JPH04307915A - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサの製造方法Info
- Publication number
- JPH04307915A JPH04307915A JP3072866A JP7286691A JPH04307915A JP H04307915 A JPH04307915 A JP H04307915A JP 3072866 A JP3072866 A JP 3072866A JP 7286691 A JP7286691 A JP 7286691A JP H04307915 A JPH04307915 A JP H04307915A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- valve metal
- film
- electrolytic capacitor
- solid electrolytic
- metal foil
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は導電性高分子膜を固体電
解質とし、低漏れ電流特性を有し生産性が優れた固体電
解コンデンサの製造方法に関するものである。
解質とし、低漏れ電流特性を有し生産性が優れた固体電
解コンデンサの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】最近、電気機器のディジタル化にともな
って、そこに使用されるコンデンサも高周波領域におい
てインピーダンスが低く、小型大容量化への要求が高ま
っている。従来、高周波用のコンデンサとしてはプラス
チックフィルムコンデンサ、マイカコンデンサ、積層セ
ラミックコンデンサなどが用いられている。またその他
にアルミニウム乾式電解コンデンサやアルミニウムまた
はタンタル固体電解コンデンサなどがある。アルミニウ
ム乾式固体電解コンデンサでは、エッチングを施した陽
、陰極アルミニウム箔を紙のセパレータを介して巻取り
、液状の電解質を用いている。
って、そこに使用されるコンデンサも高周波領域におい
てインピーダンスが低く、小型大容量化への要求が高ま
っている。従来、高周波用のコンデンサとしてはプラス
チックフィルムコンデンサ、マイカコンデンサ、積層セ
ラミックコンデンサなどが用いられている。またその他
にアルミニウム乾式電解コンデンサやアルミニウムまた
はタンタル固体電解コンデンサなどがある。アルミニウ
ム乾式固体電解コンデンサでは、エッチングを施した陽
、陰極アルミニウム箔を紙のセパレータを介して巻取り
、液状の電解質を用いている。
【０００３】また、アルミニウムやタンタル固体電解コ
ンデンサでは前記アルミニウム電解コンデンサの特性改
良のため電解質の固体化がなされている。この固体電解
質形成には硝酸マンガン液に陽極箔を 浸漬し、３５
０℃前後の高温炉中にて熱分解し、二酸化マンガン層を
作る。このコンデンサの場合、電解質が固体のために高
温における電解液の揮散、低温域での凝固から生ずる機
能低下などの欠点がなく、液状電解質と比べて良好な周
波数特性、温度特性を示す。アルミ電解コンデンサはタ
ンタル電解コンデンサと同様誘電体となる酸化皮膜を非
常に薄くできるために大容量を実現できる。
ンデンサでは前記アルミニウム電解コンデンサの特性改
良のため電解質の固体化がなされている。この固体電解
質形成には硝酸マンガン液に陽極箔を 浸漬し、３５
０℃前後の高温炉中にて熱分解し、二酸化マンガン層を
作る。このコンデンサの場合、電解質が固体のために高
温における電解液の揮散、低温域での凝固から生ずる機
能低下などの欠点がなく、液状電解質と比べて良好な周
波数特性、温度特性を示す。アルミ電解コンデンサはタ
ンタル電解コンデンサと同様誘電体となる酸化皮膜を非
常に薄くできるために大容量を実現できる。
【０００４】更に、近年では７，７，８，８−テトラシ
アノキノジメタン（ＴＣＮＱ）塩等の有機半導体を固体
電解質として用いた固体電解コンデンサが開発されてい
る（特開昭５８−１７６０９号公報）。さらにピロール
、フランなどの重合性モノマーを電解重合させて導電性
高分子とし、これを固体電解質とする方法もある（特開
昭６０−２４４０１７号公報）。
アノキノジメタン（ＴＣＮＱ）塩等の有機半導体を固体
電解質として用いた固体電解コンデンサが開発されてい
る（特開昭５８−１７６０９号公報）。さらにピロール
、フランなどの重合性モノマーを電解重合させて導電性
高分子とし、これを固体電解質とする方法もある（特開
昭６０−２４４０１７号公報）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように種々のコン
デンサが使用されているが、フィルムコンデンサおよび
マイカコンデンサでは形状が大きくなってしまうために
大容量化が難しく、また積層セラミックコンデンサは小
型大容量の要望から生まれたものであるが価格が非常に
高くなるということと、温度特性が悪いことなどの欠点
を有している。また、アルミ電解コンデンサは酸化皮膜
の損傷が起き易いために酸化皮膜と陰極の間に電解質を
施し随時損傷を修復する必要がある。このため電解質に
液状のものを使用しているものは、電解質の液漏れやイ
オン伝導性などの理由から経時的に静電容量の減少や損
失の増大をもたらすことと高周波特性、低温領域での損
失が大きいなどの欠点を有している。
デンサが使用されているが、フィルムコンデンサおよび
マイカコンデンサでは形状が大きくなってしまうために
大容量化が難しく、また積層セラミックコンデンサは小
型大容量の要望から生まれたものであるが価格が非常に
高くなるということと、温度特性が悪いことなどの欠点
を有している。また、アルミ電解コンデンサは酸化皮膜
の損傷が起き易いために酸化皮膜と陰極の間に電解質を
施し随時損傷を修復する必要がある。このため電解質に
液状のものを使用しているものは、電解質の液漏れやイ
オン伝導性などの理由から経時的に静電容量の減少や損
失の増大をもたらすことと高周波特性、低温領域での損
失が大きいなどの欠点を有している。
【０００６】次に固体電解質のものについて述べると、
高温で数回熱分解することによる酸化皮膜の損傷及び二
酸化マンガンの比抵抗が高いことなどの理由から高周波
域での損失は十分に小さいとは言えない。また、ＴＣＮ
Ｑ塩などの有機半導体を用いた固体電解コンデンサは、
二酸化マンガンを用いたものに比して優れた高周波特性
を示すが、有機半導体を塗布する際の比抵抗の上昇、陽
極箔への接着性が弱いことなどが原因で理想的な特性を
示すとは言えない。
高温で数回熱分解することによる酸化皮膜の損傷及び二
酸化マンガンの比抵抗が高いことなどの理由から高周波
域での損失は十分に小さいとは言えない。また、ＴＣＮ
Ｑ塩などの有機半導体を用いた固体電解コンデンサは、
二酸化マンガンを用いたものに比して優れた高周波特性
を示すが、有機半導体を塗布する際の比抵抗の上昇、陽
極箔への接着性が弱いことなどが原因で理想的な特性を
示すとは言えない。
【０００７】更に導電性高分子薄膜を固体電解質とする
場合、周波数特性，温度特性，寿命特性などが優れてい
る。ただしこの固体電解コンデンサは、固体電解質とす
る導電性高分子薄膜を陽極弁金属上に形成させるために
、外部電極を誘電体皮膜を有する陽極弁金属箔上に接触
させ、この外部電極を陽極として電解重合を行うため誘
電体皮膜を損傷するおそれがあり、また装置全体が大型
になり生産性も悪いという課題を有している。
場合、周波数特性，温度特性，寿命特性などが優れてい
る。ただしこの固体電解コンデンサは、固体電解質とす
る導電性高分子薄膜を陽極弁金属上に形成させるために
、外部電極を誘電体皮膜を有する陽極弁金属箔上に接触
させ、この外部電極を陽極として電解重合を行うため誘
電体皮膜を損傷するおそれがあり、また装置全体が大型
になり生産性も悪いという課題を有している。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明による固体電解コ
ンデンサの製造方法は、陽極酸化により表面に誘電体皮
膜を形成した陽極弁金属箔の上にマンガン酸化物層を設
けた後、前記陽極弁金属箔の少なくとも１カ所で前記誘
電体皮膜を除去し金属部を露出させ、この金属部と接触
させて設けた導電部を重合開始部として電解重合を行い
、前記マンガン酸化物層上に電解重合導電性高分子膜を
積層し、その後前記重合開始部となった導電部を切断除
去し、コンデンサ素子の前記切断面で露出している陽極
弁金属箔の上に陽極酸化により誘電体皮膜を形成するも
のである。この誘電体を形成した後にさらに別の絶縁物
をコーティングすることも何等問題はない。前記重合開
始部となった導電部を除去するのは、電解重合導電性高
分子膜積層後、あるいはカーボンペイント膜積層後、あ
るいは銀ペイント膜積層後のいずれであってもかまわな
い。
ンデンサの製造方法は、陽極酸化により表面に誘電体皮
膜を形成した陽極弁金属箔の上にマンガン酸化物層を設
けた後、前記陽極弁金属箔の少なくとも１カ所で前記誘
電体皮膜を除去し金属部を露出させ、この金属部と接触
させて設けた導電部を重合開始部として電解重合を行い
、前記マンガン酸化物層上に電解重合導電性高分子膜を
積層し、その後前記重合開始部となった導電部を切断除
去し、コンデンサ素子の前記切断面で露出している陽極
弁金属箔の上に陽極酸化により誘電体皮膜を形成するも
のである。この誘電体を形成した後にさらに別の絶縁物
をコーティングすることも何等問題はない。前記重合開
始部となった導電部を除去するのは、電解重合導電性高
分子膜積層後、あるいはカーボンペイント膜積層後、あ
るいは銀ペイント膜積層後のいずれであってもかまわな
い。
【０００９】
【作用】本発明は上記構成のように、誘電体皮膜を形成
した陽極弁金属箔の上にマンガン酸化物層を設けた後、
前記陽極弁金属箔に少なくとも１カ所で前記誘電体皮膜
を除去した金属部と接触させて設けた導電部を重合開始
部として電解重合を行い、前記マンガン酸化物層上に電
解重合導電性高分子膜を積層させ、その後前記重合開始
部となった導電部を切断除去しコンデンサ素子の前記切
断面で露出している陽極弁金属箔の上に陽極酸化により
誘電体皮膜を形成しているので、前記重合開始部で安定
に重合反応が行われ前記電解重合導電性高分子膜層が速
く成長し、電解重合終了後に前記陽極弁金属箔と接触し
ている前記重合開始部を切断除去するので短絡部がなく
なり、また前記切断面で露出している陽極弁作用金属箔
の上に誘電体皮膜を形成させるので耐圧が向上し、温度
変化によって短絡部分ができることもなく漏れ電流の低
減ができ、また装置全体を小型化でき生産性を向上させ
ることができる。
した陽極弁金属箔の上にマンガン酸化物層を設けた後、
前記陽極弁金属箔に少なくとも１カ所で前記誘電体皮膜
を除去した金属部と接触させて設けた導電部を重合開始
部として電解重合を行い、前記マンガン酸化物層上に電
解重合導電性高分子膜を積層させ、その後前記重合開始
部となった導電部を切断除去しコンデンサ素子の前記切
断面で露出している陽極弁金属箔の上に陽極酸化により
誘電体皮膜を形成しているので、前記重合開始部で安定
に重合反応が行われ前記電解重合導電性高分子膜層が速
く成長し、電解重合終了後に前記陽極弁金属箔と接触し
ている前記重合開始部を切断除去するので短絡部がなく
なり、また前記切断面で露出している陽極弁作用金属箔
の上に誘電体皮膜を形成させるので耐圧が向上し、温度
変化によって短絡部分ができることもなく漏れ電流の低
減ができ、また装置全体を小型化でき生産性を向上させ
ることができる。
【００１０】
【実施例】以下に本発明の実施例を図面を用いて詳細に
説明する。
説明する。
【００１１】（実施例１）図１（ａ）側面図、図１（ｂ
）正面図に示す弁作用金属箔２（アルミニウムエッチド
箔）を７％アジピン酸アンモニウム水溶液を用い、約７
０℃、４０分間、印加電圧４２Ｖの条件で陽極酸化し、
図２（ａ）一部破砕側面図、図２（ｂ）正面図のごとく
誘電体皮膜３を形成した。つぎに、硝酸マンガン水溶液
を塗布し３００℃、２０分の条件で熱分解し図３（ａ）
一部破砕側面図、図３（ｂ）正面図のごとくマンガン酸
化物膜４からなる導電層を形成した。
）正面図に示す弁作用金属箔２（アルミニウムエッチド
箔）を７％アジピン酸アンモニウム水溶液を用い、約７
０℃、４０分間、印加電圧４２Ｖの条件で陽極酸化し、
図２（ａ）一部破砕側面図、図２（ｂ）正面図のごとく
誘電体皮膜３を形成した。つぎに、硝酸マンガン水溶液
を塗布し３００℃、２０分の条件で熱分解し図３（ａ）
一部破砕側面図、図３（ｂ）正面図のごとくマンガン酸
化物膜４からなる導電層を形成した。
【００１２】ついで、図４（ａ）側面図、図４（ｂ）正
面図に示すように、重合開始導電部１０（実施例ではニ
ッケル箔片、直径１ｍｍ、厚さ５０μｍ）を溶接によっ
てマンガン酸化物膜４の上に設置した。重合開始導電部
１０は、図５（図４（ｂ）のＡ−Ａ’における断面図）
に示すように誘電体皮膜３、マンガン酸化物膜４を突き
抜けて弁作用金属箔２と接触している。ピロール（０．
２５Ｍ）、トリイソプロピルナフタレンスルフォネート
（０．１Ｍ）、水からなる電解重合溶液に弁金属箔を浸
し、ニッケル箔片を重合開始部導電部１０として、２．
５Ｖの定電圧を３０分印加し、図６（ａ）一部破砕側面
図、図６（ｂ）正面図に示すようにマンガン酸化物４上
に固体電解質用の導電性高分子膜５（ポリピロール膜）
を形成した。
面図に示すように、重合開始導電部１０（実施例ではニ
ッケル箔片、直径１ｍｍ、厚さ５０μｍ）を溶接によっ
てマンガン酸化物膜４の上に設置した。重合開始導電部
１０は、図５（図４（ｂ）のＡ−Ａ’における断面図）
に示すように誘電体皮膜３、マンガン酸化物膜４を突き
抜けて弁作用金属箔２と接触している。ピロール（０．
２５Ｍ）、トリイソプロピルナフタレンスルフォネート
（０．１Ｍ）、水からなる電解重合溶液に弁金属箔を浸
し、ニッケル箔片を重合開始部導電部１０として、２．
５Ｖの定電圧を３０分印加し、図６（ａ）一部破砕側面
図、図６（ｂ）正面図に示すようにマンガン酸化物４上
に固体電解質用の導電性高分子膜５（ポリピロール膜）
を形成した。
【００１３】続いて、図７（ａ）一部破砕側面図、図７
（ｂ）正面図にみるように重合開始導電部１０をその上
下の弁作用金属箔２、誘電体皮膜３、マンガン酸化物膜
４、導電性高分子膜５と共に折り曲げて除去した。次い
で図８（ａ）一部破砕側面図、図８（ｂ）正面図に示す
ように、重合開始部を除去したこの素子の切断面で露出
している弁作用金属箔２（アルミニウムエッチド箔）の
上に、７％アジピン酸アンモニウム水溶液を用い、約７
０℃、２０分間、印加電圧４２Ｖの条件で陽極酸化し、
誘電体皮膜９を形成した。その後に図９、図１０（各（
ａ）は一部破砕側面図、（ｂ）は正面図）に示すように
カーボンペイント膜６、続いて銀ペイント膜７を形成し
た。最後に、図１１に示すように陽極リード１と陰極リ
ード８を設け、樹脂で外装して固体電解コンデンサを得
た。
（ｂ）正面図にみるように重合開始導電部１０をその上
下の弁作用金属箔２、誘電体皮膜３、マンガン酸化物膜
４、導電性高分子膜５と共に折り曲げて除去した。次い
で図８（ａ）一部破砕側面図、図８（ｂ）正面図に示す
ように、重合開始部を除去したこの素子の切断面で露出
している弁作用金属箔２（アルミニウムエッチド箔）の
上に、７％アジピン酸アンモニウム水溶液を用い、約７
０℃、２０分間、印加電圧４２Ｖの条件で陽極酸化し、
誘電体皮膜９を形成した。その後に図９、図１０（各（
ａ）は一部破砕側面図、（ｂ）は正面図）に示すように
カーボンペイント膜６、続いて銀ペイント膜７を形成し
た。最後に、図１１に示すように陽極リード１と陰極リ
ード８を設け、樹脂で外装して固体電解コンデンサを得
た。
【００１４】本実施例による切断面で露出している弁作
用金属箔２に誘電体皮膜３を形成した固体電解コンデン
サの特性と比較例として誘電体皮膜３を形成しない固体
電解コンデンサに関し、初期特性、ヒートサイクル試験
ＬＣ歩留まり特性についてそれぞれ（表１）と（表２）
に示している。これら（表１）と（表２）から明らかな
ように、本実施例による固体電解コンデンサは、耐圧特
性と信頼性の点で優れた効果が得られる。
用金属箔２に誘電体皮膜３を形成した固体電解コンデン
サの特性と比較例として誘電体皮膜３を形成しない固体
電解コンデンサに関し、初期特性、ヒートサイクル試験
ＬＣ歩留まり特性についてそれぞれ（表１）と（表２）
に示している。これら（表１）と（表２）から明らかな
ように、本実施例による固体電解コンデンサは、耐圧特
性と信頼性の点で優れた効果が得られる。
【００１５】
【表１】
【００１６】
【表２】
【００１７】以上のように本実施例によれば、重合開始
導電部を陽極箔に設けて導電性高分子膜を陽極箔上に形
成させた後、前記重合開始導電部を少なくとも含む部分
を除去し、除去した断面部に陽極酸化によって誘電体皮
膜を形成させるので、耐圧特性と信頼性を向上させるこ
とができる。
導電部を陽極箔に設けて導電性高分子膜を陽極箔上に形
成させた後、前記重合開始導電部を少なくとも含む部分
を除去し、除去した断面部に陽極酸化によって誘電体皮
膜を形成させるので、耐圧特性と信頼性を向上させるこ
とができる。
【００１８】（実施例２）電解重合導電性高分子膜５を
形成させるまでは、実施例１と同様である。即ち図６に
示すように導電性高分子膜５を形成させた後、図１２（
ａ）一部破砕側面図、図１２（ｂ）正面図にみられるよ
うにカーボンペイント膜６を形成した。続いて図１３（
ａ）一部破砕側面図、図１３（ｂ）正面図にみるように
重合開始導電部１０をその上下の弁作用金属箔２、誘電
体皮膜３、マンガン酸化物膜４、導電性高分子膜５、カ
ーボンペイント膜６と共に折り曲げて除去した。
形成させるまでは、実施例１と同様である。即ち図６に
示すように導電性高分子膜５を形成させた後、図１２（
ａ）一部破砕側面図、図１２（ｂ）正面図にみられるよ
うにカーボンペイント膜６を形成した。続いて図１３（
ａ）一部破砕側面図、図１３（ｂ）正面図にみるように
重合開始導電部１０をその上下の弁作用金属箔２、誘電
体皮膜３、マンガン酸化物膜４、導電性高分子膜５、カ
ーボンペイント膜６と共に折り曲げて除去した。
【００１９】次いで図１４（ａ）一部破砕側面図、図１
４（ｂ）正面図に示すように、この素子の重合開始部を
除去した切断面で露出している弁作用金属箔２（アルミ
ニウムエッチド箔）の上に、７％アジピン酸アンモニウ
ム水溶液を用い、約７０℃、２０分間、印加電圧４２Ｖ
の条件で陽極酸化し、誘電体皮膜９を形成した。その後
に図１５（ａ）一部破砕側面図、図１５（ｂ）正面図に
示すように銀ペイント膜７を形成した。最後に、図１６
にみるように陽極リード１と陰極リード８を設け、樹脂
で外装して固体電解コンデンサを得た。
４（ｂ）正面図に示すように、この素子の重合開始部を
除去した切断面で露出している弁作用金属箔２（アルミ
ニウムエッチド箔）の上に、７％アジピン酸アンモニウ
ム水溶液を用い、約７０℃、２０分間、印加電圧４２Ｖ
の条件で陽極酸化し、誘電体皮膜９を形成した。その後
に図１５（ａ）一部破砕側面図、図１５（ｂ）正面図に
示すように銀ペイント膜７を形成した。最後に、図１６
にみるように陽極リード１と陰極リード８を設け、樹脂
で外装して固体電解コンデンサを得た。
【００２０】本実施例による固体電解コンデンサに関し
、初期特性、ヒートサイクル試験ＬＣ歩留まり特性につ
いてそれぞれ（表１）と（表２）に示している。これら
（表１）と（表２）から明らかなように、本実施例によ
る固体電解コンデンサは、第１の実施例と同様に耐圧特
性と信頼性の点で優れた効果が得られる。
、初期特性、ヒートサイクル試験ＬＣ歩留まり特性につ
いてそれぞれ（表１）と（表２）に示している。これら
（表１）と（表２）から明らかなように、本実施例によ
る固体電解コンデンサは、第１の実施例と同様に耐圧特
性と信頼性の点で優れた効果が得られる。
【００２１】（実施例３）電解重合導電性高分子膜５を
形成させるまでは、実施例１と同様である。図６に示す
ように導電性高分子膜５を形成させた後、図１７（ａ）
一部破砕側面図、図１７（ｂ）正面図にみられるように
カーボンペイント膜６を形成し、続いて図１８（ａ）一
部破砕側面図、図１８（ｂ）正面図にみるように銀ペイ
ント膜７を形成した。続いて、図１９（ａ）一部破砕側
面図、図１９（ｂ）正面図にみるように重合開始導電部
１０をその上下の弁作用金属箔２、誘電体皮膜３、マン
ガン酸化物膜４、導電性高分子膜５、カーボンペイント
膜６、銀ペイント膜７と共に折り曲げて除去した。次い
で図２０（ａ）一部破砕側面図、図２０（ｂ）正面図に
示すように、この素子の重合開始部を除去した切断面で
露出している弁作用金属箔２（アルミニウムエッチド箔
）の上に、７％アジピン酸アンモニウム水溶液を用い、
約７０℃、２０分間、印加電圧４２Ｖの条件で陽極酸化
し、誘電体皮膜９を形成した。最後に、図２１にみるよ
うに陽極リード１と陰極リード８を設け、樹脂で外装し
て固体電解コンデンサを得た。
形成させるまでは、実施例１と同様である。図６に示す
ように導電性高分子膜５を形成させた後、図１７（ａ）
一部破砕側面図、図１７（ｂ）正面図にみられるように
カーボンペイント膜６を形成し、続いて図１８（ａ）一
部破砕側面図、図１８（ｂ）正面図にみるように銀ペイ
ント膜７を形成した。続いて、図１９（ａ）一部破砕側
面図、図１９（ｂ）正面図にみるように重合開始導電部
１０をその上下の弁作用金属箔２、誘電体皮膜３、マン
ガン酸化物膜４、導電性高分子膜５、カーボンペイント
膜６、銀ペイント膜７と共に折り曲げて除去した。次い
で図２０（ａ）一部破砕側面図、図２０（ｂ）正面図に
示すように、この素子の重合開始部を除去した切断面で
露出している弁作用金属箔２（アルミニウムエッチド箔
）の上に、７％アジピン酸アンモニウム水溶液を用い、
約７０℃、２０分間、印加電圧４２Ｖの条件で陽極酸化
し、誘電体皮膜９を形成した。最後に、図２１にみるよ
うに陽極リード１と陰極リード８を設け、樹脂で外装し
て固体電解コンデンサを得た。
【００２２】本実施例による固体電解コンデンサに関し
、初期特性、ヒートサイクル試験ＬＣ歩留まり特性につ
いてそれぞれ（表１）と（表２）に示している。これら
（表１）と（表２）から明らかなように、本実施例によ
る固体電解コンデンサは、第１の実施例と同様に耐圧特
性と信頼性の点で優れた効果が得られる。
、初期特性、ヒートサイクル試験ＬＣ歩留まり特性につ
いてそれぞれ（表１）と（表２）に示している。これら
（表１）と（表２）から明らかなように、本実施例によ
る固体電解コンデンサは、第１の実施例と同様に耐圧特
性と信頼性の点で優れた効果が得られる。
【００２３】なお、上記実施例では硝酸マンガンを用い
てマンガン酸化物を形成した場合についてのみ述べたが
、硝酸マンガンに限らず、マンガン酸化物を形成できる
ものであれば他の物でも使用可能である。また上記実施
例ではニッケル箔を陽極に溶接して接触させ重合開始部
に使用したと述べたが、ニッケルに限らず陽極酸化され
ない導電物であれば他のものを用いることも可能である
。また接触方法としては溶接に限らず、かしめ等他の方
法を用いることも可能である。
てマンガン酸化物を形成した場合についてのみ述べたが
、硝酸マンガンに限らず、マンガン酸化物を形成できる
ものであれば他の物でも使用可能である。また上記実施
例ではニッケル箔を陽極に溶接して接触させ重合開始部
に使用したと述べたが、ニッケルに限らず陽極酸化され
ない導電物であれば他のものを用いることも可能である
。また接触方法としては溶接に限らず、かしめ等他の方
法を用いることも可能である。
【００２４】
【発明の効果】以上のように本発明は、誘電体皮膜の上
にマンガン酸化物層を形成せしめた後に、陽極金属箔に
陽極酸化されない導電部を接触させて重合開始部を設け
電解重合することで前記マンガン酸化物層上に電解重合
導電性高分子膜を積層し、その後重合開始部を切断除去
し、コンデンサ素子の前記切断面で露出している陽極弁
金属箔の上に陽極酸化により誘電体皮膜を形成する方法
により、重合開始部より安定に速く電解重合導電性高分
子膜を形成させることが可能で、また重合開始部除去後
の切断面に誘電体皮膜を形成させるので耐圧特性が向上
し、切断面部の経時劣化を抑えられ信頼性が向上し、漏
れ電流の少ない固体電解コンデンサを効率よく作製でき
る利点を有する。
にマンガン酸化物層を形成せしめた後に、陽極金属箔に
陽極酸化されない導電部を接触させて重合開始部を設け
電解重合することで前記マンガン酸化物層上に電解重合
導電性高分子膜を積層し、その後重合開始部を切断除去
し、コンデンサ素子の前記切断面で露出している陽極弁
金属箔の上に陽極酸化により誘電体皮膜を形成する方法
により、重合開始部より安定に速く電解重合導電性高分
子膜を形成させることが可能で、また重合開始部除去後
の切断面に誘電体皮膜を形成させるので耐圧特性が向上
し、切断面部の経時劣化を抑えられ信頼性が向上し、漏
れ電流の少ない固体電解コンデンサを効率よく作製でき
る利点を有する。
【図１】本発明の第１の実施例における固体電解コンデ
ンサの製造方法で使用した弁作用金属（アルミエッチド
箔）
ンサの製造方法で使用した弁作用金属（アルミエッチド
箔）
【図２】同実施例において弁作用金属上に誘電体皮膜を
形成した工程図
形成した工程図
【図３】同実施例において誘電体皮膜上にマンガン酸化
膜を形成した工程図
膜を形成した工程図
【図４】同実施例においてマンガン酸化膜上に重合開始
導電部を形成した工程図
導電部を形成した工程図
【図５】同実施例において重合開始導電部の接触状態を
示す断面図
示す断面図
【図６】同実施例においてマンガン酸化膜上に導電性高
分子膜を形成した工程図
分子膜を形成した工程図
【図７】同実施例において重合開始導電部を除去した工
程図
程図
【図８】同実施例において切断面で露出した弁作用金属
箔上に誘電体皮膜を形成した工程図
箔上に誘電体皮膜を形成した工程図
【図９】同実施例において導電性高分子膜上にカーボン
ペイント膜を形成した工程図
ペイント膜を形成した工程図
【図１０】同実施例においてカーボンペイント膜上に銀
ペイント膜形成した工程図
ペイント膜形成した工程図
【図１１】同実施例において作製したコンデンサの平面
図
図
【図１２】本発明の第２の実施例における固体電解コン
デンサの製造方法を示す導電性高分子膜上にカーボンペ
イント膜を形成した工程図
デンサの製造方法を示す導電性高分子膜上にカーボンペ
イント膜を形成した工程図
【図１３】同実施例において重合開始導電部を除去した
工程図
工程図
【図１４】同実施例において切断面で露出した弁作用金
属箔上に誘電体皮膜を形成した工程図
属箔上に誘電体皮膜を形成した工程図
【図１５】同実施例においてカーボンペイント膜上に銀
ペイント膜形成した工程図
ペイント膜形成した工程図
【図１６】同実施例において作製したコンデンサの平面
図
図
【図１７】本発明の第３の実施例における固体電解コン
デンサの製造方法を示す導電性高分子膜上にカーボンペ
イント膜を形成した工程図
デンサの製造方法を示す導電性高分子膜上にカーボンペ
イント膜を形成した工程図
【図１８】同実施例においてカーボンペイント膜上に銀
ペイント膜形成した工程図
ペイント膜形成した工程図
【図１９】同実施例において重合開始導電部を除去した
工程図
工程図
【図２０】同実施例において切断面で露出した弁作用金
属箔上に誘電体皮膜を形成した工程図
属箔上に誘電体皮膜を形成した工程図
【図２１】同実施例において作製したコンデンサの平面
図
図
１ 陽極リード
２ 弁作用金属箔
３ 誘電体皮膜
４ マンガン酸化物膜
５ 電解重合導電性高分子膜
６ カーボンペイント膜
７ 銀ペイント膜
８ 陰極リード
９ 誘電体皮膜
１０ 重合開始導電部
Claims (3)
- 【請求項１】陽極酸化により表面に誘電体皮膜を形成し
た陽極弁金属箔の上に、マンガン酸化物層を形成させた
後、前記陽極弁金属箔の少なくとも１カ所で前記誘電体
皮膜を除去し金属部を露出させ、露出させた金属部と接
触させて設けた導電部を重合開始部として電解重合を行
い、前記マンガン酸化物層上に電解重合導電性高分子膜
を積層させた後に前記重合開始部を切断除去し、前記切
断面に露出している陽極弁金属箔の上に、陽極酸化によ
り誘電体皮膜を形成することを特徴とする固体電解コン
デンサの製造方法。 - 【請求項２】電解重合導電性高分子膜が、ピロール、チ
オフェンあるいはそれらの誘導体の少なくとも一種と支
持電解質とを含む溶液中で形成されることを特徴とする
請求項１記載の固体電解コンデンサの製造方法。 - 【請求項３】陽極弁金属がアルミニウムもしくはタンタ
ルから選ばれる一種である請求項１または２記載の固体
電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3072866A JP2924251B2 (ja) | 1991-04-05 | 1991-04-05 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3072866A JP2924251B2 (ja) | 1991-04-05 | 1991-04-05 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04307915A true JPH04307915A (ja) | 1992-10-30 |
| JP2924251B2 JP2924251B2 (ja) | 1999-07-26 |
Family
ID=13501685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3072866A Expired - Fee Related JP2924251B2 (ja) | 1991-04-05 | 1991-04-05 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2924251B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11270847B1 (en) | 2019-05-17 | 2022-03-08 | KYOCERA AVX Components Corporation | Solid electrolytic capacitor with improved leakage current |
-
1991
- 1991-04-05 JP JP3072866A patent/JP2924251B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2924251B2 (ja) | 1999-07-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4943892A (en) | Solid electrolytic capacitor and method for manufacturing the same | |
| JP2003124068A (ja) | コンデンサ用陽極箔、該陽極箔の製造方法及び該陽極箔を用いた固体電解コンデンサ | |
| JPS61240625A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP2924251B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP2730345B2 (ja) | コンデンサの製造方法 | |
| JP2924310B2 (ja) | コンデンサの製造方法 | |
| JP3055199B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP2811915B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH0521295A (ja) | 積層型固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH03228305A (ja) | アルミニウム固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP2924252B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP2814585B2 (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| JPH02219211A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH11121280A (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| JPH10321474A (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| JPH0393214A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH02132815A (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| JPH0274016A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| KR100821166B1 (ko) | 적층형 고분자 콘덴서의 제조 방법 | |
| JP2007103406A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH01310529A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH03139816A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH04307918A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP2007103468A (ja) | 電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| JPH0393219A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |