタ43のオン動作により加算電圧
が多倍圧回路46に加えられるが、スイッチングトラン
ジスタ43には高圧の加算電圧e。
が加わることから、高耐圧のトランジスタが使用される
。一般に、高耐圧のトランジスタはその特性上ベース・
エミッタ間に蓄えられたキャリアが抜けにくいという性
質があるために、オフスピード、すなわち、ストレージ
タイムが極めて長いという欠点がある。このストレージ
タイムが長いと、フライバックトランスの二次側に発生
するパルス電圧は交流であるため、加算電圧発生コイル
21で発生する加算電圧e1のプラス側のパルス区間(
帰線区間)が短い場合には、このプラスのパルス区間内
でスイッチングトランジスタ43のベース・エミッタ間
に蓄えられたキャリアが抜け切らないという問題が生じ
る。そうすると、この抜け切らないで残ったキャリアは
マイナスのパルス区間(走査期間)ではそのまま保持さ
れることになる。
。一般に、高耐圧のトランジスタはその特性上ベース・
エミッタ間に蓄えられたキャリアが抜けにくいという性
質があるために、オフスピード、すなわち、ストレージ
タイムが極めて長いという欠点がある。このストレージ
タイムが長いと、フライバックトランスの二次側に発生
するパルス電圧は交流であるため、加算電圧発生コイル
21で発生する加算電圧e1のプラス側のパルス区間(
帰線区間)が短い場合には、このプラスのパルス区間内
でスイッチングトランジスタ43のベース・エミッタ間
に蓄えられたキャリアが抜け切らないという問題が生じ
る。そうすると、この抜け切らないで残ったキャリアは
マイナスのパルス区間(走査期間)ではそのまま保持さ
れることになる。
例えば、第2図のむ、〜む、の区間では前記プラスのむ
、〜L4の期間で抜け切らなかったベース・エミッタ間
のキャリアがそのまま保持されているので、次のプラス
のむ、のパルス区間に入ったときにトランジスタ43が
オンしてしまう、つまり、本来ならばt?のときにオン
すべきところをり。
、〜L4の期間で抜け切らなかったベース・エミッタ間
のキャリアがそのまま保持されているので、次のプラス
のむ、のパルス区間に入ったときにトランジスタ43が
オンしてしまう、つまり、本来ならばt?のときにオン
すべきところをり。
の時点でオン動作をしてしまうという不都合が生じる。
このように、ストレージタイムが長く、ベース・エミッ
タ間のキャリアがプラスのパルス区間で抜け切らない場
合には過渡応答性が悪くなるばかりでなく、スイッチン
グトランジスタ43を発熱させるという別の問題も生じ
る。
タ間のキャリアがプラスのパルス区間で抜け切らない場
合には過渡応答性が悪くなるばかりでなく、スイッチン
グトランジスタ43を発熱させるという別の問題も生じ
る。
本実施例ではこのような問題を解消するために、スイッ
チングトランジスタ43のコレクタ・エミッタ間に直流
電源61を設け、常時スイッチングトランジスタ43に
プラスの直流電圧を印加するようにしている。このよう
に、プラスの直流電圧を印加すれば、スイッチングトラ
ンジスタ43のベース・エミッタ間に蓄えられたキャリ
アの抜け出しを促進することになり、たとえ、万が一加
算電圧elのプラスのパルス区間内でキャリアが抜け切
らない場合においても、加算電圧e、のマイナスのパル
ス区間(走査期間)で前記直流電源61から加えられる
プラスの直流電圧によってキャリアの抜け出しが引続き
行われることとなり、したがって、スイッチングトラン
ジスタ43のベース・エミッタ間に蓄えられたキャリア
は次のプラスのパルス区間t−に至るまでには完全に抜
け出しが完了しており、したがって、次のプラスのパル
ス区間においては、正しいL7の時点でスイッチングト
ランジスタ43のオン動作が行われるのである。
チングトランジスタ43のコレクタ・エミッタ間に直流
電源61を設け、常時スイッチングトランジスタ43に
プラスの直流電圧を印加するようにしている。このよう
に、プラスの直流電圧を印加すれば、スイッチングトラ
ンジスタ43のベース・エミッタ間に蓄えられたキャリ
アの抜け出しを促進することになり、たとえ、万が一加
算電圧elのプラスのパルス区間内でキャリアが抜け切
らない場合においても、加算電圧e、のマイナスのパル
ス区間(走査期間)で前記直流電源61から加えられる
プラスの直流電圧によってキャリアの抜け出しが引続き
行われることとなり、したがって、スイッチングトラン
ジスタ43のベース・エミッタ間に蓄えられたキャリア
は次のプラスのパルス区間t−に至るまでには完全に抜
け出しが完了しており、したがって、次のプラスのパル
ス区間においては、正しいL7の時点でスイッチングト
ランジスタ43のオン動作が行われるのである。
このように、本実施例においては、スイッチングトラン
ジスタ43のオフスピードが速くなり、ベース・エミッ
タ間に蓄えられたキャリアの抜け出しが完全に行われる
から、過渡応答性の改善が達成され、同時に、残留キャ
リアに起因するスイッチングトランジスタ43の発熱を
効果的に防止することが可能になる。
ジスタ43のオフスピードが速くなり、ベース・エミッ
タ間に蓄えられたキャリアの抜け出しが完全に行われる
から、過渡応答性の改善が達成され、同時に、残留キャ
リアに起因するスイッチングトランジスタ43の発熱を
効果的に防止することが可能になる。
ところで、多倍圧回路46はスイッチング回路23から
加えられる電圧e+zを次のように昇圧してフライバッ
クトランス2の高圧コイル12に加える。
加えられる電圧e+zを次のように昇圧してフライバッ
クトランス2の高圧コイル12に加える。
この昇圧動作を、第1図の回路を抜き出して示されてい
る等測的な第5図〜第7図に基づいて説明すると、まず
、帰線期間Trにおいて、第5図のaのルートで電流が
流れ、第2のコンデンサ56にE1□の電圧が充電され
る( E l□は電圧61tのピークの電圧値である)
。次に走査期間においては、第6図に示すbのルートで
電流が流れ、第1のコンデンサ55にE1□+E1□の
電圧が充電される6次に再び帰線期間になると、第5図
のCのルートで電流が流れ、第3のコンデンサ57には
E+zの電圧と第1のコンデンサ55の電圧との加算電
圧に相当する電圧が充電される。このような昇圧動作の
繰り返しにより最終的に第3のコンデンサ57には2(
E+z十EN )の電圧が充電され、この電圧が高圧コ
イル12に加えられる。このE8の電圧は加算電圧e、
の波形の負の成分の電圧である。つまり、第1図の回路
で、多倍圧回路46は2倍圧回路として機能している(
交流成分を含めれば3倍圧回路として機能するが、E、
はE+□に較べ十分に小さいので無視してよく、フライ
バックトランスの回路では2倍圧回路と考えてよい)。
る等測的な第5図〜第7図に基づいて説明すると、まず
、帰線期間Trにおいて、第5図のaのルートで電流が
流れ、第2のコンデンサ56にE1□の電圧が充電され
る( E l□は電圧61tのピークの電圧値である)
。次に走査期間においては、第6図に示すbのルートで
電流が流れ、第1のコンデンサ55にE1□+E1□の
電圧が充電される6次に再び帰線期間になると、第5図
のCのルートで電流が流れ、第3のコンデンサ57には
E+zの電圧と第1のコンデンサ55の電圧との加算電
圧に相当する電圧が充電される。このような昇圧動作の
繰り返しにより最終的に第3のコンデンサ57には2(
E+z十EN )の電圧が充電され、この電圧が高圧コ
イル12に加えられる。このE8の電圧は加算電圧e、
の波形の負の成分の電圧である。つまり、第1図の回路
で、多倍圧回路46は2倍圧回路として機能している(
交流成分を含めれば3倍圧回路として機能するが、E、
はE+□に較べ十分に小さいので無視してよく、フライ
バックトランスの回路では2倍圧回路と考えてよい)。
なお、スイッチングトランジスタ43のカットオフ時に
は第7図に示すようなルートで高圧電流■、が流れる。
は第7図に示すようなルートで高圧電流■、が流れる。
ところで、回路動作に際し、高圧出力電圧E。
が補正範囲を越えて大きくなった場合にも高圧出力電流
を流す必要がある場合があり、本実施例では、アノード
をABL側に、カソードを第1のダイオード51のカソ
ードと第2のダイオード52のアノードの接続部にそれ
ぞれ接続するダイオード58を配置することで、その目
的を達成している。
を流す必要がある場合があり、本実施例では、アノード
をABL側に、カソードを第1のダイオード51のカソ
ードと第2のダイオード52のアノードの接続部にそれ
ぞれ接続するダイオード58を配置することで、その目
的を達成している。
上記のように、末弟1の実施例によれば、高圧出力電圧
Eoの降下量に対応してスイッチング回路23のゲート
を開く時間△1+を制御しているから、E、の降下量が
大きければそれだけゲートを開いている時間も長くなる
ので、そのEHに加算される電圧e1□も大きくなり、
EHを一定化する方向に回路が動作する。この高圧出力
電圧Eoの安定化の動作に際し、検出電圧e、が基準電
圧e5の三角波の始点位置よりも低下したとき、つまり
e& <oになったときには微分回路50と第2のトラ
ンジスタ48との協働によって、スイッチングトランジ
スタ43のオン動作位置が帰線期間の始点位置からΔt
llだけずらされ、elの波形のピークとコレクタ側の
電流1+の波形のピークが一致する位置でそのI、の短
いパルス幅だけスイッチングトランジスタ43のゲート
が開くように制御されるものであるから、スイッチング
トランジスタ43のオン時間が短いにもかかわらず大き
な電圧elが多倍圧回路46を介して高圧コイル12に
加えられることとなり、高圧出力電圧El+の象、激な
減少は効果的に防止される。また、この場合、スイッチ
ングトランジスタ43を帰線期間T7の全区間に渡って
オンさせているのでなく、第2のトランジスタ48がオ
ンしている期間はスイッチングトランジスタ43はオフ
するのでスイッチングトランジスタ43が最大限オン動
作できる区間は第2図のΔL3に限定される。このよう
にスイッチングトランジスタ43のオン期間を短く限定
することにより、同トランジスタ43やドライブトラン
ス42からの発熱を小さくでき、また、消費電力の節減
を図ることができ、さらに、容量の小さいドライブトラ
ンス42によってもEl+の安定化の目的を十分に達成
することができる。
Eoの降下量に対応してスイッチング回路23のゲート
を開く時間△1+を制御しているから、E、の降下量が
大きければそれだけゲートを開いている時間も長くなる
ので、そのEHに加算される電圧e1□も大きくなり、
EHを一定化する方向に回路が動作する。この高圧出力
電圧Eoの安定化の動作に際し、検出電圧e、が基準電
圧e5の三角波の始点位置よりも低下したとき、つまり
e& <oになったときには微分回路50と第2のトラ
ンジスタ48との協働によって、スイッチングトランジ
スタ43のオン動作位置が帰線期間の始点位置からΔt
llだけずらされ、elの波形のピークとコレクタ側の
電流1+の波形のピークが一致する位置でそのI、の短
いパルス幅だけスイッチングトランジスタ43のゲート
が開くように制御されるものであるから、スイッチング
トランジスタ43のオン時間が短いにもかかわらず大き
な電圧elが多倍圧回路46を介して高圧コイル12に
加えられることとなり、高圧出力電圧El+の象、激な
減少は効果的に防止される。また、この場合、スイッチ
ングトランジスタ43を帰線期間T7の全区間に渡って
オンさせているのでなく、第2のトランジスタ48がオ
ンしている期間はスイッチングトランジスタ43はオフ
するのでスイッチングトランジスタ43が最大限オン動
作できる区間は第2図のΔL3に限定される。このよう
にスイッチングトランジスタ43のオン期間を短く限定
することにより、同トランジスタ43やドライブトラン
ス42からの発熱を小さくでき、また、消費電力の節減
を図ることができ、さらに、容量の小さいドライブトラ
ンス42によってもEl+の安定化の目的を十分に達成
することができる。
また、スイッチング回路23のスイッチ動作はスイッチ
ングトランジスタ43のオン・オフ動作によって行われ
るが、本実施例では、スイッチングトランジスタ43の
コレクタ・エミッタ間を直流電源61によって常時正に
バイアスしているから、ストレージタイムが極めて短く
、つまり、オフスピードが速くなるので、ベース・エミ
ッタ間に蓄えられるキャリアの抜き出しを確実に行うこ
とが可能となり、信頬性の高いスイッチング動作を行う
ことが可能となる。さらに、スイッチングトランジスタ
43に加える電圧allをドライブトランス42で昇圧
して加えているから、スイッチングトランジスタ43の
耐圧を超耐圧のものにしなくてもよく、いわゆるV C
IO規格上、約1500〜2500 V程度の耐圧を有
する製品で十分目的を達成でき、使用するトランジスタ
43のコスト低減とトランジスタ形状の小型化を図るこ
とが可能となる。また、本実施例のようにドライブトラ
ンス42を設けることによりドライブトランジスタ34
のパワーロスを小さくすることができる。
ングトランジスタ43のオン・オフ動作によって行われ
るが、本実施例では、スイッチングトランジスタ43の
コレクタ・エミッタ間を直流電源61によって常時正に
バイアスしているから、ストレージタイムが極めて短く
、つまり、オフスピードが速くなるので、ベース・エミ
ッタ間に蓄えられるキャリアの抜き出しを確実に行うこ
とが可能となり、信頬性の高いスイッチング動作を行う
ことが可能となる。さらに、スイッチングトランジスタ
43に加える電圧allをドライブトランス42で昇圧
して加えているから、スイッチングトランジスタ43の
耐圧を超耐圧のものにしなくてもよく、いわゆるV C
IO規格上、約1500〜2500 V程度の耐圧を有
する製品で十分目的を達成でき、使用するトランジスタ
43のコスト低減とトランジスタ形状の小型化を図るこ
とが可能となる。また、本実施例のようにドライブトラ
ンス42を設けることによりドライブトランジスタ34
のパワーロスを小さくすることができる。
第8図には本発明に係る高圧発生回路の第2の実施例が
示されている。この第2の実施例は前記第1の実施例と
ストレージタイム調整用電源回路60の構成が異なって
おり、それ以外の回路構成は前記第1の実施例の回路構
成と同一でありこの共通する回路部分の重複説明は省略
する。
示されている。この第2の実施例は前記第1の実施例と
ストレージタイム調整用電源回路60の構成が異なって
おり、それ以外の回路構成は前記第1の実施例の回路構
成と同一でありこの共通する回路部分の重複説明は省略
する。
第8図において、ストレージタイム調整用電源回路60
は電源電圧を発生する電源コイル62と、整流回路63
と、電流制限抵抗器64と、ダイオード65とによって
構成されている。前記電源コイル62はフライバックト
ランス2のコア10に巻回されておリ、フライバックパ
ルスと相似形の電圧パルスを発生する。整流回路63は
ダイオード66とコンデンサ67との直列接続体によっ
て構成され、ダイオード66のアノード側は前記電源コ
イル62の一端側に接続され、整流回路63のコンデン
サ67側の端末部は電源コイル62の他端側とスイッチ
ングトランジスタ43のエミッタ側との共通接続部側に
接続されている。そして、ダイオード66とコンデンサ
67との接続部分には電流制限抵抗器64の一端側が接
続され、この抵抗器64の他端側にはダイオード65の
アノード側が接続されている。そしてダイオード65の
カソード側はスイッチングトランジスタ43のエミッタ
側に接続されている。
は電源電圧を発生する電源コイル62と、整流回路63
と、電流制限抵抗器64と、ダイオード65とによって
構成されている。前記電源コイル62はフライバックト
ランス2のコア10に巻回されておリ、フライバックパ
ルスと相似形の電圧パルスを発生する。整流回路63は
ダイオード66とコンデンサ67との直列接続体によっ
て構成され、ダイオード66のアノード側は前記電源コ
イル62の一端側に接続され、整流回路63のコンデン
サ67側の端末部は電源コイル62の他端側とスイッチ
ングトランジスタ43のエミッタ側との共通接続部側に
接続されている。そして、ダイオード66とコンデンサ
67との接続部分には電流制限抵抗器64の一端側が接
続され、この抵抗器64の他端側にはダイオード65の
アノード側が接続されている。そしてダイオード65の
カソード側はスイッチングトランジスタ43のエミッタ
側に接続されている。
この第2実施例の回路においては、電源コイル62で発
生したパルス電圧は整流回路63によって直流に整流さ
れ、この正の直流電圧はスイッチングトランジスタ43
のコレクタ・エミッタ間に加えられるのである。このよ
うに、スイッチングトランジスタ43のコレクタ・エミ
ッタ間には正の直流電圧がバイアスされるから、前記第
1の実施例の場合と同様に、スイッチングトランジスタ
43のオフスピードが速められ、過渡応答性の改善が図
られるのである。
生したパルス電圧は整流回路63によって直流に整流さ
れ、この正の直流電圧はスイッチングトランジスタ43
のコレクタ・エミッタ間に加えられるのである。このよ
うに、スイッチングトランジスタ43のコレクタ・エミ
ッタ間には正の直流電圧がバイアスされるから、前記第
1の実施例の場合と同様に、スイッチングトランジスタ
43のオフスピードが速められ、過渡応答性の改善が図
られるのである。
なお、本発明は上記第1および第2の各実施例に限定さ
れることはなく、様々な実施の態様を採り得る。例えば
、上記各実施例では、スイッチング制御回路59を矩形
波出力回路27と、積分回路31と、比較増幅器22と
、反転増幅器54と、トランジスタ制御回路39とによ
って構成しているが、このスイッチング制御回路59は
高圧出力電圧の低下量に応じてスイッチングトランジス
タ43のオン期間を制御する回路であれば他の回路構成
とすることが可能である。
れることはなく、様々な実施の態様を採り得る。例えば
、上記各実施例では、スイッチング制御回路59を矩形
波出力回路27と、積分回路31と、比較増幅器22と
、反転増幅器54と、トランジスタ制御回路39とによ
って構成しているが、このスイッチング制御回路59は
高圧出力電圧の低下量に応じてスイッチングトランジス
タ43のオン期間を制御する回路であれば他の回路構成
とすることが可能である。
また、上記各実施例では多倍圧回路46として2倍圧回
路を用いているが、これを3倍圧、4倍圧等、異なる倍
圧の回路によって構成してもよく、場合によっては、こ
の多倍圧回路46を省略することもできる。
路を用いているが、これを3倍圧、4倍圧等、異なる倍
圧の回路によって構成してもよく、場合によっては、こ
の多倍圧回路46を省略することもできる。
また、第1図の回路で、高圧コイル12を多層の積層巻
きにしてもよ(、このときは、第9図に示すように、各
層のコイル間にダイオード17を介設することになる。
きにしてもよ(、このときは、第9図に示すように、各
層のコイル間にダイオード17を介設することになる。
さらに、上記各実施例において、電圧検出部9は高圧出
力電圧Eoを直接取り出して検出電圧e、を得ているが
、高圧出力電流を取り出して間接的に検出電圧e6を得
るようにしてもよい、この場合は、取り出した高圧出力
電流をABL側から抵抗器を介して比較増幅器22に導
入することになり、多少の回路変更が必要になる。
力電圧Eoを直接取り出して検出電圧e、を得ているが
、高圧出力電流を取り出して間接的に検出電圧e6を得
るようにしてもよい、この場合は、取り出した高圧出力
電流をABL側から抵抗器を介して比較増幅器22に導
入することになり、多少の回路変更が必要になる。
本発明は以上説明したように、高圧電流INが流れるこ
とによる高圧出力電圧E11の低下を、その電圧低下分
に対応した期間スイッチングトランジスタをオンさせて
ゲートを開き、加算電圧を高圧出力コイルに加えるもの
であるから、電圧低下分に相当する加算電圧が高圧コイ
ルに補充されることとなり、これにより高圧出力電圧の
安定化が図れ、画面の歪みを効果的に防止することがで
き、さらに、高圧発生回路の出力インピーダンスを極め
て小さくすることができるので、画質の高精細化の要求
に十分応え得るものとなる。また、この高圧出力電圧の
安定化動作に際しスイッチングトランジスタのコレクタ
・エミッタ間にはキャリアの抜け出しを促進するバイア
ス電圧が印加されているから、スイッチングトランジス
タの過渡応答性が改善され、これにより、画面の歪みに
よる曲がりを大幅に小さくすることが可能となる。しか
も、スイッチングトランジスタのオン・オフスピードが
速くなるから、不要なストレージタイムによるスイッチ
ングトランジスタの発熱を減少させることが可能となり
、これにより、放熱板を省略もしくは小さくすることが
できる。
とによる高圧出力電圧E11の低下を、その電圧低下分
に対応した期間スイッチングトランジスタをオンさせて
ゲートを開き、加算電圧を高圧出力コイルに加えるもの
であるから、電圧低下分に相当する加算電圧が高圧コイ
ルに補充されることとなり、これにより高圧出力電圧の
安定化が図れ、画面の歪みを効果的に防止することがで
き、さらに、高圧発生回路の出力インピーダンスを極め
て小さくすることができるので、画質の高精細化の要求
に十分応え得るものとなる。また、この高圧出力電圧の
安定化動作に際しスイッチングトランジスタのコレクタ
・エミッタ間にはキャリアの抜け出しを促進するバイア
ス電圧が印加されているから、スイッチングトランジス
タの過渡応答性が改善され、これにより、画面の歪みに
よる曲がりを大幅に小さくすることが可能となる。しか
も、スイッチングトランジスタのオン・オフスピードが
速くなるから、不要なストレージタイムによるスイッチ
ングトランジスタの発熱を減少させることが可能となり
、これにより、放熱板を省略もしくは小さくすることが
できる。
また、高圧出力電圧の制御をフライバックトランスの高
圧側(二次側)で行っているため、偏向コイルの電圧変
動等に悪影響をおよぼすこともなく、したがって、画面
が劣化することもない。
圧側(二次側)で行っているため、偏向コイルの電圧変
動等に悪影響をおよぼすこともなく、したがって、画面
が劣化することもない。
さらに、本発明は帰線期間内でスイッチングトランジス
タのオン動作を制御することができるものであるから、
スイッチング回路のスイッチノイズが画面に現れる心配
もな(、そのうえ、スイッ子制御のため使用するトラン
ジスタ等の発熱も少なくできる。
タのオン動作を制御することができるものであるから、
スイッチング回路のスイッチノイズが画面に現れる心配
もな(、そのうえ、スイッ子制御のため使用するトラン
ジスタ等の発熱も少なくできる。
さらに、本発明では、加算電圧発生コイルをフライバッ
クトランスのコアに巻装して設けることができるから、
このコアを境界として回路全体をホット側とコールド側
に交流的に絶縁することが容易となる。
クトランスのコアに巻装して設けることができるから、
このコアを境界として回路全体をホット側とコールド側
に交流的に絶縁することが容易となる。
第1図は本発明の第1の実施例を示す回路図、第2図は
第1図に示す回路の各部の波形図、第3図は微分回路と
第2のトランジスタとが無い場合のeh〈0の条件下に
おける各回路部分の動作波形図、第4図は微分回路と第
2のトランジスタが設けられている第1図の回路のea
<Oの条件下における各回路部分の動作波形図、第5
図乃至第7図は多倍圧回路の動作説明図、第8図は本発
明の第2の実施例を構成するストレージタイム調整用電
源回路の回路図、第9図は従来の高圧発生回路を示す回
路図、第10図は積層タイプの高圧コイルを用いたフラ
イバックトランスの半断面図、第11図は第1O図に示
す高圧コイルの結線図、第12図はブラウン管のアノー
ドに加える高圧出力電圧EHと高圧電流IIIとの関係
を高圧コイルが積層巻きの場合とセクション巻きの場合
とで比較した特性比較図、第13図は高圧出力電流■□
の分流手段が設けられている第9図の回路の高圧出力電
圧EHと高圧電流I 11との関係を示す特性図である
。 1・・・水平偏向出力回路、2・・・フライバックトラ
ンス、3・・・基準電圧発生回路、4・・・水平出力ト
ランジスタ、5・・・ダンパーダイオード、6・・・共
振コンデンサ、7・・・水平偏向コイル、8・・・3字
補正コンデンサ、9・・・電圧検出部、10・・・コア
、11・・・低圧コイル、12・・・高圧コイル、13
・・・入力電源、14・・・高圧整流ダイオード、15
・・・ブラウン管、I6・・・アノード、17・・・ダ
イオード、18・・・固定抵抗器、19・・・入力タッ
プ、20・・・可変抵抗器、21・・・加算電圧発生コ
イル、22・・・比較増幅器、23・・・スイッチング
回路、24・・・出力タップ、25・・・制御電圧発生
コイル、26・・・整流器、27・・・矩形波出力回路
、28.29・・・固定抵抗器、30・・・トランジス
タ、31・・・積分回路、32・・・増幅器、33・・
・クリップ回路、34・・・ドライブトランジスタ、3
5.36・・・ダイオード、37.38・・・抵抗器、
39・・・トランジスタ制御回路、40・・・コンデン
サ、41・・・駆動電源、42・・・ドライブトランス
、43・・・スイッチングトランジスタ、44・・・−
次コイル、45−・・二次コイル、46・・・多倍圧回
路、47・・・第1のトランジスタ、48・・・第2の
トランジスタ、50・・・微分回路、51・・・第1の
ダイオード、52・・・第2のダイオード、53・・・
第3のダイオード、54・・・反転増幅器、55・・・
第1のコンデンサ、56・・・第2のコンデンサ、57
・・・第3のコンデンサ、58・・・ダイオード、59
・・・スイッチング制御回路、60・・・ストレージタ
イム調整用電源回路、61・・・直流電源、62・・・
電源コイル、63・・・整流回路、64・・・電流制限
抵抗器、65.66・・・ダイオード、67・・・コン
デンサ。 羊3 ロ
第1図に示す回路の各部の波形図、第3図は微分回路と
第2のトランジスタとが無い場合のeh〈0の条件下に
おける各回路部分の動作波形図、第4図は微分回路と第
2のトランジスタが設けられている第1図の回路のea
<Oの条件下における各回路部分の動作波形図、第5
図乃至第7図は多倍圧回路の動作説明図、第8図は本発
明の第2の実施例を構成するストレージタイム調整用電
源回路の回路図、第9図は従来の高圧発生回路を示す回
路図、第10図は積層タイプの高圧コイルを用いたフラ
イバックトランスの半断面図、第11図は第1O図に示
す高圧コイルの結線図、第12図はブラウン管のアノー
ドに加える高圧出力電圧EHと高圧電流IIIとの関係
を高圧コイルが積層巻きの場合とセクション巻きの場合
とで比較した特性比較図、第13図は高圧出力電流■□
の分流手段が設けられている第9図の回路の高圧出力電
圧EHと高圧電流I 11との関係を示す特性図である
。 1・・・水平偏向出力回路、2・・・フライバックトラ
ンス、3・・・基準電圧発生回路、4・・・水平出力ト
ランジスタ、5・・・ダンパーダイオード、6・・・共
振コンデンサ、7・・・水平偏向コイル、8・・・3字
補正コンデンサ、9・・・電圧検出部、10・・・コア
、11・・・低圧コイル、12・・・高圧コイル、13
・・・入力電源、14・・・高圧整流ダイオード、15
・・・ブラウン管、I6・・・アノード、17・・・ダ
イオード、18・・・固定抵抗器、19・・・入力タッ
プ、20・・・可変抵抗器、21・・・加算電圧発生コ
イル、22・・・比較増幅器、23・・・スイッチング
回路、24・・・出力タップ、25・・・制御電圧発生
コイル、26・・・整流器、27・・・矩形波出力回路
、28.29・・・固定抵抗器、30・・・トランジス
タ、31・・・積分回路、32・・・増幅器、33・・
・クリップ回路、34・・・ドライブトランジスタ、3
5.36・・・ダイオード、37.38・・・抵抗器、
39・・・トランジスタ制御回路、40・・・コンデン
サ、41・・・駆動電源、42・・・ドライブトランス
、43・・・スイッチングトランジスタ、44・・・−
次コイル、45−・・二次コイル、46・・・多倍圧回
路、47・・・第1のトランジスタ、48・・・第2の
トランジスタ、50・・・微分回路、51・・・第1の
ダイオード、52・・・第2のダイオード、53・・・
第3のダイオード、54・・・反転増幅器、55・・・
第1のコンデンサ、56・・・第2のコンデンサ、57
・・・第3のコンデンサ、58・・・ダイオード、59
・・・スイッチング制御回路、60・・・ストレージタ
イム調整用電源回路、61・・・直流電源、62・・・
電源コイル、63・・・整流回路、64・・・電流制限
抵抗器、65.66・・・ダイオード、67・・・コン
デンサ。 羊3 ロ
Claims (1)
- 水平偏向出力回路から加えられるフライバックパルスを
フライバックトランスで昇圧し、高圧出力電圧を同トラ
ンスを構成する高圧コイルの高圧側からブラウン管のア
ノードに加える高圧発生回路において、フライバックト
ランスのコアに巻装され加算電圧を発生する加算電圧発
生コイルと、スイッチングトランジスタを含み該スイッ
チングトランジスタのオン期間だけゲートを開いて前記
加算電圧発生コイルで発生した加算電圧を高圧出力電圧
に加えるスイッチング回路と、高圧出力電圧の変化を検
出し高圧出力電圧の低下量が大きくなるにしたがい前記
スイッチングトランジスタのオン動作期間を長く制御す
るスイッチング制御回路と、前記スイッチングトランジ
スタのコレクタ・エミッタ間に直流のバイアス電圧を加
えキャリアの抜け出しを促進してスイッチングオフスピ
ードを速めるストレージタイム調整用電源回路と、を有
することを特徴とする高圧発生回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1034393A JPH0748799B2 (ja) | 1989-02-14 | 1989-02-14 | 高圧発生回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1034393A JPH0748799B2 (ja) | 1989-02-14 | 1989-02-14 | 高圧発生回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02214267A true JPH02214267A (ja) | 1990-08-27 |
| JPH0748799B2 JPH0748799B2 (ja) | 1995-05-24 |
Family
ID=12412933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1034393A Expired - Fee Related JPH0748799B2 (ja) | 1989-02-14 | 1989-02-14 | 高圧発生回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0748799B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS648768A (en) * | 1987-07-01 | 1989-01-12 | Murata Manufacturing Co | High voltage generating circuit |
-
1989
- 1989-02-14 JP JP1034393A patent/JPH0748799B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS648768A (en) * | 1987-07-01 | 1989-01-12 | Murata Manufacturing Co | High voltage generating circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0748799B2 (ja) | 1995-05-24 |
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|---|---|---|---|
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