JPH0218711A - 磁気ディスク及びその製造方法 - Google Patents
磁気ディスク及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH0218711A JPH0218711A JP63167221A JP16722188A JPH0218711A JP H0218711 A JPH0218711 A JP H0218711A JP 63167221 A JP63167221 A JP 63167221A JP 16722188 A JP16722188 A JP 16722188A JP H0218711 A JPH0218711 A JP H0218711A
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- Japan
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- magnetic
- substrate
- layer
- magnetic disk
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁気記録装置に用いられる磁気ディスク及びそ
の製造方法に関するものである。
の製造方法に関するものである。
従来の技術
近年、磁気ディスクは高密度記録の要求に伴い、基板上
に磁性体を塗布した塗布型媒体に代わり、スパッタリン
グ法や真空蒸着法、メツキ法等によって磁性層を作製さ
れる連続薄膜型媒体が実用化されている。スパッタリン
グ法を用いたものでは非磁性基板（アルミ板にＮｉ−Ｐ
非磁性薄膜をメツキしたもの）上にＣｒスパッタ膜を形
成し、その上に磁性００合金スパツタ膜を形成したもの
がある。又、メツキ法を用いたものではアルミ板にＮｉ
−Ｐ非磁性薄膜をメツキ形成し、その上に磁性Ｃｏ−Ｎ
ｉ−Ｐをメツキ形成したものが一般的になっている。連
続薄膜型媒体は磁性膜の膜厚を薄（できるとともに、保
磁力Ｈｅが大きいため高密度記録を行うことができると
いう利点を持っている。
に磁性体を塗布した塗布型媒体に代わり、スパッタリン
グ法や真空蒸着法、メツキ法等によって磁性層を作製さ
れる連続薄膜型媒体が実用化されている。スパッタリン
グ法を用いたものでは非磁性基板（アルミ板にＮｉ−Ｐ
非磁性薄膜をメツキしたもの）上にＣｒスパッタ膜を形
成し、その上に磁性００合金スパツタ膜を形成したもの
がある。又、メツキ法を用いたものではアルミ板にＮｉ
−Ｐ非磁性薄膜をメツキ形成し、その上に磁性Ｃｏ−Ｎ
ｉ−Ｐをメツキ形成したものが一般的になっている。連
続薄膜型媒体は磁性膜の膜厚を薄（できるとともに、保
磁力Ｈｅが大きいため高密度記録を行うことができると
いう利点を持っている。
第５図は従来の磁気ディスクを示す部分断面図である。
第５図において１は円板型のアルミ基板で、アルミ基板
１の上には機械的または化学的強度を上げるためのＮｉ
−Ｐ層２をメツキによって形成している。３はＮｉ −
Ｐ層２の上に形成された非磁性下地沿うで、非磁性下地
層３はＣｒ膜で形成されている。４は非磁性下地層３の
上に形成された磁性層で、磁性層４はＣｏ−Ｃｒで形成
されている。
１の上には機械的または化学的強度を上げるためのＮｉ
−Ｐ層２をメツキによって形成している。３はＮｉ −
Ｐ層２の上に形成された非磁性下地沿うで、非磁性下地
層３はＣｒ膜で形成されている。４は非磁性下地層３の
上に形成された磁性層で、磁性層４はＣｏ−Ｃｒで形成
されている。
発明が解決しようとする課題
磁気ディスクは一定の回転数にて回転するものであるた
めに、磁気ディスクは外周側の記録トラックと内周側の
記録トラックでは周速が異なるので、外周側と内周側の
記録波長が異なる。すると外周側の記録トラックと内周
側の記録トラックの再生出力が異なっていた。このため
に信号系の回路設計等が複雑になるという問題点があっ
た。
めに、磁気ディスクは外周側の記録トラックと内周側の
記録トラックでは周速が異なるので、外周側と内周側の
記録波長が異なる。すると外周側の記録トラックと内周
側の記録トラックの再生出力が異なっていた。このため
に信号系の回路設計等が複雑になるという問題点があっ
た。
本発明は前記従来の問題点を解決するもので、磁気ディ
スクの外周側のトラックと内周側のトラックの再生出力
の差を小さくできる磁気ディスクを提供する事を目的と
している。
スクの外周側のトラックと内周側のトラックの再生出力
の差を小さくできる磁気ディスクを提供する事を目的と
している。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために、基板の中心から基板の外周
部に行くに従って透磁率が大きくなっていく層を基板と
磁性層の間に設けた。
部に行くに従って透磁率が大きくなっていく層を基板と
磁性層の間に設けた。
作 用
この構成により、磁性層が均一に磁化されているという
条件において、磁性層から磁気ディスク外に出る磁束の
数が外周部に行（に従って減少する。
条件において、磁性層から磁気ディスク外に出る磁束の
数が外周部に行（に従って減少する。
実施例
次に図面を参照しながら本発明の構成及び製造方法の実
施例について説明する。第１図は本発明の磁気ディスク
の部分断面図である。１はアルミ基板、２は外周ほど高
透磁率のＮｉ−Ｐ層である。
施例について説明する。第１図は本発明の磁気ディスク
の部分断面図である。１はアルミ基板、２は外周ほど高
透磁率のＮｉ−Ｐ層である。
３はスパッタ法により形成されたＣｒの非磁性下地層で
ある。４はスパッタリング法により形成されたＣ ｏｇ
。−Ｎｉユ。からなる磁性層である。尚、半径方向に対
して磁気特性が不均一なＮｉ −Ｐ層２は、基板の上に
メツキによって形成された非磁性のアモルファス状のＮ
ｉ −Ｐをレーザ光を用いて磁気ディスクの外周側ほど
強く加熱して外局部ほどＮｉ−Ｐが結晶化した部分が多
くなる様に形成した。Ｎｉ −Ｐは結晶化すると透磁率
が太き（なるという特性を示す。このようにして作製さ
れたＮｉ−Ｐ層２の磁気特性を第２図に示す。第２図は
磁気ディスク中心から各々のトラックまでの距離とＮｉ
−Ｐ層２の透磁率の関係を示すグラフである。第２図
によると、外周側では飽和磁束密度Ｂｓ＝４００ （Ｇ
］ 、保磁力Ｈｃ＝３０ ［Ｏｅｌ、透磁率μ＝８０で
あり、内周側では非磁性であった。また記録用磁性層は
Ｈｃ＝８００ （Ｏｅ） 、Ｂｓ＝１５０００ ［Ｇ］
、角型比Ｂ ｒ ／ Ｂ ｓ−Ｏ，８５であり、磁気デ
ィスクとして優れた特性を示す。次に第３図を用いて本
実施例の磁気ディスクの外周部と内周部の磁束の流れを
示す。第３図に示す様に内周部ではＮｉ−Ｐ層２が殆ど
アモルファス状態であるので、透磁率が悪く殆どの磁束
は磁気ディスクの外側に飛び出すが、外周側ではＮｉ−
Ｐ層２がある程度結晶化し、透磁率が大きくなっている
ので、磁束は内周側よりも磁気ディスクの外側に飛び出
す磁束の量は減っている。
ある。４はスパッタリング法により形成されたＣ ｏｇ
。−Ｎｉユ。からなる磁性層である。尚、半径方向に対
して磁気特性が不均一なＮｉ −Ｐ層２は、基板の上に
メツキによって形成された非磁性のアモルファス状のＮ
ｉ −Ｐをレーザ光を用いて磁気ディスクの外周側ほど
強く加熱して外局部ほどＮｉ−Ｐが結晶化した部分が多
くなる様に形成した。Ｎｉ −Ｐは結晶化すると透磁率
が太き（なるという特性を示す。このようにして作製さ
れたＮｉ−Ｐ層２の磁気特性を第２図に示す。第２図は
磁気ディスク中心から各々のトラックまでの距離とＮｉ
−Ｐ層２の透磁率の関係を示すグラフである。第２図
によると、外周側では飽和磁束密度Ｂｓ＝４００ （Ｇ
］ 、保磁力Ｈｃ＝３０ ［Ｏｅｌ、透磁率μ＝８０で
あり、内周側では非磁性であった。また記録用磁性層は
Ｈｃ＝８００ （Ｏｅ） 、Ｂｓ＝１５０００ ［Ｇ］
、角型比Ｂ ｒ ／ Ｂ ｓ−Ｏ，８５であり、磁気デ
ィスクとして優れた特性を示す。次に第３図を用いて本
実施例の磁気ディスクの外周部と内周部の磁束の流れを
示す。第３図に示す様に内周部ではＮｉ−Ｐ層２が殆ど
アモルファス状態であるので、透磁率が悪く殆どの磁束
は磁気ディスクの外側に飛び出すが、外周側ではＮｉ−
Ｐ層２がある程度結晶化し、透磁率が大きくなっている
ので、磁束は内周側よりも磁気ディスクの外側に飛び出
す磁束の量は減っている。
比較例として実施例のようなアモルファス状態と結晶状
態がある様なＮｉ−Ｐ層ではなく、アモルファス状態の
みのＮｉ−Ｐ層の上にＣｒ層が形成され、その上にＣｏ
＄Ｑ Ｎ ｆ２ｏ層が形成された磁気ディスク媒体を
作製した。この場合、Ｃｏｙ。
態がある様なＮｉ−Ｐ層ではなく、アモルファス状態の
みのＮｉ−Ｐ層の上にＣｒ層が形成され、その上にＣｏ
＄Ｑ Ｎ ｆ２ｏ層が形成された磁気ディスク媒体を
作製した。この場合、Ｃｏｙ。
Ｎｉ２゜層の磁気特性は実施例と同等である。
上記の様に実施例及び比較例で得た磁気ディスりについ
て、ギャップ長０．９〔μｍ〕、トラック幅２０〔μｒ
ｎ）、Ｍｎ−Ｚｎフェライト磁気ヘッドを用いて、周波
数２．５ （ＭＨｚ）で磁気ディスクの中心からそれぞ
れのトラックまでの距離と再生出力の関係を測定したも
のを第４図に示す。
て、ギャップ長０．９〔μｍ〕、トラック幅２０〔μｒ
ｎ）、Ｍｎ−Ｚｎフェライト磁気ヘッドを用いて、周波
数２．５ （ＭＨｚ）で磁気ディスクの中心からそれぞ
れのトラックまでの距離と再生出力の関係を測定したも
のを第４図に示す。
同図中、実線は実施例のもの、破線は比較例のものであ
る。これによれば、本実施例の磁気ディスクは、外周側
のトラックと内周側のトラックの再生出力の差はほとん
どな（なっている。上記のように本実施例の磁気ディス
クは、比較例のような従来の磁気ディスク媒体とは違っ
て、外周側のトラックと内周側のトラックの再生出力の
差がほとんどない優れた特性を持っている。
る。これによれば、本実施例の磁気ディスクは、外周側
のトラックと内周側のトラックの再生出力の差はほとん
どな（なっている。上記のように本実施例の磁気ディス
クは、比較例のような従来の磁気ディスク媒体とは違っ
て、外周側のトラックと内周側のトラックの再生出力の
差がほとんどない優れた特性を持っている。
発明の効果
本発明は、基板の中心から基板の外周部に行くに従って
透磁率が太き（なっていく層を基板と磁性層の間に設け
た事により、磁性層を均一に磁化した状態において、磁
性層から磁気ディスク外に出る磁束の量が外周部に行く
に従って減少するので、外周側の再生出力と内周側の再
生出力をほぼ一定にする事ができ、信号系の回路設計等
が容易になる。
透磁率が太き（なっていく層を基板と磁性層の間に設け
た事により、磁性層を均一に磁化した状態において、磁
性層から磁気ディスク外に出る磁束の量が外周部に行く
に従って減少するので、外周側の再生出力と内周側の再
生出力をほぼ一定にする事ができ、信号系の回路設計等
が容易になる。
第１図は本発明の一実施例における磁気ディスクを示す
部分断面図、第２図は同磁気ディスクの中心から各々の
トラックまでの距離とＮｉ−Ｐ層の透磁率の関係を示す
グラフ、第３図は同磁気ディスクの磁束の流れを示す概
要図、第４図は同磁気ディスクの中心から各々のトラッ
クまでの距離と再生出力の関係を示すグラフ、第５図は
従来の磁気ディスクを示す部分断面図である。 １ ・・・・・・ アルミ基板 ２ ・・・・・・ Ｎｉ−Ｐ層 ３ ・・・・・・ 非磁性下地層 ４ ・・・・・・ 磁性層 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名第１図 第２図 内 開側 外Ｉｌｌ側
部分断面図、第２図は同磁気ディスクの中心から各々の
トラックまでの距離とＮｉ−Ｐ層の透磁率の関係を示す
グラフ、第３図は同磁気ディスクの磁束の流れを示す概
要図、第４図は同磁気ディスクの中心から各々のトラッ
クまでの距離と再生出力の関係を示すグラフ、第５図は
従来の磁気ディスクを示す部分断面図である。 １ ・・・・・・ アルミ基板 ２ ・・・・・・ Ｎｉ−Ｐ層 ３ ・・・・・・ 非磁性下地層 ４ ・・・・・・ 磁性層 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名第１図 第２図 内 開側 外Ｉｌｌ側
Claims (5)
- （１）円板型の基板の上に磁性層を形成した磁気ディス
クであって、前記基板と前記磁性層の間に前記基板の中
心部から前記基板の外周部に行くに従って透磁率が大き
くなっていく中間層を備えた事を特徴とする磁気ディス
ク。 - （２）円板型の非磁性基板と、前記非磁性基板の上に形
成され、基板の外周部に行くに従って透磁率が大きくな
っていく中間層と、この中間層の上に形成された非磁性
下地層と、前記非磁性下地層の上に形成された磁性層を
備えた事を特徴とする磁気ディスク。 - （３）中間層は、結晶化するにつれて透磁率が大きくな
るアモルファス材料にて形成されてなる事を特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の磁気ディスク。 - （４）アモルファス材料としてＮｉ−Ｐ膜を用いた事を
特徴とする特許請求の範囲第３項記載の磁気ディスク。 - （５）円板型の基板の上に結晶化するにつれて透磁率が
大きくなるアモルファス材料でできた中間層を形成する
第一の工程と、前記中間層に前記中間層を加熱するため
のビームを照射する第二の工程と、前記中間層の上に磁
性層を形成する第三の工程を有し、前記基板の外周部ほ
ど単位面積あたりの前記ビームの照射エネルギー量を大
きくしていく事を特徴とする磁気ディスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63167221A JPH0218711A (ja) | 1988-07-05 | 1988-07-05 | 磁気ディスク及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63167221A JPH0218711A (ja) | 1988-07-05 | 1988-07-05 | 磁気ディスク及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0218711A true JPH0218711A (ja) | 1990-01-23 |
Family
ID=15845687
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63167221A Pending JPH0218711A (ja) | 1988-07-05 | 1988-07-05 | 磁気ディスク及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0218711A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20140322561A1 (en) * | 2012-06-27 | 2014-10-30 | Fuji Electric Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
-
1988
- 1988-07-05 JP JP63167221A patent/JPH0218711A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20140322561A1 (en) * | 2012-06-27 | 2014-10-30 | Fuji Electric Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
| US8980447B2 (en) * | 2012-06-27 | 2015-03-17 | Fuji Electric Co., Ltd. | Magnetic recording medium having a soft magnetic underlayer with tailored relative permeability regions |
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