JPH02216122A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
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- JPH02216122A JPH02216122A JP3627689A JP3627689A JPH02216122A JP H02216122 A JPH02216122 A JP H02216122A JP 3627689 A JP3627689 A JP 3627689A JP 3627689 A JP3627689 A JP 3627689A JP H02216122 A JPH02216122 A JP H02216122A
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- film
- insulating film
- films
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は液晶表示素子（以下、ＬＣＤと称す）に係り、
特に、膜厚が比較的大きい低抵抗の透明電極を用いたＬ
ＣＤに関する。
特に、膜厚が比較的大きい低抵抗の透明電極を用いたＬ
ＣＤに関する。
近年、ラップトツブ型のワードプロセッサやパーソナル
コンピュータ等の表示部に、５−ＴＮ型ＬＣＤが多用さ
れている。かかる５−ＴＮ型ＬＣＤは、例えばドツト数
が６４０Ｘ４００で高デユーテイ駆動（１／２００〜１
／４００）されることから、基板上にパターニングする
透明電極の抵抗値を３０Ω／口以下に設定する必要があ
り、そのため透明電極の膜厚がＴＮ型ＬＣＤに比べて厚
くなっている。すなわち、ＬＣＤの透明電極は、インジ
ウムとスズの混合酸化物であるＩＴＯを基板上に成膜し
た後、これをエツチングしてパターニングされるが、Ｔ
Ｎ型の場合は透明電極の膜厚が３００人程度であるのに
対し、５−ＴＮ型の場合は透明電極の膜厚がｔｏｏｏ人
程度である。
コンピュータ等の表示部に、５−ＴＮ型ＬＣＤが多用さ
れている。かかる５−ＴＮ型ＬＣＤは、例えばドツト数
が６４０Ｘ４００で高デユーテイ駆動（１／２００〜１
／４００）されることから、基板上にパターニングする
透明電極の抵抗値を３０Ω／口以下に設定する必要があ
り、そのため透明電極の膜厚がＴＮ型ＬＣＤに比べて厚
くなっている。すなわち、ＬＣＤの透明電極は、インジ
ウムとスズの混合酸化物であるＩＴＯを基板上に成膜し
た後、これをエツチングしてパターニングされるが、Ｔ
Ｎ型の場合は透明電極の膜厚が３００人程度であるのに
対し、５−ＴＮ型の場合は透明電極の膜厚がｔｏｏｏ人
程度である。
第２図は従来のこの種５−ＴＮ型ＬＣＤの電極基板を示
す要部断面図であって、ガラス基板１上に、ガラスのＮ
ａ成分の溶出を防止するためのアンダーコート２を介し
て、ＩＴＯからなる透明電極３がパターニングしてあり
、これらの透明電極３を絶縁膜４で被覆した後、液晶分
子を所定方向に配向させるための配向膜５を絶縁膜４上
に形成して電極基板が構成されている。そして、一対の
電極基板を所定のギャップを保って組み合わせてセルを
形成し、セルの内部に液晶を封入するわけであるが、こ
の製造過程で上下の電極基板の間に導電粉等の異物が混
入して上下の透明電極どうしが短絡される虞れがあるの
で、第２図に示すように、ガラス基板１上の透明電極３
と配向膜５との間に、Ｓ ｉ ＯｚやＺｒ０ｚ等からな
る絶縁膜４を４００〜６００人の膜厚に形成して上下電
極間の短絡を防止している。
す要部断面図であって、ガラス基板１上に、ガラスのＮ
ａ成分の溶出を防止するためのアンダーコート２を介し
て、ＩＴＯからなる透明電極３がパターニングしてあり
、これらの透明電極３を絶縁膜４で被覆した後、液晶分
子を所定方向に配向させるための配向膜５を絶縁膜４上
に形成して電極基板が構成されている。そして、一対の
電極基板を所定のギャップを保って組み合わせてセルを
形成し、セルの内部に液晶を封入するわけであるが、こ
の製造過程で上下の電極基板の間に導電粉等の異物が混
入して上下の透明電極どうしが短絡される虞れがあるの
で、第２図に示すように、ガラス基板１上の透明電極３
と配向膜５との間に、Ｓ ｉ ＯｚやＺｒ０ｚ等からな
る絶縁膜４を４００〜６００人の膜厚に形成して上下電
極間の短絡を防止している。
しかしながら、前述の如（Ｓ−ＴＮ型ＬＣＤの透明電極
は低抵抗化を図るために厚く、例えばパターン幅３０μ
ｍで３０Ω／口の透明電極を蒸着法で得ようとすると膜
厚が１０００〜１２００人、スパッタ法でも膜厚が９５
０〜１０００人となるので、第２図において透明電極３
上に膜厚４００〜６００人の絶縁膜４を形成すべくオフ
セット印刷を行っても、透明電極３のエツジ部分を覆う
絶縁膜４の膜厚ｔは５０〜１００人程度にしかならず、
このためエツジ部分で上下電極間の短絡が発生しやすか
った。また、絶縁膜４の表面に透明電極３に対応する凹
凸（段差）が形成されているので、この絶縁膜４上にオ
フセット印刷される配向膜５の表面にも凹凸を生じてし
まい、そのため上下の配向膜間に分布してセルギャップ
を規制するスペーサ粒子のうち凹所に位置するものがス
ペーサ機能を果たさず、高いギャップ精度が得にくいと
いう不都合もあった。
は低抵抗化を図るために厚く、例えばパターン幅３０μ
ｍで３０Ω／口の透明電極を蒸着法で得ようとすると膜
厚が１０００〜１２００人、スパッタ法でも膜厚が９５
０〜１０００人となるので、第２図において透明電極３
上に膜厚４００〜６００人の絶縁膜４を形成すべくオフ
セット印刷を行っても、透明電極３のエツジ部分を覆う
絶縁膜４の膜厚ｔは５０〜１００人程度にしかならず、
このためエツジ部分で上下電極間の短絡が発生しやすか
った。また、絶縁膜４の表面に透明電極３に対応する凹
凸（段差）が形成されているので、この絶縁膜４上にオ
フセット印刷される配向膜５の表面にも凹凸を生じてし
まい、そのため上下の配向膜間に分布してセルギャップ
を規制するスペーサ粒子のうち凹所に位置するものがス
ペーサ機能を果たさず、高いギャップ精度が得にくいと
いう不都合もあった。
なお、透明電極３上に絶縁膜４を厚く形成すればエツジ
部分を覆う膜厚ｔもある程度大きくすることはできるが
、その場合、焼成時に絶縁膜４にクラックが生じやすく
なり、また電圧降下も無視できなくなるので、好ましく
ない。
部分を覆う膜厚ｔもある程度大きくすることはできるが
、その場合、焼成時に絶縁膜４にクラックが生じやすく
なり、また電圧降下も無視できなくなるので、好ましく
ない。
したがって本発明の目的とするところは、上記従来技術
の課題を解消し、透明電極の膜厚が大きくても上下電極
間の短絡が確実に防止でき、かつ高いギャップ精度が得
られるＬＣＤを提供することにある。
の課題を解消し、透明電極の膜厚が大きくても上下電極
間の短絡が確実に防止でき、かつ高いギャップ精度が得
られるＬＣＤを提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明は、上下の基板の対
向面にそれぞれ、バターニングされた透明電極とこれを
被覆する配向膜とが形成されているＬＣＤにおいて、上
記基板上に、上記透明電極とほぼ同等の屈折率を有し、
かつ透明電極を被覆して表面がほぼ平坦な第１の絶縁膜
を設けるとともに、この第１の絶縁膜の表面に上記配向
膜とほぼ同等の屈折率を有する第２の絶縁膜を設け、こ
の第２の絶縁膜の表面に上記配向膜を設けたことを特徴
とするものである。
向面にそれぞれ、バターニングされた透明電極とこれを
被覆する配向膜とが形成されているＬＣＤにおいて、上
記基板上に、上記透明電極とほぼ同等の屈折率を有し、
かつ透明電極を被覆して表面がほぼ平坦な第１の絶縁膜
を設けるとともに、この第１の絶縁膜の表面に上記配向
膜とほぼ同等の屈折率を有する第２の絶縁膜を設け、こ
の第２の絶縁膜の表面に上記配向膜を設けたことを特徴
とするものである。
透明電極を直接被覆する第１の絶縁膜の表面がほぼ平坦
なので、第２の絶縁膜をほぼ均一な所望の膜厚に形成す
ることができ、また、第２の絶縁膜や配向膜の表面に凹
凸が形成されなくなる。
なので、第２の絶縁膜をほぼ均一な所望の膜厚に形成す
ることができ、また、第２の絶縁膜や配向膜の表面に凹
凸が形成されなくなる。
以下、本発明の実施例を図に基づいて説明する。
第１図は本発明の一実施例に係る５−ＴＮ型ＬＣＤの要
部断面図であって、液晶１０を介して相対向する上下一
対の電極基板１１．１１がそれぞれ、ガラス基板１２と
、ガラスのＮａ成分の溶出を防止するために形成された
Ｓｉｎｇからなるアンダーコート１３と、このアンダー
コー）１３上にパターニングされたＩＴＯからなる透明
電極１４と、これら透明電極１４のパターン間を充填す
るとともに各透明電極１４を薄く被覆している絶縁性の
レベリング膜１５と１ このレベリング膜１５を被覆す
る絶縁膜１６と、液晶分子を所定方向に配向させるため
に絶縁膜１６上に形成された配向１１９１７とから構成
されている。ここで、透明電極１４は３０Ω／口の抵抗
値を得るために膜厚を約１０００人に設定してあり、ま
た、レベリング膜１５の透明電極１４上の膜厚は１００
から２００人、絶縁膜１６および配向膜１７の膜厚は共
に４００〜６００人である。
部断面図であって、液晶１０を介して相対向する上下一
対の電極基板１１．１１がそれぞれ、ガラス基板１２と
、ガラスのＮａ成分の溶出を防止するために形成された
Ｓｉｎｇからなるアンダーコート１３と、このアンダー
コー）１３上にパターニングされたＩＴＯからなる透明
電極１４と、これら透明電極１４のパターン間を充填す
るとともに各透明電極１４を薄く被覆している絶縁性の
レベリング膜１５と１ このレベリング膜１５を被覆す
る絶縁膜１６と、液晶分子を所定方向に配向させるため
に絶縁膜１６上に形成された配向１１９１７とから構成
されている。ここで、透明電極１４は３０Ω／口の抵抗
値を得るために膜厚を約１０００人に設定してあり、ま
た、レベリング膜１５の透明電極１４上の膜厚は１００
から２００人、絶縁膜１６および配向膜１７の膜厚は共
に４００〜６００人である。
次に、上記レベリング膜１５および絶縁膜１６の形成方
法を具体的に説明する。
法を具体的に説明する。
レベリング膜１５用のインクの成分は、テトラアルコキ
シシランとテトラアルコキシジルコニウムとを１＝３の
割合で配合してなる有機金属化合物が２９重量％、フェ
ニルセロソルブが２８．２重量％、２−オクタツールが
１８．８重量％、メタノール等の副生成アルコールが２
４重量％であって、このインクの粘度は２５℃で約３０
Ｃｐであり、これを透明電極１４上にオフセット印刷す
るとインクは透明電極１４のパターン間に充填されるの
で、１６０℃で１５分間予備乾燥した後、５００℃で１
５分間焼成することにより、第１図に示すように、表面
が平坦で透明電極１４を１００〜２００人被覆するレベ
リング膜１５が形成できる。
シシランとテトラアルコキシジルコニウムとを１＝３の
割合で配合してなる有機金属化合物が２９重量％、フェ
ニルセロソルブが２８．２重量％、２−オクタツールが
１８．８重量％、メタノール等の副生成アルコールが２
４重量％であって、このインクの粘度は２５℃で約３０
Ｃｐであり、これを透明電極１４上にオフセット印刷す
るとインクは透明電極１４のパターン間に充填されるの
で、１６０℃で１５分間予備乾燥した後、５００℃で１
５分間焼成することにより、第１図に示すように、表面
が平坦で透明電極１４を１００〜２００人被覆するレベ
リング膜１５が形成できる。
なお、こうして得られるレベリング膜１５の屈折率は１
．８０〜１．８５で、これはＩＴＯと同等である。
．８０〜１．８５で、これはＩＴＯと同等である。
一方、絶縁膜１６用のインクの成分は、テトラアルコキ
シシランとテトラアルコキシジルコニウムとを１；２の
割合で配合してなる有機金属化合物が２９重量％、フェ
ニルセロソルブが２８．２重量％、２−オクタツールが
１８．８重量％、メタノール等の副生成アルコールが２
４重量％であって、このインクの粘度は２５℃で３５〜
４０Ｃｐであり、これをレベリング膜１５上にオフセッ
ト印刷し、１６０℃で１５分間の予備乾燥後、５００℃
で１５分間焼成することにより、膜厚が４００〜６００
人の絶縁膜１６が形成できる。なお、こうして得た絶縁
膜１６の屈折率は１．７２で、これは絶縁膜１６上に形
成する配向膜１７の屈折率と同等である。
シシランとテトラアルコキシジルコニウムとを１；２の
割合で配合してなる有機金属化合物が２９重量％、フェ
ニルセロソルブが２８．２重量％、２−オクタツールが
１８．８重量％、メタノール等の副生成アルコールが２
４重量％であって、このインクの粘度は２５℃で３５〜
４０Ｃｐであり、これをレベリング膜１５上にオフセッ
ト印刷し、１６０℃で１５分間の予備乾燥後、５００℃
で１５分間焼成することにより、膜厚が４００〜６００
人の絶縁膜１６が形成できる。なお、こうして得た絶縁
膜１６の屈折率は１．７２で、これは絶縁膜１６上に形
成する配向膜１７の屈折率と同等である。
このように、上記実施例にあっては、膜厚が約１０００
人と厚い透明電極１４を直接被覆するレベリング膜１５
の表面が、インクの粘度を調整することでほぼ平坦に形
成しであるので、このレベリング膜１５上に４００〜６
００人のほぼ均一な膜厚で絶縁膜１６を形成することが
でき、異物の混入に起因する上下の透明電極１４．１４
間の短絡を確実に防止することができ、焼成時にクラッ
クを生じる心配もない。また、透明電極１４上のレベリ
ング膜１５の膜厚は１００〜２００人と薄いので、絶縁
膜１６を積層形成しても電圧降下は無視できるほど小さ
い。さらにまた、絶縁膜１６や配向膜１７の表面に凹凸
が形成されないので、上下の配向膜１７，１７間に分布
するスペーサ粒子（図示せず）がすべてスペーサ機能を
果たし、ギャップ精度を大幅に向上させることができる
。
人と厚い透明電極１４を直接被覆するレベリング膜１５
の表面が、インクの粘度を調整することでほぼ平坦に形
成しであるので、このレベリング膜１５上に４００〜６
００人のほぼ均一な膜厚で絶縁膜１６を形成することが
でき、異物の混入に起因する上下の透明電極１４．１４
間の短絡を確実に防止することができ、焼成時にクラッ
クを生じる心配もない。また、透明電極１４上のレベリ
ング膜１５の膜厚は１００〜２００人と薄いので、絶縁
膜１６を積層形成しても電圧降下は無視できるほど小さ
い。さらにまた、絶縁膜１６や配向膜１７の表面に凹凸
が形成されないので、上下の配向膜１７，１７間に分布
するスペーサ粒子（図示せず）がすべてスペーサ機能を
果たし、ギャップ精度を大幅に向上させることができる
。
しかも、上記実施例にあっては、透明電極１４がこれと
同等の屈折率を有するレベリング膜１５に被覆されて両
者の膜厚の和が１１００〜１２００人であり、かつ配向
膜１７がこれと同等の屈折率を有する絶縁膜１６を被覆
して両者の膜厚の和が８００〜１２００人なので、電圧
無印加時に透明電極が目視されてしまうという所謂電極
見えを防止する効果が極めて高く、高品位のり、ＣＤが
得られている。
同等の屈折率を有するレベリング膜１５に被覆されて両
者の膜厚の和が１１００〜１２００人であり、かつ配向
膜１７がこれと同等の屈折率を有する絶縁膜１６を被覆
して両者の膜厚の和が８００〜１２００人なので、電圧
無印加時に透明電極が目視されてしまうという所謂電極
見えを防止する効果が極めて高く、高品位のり、ＣＤが
得られている。
なお、レベリング膜１５用のインクは、透明電極１４上
に成膜でき、かつ表面に凹凸が形成されないようにする
ため、２５℃で粘度３０±５ｃｐのものを使用すること
が望ましい。
に成膜でき、かつ表面に凹凸が形成されないようにする
ため、２５℃で粘度３０±５ｃｐのものを使用すること
が望ましい。
また、電圧無印加時の電極見えを防止するという観点か
ら、レベリング膜１５と透明電極１４との屈折率の差を
±０．０５以内に設定し、絶縁膜１６と配向膜１７との
屈折率の差も±０．０５以内に設定することが望ましい
。
ら、レベリング膜１５と透明電極１４との屈折率の差を
±０．０５以内に設定し、絶縁膜１６と配向膜１７との
屈折率の差も±０．０５以内に設定することが望ましい
。
以上説明したように、本発明は、透明電極を被覆して表
面がほぼ平坦な第１の絶縁膜を形成した後、この第１の
絶縁膜の表面にほぼ均一な所望の膜厚の第２の絶縁膜を
形成することができるので、クラックや電圧降下を懸念
することなく上下電極間の短絡を確実に防止できるとと
もに、第２の絶縁膜を被覆する配向膜の表面に凹凸が形
成されな（なるのでギャップ精度を高めることができ、
しかも、第１の絶縁膜の屈折率が透明電極とほぼ同等で
第２の絶縁膜の屈折率が配向膜とほぼ同等なので、電圧
無印加時の電極見えを防止できる等、種々の効果を奏し
、特に透明電極の膜厚が厚い５−ＴＮ型ＬＣＤ等に適用
して顕著な効果が期待できる。
面がほぼ平坦な第１の絶縁膜を形成した後、この第１の
絶縁膜の表面にほぼ均一な所望の膜厚の第２の絶縁膜を
形成することができるので、クラックや電圧降下を懸念
することなく上下電極間の短絡を確実に防止できるとと
もに、第２の絶縁膜を被覆する配向膜の表面に凹凸が形
成されな（なるのでギャップ精度を高めることができ、
しかも、第１の絶縁膜の屈折率が透明電極とほぼ同等で
第２の絶縁膜の屈折率が配向膜とほぼ同等なので、電圧
無印加時の電極見えを防止できる等、種々の効果を奏し
、特に透明電極の膜厚が厚い５−ＴＮ型ＬＣＤ等に適用
して顕著な効果が期待できる。
第１図は本発明の一実施例に係る５−ＴＮ型ＬＣＤの要
部断面図、第２図は従来技術の問題点を説明するための
電極基板の要部断面図である。 １２・・・・・・ガラス基板、１４・・・・・・透明電
極、１５・・・・・・レベリング膜（第１の絶縁膜）、
１６・・・・・・絶縁膜（第２の絶縁膜）、１７・・・
・・・配向膜。 第２図
部断面図、第２図は従来技術の問題点を説明するための
電極基板の要部断面図である。 １２・・・・・・ガラス基板、１４・・・・・・透明電
極、１５・・・・・・レベリング膜（第１の絶縁膜）、
１６・・・・・・絶縁膜（第２の絶縁膜）、１７・・・
・・・配向膜。 第２図
Claims (1)
- 上下の基板の対向面にそれぞれ、パターニングされた透
明電極とこれを被覆する配向膜とが形成されている液晶
表示素子において、上記基板上に、上記透明電極とほぼ
同等の屈折率を有し、かつ透明電極を被覆して表面がほ
ぼ平坦な第１の絶縁膜を設けるとともに、この第１の絶
縁膜の表面に上記配向膜とほぼ同等の屈折率を有する第
２の絶縁膜を設け、この第２の絶縁膜の表面に上記配向
膜を設けたことを特徴とする液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3627689A JPH02216122A (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3627689A JPH02216122A (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | 液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02216122A true JPH02216122A (ja) | 1990-08-29 |
Family
ID=12465255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3627689A Pending JPH02216122A (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02216122A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004029164A (ja) * | 2002-06-21 | 2004-01-29 | Japan Science & Technology Corp | 液晶表示素子 |
-
1989
- 1989-02-17 JP JP3627689A patent/JPH02216122A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004029164A (ja) * | 2002-06-21 | 2004-01-29 | Japan Science & Technology Corp | 液晶表示素子 |
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