JPH02215013A - シールド電線 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は電子機器間、電子機器の機器内配線等に用いる
低静電容量のシールド電線に関するものである。

（従来の技術） 第１図はシールド電線の一般的構造の横断面図で、（１
）は内部導体、（２）は絶縁層、（３）は多数本の錫メ
ツキ軟鋼線を絶縁層（２）上に横巻きして構成したシー
ルド層、（４）は塩化ビニル等の外部被覆層である。

従来より、上記絶縁層（２）として発泡ポリエチレンを
用いたシールド電線が、テレビのアンテナ、チェーチー
間の信号伝送用や、ビデオ、オーディオ類の信号伝送用
、コンピューター類のインターフェース用等の信号伝送
用の電線として幅広く使用されている。

このような用途では、信号周波数がＩＩＩ■２以上の高
周波で使用されることが多く、周囲の電界ノイズを遮蔽
するため、絶縁層（２）の外側にシールド層（３）を設
けるのが通常である。

ところが、このようなシールド層（３）を設けた電線で
は、内部導体（１）とシールド層（３）の間に静電容量
が生じ、高周波信号を伝送する場合、伝送損失が大きく
なる。従って、これらシールド電線の内部導体（１）上
の絶縁層（２）には誘電率の小さな材料を使用すること
が不可欠である。

このような誘電体の小さな絶縁層としては、ポリエチレ
ン等の低誘電率の樹脂の発泡体が知られており、発泡さ
せたポリチレンや難燃化ポリエチレンを絶縁層とするシ
ールド電線が既に信号伝送用電線として広く使用されて
いるのは上述の通りである。

又発泡ポリエチレン以上の高強度の発泡絶縁層を得る方
法としては、変性ポリフェニレンエーテル樹脂を使用す
る方法があり、絶縁層を形成する方法としては、ポリフ
ェニレンエーテル樹脂組成物を内部導体上に押し出すと
同時に発泡させる方法と、発泡剤を発泡温度以下でポリ
フェニレンエーテル樹脂に配合し、これを発泡温度以下
で電線に成形後、この電線を発泡温度以上に加熱して発
泡させる方法がある。

（解決しようとする課題） しかし、上述の押し出しと同時に発泡させて絶縁層を形
成する方法は、絶縁層の発泡状態のコントロールと９、
絶縁層の外径、外観等のコントロールを同時に行なう必
要があり、極細線等の押し出し加工精度のきびしいもの
には向かない。押し出し加工精度を上げるには樹脂を発
泡させずに押し出し、電線に成形後、加熱発泡させれば
よいが、この場合には気泡率が安定しないことや、平均
の気泡率が大きくなり、極細線ではピンホールを生じ易
いという問題点がある。

（課題を解決するための手段） 本発明は上述の問題点を解消したシールド電線を提供す
るもので、その特徴は、第１図に示すようなシールド電
線において、絶縁層（２）が発泡した変性ポリフェニレ
ンエーテル樹脂組成物によって形成されており、かつ架
橋されていることにある。

（作用） 変性ポリフェニレンエーテル樹脂組成物を用いて発泡絶
縁体を製造する方法の一つに、発泡剤を発泡温度以下で
ポリフェニレンエーテル樹脂組成物に混合し、これを発
泡温度以下の温度で内部導体上「押し出して電線に成形
後、この電線を発泡温度以上に加熱して発泡させる方法
がある。この場合、上記絶縁層を成形後、架橋すること
なく加熱発泡させると平均気泡径が大きくなり、絶縁層
ノ厚さが２００ｊｍ以下の薄層のものでは、ピンホール
が多発する。この気泡径は加熱発泡の前に絶縁層を架橋
させることによって大幅に低下し、２００１以下の厚さ
の絶縁層においてもピンホールが全く生じないことを見
出した。

本発明で使用する変性ポリフェニレンエーテル樹脂組成
物は、一般にポリ（２，６−シメチルフエニレンエーテ
ル）とポリスチレン樹脂等の混合物、或はポリフェニレ
ンエーテルにスチレン等をグラフト重合させたグラフト
マーとして知られて彰り、これにホスフェート化合物を
添加して難燃化したものも市販されている。

架橋は市販の変性ポリフェニレンエーテル樹脂組成物に
電子線やγ線等の電離性放射線を照射することによって
も行なうことができるが、そのまま照射するだけでは架
橋効率が低いため、トリアリルイソシアヌート、トリア
リルイソシアヌレート、トリメチロールプロパントリメ
タクリレートのような多官能性モノマーや、２−メタク
リロイロキシエチルアシッドホスフェート等の不飽和基
を有するリン酸エステルを架橋助剤としてあらかじめ配
合しておくことが望ましい。照射線量は架橋助剤の配合
量等によって異なるが、通常１１ｒａｄ以上であり、好
ましくは３〜３ＯＮｒ＠ｄである。

ホスフェート化合物としては、タレジルジフェニルホス
フェート、２−エチルへキシルジフェニルホスフェート
、トリクレジルホスフェート、トリイソプロピルフェニ
ルホスフェート、トリフェニルホスフェート、ジブチル
フェニルホスフェート等が使用可能である。

発泡剤としては、ｐ−トルエンスルホニルセミカルバジ
ドやアゾジカルボンアミドのような発泡温度が２００℃
以上のものが好ましく、これより低温で発泡するもので
は、樹脂の溶融が充分でないため独立気泡が形成されな
い。

（実施例） 実施例１； 樹脂分１００重量部に対し約３０重量部のホスフェート
化合物を含む変性ポリフェニレンエーテル樹脂（抗張力
３．５ｋｇ／−■２、伸び１５０％、誘電率２．８７Ｉ
ＫＩＩｚ）１００重量部に対して、ｐ−トルエンスルホ
ニルセミカルバジド（分解温度２２０〜２３０℃）を１
重量部、トリアリルイソシアヌレート５重量部を１８０
℃で混合し、押出用のペレットとした。これを押出機に
よりダイ部の設定温度２００℃で導体（直径０．５１腸
の軟鋼線）上に０．１■纏の厚さに押し出して未発泡の
電線に成形後、電子線を１５Ｍｒａｄ照射して絶縁層を
架橋せしめ、未発泡の架橋電線を作成した。この電線の
長さ方向に連続的に４００℃の熱風をあてて絶縁層を発
泡させ、約１０ｍ長さの発泡電線を得た。

この発泡電線の絶縁層の誘電率は！、Ｂであり、外径は
（１，８５ｍｍでほぼ一定であった。又絶縁層の気泡は
平均径１５ｓ−であり、ピンホールは全く生じなかった
。

実施例２： 発泡剤としてｐ−トルエンスルホニルセミカルバシトの
代りにアゾジカルボンアミドを使用して、実施例と同様
にして１０ｍ長の発泡電線を作製した。この電線の絶縁
層の誘電率は１．８であり、外径は０．８−層でほぼ一
定であった。又絶縁層の気泡の平均径は３０ｊｍであり
、ピンホールは全く生じなかった。

比較例１： 実施例１と全く同様にして未発泡の電線を作製した。こ
の電線の絶縁層に電子線を照射せず（架橋させず）に、
４００℃の熱風をあてて発泡させたところ、ピンホール
や・１００μ■以上の大きさの気泡が多数見られ、誘電
率はピンホールによる短絡のため測定できなかった。

比較例２： 実施例２と全く同様にして未発泡の電線を作製した。こ
の電線の絶縁層に電子線を照射せず（架橋させず）に４
００℃の熱風をあてて発泡させたところ、ピンホールや
１００ｘ■以上の大きさの気泡が多数見られ、誘電率は
ピンホールによる短絡のため測定できなかった。

（発明の効果） 以上説明したように、本発明によれば、高い難燃性と低
い誘電率を有し、かつ機械的強度にすぐれた薄層の発泡
絶縁層を具えたシールド電線が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図はシールド電線の一般的構造の横断面図である。 １・・・内部導体、２・・・絶縁層、３・・・シールド
層、４・・・外部被覆層。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）内部導体上に絶縁層を設けその外側にシールド層
   を具えたシールド電線において、上記絶縁層が発泡した
   変性ポリフェニレンエーテル樹脂組成物によって形成さ
   れ、かつ架橋されていることを特徴とするシールド電線
   。
2. （２）変性ポリフェニレンエーテル樹脂組成物が下記構
   造式で示される基本骨格を有するポリフェニレンエーテ
   ル樹脂とホスフェート化合物を含むものであって、発泡
   前の伸びが１００％以上、誘電率が２．８以下であるこ
   とを特徴とする請求項（１）記載のシールド電線。 ▲数式、化学式、表等があります▼ ここで、Ｒ＿１、Ｒ＿２、Ｒ＿３及びＲ＿４は水素、ア
   ルキル基、ハロゲン、アルコキシ基及びハロアルコキシ
   基の中から選んだ一価置換基、ｎは自然数である。
3. （３）絶縁層が、発泡剤を含む変性ポリフェニレンエー
   テル樹脂を発泡温度より充分低い温度で内部導体上に押
   し出し、これに電離性放射線を照射して架橋させた後に
   、絶縁層を発泡温度以上に加熱して発泡させて形成した
   ものであることを特徴とする請求項（１）記載のシール
   ド電線。