JPH0221776Y2 - - Google Patents

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JPH0221776Y2
JPH0221776Y2 JP7589584U JP7589584U JPH0221776Y2 JP H0221776 Y2 JPH0221776 Y2 JP H0221776Y2 JP 7589584 U JP7589584 U JP 7589584U JP 7589584 U JP7589584 U JP 7589584U JP H0221776 Y2 JPH0221776 Y2 JP H0221776Y2
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capacitor
circuit
transistor
electrode
voltage
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JP7589584U
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Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この考案は、IC回路で構成するときに好適な
包絡線検波回路に関するものである。
〔背景技術とその問題点〕
振幅変調されている搬送波信号から変調信号を
復調する方式として自乗検波、及び直線検波が利
用されている。
このうち、直線検波方式はダイオードや、トラ
ンジスタ等の整流作用により振幅変調搬送波
(AM信号)の包絡線部分を検出するものである
が、かゝる包絡線検波回路には整流能率(η)を
改善するためにコンデンサが出力端子に接続され
ている。
このコンデンサは整流電圧を保持する機能を有
するから搬送波の周波数が低い場合はかなり大き
な値のものが必要になるが、IC回路ではかゝる
大容量のコンデンサを実現することは困難であ
る。
そこで、第1図に示すようにダーリントン回路
を使用した包絡線検波回路が使用されている。
この回路ではダーリントン接続されたトランジ
スタQ1,Q2、コンデンサC、電流源Sにより構
成されており、コンデンサCの端子電圧が入力端
子1におけるAM信号の包絡線を示すことにな
る。
すなわち、検波電圧の立上がりはほぼ変調搬送
波の振幅に追従するが、コンデンサCの放電、す
なわち立上がりのスルーレートは−IB/C(IBはトラ
ンジスタQ2のベース電流、cはコンデンサCの
容量値)に比例するので、スルーレートを小さく
して整流能率(η)を大きくする場合、コンデン
サCの容量が小さい値でもベース電流IBを小さく
することによつて達成できる。
しかしながら、電源ラインと接地間の電圧は少
なくとも2つのトランジスタQ1,Q2のベース・
エミツタ間電圧VBE=0.6〜0.7Vの少なくとも2倍
以上に設定しないと、ダイナミツクレンジがきわ
めて低いものになり、復調歪が発生するため、低
電圧電源例えば1.5V程度の作動電源回路には使
用することができないという問題がある。
〔考案の目的〕
この考案は、かゝる実状にかんがみてなされた
もので、低電圧電源で作動し、かつIC回路で構
成される小容量のコンデンサを備えた包絡線検波
回路を提供するものである。
〔考案の概要〕
この考案は、導電形式の異なる2つのトランジ
スタ(PNP,NPN)によつてエミツタホロワ回
路を構成し、2個のトランジスタのコレクタ間に
接続されているコンデンサによつてAM信号の検
波出力を得るようにしたものである。
そのため、この回路は低い作動電源で動作し、
かつ、コンデンサの容量が小さいものを使用して
も整流能率(η)が低下しない。
〔実施例〕
第2図はこの考案の一実施例を示す回路図で、
Q11,Q12は導電形式の異なる2つのトランジス
タ(NPN,PNP)、Cはコンデンサ、Sは電流
源を示す。
トランジスタQ11のベース電極は入力端子1に
接続され、そのエミツタ電極は出力端子2となつ
ている。トランジスタQ12のベース電極、及びコ
レクタ電極は、トランジスタQ11のコレクタ電
極、及びエミツタ電極にそれぞれ接続されている
ため、コンデンサCを除けばコンプリメンタリ形
のエミツタホロワ構造になつていることが分か
る。
したがつて、この回路で入力端子1に振幅変調
した搬送波信号が入力されると、その正のレベル
ではトランジスタQ11,Q12が導通し、出力端子
2には検波された信号が出力される。
この場合、コンデンサCが充電されるときの立
上がりを示すスルーレートは、通常のエミツタホ
ロワ回路と同様に大きく、搬送波のレベルに追従
して変化する。
しかし、変調されている搬送波が負のレベルに
反転した場合は、トランジスタQ11のエミツタ電
位(出力レベル)は検波時に充電されたコンデン
サCの電位で保持されているので、トランジスタ
Q11はオフになる。
このオフ期間tにコンデンサCの電位、すなわ
ち出力端子2の検波信号の変化を考察してみる
と、トランジスタQ12のベース電流IBはコンデン
サCの放電流iCと等しく(IB=−iC)、トランジス
タQ12のコレクタ電流ICは、IC=I−iC(Iは電流
源Sの電流)となつている。
又、トランジスタQ12の電流増幅率をβとする
と、IC=βIBの関係があるから、コンデンサCに
流れる電流iCは上記の関係から iC=I/1+β …(1) となつている。
コンデンサCの端子電圧、すなわち、出力信号
VOUTは VOUT=1/C・iC・t …(2) で変化するので、スルーレートを示すVOUT/tの値 は前記第(1)式及び第(2)式から、 VOUT/t=1/(1+β)C …(3) となる。
この第(3)式からコンデンサCの(1+β)倍が
スルーレートに関与しているため、コンデンサC
の値が小さい場合も、立下り時のスルーレートを
小さく設定することができ、低い周波数のキヤリ
アが使用されている場合でも整流能率(η)が向
上し、検波感度を上昇させることができる。
次に、この回路では電源ラインと接地間には能
動素子に対する電圧としてトランジスタQ12
VBE(ベース・エミツタ間電圧)とトランジスタ
Q11のVCE(コレクタ・エミツタ間電圧)が少なく
とも必要になるが、VCEはVBE(約0.7V)に比較し
て低い値(約0.2V)にすることができるので、
第1図の包絡線検波回路に比較して低い作動電
源、例えば1.5Vでも充分動作をさせることがで
きる。
第3図はこの考案の他の実施例を示す包絡線検
波回路である。
この回路では、エミツタホロワ構造に接続され
ている2つのトランジスタQ21,Q22の導電形式
が、第2図の実施例に示したトランジスタQ11
とQ12に対して逆となつているものを示したもの
である。
したがつて、回路動作は包絡線の検波信号が負
となる以外は同様となるので、その説明を省略す
る。
但し、IC構造からみるとNPN形となつている
トランジスタQ22の電流増幅率βは一般にPNP形
より大きくできるので、コンデンサCの容量値が
小さく設定できるという効果がある。
〔考案の効果〕
以上説明したように、この考案の包絡線検波回
路は、導電形式の異なる2つのトランジスタによ
つてエミツタホロワ回路を構成し、コンデンサの
増倍効果によつて放電時のスルーレートが小さく
なるようにしたので、小さな容量のコンデンサが
採用できると共に、動作電源の低い場合でも使用
できるという利点がある。そのため、特に、IC
回路で構成するときに実用的な効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の包絡線検波回路の一例を示す回
路図、第2図はこの考案の一実施例を示す包絡線
検波回路の主要な結線図、第3図はこの考案の他
の実施例を示す回路図である。 図中、1は入力端子、2は出力端子、Q11
Q12は導電形式が異なる2つのトランジスタ、C
はコンデンサ、Sは電流源を示す。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. ベース電極を入力端子とした第1のトランジス
    タのコレクタ電極、及びエミツタ電極を、導電形
    式の異なる第2のトランジスタのベース電極、及
    びコレクタ電極にそれぞれ接続してエミツタホロ
    ワ回路を構成し、前記第1、及び第2のトランジ
    スタのコレクタ電極間にコンデンサを接続したこ
    とを特徴とする包絡線検波回路。
JP7589584U 1984-05-25 1984-05-25 包絡線検波回路 Granted JPS60189122U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7589584U JPS60189122U (ja) 1984-05-25 1984-05-25 包絡線検波回路

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JP7589584U JPS60189122U (ja) 1984-05-25 1984-05-25 包絡線検波回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS60189122U JPS60189122U (ja) 1985-12-14
JPH0221776Y2 true JPH0221776Y2 (ja) 1990-06-12

Family

ID=30617537

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7589584U Granted JPS60189122U (ja) 1984-05-25 1984-05-25 包絡線検波回路

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JP (1) JPS60189122U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11071203B2 (en) 2018-01-23 2021-07-20 Robert Bosch Gmbh Circuit substrate arrangement with improved electrical contact

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US11071203B2 (en) 2018-01-23 2021-07-20 Robert Bosch Gmbh Circuit substrate arrangement with improved electrical contact

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JPS60189122U (ja) 1985-12-14

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