JPH02215209A - マイクロ波低雑音コンバータ - Google Patents
マイクロ波低雑音コンバータInfo
- Publication number
- JPH02215209A JPH02215209A JP1036767A JP3676789A JPH02215209A JP H02215209 A JPH02215209 A JP H02215209A JP 1036767 A JP1036767 A JP 1036767A JP 3676789 A JP3676789 A JP 3676789A JP H02215209 A JPH02215209 A JP H02215209A
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- JP
- Japan
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- circuit
- dielectric
- low
- dielectric constant
- amplifier
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
圧宋よの利用fJ″野
本発明は一衛星放送に用いる低雑音コンバークに関する
ものである。
ものである。
従来の技術
従来の低雑音コンバータの一例を第2図に示す。
低雑音コンバータはRF入力端子1より入力されたRF
倍信号低雑音増幅回路2によって増幅し。
倍信号低雑音増幅回路2によって増幅し。
ミキサ回路4でIF信号に変換し、さらにIF増幅器6
で増幅し、IP出力端子6に出力するものである。従来
は低雑音増幅回路2.ミキサ回路4゜誘電体発振器回路
3.IF増幅器6は同じ誘電体基板23上に構成されて
おり、用いる誘電体基板23として、低誘電率(例えば
、比誘電率:2.6)、もしくは高誘電率(例えば、比
誘電率−1O,a )のものが用いられていた。
で増幅し、IP出力端子6に出力するものである。従来
は低雑音増幅回路2.ミキサ回路4゜誘電体発振器回路
3.IF増幅器6は同じ誘電体基板23上に構成されて
おり、用いる誘電体基板23として、低誘電率(例えば
、比誘電率:2.6)、もしくは高誘電率(例えば、比
誘電率−1O,a )のものが用いられていた。
発明が解決しようとする課題
このような従来の構成では、誘電体基板23として低誘
電率のものを用いた場合−線路幅も太く、波長短縮率が
小さくなるために1波長(λg)も長〔分上〔伺11旺
春l素1IR−基I棟紮団ロ厘史=0.6の場合、椋絡
幅失2.2 Jl’W 、波艮短楠中ξ0.872 )
ため、半波長共振器24を用いたRFフィルタ15.L
Oフィルタ16.線路長兎波長のマイクロストリップ線
路26を用いたIFローパスフィルタ18.線路長が1
波長のマイクロストリップ線路14を用いる誘電体発振
回路3が大きくなるため一低雑音コンバータを小型化す
ることが不可能となる。また、誘電体基板23として高
誘電率のものを用いた場合、線路幅は細く、波長短縮率
が大きくなるため−1波長(λg)が短くなり(例えば
誘電率= 10.4 、誘電体基板の厚み=0.8の場
合、線路幅′=:o、e朋、波長短縮率牛0.37)、
RFフィルタ、LOフィルタjFローパスフィルタ、誘
電体発振回路は小さくでき、低雑音コンバータの小型化
が可能となるが、チップコンデンサ7.8.トランジス
タ9.10の特性、実装のばらつきによって一雑音特性
、vswu特性がばらつくため低雑音増幅回路2を金属
パターンやマイクロストリップ線路のカット等による調
整を行なう必要があるが誘電率が高いために調整が困難
で、低雑音、低vswu特性を達成するための調整時間
が長くなるという問題点があった。
電率のものを用いた場合−線路幅も太く、波長短縮率が
小さくなるために1波長(λg)も長〔分上〔伺11旺
春l素1IR−基I棟紮団ロ厘史=0.6の場合、椋絡
幅失2.2 Jl’W 、波艮短楠中ξ0.872 )
ため、半波長共振器24を用いたRFフィルタ15.L
Oフィルタ16.線路長兎波長のマイクロストリップ線
路26を用いたIFローパスフィルタ18.線路長が1
波長のマイクロストリップ線路14を用いる誘電体発振
回路3が大きくなるため一低雑音コンバータを小型化す
ることが不可能となる。また、誘電体基板23として高
誘電率のものを用いた場合、線路幅は細く、波長短縮率
が大きくなるため−1波長(λg)が短くなり(例えば
誘電率= 10.4 、誘電体基板の厚み=0.8の場
合、線路幅′=:o、e朋、波長短縮率牛0.37)、
RFフィルタ、LOフィルタjFローパスフィルタ、誘
電体発振回路は小さくでき、低雑音コンバータの小型化
が可能となるが、チップコンデンサ7.8.トランジス
タ9.10の特性、実装のばらつきによって一雑音特性
、vswu特性がばらつくため低雑音増幅回路2を金属
パターンやマイクロストリップ線路のカット等による調
整を行なう必要があるが誘電率が高いために調整が困難
で、低雑音、低vswu特性を達成するための調整時間
が長くなるという問題点があった。
本発明はこのような問題点を解決するもので、低雑音増
幅回路の調整が容易で、かつ小型な低雑音コンバータと
することを目的としている。
幅回路の調整が容易で、かつ小型な低雑音コンバータと
することを目的としている。
課題を解決するための手段
この問題を解決するために本発明は、低雑音増幅回路を
低誘電率の誘電体基板上に、RFフィルタ・LOフィル
タ、ダイオード、IFローフくスフィルタからなるミキ
サ回絡,誘電体発振回路。
低誘電率の誘電体基板上に、RFフィルタ・LOフィル
タ、ダイオード、IFローフくスフィルタからなるミキ
サ回絡,誘電体発振回路。
IF増幅器を高誘電率の誘電体基板上に構成したマイク
ロ波低雑音コンバータとするものである。
ロ波低雑音コンバータとするものである。
作用
この構成により、ミキサ回絡,誘電体発振回路を小さく
でき、さらに低雑音増幅回路の調整が容易に行なえるた
めに一量産性に優れた小型で低雑音、低V8WR特性の
マイクロ波低雑音コンバータが得られる。
でき、さらに低雑音増幅回路の調整が容易に行なえるた
めに一量産性に優れた小型で低雑音、低V8WR特性の
マイクロ波低雑音コンバータが得られる。
実施例
第1図に本発明の実施例を示す。
マイクロ波低雑音コンバータはRF入力端子1より入力
されたRF倍信号低雑音増幅回路2によって増幅し、ミ
キサ回路4でIF倍信号変換し、さらにIF増幅器6で
増幅し、IF出力端子6に出力するものである。低雑音
増幅回路2はチップコンデンサア、8.トランジスタ9
.10より、ミキサ回路4はマイクロストリップ線路に
よる半波長共振器24を用いたRFフィルタ15.LO
フィルタ16.線路長%波長のマイクロストリップ線路
26を用いた工?ローパスフィルタ18゜ダイオード1
7より、誘電体発振回路3はトランジスタ13.誘電体
共振器19と長さ1波長(1g)のマイクロストリップ
線路14よりなる共振回路より構成している。低雑音増
幅回路2は低誘電率の誘電体基板22(本実施例では、
厚さ=0.81nl。
されたRF倍信号低雑音増幅回路2によって増幅し、ミ
キサ回路4でIF倍信号変換し、さらにIF増幅器6で
増幅し、IF出力端子6に出力するものである。低雑音
増幅回路2はチップコンデンサア、8.トランジスタ9
.10より、ミキサ回路4はマイクロストリップ線路に
よる半波長共振器24を用いたRFフィルタ15.LO
フィルタ16.線路長%波長のマイクロストリップ線路
26を用いた工?ローパスフィルタ18゜ダイオード1
7より、誘電体発振回路3はトランジスタ13.誘電体
共振器19と長さ1波長(1g)のマイクロストリップ
線路14よりなる共振回路より構成している。低雑音増
幅回路2は低誘電率の誘電体基板22(本実施例では、
厚さ=0.81nl。
誘電率=2.6のフッ素樹脂銅張積層基板である)上に
構成している。ミキサ回路4.誘電体発振回路3.XF
増幅器6は同じ誘電体基板21(本実施例では、厚さ=
Q、9fl、誘電率=10−4のガラス熱硬化ポリフェ
ニレンオキサイド銅張積層基板である)上に構成されて
おり、誘電体基板22と誘電体基板21は接続端子20
で接続している。
構成している。ミキサ回路4.誘電体発振回路3.XF
増幅器6は同じ誘電体基板21(本実施例では、厚さ=
Q、9fl、誘電率=10−4のガラス熱硬化ポリフェ
ニレンオキサイド銅張積層基板である)上に構成されて
おり、誘電体基板22と誘電体基板21は接続端子20
で接続している。
この実施例によれば一金属パターンやマイクロストリッ
プ線路のカット等の調整が必要な低雑音増幅回路2を低
誘電率の誘電体基板22上に構成しているため調整が容
易で短時間に行なえる。−!た、低誘電率の基板を用い
た場合、回路が大きくなる誘電体発振回路3.ミキサ回
路4を高誘電率の誘電体基板23上に構゛成したので、
誘電体発振回路3.ミキサ回路4を小さくすることがで
きるので、マイクロ波低雑音コンバータを小型化できる
。
プ線路のカット等の調整が必要な低雑音増幅回路2を低
誘電率の誘電体基板22上に構成しているため調整が容
易で短時間に行なえる。−!た、低誘電率の基板を用い
た場合、回路が大きくなる誘電体発振回路3.ミキサ回
路4を高誘電率の誘電体基板23上に構゛成したので、
誘電体発振回路3.ミキサ回路4を小さくすることがで
きるので、マイクロ波低雑音コンバータを小型化できる
。
発明の効果
以上のような構成により、ミキサ回絡,誘電体発掘回路
を小さくでき、さらに低雑音増幅回路の調整が容易で短
時間に行なえるために一量産性に優れた小型で低雑音、
低VSWR特性のマイクロ波低雑音コンバータが得られ
ることになる。
を小さくでき、さらに低雑音増幅回路の調整が容易で短
時間に行なえるために一量産性に優れた小型で低雑音、
低VSWR特性のマイクロ波低雑音コンバータが得られ
ることになる。
第1図は本発明の一実施例を示すブロック図。
第2図は従来の実施例を示す回路図である。
1・・・・・・RF入力端子、2・・・・・・低雑音増
幅回路−3・・・・・・誘電体発振回絡,4・・・・・
・ミキサ回絡,6・・・・・・IF増幅器、6・・・・
・・IF出力端子、21・・・・・・高誘電率の誘電体
基板−22・・・・・・低誘電率の誘電体基板。
幅回路−3・・・・・・誘電体発振回絡,4・・・・・
・ミキサ回絡,6・・・・・・IF増幅器、6・・・・
・・IF出力端子、21・・・・・・高誘電率の誘電体
基板−22・・・・・・低誘電率の誘電体基板。
Claims (1)
- 低雑音増幅回路を低誘電率の誘電体基板上に、ミキサ回
絡,誘電体発振回路,IF増幅器を同一の高誘電率の誘
電体基板上に構成したことを特徴とするマイクロ波低雑
音コンバータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1036767A JPH02215209A (ja) | 1989-02-16 | 1989-02-16 | マイクロ波低雑音コンバータ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1036767A JPH02215209A (ja) | 1989-02-16 | 1989-02-16 | マイクロ波低雑音コンバータ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02215209A true JPH02215209A (ja) | 1990-08-28 |
Family
ID=12478910
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1036767A Pending JPH02215209A (ja) | 1989-02-16 | 1989-02-16 | マイクロ波低雑音コンバータ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02215209A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0537208A (ja) * | 1991-07-31 | 1993-02-12 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波パツケージ |
| JPH0546112U (ja) * | 1991-11-13 | 1993-06-18 | アルプス電気株式会社 | チユ−ナ用icおよびチユ−ナ用icチツプ |
| JPH0722819A (ja) * | 1993-07-01 | 1995-01-24 | Nec Corp | 混成集積回路 |
-
1989
- 1989-02-16 JP JP1036767A patent/JPH02215209A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0537208A (ja) * | 1991-07-31 | 1993-02-12 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波パツケージ |
| JPH0546112U (ja) * | 1991-11-13 | 1993-06-18 | アルプス電気株式会社 | チユ−ナ用icおよびチユ−ナ用icチツプ |
| JPH0722819A (ja) * | 1993-07-01 | 1995-01-24 | Nec Corp | 混成集積回路 |
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