JPH02225312A - 炭素・黒鉛部材の純化方法 - Google Patents
炭素・黒鉛部材の純化方法Info
- Publication number
- JPH02225312A JPH02225312A JP1011088A JP1108889A JPH02225312A JP H02225312 A JPH02225312 A JP H02225312A JP 1011088 A JP1011088 A JP 1011088A JP 1108889 A JP1108889 A JP 1108889A JP H02225312 A JPH02225312 A JP H02225312A
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- Japan
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- carbon
- graphite material
- gas
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- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体製造プロセスで使用されるヒーター、
ルツボ、ボート等の炭素骨黒鉛部材の純化方法に関する
。
ルツボ、ボート等の炭素骨黒鉛部材の純化方法に関する
。
炭素・黒鉛部材は、通常、２４００〜３０００”Ｃの温
度下においてハロゲンガス又はハロゲンをａむガスによ
り、金属及びその酸化物等の不純物を除去（脱灰）する
方法によって純化される。
度下においてハロゲンガス又はハロゲンをａむガスによ
り、金属及びその酸化物等の不純物を除去（脱灰）する
方法によって純化される。
しかしながら、上記従来の純化方法によれば、高温ハロ
ゲン処理により炭素又は黒鉛以外の不純物が減少し、か
つ放出ガス（吸着ガス）量が非処理材に比べて少なくな
るものの、炭素ｅ黒鉛部材を半導体プロセスにおいて使
用する場合には、例えばユーザー側において長時間かけ
て＋Ｉｊ度脱ガス処理しなければならない。
ゲン処理により炭素又は黒鉛以外の不純物が減少し、か
つ放出ガス（吸着ガス）量が非処理材に比べて少なくな
るものの、炭素ｅ黒鉛部材を半導体プロセスにおいて使
用する場合には、例えばユーザー側において長時間かけ
て＋Ｉｊ度脱ガス処理しなければならない。
又、通常の脱ガス処理を施した炭素・黒鉛部材では、放
出ガス中における酸素化合物の割合が多く、特に化合物
半導体（ｍ −Ｖ族）の液相エピタキシィにボートとし
て用いた場合、化合物゛１′、導体の発光特性に影響を
与える。
出ガス中における酸素化合物の割合が多く、特に化合物
半導体（ｍ −Ｖ族）の液相エピタキシィにボートとし
て用いた場合、化合物゛１′、導体の発光特性に影響を
与える。
そこで、本発明は、半導体製造プロセスでの使用に際し
て再度の脱ガス処理を必要とせず、かつ液相エピタキシ
ィでの使用に際して化合物゛１′、導体の発光特性を向
上し得る炭素・黒鉛部材の純化方法の提供を目的とする
。
て再度の脱ガス処理を必要とせず、かつ液相エピタキシ
ィでの使用に際して化合物゛１′、導体の発光特性を向
上し得る炭素・黒鉛部材の純化方法の提供を目的とする
。
前記課題を解決するため、本発明は、高温下においてハ
ロゲンガス又はハロゲンを含むガスにより不純物を除去
した後、高温下において水素ベーキング及び真空脱ガス
処理する方法である。
ロゲンガス又はハロゲンを含むガスにより不純物を除去
した後、高温下において水素ベーキング及び真空脱ガス
処理する方法である。
上記手段においては、不純物の除去、水素ベーキング及
び真空脱ガスが一貫して行われると共に、水素ベーキン
グにより放出ガス中の酸素化合物の割合が低くなる。
び真空脱ガスが一貫して行われると共に、水素ベーキン
グにより放出ガス中の酸素化合物の割合が低くなる。
以下、本発明の詳細な説明する。
実施例 １
通常の黒鉛部材を２０００℃の温度下に置き、塩素ガス
（ＣΩ２）により不純物を除去した後、水素ガス（Ｈ２
）雰囲気中において１０００℃の温度でベーキング（水
素ベーキング）シ、更に１８０ｔｌ”ｃの温度下におい
て真空脱ガス処理（！０−２Ｔｏｒｒオーダ）した。
（ＣΩ２）により不純物を除去した後、水素ガス（Ｈ２
）雰囲気中において１０００℃の温度でベーキング（水
素ベーキング）シ、更に１８０ｔｌ”ｃの温度下におい
て真空脱ガス処理（！０−２Ｔｏｒｒオーダ）した。
実施例 ２
通常の黒鉛部材を２２００℃の温度下に置き、塩化水素
ガス（ＨＣｊＮにより不純物を除去した後、２２００℃
の温度下において真空脱ガス処理（１０’Ｔｏｒｒオー
ダ）し、更に水素ガス雰囲気中において１３００℃の温
度でベーキングした。
ガス（ＨＣｊＮにより不純物を除去した後、２２００℃
の温度下において真空脱ガス処理（１０’Ｔｏｒｒオー
ダ）し、更に水素ガス雰囲気中において１３００℃の温
度でベーキングした。
実施例 ３
通常の黒鉛部材を１８００℃の温度下に置き、塩化水素
ガスにより不純物を除去した後、水素ガス雰囲気中にお
いて１０００℃の温度でベーキングし、更に１５００℃
の温度下において真空脱ガス処理（１０”Ｔｏｒｒオー
ダ）した。
ガスにより不純物を除去した後、水素ガス雰囲気中にお
いて１０００℃の温度でベーキングし、更に１５００℃
の温度下において真空脱ガス処理（１０”Ｔｏｒｒオー
ダ）した。
実施例 ４
通常の黒鉛部材を１８００℃の温度下に置き、塩化水素
ガス４により不純物を除去した後、水素ガス雰囲気中に
おいて１０００℃の温度でベーキングし、史に１５００
℃の温度下において真空脱ガス処理ｃｉｏ’Ｔｏｒｒオ
ーダ）シ、シかる後にアルミニウム箔の両面にポリエチ
レンフィルムをラミネートシた包装材料により真空包装
（１〜１０Ｔｏｒｒ） した。
ガス４により不純物を除去した後、水素ガス雰囲気中に
おいて１０００℃の温度でベーキングし、史に１５００
℃の温度下において真空脱ガス処理ｃｉｏ’Ｔｏｒｒオ
ーダ）シ、シかる後にアルミニウム箔の両面にポリエチ
レンフィルムをラミネートシた包装材料により真空包装
（１〜１０Ｔｏｒｒ） した。
比較例 １
通常の黒鉛部材を２０００℃の温度下に置き、塩素ガス
により不純物を除去した。
により不純物を除去した。
比較例 ２
通常の黒鉛部材を２２００℃温度下に置き、塩化水素ガ
スにより不純物を除去した後、２２００℃の温度下にお
いて真空脱ガス処理（１Ｏ−２Ｔｏｒｒオーダ）した。
スにより不純物を除去した後、２２００℃の温度下にお
いて真空脱ガス処理（１Ｏ−２Ｔｏｒｒオーダ）した。
比較例 ３
通常の黒鉛部材を１８００℃の温度下に置き、塩化水素
ガスにより不純物を除去した後、水素ガス雰囲気中にお
いて１０００℃の温度でベーキングした。
ガスにより不純物を除去した後、水素ガス雰囲気中にお
いて１０００℃の温度でベーキングした。
上記各列による黒鉛部材のガス放出特性（５００℃にお
ける）は、第１表に示すようになった。
ける）は、第１表に示すようになった。
／′
従って、実施例１〜４及び比較例１〜３のガス組成から
れかるように、真空脱ガス処理することにより放出ガス
量が減少し、水素ベーキングすることにより放出ガス中
における酸素化合物の割合が低くなる特徴があり、又、
実施例４のものは、ガス放出特性を長期間に互って良好
に維持する。
れかるように、真空脱ガス処理することにより放出ガス
量が減少し、水素ベーキングすることにより放出ガス中
における酸素化合物の割合が低くなる特徴があり、又、
実施例４のものは、ガス放出特性を長期間に互って良好
に維持する。
なお、化合物半導体の液相エピタキシィのボートとして
上記実施例の黒鉛部材を使用したところ、化合物半導体
の発光特性が比較例の黒鉛部材を使用した場合に比べ３
〜５割向上した。
上記実施例の黒鉛部材を使用したところ、化合物半導体
の発光特性が比較例の黒鉛部材を使用した場合に比べ３
〜５割向上した。
以上のように本発明によれば、不純物の除去、水素ベー
キング及び真空脱ガスが一貫して行われるので、半導体
製造プロセスでの使用に際して再度脱ガス処理を行う必
要がないと共に、水素ガスベーキングにより放出ガス中
の酸素化合物の割合が低くなるので、液相エピタキシィ
での使用に際して化合物半導体に対する酸素の影響を低
減でき、その発光特性を大幅に向上することができる。
キング及び真空脱ガスが一貫して行われるので、半導体
製造プロセスでの使用に際して再度脱ガス処理を行う必
要がないと共に、水素ガスベーキングにより放出ガス中
の酸素化合物の割合が低くなるので、液相エピタキシィ
での使用に際して化合物半導体に対する酸素の影響を低
減でき、その発光特性を大幅に向上することができる。
手
１、事件の表示
２、発明の名称
３、補正をする者
事件との関係
住所
名称
４、代理人
住所
小売 ネ由 １区 −￥！１：（自発）平成１年特許願
第１１０８８号 炭素・黒鉛部材の純化方法
第１１０８８号 炭素・黒鉛部材の純化方法
Claims (1)
- （１）高温下においてハロゲンガス又はハロゲンを含む
ガスにより不純物を除去した後、高温下において水素ベ
ーキング及び真空脱ガス処理することを特徴とする炭素
・黒鉛部材の純化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1011088A JPH02225312A (ja) | 1989-01-20 | 1989-01-20 | 炭素・黒鉛部材の純化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1011088A JPH02225312A (ja) | 1989-01-20 | 1989-01-20 | 炭素・黒鉛部材の純化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02225312A true JPH02225312A (ja) | 1990-09-07 |
Family
ID=11768230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1011088A Pending JPH02225312A (ja) | 1989-01-20 | 1989-01-20 | 炭素・黒鉛部材の純化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02225312A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006232669A (ja) * | 2000-12-18 | 2006-09-07 | Toyo Tanso Kk | 低窒素濃度黒鉛材料、低窒素濃度炭素繊維強化炭素複合材料、低窒素濃度膨張黒鉛シート |
| JP2010248072A (ja) * | 2000-12-18 | 2010-11-04 | Toyo Tanso Kk | 低窒素濃度黒鉛材料、及び、その保管方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5884181A (ja) * | 1981-11-11 | 1983-05-20 | 松下電器産業株式会社 | カ−ボン部材の純化処理方法 |
| JPS6379759A (ja) * | 1986-09-22 | 1988-04-09 | 東洋炭素株式会社 | 高純度黒鉛材の製造方法 |
-
1989
- 1989-01-20 JP JP1011088A patent/JPH02225312A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5884181A (ja) * | 1981-11-11 | 1983-05-20 | 松下電器産業株式会社 | カ−ボン部材の純化処理方法 |
| JPS6379759A (ja) * | 1986-09-22 | 1988-04-09 | 東洋炭素株式会社 | 高純度黒鉛材の製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006232669A (ja) * | 2000-12-18 | 2006-09-07 | Toyo Tanso Kk | 低窒素濃度黒鉛材料、低窒素濃度炭素繊維強化炭素複合材料、低窒素濃度膨張黒鉛シート |
| JP2010248072A (ja) * | 2000-12-18 | 2010-11-04 | Toyo Tanso Kk | 低窒素濃度黒鉛材料、及び、その保管方法 |
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