JPH02219211A - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサの製造方法Info
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- JPH02219211A JPH02219211A JP1039910A JP3991089A JPH02219211A JP H02219211 A JPH02219211 A JP H02219211A JP 1039910 A JP1039910 A JP 1039910A JP 3991089 A JP3991089 A JP 3991089A JP H02219211 A JPH02219211 A JP H02219211A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はコンデンサ特性、特に高周波特性及び信頼性に
優れた固体電解コンデンサの製造方法に関するものであ
る。
優れた固体電解コンデンサの製造方法に関するものであ
る。
従来の技術
近年、電気機器回路のディジタル化に伴って、そこに使
用されるコンデンサも高周波領域でのインピーダンスが
低く、小型大容量のものへの要求３ヘー。
用されるコンデンサも高周波領域でのインピーダンスが
低く、小型大容量のものへの要求３ヘー。
が高１っている。
従来、高周波領域用のコンデンサとしては、プラスチッ
クフィルムコンデンサ、マイカコンデンサ、積層セラミ
ックコンデンサが用いられているが、フィルムコンデン
サ及びマイカコンデンサでは形状が大きくなってしまう
ために大容量化が難しく、また、積層セラミックコンデ
ンサでは、小型大容量になればなるほど温度特性が悪く
なシ、価格が非常に高くなるという欠点がある。
クフィルムコンデンサ、マイカコンデンサ、積層セラミ
ックコンデンサが用いられているが、フィルムコンデン
サ及びマイカコンデンサでは形状が大きくなってしまう
ために大容量化が難しく、また、積層セラミックコンデ
ンサでは、小型大容量になればなるほど温度特性が悪く
なシ、価格が非常に高くなるという欠点がある。
方、大容量タイプのコンデンサとして知られるものに、
アルミニウム乾式電解コンデンサ、あるいはアルミニウ
ム、またはタンタル固体電解コンデンサなどがある。こ
れらの電解コンデンサは誘電体となる陽極酸化皮膜を非
常に薄く形成することができるため、大容量を実現する
ことができるが、その反面、酸化皮膜の損傷が起きやす
いために、酸化皮膜と陰極の間に損傷を修復するだめの
電解質を設ける必要がある。アルミニウム乾式電解コン
デンサでは、エツチングをほどこした陽、陰極アルミニ
ウム箔を紙のセパレータを介して巻き取り、液状の電解
質をセパレータに含浸して用いている。このため、電解
質の液漏れ、蒸発等の理由によシ経時的に静電容量の減
少や損失（ｔａｎδ）の増大が起こると同時に、電解質
のイオン伝導性により高周波特性及び低温特性が著しく
劣る等の欠点を有している。
アルミニウム乾式電解コンデンサ、あるいはアルミニウ
ム、またはタンタル固体電解コンデンサなどがある。こ
れらの電解コンデンサは誘電体となる陽極酸化皮膜を非
常に薄く形成することができるため、大容量を実現する
ことができるが、その反面、酸化皮膜の損傷が起きやす
いために、酸化皮膜と陰極の間に損傷を修復するだめの
電解質を設ける必要がある。アルミニウム乾式電解コン
デンサでは、エツチングをほどこした陽、陰極アルミニ
ウム箔を紙のセパレータを介して巻き取り、液状の電解
質をセパレータに含浸して用いている。このため、電解
質の液漏れ、蒸発等の理由によシ経時的に静電容量の減
少や損失（ｔａｎδ）の増大が起こると同時に、電解質
のイオン伝導性により高周波特性及び低温特性が著しく
劣る等の欠点を有している。
壕だ、アルミニウム、タンタル固体電解コンデンサでは
、上記アルミニウム乾式電解コンデンサの欠点を改良す
るために、固体電解質として二酸化マンガンを用いてい
る。この固体電解質は硝酸マンガン水溶液に陽極素子を
浸漬し、２５０〜３５０ｔＺ’の温度で熱分解して得て
いる。このコンデンサの場合、電解質が固体であるだめ
、高温における電解質の流出、低温域での凝固から生ず
る性能の低下などの欠点がなく、液状電解質を用いたコ
ンデンサに比して良好な周波数特性及び温度特性を示す
が、硝酸マンガンの熱分解による酸化皮膜の損傷および
二酸化マンガンの高い比抵抗などの理由から、高周波領
域のインピーダンス、あるいは損失は積層セラミックコ
ンデンサ、あるいはプラス５７＼−７ チノクフイルムコンデンサと比較して１けた以上高い値
となっている。
、上記アルミニウム乾式電解コンデンサの欠点を改良す
るために、固体電解質として二酸化マンガンを用いてい
る。この固体電解質は硝酸マンガン水溶液に陽極素子を
浸漬し、２５０〜３５０ｔＺ’の温度で熱分解して得て
いる。このコンデンサの場合、電解質が固体であるだめ
、高温における電解質の流出、低温域での凝固から生ず
る性能の低下などの欠点がなく、液状電解質を用いたコ
ンデンサに比して良好な周波数特性及び温度特性を示す
が、硝酸マンガンの熱分解による酸化皮膜の損傷および
二酸化マンガンの高い比抵抗などの理由から、高周波領
域のインピーダンス、あるいは損失は積層セラミックコ
ンデンサ、あるいはプラス５７＼−７ チノクフイルムコンデンサと比較して１けた以上高い値
となっている。
上記の問題点を解決するために、固体電解質として導電
性が高く、陽極酸化性の優れた有機半導体（７，７，８
，８−テトラシアノキノジメタン錯体゛以下、ＴＣＮＱ
ＣＮ上称す）を用いることが提案されている。この有機
半導体は有機溶媒に溶解したり、加熱による融解などの
手段を用いて酸化皮膜に含浸塗布することが可能であシ
、上記のように二酸化マンガンを含浸する際に生ずる熱
分解による酸化皮膜の損傷を防止することができる。Ｔ
ＣＮＱＣＮ上導電性が高く、陽極酸化性が優れ、高周波
特性が良好であシ、大容量のコンデンサが可能となる。
性が高く、陽極酸化性の優れた有機半導体（７，７，８
，８−テトラシアノキノジメタン錯体゛以下、ＴＣＮＱ
ＣＮ上称す）を用いることが提案されている。この有機
半導体は有機溶媒に溶解したり、加熱による融解などの
手段を用いて酸化皮膜に含浸塗布することが可能であシ
、上記のように二酸化マンガンを含浸する際に生ずる熱
分解による酸化皮膜の損傷を防止することができる。Ｔ
ＣＮＱＣＮ上導電性が高く、陽極酸化性が優れ、高周波
特性が良好であシ、大容量のコンデンサが可能となる。
例えば、Ｎ−ｎ−プロピル、あるいはＮ−１ｓ。
フロビルイソキノリンとＴＣＮＱＣＮ上らなる有機半導
体を固体電解質として用いる発明が同一出願人よシ出願
されている（特開昭５８−１７６０９号公報）。この発
明によると、捲回型アルミニウム電解コンデンサへのＴ
ＣＮＱ塩の含浸がＴＣＮＱ６・＼−／ 塩を加熱溶融することによシ行われ、これによりＴＣＮ
Ｑ塩と酸化皮膜との強固な結合が達成され、ＴＣＮＱ塩
の高電導性の寄与にも助けられて、周波数特性及び温度
特性が著しく改良されたアルミニウムコンデンサが製造
されるとしている。このよりなＴＣＮＱ塩に基づく有機
半導体を固体電解質として用いることは、ＴＣＮＱ塩が
二酸化マンガンに比して高い電導性と高い陽極酸化能力
（修復作用）を有するため、上記二酸化マンガンを用い
た固体電解コンデンサに比して周波数特性と温度特性共
に優れた性能を可能にする。この発明によると、Ｎ位を
アルキル基で置換したインキツリウムをカチオンとした
ＴＣＮＱ塩を酸化皮膜に加熱溶融することにより含浸す
ることになっている。
体を固体電解質として用いる発明が同一出願人よシ出願
されている（特開昭５８−１７６０９号公報）。この発
明によると、捲回型アルミニウム電解コンデンサへのＴ
ＣＮＱ塩の含浸がＴＣＮＱ６・＼−／ 塩を加熱溶融することによシ行われ、これによりＴＣＮ
Ｑ塩と酸化皮膜との強固な結合が達成され、ＴＣＮＱ塩
の高電導性の寄与にも助けられて、周波数特性及び温度
特性が著しく改良されたアルミニウムコンデンサが製造
されるとしている。このよりなＴＣＮＱ塩に基づく有機
半導体を固体電解質として用いることは、ＴＣＮＱ塩が
二酸化マンガンに比して高い電導性と高い陽極酸化能力
（修復作用）を有するため、上記二酸化マンガンを用い
た固体電解コンデンサに比して周波数特性と温度特性共
に優れた性能を可能にする。この発明によると、Ｎ位を
アルキル基で置換したインキツリウムをカチオンとした
ＴＣＮＱ塩を酸化皮膜に加熱溶融することにより含浸す
ることになっている。
更に近年、ピロール、チオフェンなどの複素環式のモノ
マーを重合して得られる高導電性の高分子を陽極体上に
形成し、これを電解質として用いる固体電解コンデンサ
も提案されている（特開昭６０−３７１１４号公報、特
開昭６１−４７６２５号公報）Ｃ発明が解決しようとす
る課題 ７／＼−／ 電解重合によれば、ピロール、チオフェン、あるいはこ
れらの誘導体と適当な支持電解質との溶液から、容易に
緻密な導電性高分子皮膜を通常の陽極（例えば白金、カ
ーボン等）上に形成することが可能である。
マーを重合して得られる高導電性の高分子を陽極体上に
形成し、これを電解質として用いる固体電解コンデンサ
も提案されている（特開昭６０−３７１１４号公報、特
開昭６１−４７６２５号公報）Ｃ発明が解決しようとす
る課題 ７／＼−／ 電解重合によれば、ピロール、チオフェン、あるいはこ
れらの誘導体と適当な支持電解質との溶液から、容易に
緻密な導電性高分子皮膜を通常の陽極（例えば白金、カ
ーボン等）上に形成することが可能である。
しかしながら、電解重合では酸化皮膜を有する陽極上に
導電性高分子を形成することは、電流が流れないため原
理的に困難である。一方、酸化皮膜を設けていない弁金
属表面に電解重合にょυ導電性高分子皮膜を形成するこ
とは可能であるが、この場合には導電性高分子皮膜を介
して陽極化成を行わなければならず、これによシ予め形
成された導電性高分子膜の変質、あるいは劣化、更には
陽極表面からの剥離等が起こる。これらはいずれもコン
デンサの特性を低下させるため望ましくない。
導電性高分子を形成することは、電流が流れないため原
理的に困難である。一方、酸化皮膜を設けていない弁金
属表面に電解重合にょυ導電性高分子皮膜を形成するこ
とは可能であるが、この場合には導電性高分子皮膜を介
して陽極化成を行わなければならず、これによシ予め形
成された導電性高分子膜の変質、あるいは劣化、更には
陽極表面からの剥離等が起こる。これらはいずれもコン
デンサの特性を低下させるため望ましくない。
また、酸化重合によっても導電性高分子を合成すること
が可能であるが、この場合、得られる重合体は粉体状を
なしており、そのままの状態では酸化皮膜を有する陽極
に対する付着性、被覆性に乏しいため、コンデンサの電
解質として利用することは困難である。
が可能であるが、この場合、得られる重合体は粉体状を
なしており、そのままの状態では酸化皮膜を有する陽極
に対する付着性、被覆性に乏しいため、コンデンサの電
解質として利用することは困難である。
本発明は上記従来の問題を解決するもので、導電性に優
れた電解重合高分子を酸化皮膜の付いた弁金属上に製膜
することができ、したがって、高周波特性及び温度特性
に優れた信頼性の高い固体電解コンデンサを製造するこ
とができ、また、漏れ電流による不良率を低下させ、製
造上の歩留まりを向上させることができるようにした固
体電解コンデンサの製造方法を提供することを目的とす
るものである。
れた電解重合高分子を酸化皮膜の付いた弁金属上に製膜
することができ、したがって、高周波特性及び温度特性
に優れた信頼性の高い固体電解コンデンサを製造するこ
とができ、また、漏れ電流による不良率を低下させ、製
造上の歩留まりを向上させることができるようにした固
体電解コンデンサの製造方法を提供することを目的とす
るものである。
課題を解決するだめの手段
本発明は上記目的を達成するもので、その技術的解決手
段は、弁金属を化成して表面に酸化皮膜を形成し、この
酸化皮膜上に二酸化マンガンを付着させ、この二酸化マ
ンガン上に導電性電解重合高分子膜を形成し、形成後、
前記酸化皮膜を再化成処理するようにしたものである。
段は、弁金属を化成して表面に酸化皮膜を形成し、この
酸化皮膜上に二酸化マンガンを付着させ、この二酸化マ
ンガン上に導電性電解重合高分子膜を形成し、形成後、
前記酸化皮膜を再化成処理するようにしたものである。
ソシて、弁金属としてはアルミニウム、タンタルから選
ばれ、表面積を増大するためにエフチン９ヘーノ グ処理したものを用い、この弁金属に酸化皮膜を形成す
るにはアジピン酸水溶液等を用い、電気化学的な手段に
よシ通常の方法で形成することができる。
ばれ、表面積を増大するためにエフチン９ヘーノ グ処理したものを用い、この弁金属に酸化皮膜を形成す
るにはアジピン酸水溶液等を用い、電気化学的な手段に
よシ通常の方法で形成することができる。
酸化皮膜を形成した弁金属は硝酸マンガン水溶液に浸漬
した後、２００〜３００Ｃで空気（加湿してもよい）中
で熱分解処理することにより、二酸化マンガンを例えば
膜状に酸化皮膜上に析出させることができる。
した後、２００〜３００Ｃで空気（加湿してもよい）中
で熱分解処理することにより、二酸化マンガンを例えば
膜状に酸化皮膜上に析出させることができる。
前記二酸化マンガン膜の表面に電解重合膜を形成するが
、弁金属の陽極を重合電極として用いて電圧を印加して
も誘電体の酸化皮膜が介在するので、電解重合は起こら
ず、膜の成長は起こらない。
、弁金属の陽極を重合電極として用いて電圧を印加して
も誘電体の酸化皮膜が介在するので、電解重合は起こら
ず、膜の成長は起こらない。
そこで、二酸化マンガン膜を形成した酸化皮膜付きの弁
金属を重合反応容器中の電解重合溶液中に浸漬し、前記
二酸化マンガン膜表面に接触して設けた電解重合用の第
１の電極と、この第１の電極と離隔した位置に設けた電
解重合用の第２の電極の間に重合電位以上に電圧を印加
することにより、電解重合高分子膜を、まず、第１の電
極に形成し、１０ ｔ＝−、−＞ その後、ここを起点として電解重合高分子膜を徐々に二
酸化マンガン膜の表面方向に成長させることができる。
金属を重合反応容器中の電解重合溶液中に浸漬し、前記
二酸化マンガン膜表面に接触して設けた電解重合用の第
１の電極と、この第１の電極と離隔した位置に設けた電
解重合用の第２の電極の間に重合電位以上に電圧を印加
することにより、電解重合高分子膜を、まず、第１の電
極に形成し、１０ ｔ＝−、−＞ その後、ここを起点として電解重合高分子膜を徐々に二
酸化マンガン膜の表面方向に成長させることができる。
電解重合高分子膜が二酸化マンガンの表面を完全に覆い
つくした電解重合反応終了後、乾燥が容易な溶媒、例え
ば水、アルコール、アセトントリルやケトン系などの溶
媒を用いて洗浄を行い、未反応のモノマーや電解質や不
安定なオリゴマーを洗浄する。
つくした電解重合反応終了後、乾燥が容易な溶媒、例え
ば水、アルコール、アセトントリルやケトン系などの溶
媒を用いて洗浄を行い、未反応のモノマーや電解質や不
安定なオリゴマーを洗浄する。
上記電解重合高分子膜形成後の酸化皮膜の再化成処理は
、水中、あるいはアジピン酸、サルチル酸などのカルボ
ン酸の１％以下の希薄溶液中において電解重合高分子膜
を通して行う。
、水中、あるいはアジピン酸、サルチル酸などのカルボ
ン酸の１％以下の希薄溶液中において電解重合高分子膜
を通して行う。
前記電解重合溶液が電解重合可能なモノマーと支持電解
質と溶媒から々す、重合性モノマーとしては、酸化重合
により導電性の高分子を与えるものであればよく、例え
ばピロール、あるいはその３．４位に置換基を導入した
誘導体、または２量体のビビロール、チオフェン、ある
いはその３．４位に置換基を導入した誘導体、または２
量体のビチオフェン、３量体のターチェニル等を使用ス
１１へ一／゛ ることかできる。
質と溶媒から々す、重合性モノマーとしては、酸化重合
により導電性の高分子を与えるものであればよく、例え
ばピロール、あるいはその３．４位に置換基を導入した
誘導体、または２量体のビビロール、チオフェン、ある
いはその３．４位に置換基を導入した誘導体、または２
量体のビチオフェン、３量体のターチェニル等を使用ス
１１へ一／゛ ることかできる。
また、前記電解重合用の第１の電極は複数個用いること
ができる。
ができる。
作用
電解重合高分子は前述したように、誘電体と々る酸化皮
膜の付いたアルミニウムやタンタル上に直接付けること
は難しい。ところが、本願出願人は酸化皮膜上に二酸化
マンガンを、例えばドツト状にでも付着させた後、ある
電流密度の高い箇所から−だん電解重合反応が起こると
、そこを起点に重合高分子体が表面全域に成長すること
を見い出しだ。従って、重合高分子体が表面全体に成長
した後、この重合反応の起点となった箇所を除去するこ
とにより、漏れ電流の少ないコンデンサが得られる。修
復能力は二酸化マンガンによってもたらされる。本発明
においては、導電性に優れた電解重合高分子膜が、これ
壕で実用化されている二酸化マンガン、ＴＣＮＱ塩のよ
うな固体電解質を酸化皮膜上に付着する際の高温処理の
くシ返しがない状態で、室温、そして低電圧で形成され
るため、酸化皮膜の劣化が少なく、高耐圧のコンデンサ
が得られる。また、導電性に優れた電解質となることか
ら高周波特性に優れ、電解重合高分子膜及び電解重合高
分子膜の酸化皮膜との付着性が良好なことから低温及び
高温保存寿命の優れたコンデンサが得られる。また、電
解重合高分子膜が膜状で酸化皮膜上に形成されるので、
薄形のコンデンサの形状が容易に得られる。
膜の付いたアルミニウムやタンタル上に直接付けること
は難しい。ところが、本願出願人は酸化皮膜上に二酸化
マンガンを、例えばドツト状にでも付着させた後、ある
電流密度の高い箇所から−だん電解重合反応が起こると
、そこを起点に重合高分子体が表面全域に成長すること
を見い出しだ。従って、重合高分子体が表面全体に成長
した後、この重合反応の起点となった箇所を除去するこ
とにより、漏れ電流の少ないコンデンサが得られる。修
復能力は二酸化マンガンによってもたらされる。本発明
においては、導電性に優れた電解重合高分子膜が、これ
壕で実用化されている二酸化マンガン、ＴＣＮＱ塩のよ
うな固体電解質を酸化皮膜上に付着する際の高温処理の
くシ返しがない状態で、室温、そして低電圧で形成され
るため、酸化皮膜の劣化が少なく、高耐圧のコンデンサ
が得られる。また、導電性に優れた電解質となることか
ら高周波特性に優れ、電解重合高分子膜及び電解重合高
分子膜の酸化皮膜との付着性が良好なことから低温及び
高温保存寿命の優れたコンデンサが得られる。また、電
解重合高分子膜が膜状で酸化皮膜上に形成されるので、
薄形のコンデンサの形状が容易に得られる。
また、電解重合高分子膜を成膜した後、酸化皮膜を再化
成処理することにより、漏れ電流による不良率を低下す
ることができる。
成処理することにより、漏れ電流による不良率を低下す
ることができる。
実施例
以下に本発明の詳細な説明する。
第１図及び第２図は本発明の一実施例における固体電解
コンデンサの製造方法の手順を示す概念図である。
コンデンサの製造方法の手順を示す概念図である。
第１図（ａ）に示すように弁金属であるアルミニウム箔
１にコンデンサ用陽極リード電極２を取９付けたものを
準備し、まず、表面積を増大するだめに通常にエツチン
グ処理した。このアルミニウム１３・＼−ノ 箔１は定格が１６■、１０μＦ用のものを用いた。次に
第１図（ｂ）に示すようにアルミニウム箔１の表面にア
ジピン酸水溶液によシ陽極酸化（化成）してＡｌ２Ｏ２
からなる誘電体の陽極酸化皮膜３を形成した。次に酸化
皮膜３を形成したアルミニウム箔１を３０％硝酸マンガ
ン水溶液に浸漬し、２７０ｔ：’の空気中で１０分間熱
分解処理を行い、酸化皮膜３上に二酸化マンガン（Ｍｎ
Ｏ２）膜４を形成した。次に第２図に下すように重合開
始を起こす白金線からなる電解重合用電極５をその先端
が二酸化マンガン膜４に接触するように外部に設け、電
解重合用対極６を電解重合用電極５から離隔して設けた
。
１にコンデンサ用陽極リード電極２を取９付けたものを
準備し、まず、表面積を増大するだめに通常にエツチン
グ処理した。このアルミニウム１３・＼−ノ 箔１は定格が１６■、１０μＦ用のものを用いた。次に
第１図（ｂ）に示すようにアルミニウム箔１の表面にア
ジピン酸水溶液によシ陽極酸化（化成）してＡｌ２Ｏ２
からなる誘電体の陽極酸化皮膜３を形成した。次に酸化
皮膜３を形成したアルミニウム箔１を３０％硝酸マンガ
ン水溶液に浸漬し、２７０ｔ：’の空気中で１０分間熱
分解処理を行い、酸化皮膜３上に二酸化マンガン（Ｍｎ
Ｏ２）膜４を形成した。次に第２図に下すように重合開
始を起こす白金線からなる電解重合用電極５をその先端
が二酸化マンガン膜４に接触するように外部に設け、電
解重合用対極６を電解重合用電極５から離隔して設けた
。
一方、重合反応容器７にピロール（０，５ｍｏ７／７）
、テトラエチルアンモニウムパラトルエンスルホネ）
（０，１ｍｏ７／Ａ）アセトニトリルからなる電解重合
溶液８を納めた。この中に、二酸化マンガン膜４を形成
した酸化皮膜３付きのアルミニウム箔１、電解重合用電
極５と電解重合用対極６を図示のように浸漬し、電解重
合用対極６と電解重合用電極５間に重合電位以上の５ｖ
の電圧を印加して１４・＼−・ １５分間反応を行わせることによシ、まず、重合高分子
膜（図示せず）を電極５に形成し、その後、ここを起点
として重合高分子膜を徐々に二酸化マンガン膜４の表面
方向に成長させることができだ。
、テトラエチルアンモニウムパラトルエンスルホネ）
（０，１ｍｏ７／Ａ）アセトニトリルからなる電解重合
溶液８を納めた。この中に、二酸化マンガン膜４を形成
した酸化皮膜３付きのアルミニウム箔１、電解重合用電
極５と電解重合用対極６を図示のように浸漬し、電解重
合用対極６と電解重合用電極５間に重合電位以上の５ｖ
の電圧を印加して１４・＼−・ １５分間反応を行わせることによシ、まず、重合高分子
膜（図示せず）を電極５に形成し、その後、ここを起点
として重合高分子膜を徐々に二酸化マンガン膜４の表面
方向に成長させることができだ。
重合高分子膜が二酸化マンガン膜４の表面を完全に覆い
つくした後、電解重合反応を終了し、重合高分子膜の表
面をエタノールで洗浄して乾燥した。
つくした後、電解重合反応を終了し、重合高分子膜の表
面をエタノールで洗浄して乾燥した。
このように二酸化マンガン膜４上に重合高分子膜を形成
した後、アジピン酸の０．５％水溶液中で酸化皮膜３の
再化成処理を行った。再化成処理後、アルミニウム箔１
に陰極に対し、低重圧からステップ的に２０Ｖまで印加
を行った。この時、流れる電流は徐々に減少する。この
値が飽和するところで電圧印加を停止した。この後、純
水で洗浄して乾燥した。次にアクアダソゲを電解重合高
分子膜上の全面に塗布し、その後、銀ペーストを用いて
陰極リード電極を取り付けた。次にエポキシ樹脂で外装
を行い、最後に常温で２０Ｖを２時間印加してエージン
グ処理を施した。
した後、アジピン酸の０．５％水溶液中で酸化皮膜３の
再化成処理を行った。再化成処理後、アルミニウム箔１
に陰極に対し、低重圧からステップ的に２０Ｖまで印加
を行った。この時、流れる電流は徐々に減少する。この
値が飽和するところで電圧印加を停止した。この後、純
水で洗浄して乾燥した。次にアクアダソゲを電解重合高
分子膜上の全面に塗布し、その後、銀ペーストを用いて
陰極リード電極を取り付けた。次にエポキシ樹脂で外装
を行い、最後に常温で２０Ｖを２時間印加してエージン
グ処理を施した。
電解重合高分子膜を成膜した後、再化成処理の１５へ一
／ 有無によるコンデンサ特性の相違を以下の表に示す。サ
ンプルは各１０個作製した。
／ 有無によるコンデンサ特性の相違を以下の表に示す。サ
ンプルは各１０個作製した。
（以下、余白）
１７へ−７
電解重合溶媒を非水系の有機溶媒で々く、水溶液を用い
、電解質をトルエンスルホン酸塩ばかりでなく、ナフタ
レンスルホン酸塩などの芳香族トルエン酸を用いた場合
にも同様な効果が得られた。
、電解質をトルエンスルホン酸塩ばかりでなく、ナフタ
レンスルホン酸塩などの芳香族トルエン酸を用いた場合
にも同様な効果が得られた。
発明の効果
以上型するに本発明は、弁金属の表面の酸化皮膜上に二
酸化マンガン処理をした上に導電性に優れた電解重合高
分子膜を形成するものであり、導電性に優れた電解重合
高分子膜を酸化皮膜上に形成することが可能となシ、高
周波特性、信頼性に優れた固体電解コンデンサを製造す
ることができる。まだ、電解重合高分子膜を形成した後
、酸化皮膜の再化成処理を行うので、漏れ電流による不
良率の低下を防止することができ、製造上の歩留まシを
向上させることができる。
酸化マンガン処理をした上に導電性に優れた電解重合高
分子膜を形成するものであり、導電性に優れた電解重合
高分子膜を酸化皮膜上に形成することが可能となシ、高
周波特性、信頼性に優れた固体電解コンデンサを製造す
ることができる。まだ、電解重合高分子膜を形成した後
、酸化皮膜の再化成処理を行うので、漏れ電流による不
良率の低下を防止することができ、製造上の歩留まシを
向上させることができる。
第１図及び第２図は本発明の一実施例における固体電解
コンデンサの製造方法の手順を示す概念図である。 １・・アルミニウム箔、２・・陽極リード電極、１８へ
−７ ３・・・酸化皮膜、４・・・；酸化マンガン膜、５・・
・電解重合用電極、６・・・電解重合用対極、７・・重
合反応容器、８・・・電解重合溶液。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名第 図 （ｃＬ） （ｂ）
コンデンサの製造方法の手順を示す概念図である。 １・・アルミニウム箔、２・・陽極リード電極、１８へ
−７ ３・・・酸化皮膜、４・・・；酸化マンガン膜、５・・
・電解重合用電極、６・・・電解重合用対極、７・・重
合反応容器、８・・・電解重合溶液。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名第 図 （ｃＬ） （ｂ）
Claims (7)
- （１）弁金属を化成して表面に酸化皮膜を形成し、この
酸化皮膜上に二酸化マンガンを付着させ、この二酸化マ
ンガン上に導電性電解重合高分子膜を形成し、形成後、
前記酸化皮膜を再化成処理することを特徴とする固体電
解コンデンサの製造方法。 - （２）酸化皮膜を形成した弁金属を硝酸マンガン水溶液
に浸漬した後、２００〜３００℃の空気中で熱処理し、
二酸化マンガンを酸化皮膜上に析出させる請求項１記載
の固体電解コンデンサの製造方法。 - （３）二酸化マンガンを形成した酸化皮膜付きの弁金属
を電解重合溶液中に浸漬し、前記二酸化マンガン表面に
接触して設けた電解重合用の第１の電極と、前記第１の
電極と離隔した位置に設けた電解重合用の第２の電極の
間に電位を印加して導電性電解重合高分子膜を形成する
請求項１記載の固体電解コンデンサの製造方法。 - （４）電解重合用の第１の電極を複数個設けた請求項３
記載の固体電解コンデンサの製造方法。 - （５）弁金属がアルミニウム、タンタルから選ばれる請
求項１ないし４のいずれかに記載の固体電解コンデンサ
の製造方法。 - （６）電解重合溶液が電解重合可能なモノマーと支持電
解質と溶媒とからなる請求項３記載の固体電解コンデン
サの製造方法。 - （７）電解重合可能なモノマーがピロール、チオフェン
、あるいはそれらの誘導体から選ばれる請求項６記載の
固体電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1039910A JPH0748454B2 (ja) | 1989-02-20 | 1989-02-20 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| EP89105640A EP0336299B1 (en) | 1988-03-31 | 1989-03-30 | Solid electrolytic capacitor and method for manufacturing the same |
| DE68918486T DE68918486T2 (de) | 1988-03-31 | 1989-03-30 | Festelektrolytkondensator und Verfahren zu seiner Herstellung. |
| US07/331,204 US4943892A (en) | 1988-03-31 | 1989-03-31 | Solid electrolytic capacitor and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1039910A JPH0748454B2 (ja) | 1989-02-20 | 1989-02-20 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02219211A true JPH02219211A (ja) | 1990-08-31 |
| JPH0748454B2 JPH0748454B2 (ja) | 1995-05-24 |
Family
ID=12566106
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1039910A Expired - Lifetime JPH0748454B2 (ja) | 1988-03-31 | 1989-02-20 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0748454B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5729428A (en) * | 1995-04-25 | 1998-03-17 | Nec Corporation | Solid electrolytic capacitor with conductive polymer as solid electrolyte and method for fabricating the same |
| US6072694A (en) * | 1998-09-30 | 2000-06-06 | Kemet Electronics Corporation | Electrolytic capacitor with improved leakage and dissipation factor |
| JP2001148328A (ja) * | 1999-11-19 | 2001-05-29 | Nec Corp | 固体電解コンデンサの製造方法 |
-
1989
- 1989-02-20 JP JP1039910A patent/JPH0748454B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5729428A (en) * | 1995-04-25 | 1998-03-17 | Nec Corporation | Solid electrolytic capacitor with conductive polymer as solid electrolyte and method for fabricating the same |
| US6072694A (en) * | 1998-09-30 | 2000-06-06 | Kemet Electronics Corporation | Electrolytic capacitor with improved leakage and dissipation factor |
| US6191013B1 (en) | 1998-09-30 | 2001-02-20 | Kemet Electronics Corporation | Process for improving leakage and dissipation factor of solid electrolytic capacitors employing conductive polymer cathodes |
| JP2001148328A (ja) * | 1999-11-19 | 2001-05-29 | Nec Corp | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0748454B2 (ja) | 1995-05-24 |
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Legal Events
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