JPH022219B2 - - Google Patents
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- JPH022219B2 JPH022219B2 JP58175196A JP17519683A JPH022219B2 JP H022219 B2 JPH022219 B2 JP H022219B2 JP 58175196 A JP58175196 A JP 58175196A JP 17519683 A JP17519683 A JP 17519683A JP H022219 B2 JPH022219 B2 JP H022219B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- cobalt
- nitride film
- magnetization
- axis
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気記録媒体に係り、非磁性支持体
と、この非磁性支持体上に設けられ、ほぼ水平方
向に磁化容易軸を有し、かつ、抗磁力が約200〜
1000エルステツドの非塗布型の窒化コバルト膜
と、この窒化コバルト膜上に設けられ、ほぼ垂直
方向に磁化容易軸を有するコバルト系の磁性層と
を有する構造にすることによつて、長波長でも短
波長でも記録再生が良好に行なえ、かつ例えばス
チル時における耐スチル性が極めて良好な磁気記
録媒体を提供することを目的とする。
と、この非磁性支持体上に設けられ、ほぼ水平方
向に磁化容易軸を有し、かつ、抗磁力が約200〜
1000エルステツドの非塗布型の窒化コバルト膜
と、この窒化コバルト膜上に設けられ、ほぼ垂直
方向に磁化容易軸を有するコバルト系の磁性層と
を有する構造にすることによつて、長波長でも短
波長でも記録再生が良好に行なえ、かつ例えばス
チル時における耐スチル性が極めて良好な磁気記
録媒体を提供することを目的とする。
例えば、オーデイオ用又はビデオ用の記録再生
装置あるいはコンピユータ等の記憶装置において
は、ベース上に磁性層塗膜の設けられた磁気記録
媒体が用いられており、リング型磁気ヘツドを用
いて磁気記録媒体の面内（水平）方向に磁化を向
けるといつた面内（水平）磁気記録方式が用いら
れている。
装置あるいはコンピユータ等の記憶装置において
は、ベース上に磁性層塗膜の設けられた磁気記録
媒体が用いられており、リング型磁気ヘツドを用
いて磁気記録媒体の面内（水平）方向に磁化を向
けるといつた面内（水平）磁気記録方式が用いら
れている。
ところが、この水平磁化による記録の場合、記
録信号が短波長になるにつれ、すなわち記録密度
を増加してゆくにつれ、媒体内の反磁界が増し、
残留磁化の減衰と回転とを生じ、再生出力が著し
く減少することにより、水平磁気記録方式では高
密度化に対応できない。
録信号が短波長になるにつれ、すなわち記録密度
を増加してゆくにつれ、媒体内の反磁界が増し、
残留磁化の減衰と回転とを生じ、再生出力が著し
く減少することにより、水平磁気記録方式では高
密度化に対応できない。
そして、最近に至り、上記のような媒体面内に
記録する水平磁気記録方式にかわる新しい記録方
式として垂直磁気記録方式が注目を集めている。
記録する水平磁気記録方式にかわる新しい記録方
式として垂直磁気記録方式が注目を集めている。
この垂直磁気記録方式とは、磁化容易軸が膜面
法線方向である磁気記録媒体を用い、膜面に対し
て垂直方向に記録磁化モードを構成するものであ
つて、記録信号が短波長になるにつれ媒体内の反
磁界が小さくなるので、高密度化に適しているの
である。
法線方向である磁気記録媒体を用い、膜面に対し
て垂直方向に記録磁化モードを構成するものであ
つて、記録信号が短波長になるにつれ媒体内の反
磁界が小さくなるので、高密度化に適しているの
である。
しかし、この垂直磁気記録方式は、記録媒体の
膜面垂直方向に磁化を向けるものである為、高密
度記録には適しているものの、低密度領域、すな
わち記録信号が長波長の領域では減磁作用が大き
く、低密度記録には適してなく、記録信号に大き
な制約を受け、又、記録に用いた磁気ヘツドと同
じ磁気ヘツドで再生しようとすると、再生出力が
小さいといつた欠点がある。
膜面垂直方向に磁化を向けるものである為、高密
度記録には適しているものの、低密度領域、すな
わち記録信号が長波長の領域では減磁作用が大き
く、低密度記録には適してなく、記録信号に大き
な制約を受け、又、記録に用いた磁気ヘツドと同
じ磁気ヘツドで再生しようとすると、再生出力が
小さいといつた欠点がある。
そこで、このような欠点を解決する為に、例え
ばほぼ垂直方向に異方性をもつ媒体層とその下部
に設けられたほぼ水平方向に異方性をもつ媒体層
とを有する複合型磁気記録媒体が提案（特開昭58
−68234号）されるに至つているが、この提案に
よる磁気記録媒体でも満足できるものではない。
ばほぼ垂直方向に異方性をもつ媒体層とその下部
に設けられたほぼ水平方向に異方性をもつ媒体層
とを有する複合型磁気記録媒体が提案（特開昭58
−68234号）されるに至つているが、この提案に
よる磁気記録媒体でも満足できるものではない。
本発明は上記種々の問題点を完全に解決したも
のであり、以下その実施例について説明する。
のであり、以下その実施例について説明する。
本発明は、上記特開昭58−68234号提案の複合
型磁気記録媒体と、例えばほぼ垂直方向に磁化容
易軸を有する媒体層とほぼ水平方向に磁化容易軸
を有する媒体層とを設ける点においては同様な発
想による。すなわち、高密度領域では垂直異方性
をもつ媒体（垂直方向に磁化容易軸を有する媒
体）を利用し、低密度領域では面内異方性をもつ
媒体（水平方向に磁化容易軸を有する媒体）を利
用するようにしたものである。
型磁気記録媒体と、例えばほぼ垂直方向に磁化容
易軸を有する媒体層とほぼ水平方向に磁化容易軸
を有する媒体層とを設ける点においては同様な発
想による。すなわち、高密度領域では垂直異方性
をもつ媒体（垂直方向に磁化容易軸を有する媒
体）を利用し、低密度領域では面内異方性をもつ
媒体（水平方向に磁化容易軸を有する媒体）を利
用するようにしたものである。
そして、このような水平方向に磁化容易軸を有
する媒体としては、従来の磁気記録媒体に用いら
れている、例えばγ−Fe2O3、CrO2等の酸化物磁
性粉又はFe、Co等の金属磁性粉を用いることも
可能であるが、本発明では、特に、高密度領域で
は磁化容易軸が水平方向を向いた際に、減磁が大
きく、マクロ的には磁化零の状態となる窒化コバ
ルトを用いるようにしたのであり、そして、この
ような窒化コバルト膜を水平方向に磁化容易軸を
有する媒体層として用いていると、垂直方向に磁
化容易軸を有する媒体層として、例えばCo−Cr
といつたCo系媒体が用いられると、この両媒体
層の密着性が著しく向上し、例えばスチル時の耐
スチル性が著しく良いといつた特長をももたらす
ようになる。
する媒体としては、従来の磁気記録媒体に用いら
れている、例えばγ−Fe2O3、CrO2等の酸化物磁
性粉又はFe、Co等の金属磁性粉を用いることも
可能であるが、本発明では、特に、高密度領域で
は磁化容易軸が水平方向を向いた際に、減磁が大
きく、マクロ的には磁化零の状態となる窒化コバ
ルトを用いるようにしたのであり、そして、この
ような窒化コバルト膜を水平方向に磁化容易軸を
有する媒体層として用いていると、垂直方向に磁
化容易軸を有する媒体層として、例えばCo−Cr
といつたCo系媒体が用いられると、この両媒体
層の密着性が著しく向上し、例えばスチル時の耐
スチル性が著しく良いといつた特長をももたらす
ようになる。
又、窒化コバルト膜は、例えばスパツタリン
グ、蒸着又はイオンプレーテイングといつた
PVD法によつて簡単に成膜でき、しかもこのよ
うな手段による非塗布型（磁性粉とバインダー等
を含む磁性塗料をベース上に塗布するといつた塗
布型でないもの）の窒化コバルト膜は、塗布型の
場合の磁性膜が、塗布後に磁膜に残留している揮
発分が減圧下で急激に気化し、これによつて表面
が粗くなつていることより、次工程で形成する垂
直方向に磁化容易軸を有する媒体層に悪影響を及
ぼすといつたようなことがなく、すなわち例えば
PVD法による窒化コバルト膜表面の平滑性にも
すぐれ、垂直方向に磁化容易軸を有する媒体層の
下地膜としては極めて望しいものである。
グ、蒸着又はイオンプレーテイングといつた
PVD法によつて簡単に成膜でき、しかもこのよ
うな手段による非塗布型（磁性粉とバインダー等
を含む磁性塗料をベース上に塗布するといつた塗
布型でないもの）の窒化コバルト膜は、塗布型の
場合の磁性膜が、塗布後に磁膜に残留している揮
発分が減圧下で急激に気化し、これによつて表面
が粗くなつていることより、次工程で形成する垂
直方向に磁化容易軸を有する媒体層に悪影響を及
ぼすといつたようなことがなく、すなわち例えば
PVD法による窒化コバルト膜表面の平滑性にも
すぐれ、垂直方向に磁化容易軸を有する媒体層の
下地膜としては極めて望しいものである。
そして、イオンプレーテイングやスパツタリン
グや蒸着といつた手段で水平方向に磁化容易軸を
有する窒化コバルト膜が作成されると、垂直方向
に磁化容易軸を有する、例えばCo−Cr膜も同様
な手段で構成され得るので、同一チヤンバー内で
作成でき、従つて生産工程が単純化でき、コスト
面でも好ましい結果となる。
グや蒸着といつた手段で水平方向に磁化容易軸を
有する窒化コバルト膜が作成されると、垂直方向
に磁化容易軸を有する、例えばCo−Cr膜も同様
な手段で構成され得るので、同一チヤンバー内で
作成でき、従つて生産工程が単純化でき、コスト
面でも好ましい結果となる。
又、この窒化コバルト膜は、その抗磁力が200
〜1000エルステツドのものとしておくことが大事
である。これは、抗磁力が大きすぎたり又は小さ
すぎたりすると、複合型にした効果が著しく小さ
くなるからである。
〜1000エルステツドのものとしておくことが大事
である。これは、抗磁力が大きすぎたり又は小さ
すぎたりすると、複合型にした効果が著しく小さ
くなるからである。
又、この窒化コバルト膜は、その厚みが約0.05
〜0.7μｍ、望ましくは0.1〜0.3μｍのものが記録信
号の広い範囲にわたつて好ましいものとなる。
〜0.7μｍ、望ましくは0.1〜0.3μｍのものが記録信
号の広い範囲にわたつて好ましいものとなる。
次に、本発明の具体的実施例について述べる。
実施例
例えば約75μｍ厚のポリイミドベースフイルム
が入れられ、かつ充分に脱ガスした真空チヤンバ
ー内に、例えば４：１の割合のアルゴンと窒素と
の混合ガスを２×10-2torrまで満たす。
が入れられ、かつ充分に脱ガスした真空チヤンバ
ー内に、例えば４：１の割合のアルゴンと窒素と
の混合ガスを２×10-2torrまで満たす。
そして、コバルトターゲツトのスパツタリング
を行ない、ポリイミドベースフイルム上に約0.1
〜0.3μｍ、例えば約0.2μｍ厚の窒化コバルト膜を
形成する。
を行ない、ポリイミドベースフイルム上に約0.1
〜0.3μｍ、例えば約0.2μｍ厚の窒化コバルト膜を
形成する。
次に、真空チヤンバー内のガスを排気して脱ガ
スした後、ガス圧２×10-2torrとなるようアルゴ
ンガスを導入し、コバルト−クロム（クロム
20Wt％）のスパツタリングを行ない、上記0.2μ
ｍ厚の水平方向に磁化容易軸を有する窒化コバル
ト膜上に垂直方向に磁化容易軸を有するコバルト
−クロム合金磁性膜をその厚みが約0.1〜1μｍ、
例えば0.5μｍ厚形成する。
スした後、ガス圧２×10-2torrとなるようアルゴ
ンガスを導入し、コバルト−クロム（クロム
20Wt％）のスパツタリングを行ない、上記0.2μ
ｍ厚の水平方向に磁化容易軸を有する窒化コバル
ト膜上に垂直方向に磁化容易軸を有するコバルト
−クロム合金磁性膜をその厚みが約0.1〜1μｍ、
例えば0.5μｍ厚形成する。
尚、必要に応じて、例えばカール現象を防止す
る為に、ポリイミドベースフイルムの両面に窒化
コバルト膜とコバルト−クロム合金膜とを形成す
る。
る為に、ポリイミドベースフイルムの両面に窒化
コバルト膜とコバルト−クロム合金膜とを形成す
る。
その後、窒化コバルト膜及びコバルト−クロム
合金膜の形成されたフイルムを、例えば300℃、
１時間の条件で熱処理し、スパツタリングで形成
された非晶質で磁化の小さな窒化コバルト膜を、
磁化が約10000ガウス、抗磁力が約600エルステツ
ド程度の結晶化膜とする。
合金膜の形成されたフイルムを、例えば300℃、
１時間の条件で熱処理し、スパツタリングで形成
された非晶質で磁化の小さな窒化コバルト膜を、
磁化が約10000ガウス、抗磁力が約600エルステツ
ド程度の結晶化膜とする。
上記のようにして得られた磁気デイスクに対し
て、ギヤツプ長0.3μｍのボタン型リングヘツドを
用いて記録再生を行ない、その再生出力の周波数
特性を示すと第１図のようになる。尚、同図中、
１で示す曲線は上記実施例のもの、２で示す曲線
はコバルト−クロム合金磁性膜のみを設けたもの
（上記実施例で窒化コバルト膜を設けなかつたも
の）、３で示す曲線は窒化コバルト膜のみを設け
たもの（上記実施例でコバルト−クロム合金磁性
膜を設けなかつたもの）の特性である。
て、ギヤツプ長0.3μｍのボタン型リングヘツドを
用いて記録再生を行ない、その再生出力の周波数
特性を示すと第１図のようになる。尚、同図中、
１で示す曲線は上記実施例のもの、２で示す曲線
はコバルト−クロム合金磁性膜のみを設けたもの
（上記実施例で窒化コバルト膜を設けなかつたも
の）、３で示す曲線は窒化コバルト膜のみを設け
たもの（上記実施例でコバルト−クロム合金磁性
膜を設けなかつたもの）の特性である。
この結果、上記実施例の磁気デイスクは、低密
度から高密度にかけてその再生出力の大きなこと
が理解できる。
度から高密度にかけてその再生出力の大きなこと
が理解できる。
又、熱処理工程の条件を変えて窒化コバルト膜
の抗磁力の値が異なる磁気デイスクを作成し、こ
れら磁気デイスクの再生出力の周波数特性を示す
と第２図のようになる。尚、同図中で示す数字は
窒化コバルト膜の抗磁力（エルステツド）の値で
ある。
の抗磁力の値が異なる磁気デイスクを作成し、こ
れら磁気デイスクの再生出力の周波数特性を示す
と第２図のようになる。尚、同図中で示す数字は
窒化コバルト膜の抗磁力（エルステツド）の値で
ある。
この結果、窒化コバルト膜の抗磁力が、1000エ
ルステツドを越えて大きすぎたり、200エルステ
ツド未満の小さすぎるものは、広い範囲にわたつ
て再生出力の向上が小さく、従つて200〜1000エ
ルステツドの範囲内のものが好ましいことが理解
できる。
ルステツドを越えて大きすぎたり、200エルステ
ツド未満の小さすぎるものは、広い範囲にわたつ
て再生出力の向上が小さく、従つて200〜1000エ
ルステツドの範囲内のものが好ましいことが理解
できる。
又、上間実施例の磁気デイスクに対して前述の
ボタン型リングヘツドを用いて繰り返し走行テス
トをすると、記録密度が50KBPIでの再生出力を
第３図において実線で示す如く、10000回以上の
繰り返しによつても再生出力の低下がなく耐久性
に著しく富んでいることがわかる。
ボタン型リングヘツドを用いて繰り返し走行テス
トをすると、記録密度が50KBPIでの再生出力を
第３図において実線で示す如く、10000回以上の
繰り返しによつても再生出力の低下がなく耐久性
に著しく富んでいることがわかる。
比較例
上記実施例で述べた磁気デイスクの代りに、
γ−Fe2O3磁性粉を含む磁性塗料を塗布して構
成した塗布型磁気デイスク上に、上記実施例と同
様にしてコバルト−クロム合金をスパツタリング
によつて0.5μｍ厚設けた磁気デイスクを作り、こ
の磁気デイスクの再生出力の特性を前記と同様に
して調べると、各グラフ中一点鎖線で示す通りで
あつた。
成した塗布型磁気デイスク上に、上記実施例と同
様にしてコバルト−クロム合金をスパツタリング
によつて0.5μｍ厚設けた磁気デイスクを作り、こ
の磁気デイスクの再生出力の特性を前記と同様に
して調べると、各グラフ中一点鎖線で示す通りで
あつた。
尚、上記においては磁気記録媒体として磁気デ
イスクの場合で述べているが、これは磁気テープ
等の場合でも同様である。
イスクの場合で述べているが、これは磁気テープ
等の場合でも同様である。
上述の如く、本発明に係る磁気記録媒体は、非
磁性支持体と、この非磁性支持体上に設けられ、
ほぼ水平方向に磁化容易軸を有し、かつ、抗磁力
が約200〜1000エルステツドの非塗布型の窒化コ
バルト膜と、この窒化コバルト膜上に設けられ、
ほぼ垂直方向に磁化容易軸を有するコバルト系の
磁性層とを有するので、長波長でも短波長でもそ
の記録再生特性が良好であり、又、繰り返し走行
テストを行なつても再生出力の低下がほとんど、
極めて優秀なものであるといつた特長を有する。
磁性支持体と、この非磁性支持体上に設けられ、
ほぼ水平方向に磁化容易軸を有し、かつ、抗磁力
が約200〜1000エルステツドの非塗布型の窒化コ
バルト膜と、この窒化コバルト膜上に設けられ、
ほぼ垂直方向に磁化容易軸を有するコバルト系の
磁性層とを有するので、長波長でも短波長でもそ
の記録再生特性が良好であり、又、繰り返し走行
テストを行なつても再生出力の低下がほとんど、
極めて優秀なものであるといつた特長を有する。
第１図〜第３図は、本発明の磁気記録媒体の各
特性を示すグラフである。
特性を示すグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 非磁性支持体と、この非磁性支持体上に設け
られ、ほぼ水平方向に磁化容易軸を有し、かつ、
抗磁力が約200〜1000エルステツドの非塗布型の
窒化コバルト膜と、この窒化コバルト膜上に設け
られ、ほぼ垂直方向に磁化容易軸を有するコバル
ト系の磁性層とを有することを特徴とする磁気記
録媒体。 ２ 特許請求の範囲第１項記載の磁気記録媒体に
おいて、ほぼ垂直方向に磁化容易軸を有するコバ
ルト系の磁性層が約0.1〜1μｍ厚のもの。 ３ 特許請求の範囲第１項記載の磁気記録媒体に
おいて、窒化コバルト膜が約0.05〜0.7μｍ厚のも
の。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17519683A JPS6069815A (ja) | 1983-09-24 | 1983-09-24 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17519683A JPS6069815A (ja) | 1983-09-24 | 1983-09-24 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6069815A JPS6069815A (ja) | 1985-04-20 |
| JPH022219B2 true JPH022219B2 (ja) | 1990-01-17 |
Family
ID=15991970
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17519683A Granted JPS6069815A (ja) | 1983-09-24 | 1983-09-24 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6069815A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57153411A (en) * | 1981-03-17 | 1982-09-22 | Hitachi Maxell Ltd | Magnetic recording medium and its manufacture |
-
1983
- 1983-09-24 JP JP17519683A patent/JPS6069815A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6069815A (ja) | 1985-04-20 |
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