JPH02222849A - 磁気センサー - Google Patents

磁気センサー

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JPH02222849A
JPH02222849A JP1187207A JP18720789A JPH02222849A JP H02222849 A JPH02222849 A JP H02222849A JP 1187207 A JP1187207 A JP 1187207A JP 18720789 A JP18720789 A JP 18720789A JP H02222849 A JPH02222849 A JP H02222849A
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magnetic
hall element
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plates
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JP1187207A
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JP2621986B2 (ja
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Hitoshi Miura
三浦 仁士
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Sansei Denki KK
Samsung Electro Mechanics Co Ltd
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Sansei Denki KK
Samsung Electro Mechanics Co Ltd
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    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/07—Hall effect devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N52/00—Hall-effect devices

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measuring Magnetic Variables (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ、産業上の利用分野 本発明は磁気センサーに関するものであり、特に磁気収
束装置とホール素子が対向する接合構造を有する磁気セ
ンサーに関するものである。
口、従来の技術 磁界を感知し電圧を発生させる磁気センサーは、通常、
磁気収束装置とこれを電圧にて変化させるホール素子で
構成されている。磁気センサーの画部分は磁気を効果的
に収束する手段と、これと連結され電圧を発生させるホ
ール素子との効率的な接合に依り決定されるものであり
、更に、大量生産に適合する構造を有すべきである。
既存の磁気センサーの構造を見れば、通常、二種の方式
にて分類される。
一番目の方式は、第1図に図示した如くホール素子2o
をケース23の孔に挿入し、その両側より一対の磁性体
棒21”a、21bを挿入し、上記ホール素子20を挟
着させた後、これをエポキシ樹脂22等でモールディン
グする方式であり、 二番目の方式は、第2図に図示された如く、ケースを使
用しないで、ホール素子20′を直接一対の磁性体棒2
1’a、21’bで挟持した後、エポキシ樹脂22′等
で周辺部をモールディングする方式である。
ハ0発明が解決しようとする課題 このような既存の接合方式は、磁性体棒とホール素子と
の間のエポキシ樹脂膜に伴う磁気抵抗の増大と磁性体棒
に及ぼす機械的衝撃や震動又は磁性体棒の熱膨張等に依
りホール素子に応力が集中され、ホール素子の特性が変
動し、信頼性が低下するようになる。このような欠点を
カバーし、高い感度を有する磁気センサーを製作するた
めには全体的な形状を大型化せざるを得ないため、その
使用において大きな問題点として認識されてきたのであ
る。
更に、磁性体等の部品は極めて高い精度の加工精密度を
必要とし、その構造上組立てを自動化することがむつか
しく、手作業に依存していたので生産性も悪かった。
本発明は、ホール素子と磁気収束用磁性体の接合方式を
既存の挿入式から対向接触式にて変更することにより、
磁気抵抗が少ない磁気回路を構成し、ホール素子に及ぼ
す磁気収束磁性体の影響を極小化し、信頼性が高く組立
てが簡便なる磁気センサーを提供することを目的とする
。
二9課題を解決するための手段 本発明の要旨を簡単に要約すれば次のとおりである。即
ち別途の非磁性体を中間に挿入接着した2個の磁性体板
にて成された磁気収束装置を独立製造の後、磁性体基板
上に磁性体突出部とホール素子−磁気ヨークを隔離設置
し、磁性体突出部が片側の磁気収束磁性体板に磁気的に
連結されるようにし、他側の磁気収束磁性体板にホール
素子の上部に接合された磁気ヨークを磁気的に接合させ
、磁気回路を構成する方式である。
図面を参照して詳細に説明すれば次のとおりである。
磁気収束装置1.l′ l″ l#は第3図A、B、第
7図、第8図、第9図に図示されたものの如く磁性体板
4a、4bの間に非磁性体5.5′ 5″を挿入接着さ
せて構成する。
本発明に伴う磁気収束装置は、ホール素子8と直接接触
しないので、多様な形態で成形が可能である。つまり、
第3図A%Bのように板状の磁性体板4a、4bの間に
板状の非磁性体5を介させて作ることもできるし、棒状
に成形することもできる。更に、板状又は棒状磁気収束
装置において、両側磁性体板4a、4bの間に挿入接続
される非磁性体5は、両側の磁性体板4a、4bを分離
させる役割を遂行するもので、第8図に図示されたよう
に中央部を分離して製造しても良いし、第9図に図示さ
れた如く平面状に成形しても良いが、本発明の主要実施
例は第3図A、B及び第6図A%Bのようにホール素子
8が設置された磁気回路2の連結の際、磁気収束をより
効率的に行うため磁気回路2が付着された部分を突出さ
せる形態を使用する方式を選択したのである。
即ち、磁気収束装置の磁性体板4a、4bを通過する磁
束がその突出部7を通じ収束され磁気回路部2を通過す
るようにしたものである。
磁気回路部2は第4図A、Bに図示した如く、磁性体基
板6上の一側に突出部7を付着し、他側には上記突出部
7と適当な間隔(磁気収束装置1の非磁性体板5の幅以
上に該当する間隔である)が保持されるよう半導体薄膜
を積層させたホール素子チップ8を形成し、その上段に
上記突出部7と水平な高さになるよう磁気ヨーク9を付
着することにより磁気回路部2を構成する。磁気回路部
2は配線基板3の一側に付着され、配線基板3上の他側
上部には電気伝導パターン10が設置されリード線11
にて磁気回路部2のホール素子チップ8と連結される。
配線基板3の底面には、電気伝導パターン10に連結さ
れるリード引き出し用端子部13が形成されており外部
装置(図示省く)に連結されるようになる。
ホ1作用 本発明は一対の磁性体板4a、4bの間にエポキシ接着
剤やガラス接着剤等で非磁性体5を一体に結合させ、磁
気収束装置1を構成することにより機械的強度が大きく
なり、ホール素子チップ8が磁気収束装置1の下部に磁
気ヨーク9を介して接続されるので、磁性体板4a、4
bの間隔程度がセンサーの感度に及ぼす影響を大いに減
することができる。
更に、ホール素子チップ8に及ぼす機械的応力や熱応力
も大いに低減されるので、ホール素子チップ8の特性変
動がほぼ無くなり信頼度を高めることができる。更に、
磁気回路部2の磁性体基板6上に設置された突出部7と
磁気ヨーク9は、磁気収束装置lと磁気的に連結される
ので磁気抵抗も低減されるようになり、磁気収束効果も
改善される。
ホール素子チップ8は、磁性体基板6上に電気的絶縁層
を挾んで半導体薄膜を積層させると同時に電極ペシベー
ション膜等を形成して構成され、磁気ヨーク9は磁性体
板4a、4b、磁性体基板6及びホール素子チップ8を
通じて流れる磁気を効果的に接続させる役割をすること
になる。
更に、配線基板3はリード線の導出を極めて容易になら
しめ、電源回路や信号処理基板と一体化してハイブリッ
ドIC化することもできる。
なお、磁性体板4a、4b、磁性体基板6、突出部7、
磁気ヨーク9及び配線基板3等の材質は熱膨張率がほぼ
同じ材質を使用し、温度変化に伴う熱応力がホール素子
チップ8に加わるのを防止することができるし、これに
依って磁気センサーの信頼性を一層向上させることがで
きる。
このように各構成部品等の熱膨張率が互いに同一なるよ
うにするためには上記において並べた磁性材をソフトフ
ェライトとし、非磁竹材はその成分造成に依り熱膨張率
を変化させることができる。5i02系のガラス又はB
aO−TiOx系、CaO−TiOx系等のTi0aを
主成分とするセラミックが好ましいのである。
これを実施例で説明すれば次qとおりである。
へ、実施例 CaO−TiOi基板に通常の^1tO,ハイブリッド
IC基板を製作する方法で電気伝導パター2101貫通
ホール12、リード引き出し用端子13を形成して配線
基板3を作成する。磁気回路部2はMn−Zn系のフェ
ライト基板6上に同じ材料でなされた突出部7をシリコ
ン樹脂で接着して構成した後、該磁性体基板6を上記配
線基板3上にシリコン樹脂で接着するこの時、磁性体基
板6と突出部7どの間のシリコン樹脂接着層の厚さは1
0μm以下とするのが好ましい。
更に、磁気ヨーク9とホール素子チップ8を得るために
は、先づ、Mn−Zn系のフェライト基板に3μm程度
の厚さでエポキシ樹脂を絶縁層となしてInSb薄膜を
形成し、その上に化学銅鍍金、電気銅鍍金、電気ニッケ
ル鍍金、電気金鍍金等を実施し、電極を形成し、更にI
nSb膜の上にポリイミド酸化防止膜を形成した後、磁
気ヨークをシリコン樹脂で接着させ、ウェハーを作り、
該ウェハーを再びグイシングカッターで1mm程度にて
切り出せば、磁気ヨーク9が接着されたホール素子チッ
プ8を容易に得ることができる。
このようにして得られたホール素子チップ8を上記磁性
体基板6上の突出部7と適当な間隔を置いて゛エポキシ
樹脂で接着し、突出部7の上面と磁気ヨーク9の上面が
平行を成すようにしながら夫々一対の磁性体板4a54
bと接続され得るようにする。
この時、磁気ヨーク9とホール素子チップ8との間の接
着層の厚さは6μmとし、磁性体基板6とホール素子チ
ップ8との間の接着層の厚さは3μm以下となすのが好
ましい。
以後、ワイヤボンディング法によりホール素子チップ8
と配線基板3の電気伝導パターン10とを接続し、ボン
ディングワイヤ及びホール素子チップ8、磁気ヨークの
周辺をエポキシ樹脂でコーティングする。
尚、磁気収束装置・lは第7図に図示したようにMn−
Zn系のフェライトブロックとCao−Ti0□系のセ
ラミックブロックをエポキシ樹脂により接着し、しかる
後にワイヤカッターにより切断し形成する。
このようにして完成された一対の磁性体板4a、4b底
面に磁性体基板6と配線基板3とを位置させ、一側の磁
性体板4aと突出部7とをシリコン樹脂で接着し、他側
の磁性体板4bと磁気ヨーク9とをシリコン樹脂で接着
すれば磁気センサーが完成されるし、該磁気センサーの
周辺はリード引き出し用端子部13を除いては、エポキ
シ樹脂でコーティングし補強するのが好ましい。
こうすれば、一対の磁性体板4a、4bと磁性体基板6
及びホール素子チップ8を連結する磁気通路上の磁気抵
抗の断面が0.8mm角であり、 15μmのエアギャ
ップに相当する磁気センサーを容易に得ることができる
。
従って、磁性体板4a、4bを通過する磁束の大部分を
ホール素子チップ8の感知部が存在する面積の0.8m
m角部分に収束させることができる。
ト1発明の効果 以上における如く、本発明の磁気センサーは各部品を熱
膨張率がほぼ同じ材質で選定し、ホール素子に加わる機
械的な応力や温度変化に伴う熱応力に基づく不平衡電圧
変動等の特性変化が公知の技術に比べて顕著に低減され
ることにより高い信頼度を得ることができるものである
。
更に、本発明は半導体素子へ一般的に使用するダイボン
ダー、ワイヤボンダー等を使用し、手作業でない量産装
置を適切に使用することができる。
付言すれば、本発明の磁気センサーは磁気収束効果を利
用して、磁気抵抗が少ない小型の磁気センサーを容易に
得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図は、従来の磁気センサーの断面図、第3
図A、Bは夫々本発明に係る磁気収束装置の正面図と平
面図、第4図A、Bは夫々本発明に係る磁気回路部及び
配線基板の正面図と平面図、第5図A、Bは夫々本発明
に係る磁気センサーの正面図と平面図、第6図A、Bは
夫々本発明に係る磁気センサーの拡大断面図及び分離図
、第7図は、本発明に係る磁気収束装置の加工例を示し
た斜視図、第8図及び第9図は、本発明に係る磁気収束
装置の他の実施例を示した平面図である。 1:磁気収束装置  2:磁気回路部 3:配線基板    4a、4b:磁性体板5:非磁性
体    6:磁性体基板 7:突出部     8:ホール素子チップ9:磁気ヨ
ーク  10:電気伝導パターン11:リード線   
12:貫通ホール13:リード引き出し用端子部

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)一対の磁性体板4a、4bとの間に非磁性体5を
    挿入させた磁気収束装置1と、上記磁気収束装置1の一
    側磁性体板4a、4bに対向接続される磁性体突出部7
    が付着された磁性体基板6上に、上記突出部7と適当な
    間隔を置いて設置された、半導体薄膜を積層して形成さ
    れ、その上段に他側磁性体板4aに接続される磁気ヨー
    ク9が接着されたホール素子チップ8にて構成される磁
    気回路部2及び一側に上記磁気回路部2が接着され、上
    記磁気回路部2のホール素子チップ8より引出されたリ
    ード線11に接続される電気伝導パターン10を設置し
    た配線基板3にて構成される磁気センサー。
  2. (2)一対の磁性体板4a、4bと突出部7、磁性体基
    板6、磁気ヨーク9、非磁性体5及び配線基板3を熱膨
    張率がほぼ同一の材料にて形成することを特徴とする特
    許請求の範囲第1項記載の磁気センサー。
  3. (3)一対の磁性体板4a、4b、突出部7、磁性体基
    板6及び磁気ヨーク9をソフトフェライトで形成し、非
    磁性体5及び配線基板3はSiO_2を主成分とするガ
    ラスで成ることを特徴とする特許請求の範囲第2項記載
    の磁気センサー。
  4. (4)非磁性体5及び配線基板3をBaO−TiO_2
    系、CaO−TiO_2系統のTiO_2を主成分とす
    るセラミックで形成することを特徴とする特許請求の範
    囲第2項記載の磁気センサー。
  5. (5)一対の磁性体板4a、4b及び非磁性体5で構成
    される磁気収束装置1を平面形にて形成することを特徴
    とする特許請求の範囲第1項記載の磁気センサー。
  6. (6)磁性体基板6上の突出部7と磁気ヨーク9の上面
    を水平に設置したことを特徴とする特許請求の範囲第1
    項記載の磁気センサー。
  7. (7)非磁性体5を2個に分割させることを特徴とする
    特許請求の範囲第1項記載の磁気センサー。
  8. (8)磁性体基板6と突出部7との間の接着層の厚さを
    10μm以下にしたことを特徴とする特許請求の範囲第
    1項記載の磁気センサー。
  9. (9)磁気ヨーク9とホール素子チップ8との間の接着
    層の厚さを6μm以下にすることを特徴とする特許請求
    の範囲第1項記載の磁気センサー。
  10. (10)磁性体基板6とホール素子チップ8との間の接
    着層の厚さを3μm以下にすることを特徴とする特許請
    求の範囲第1項記載の磁気センサー。
JP1187207A 1988-07-20 1989-07-19 磁気センサー Expired - Lifetime JP2621986B2 (ja)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016173317A (ja) * 2015-03-17 2016-09-29 エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 半導体装置

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