JPH02226775A - 半導体の製造方法 - Google Patents
半導体の製造方法Info
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- JPH02226775A JPH02226775A JP4699389A JP4699389A JPH02226775A JP H02226775 A JPH02226775 A JP H02226775A JP 4699389 A JP4699389 A JP 4699389A JP 4699389 A JP4699389 A JP 4699389A JP H02226775 A JPH02226775 A JP H02226775A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体の製造方法に係わり、詳しくは、５Ｉ
Ｔ（静電誘導トランジスタ）の製造方法及び５ＩＴｂｙ
（静電誘導サイリスク）の製造方法におけるゲート部へ
の不純物再拡散工程の方法に関する。
Ｔ（静電誘導トランジスタ）の製造方法及び５ＩＴｂｙ
（静電誘導サイリスク）の製造方法におけるゲート部へ
の不純物再拡散工程の方法に関する。
一般に、ＳＩＴ及びＳ［Ｔｈ、のゲート電極のオーミッ
クコンタクトをとるには、これらの製造方法において、
ゲート部に不純物（ドーパント）を再拡散する工程が含
まれる。従来この種の方法として、熱拡散法又はイオン
注入法を用いるのが主流である。
クコンタクトをとるには、これらの製造方法において、
ゲート部に不純物（ドーパント）を再拡散する工程が含
まれる。従来この種の方法として、熱拡散法又はイオン
注入法を用いるのが主流である。
しかしながら、上記従来の熱拡散法又はイオン注入法は
、１０００℃以上の熱工程を要するため、この熱工程時
、ゲート領域の不純物がチャネル領域へ拡散してしまい
、この結果、チャネル抵抗が増大する（即ち、オン抵抗
が大きくなる）という欠点がある０例えば、増幅動作を
行うとき、ンスからドレイン（ＳＩＴの場合）へ又はカ
ソードからアノード（ＳＩＴｈｙの場合）へ流れる電子
の量が減少してしまうという不都合が生じている。
、１０００℃以上の熱工程を要するため、この熱工程時
、ゲート領域の不純物がチャネル領域へ拡散してしまい
、この結果、チャネル抵抗が増大する（即ち、オン抵抗
が大きくなる）という欠点がある０例えば、増幅動作を
行うとき、ンスからドレイン（ＳＩＴの場合）へ又はカ
ソードからアノード（ＳＩＴｈｙの場合）へ流れる電子
の量が減少してしまうという不都合が生じている。
本発明は、上記従来の問題点に着目し、ゲート部への不
純物再賦敞工程時に低温化を図ることにより、オン抵抗
を低減し帰る半導体の製造方法の提供を目的とする。
純物再賦敞工程時に低温化を図ることにより、オン抵抗
を低減し帰る半導体の製造方法の提供を目的とする。
（課題を解決するための手段及び作用〕上記目的査達成
するため、本発明に係わる半導体の製造方法は、第１図
を参照して説明すれば、ＳＩＴ又はｓｘ’ｒｈｙの製造
方法において、ゲート部Ｇへの不純物再拡散法がレーザ
ドーピング法である構成とした。かかる構成によれば、
ゲート部Ｇへの不純物再拡散を低１１（常温）で実施す
ることができるため、ゲート部Ｇの初めの拡散不純物が
拡散してチャネルが狭くなることを防ぐことができ、し
かも、レーザを使用しているため、この再拡散自体もま
た均一、かつ、高精度なものにすることができる。
するため、本発明に係わる半導体の製造方法は、第１図
を参照して説明すれば、ＳＩＴ又はｓｘ’ｒｈｙの製造
方法において、ゲート部Ｇへの不純物再拡散法がレーザ
ドーピング法である構成とした。かかる構成によれば、
ゲート部Ｇへの不純物再拡散を低１１（常温）で実施す
ることができるため、ゲート部Ｇの初めの拡散不純物が
拡散してチャネルが狭くなることを防ぐことができ、し
かも、レーザを使用しているため、この再拡散自体もま
た均一、かつ、高精度なものにすることができる。
（実施例〕
以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。
先ず第２図に基づき、レーザ照射装置と、本発明に係わ
る製造方法のレーザドーピング法とを説明し、次に第３
図及び第４図に基づき、ＳＩＴを例として、本発明に係
わる製造方法を含む全製造工程を説明する。
る製造方法のレーザドーピング法とを説明し、次に第３
図及び第４図に基づき、ＳＩＴを例として、本発明に係
わる製造方法を含む全製造工程を説明する。
レーザ照射装置は、第２図に示す通り、基板１Ｂを設置
するための真空槽ｔｉと、この真空槽１１に母材ガス１
９を導入する配管１２と、真空槽ｌｌ内のガスや空気を
排気するための配管１３と、誉れに続く排気装置１４と
、レーザ光１７を導入するために真空槽１１に設けられ
た石英窓１５と、レーザ光１７を発振するためのレーザ
装置１６とから構成されている。かかるレーザ照射装置
においてレーザドーピング法は、基板１Ｂの表面に不純
物を吸着せしめる第１工程と、基板１８ヘレーザ光１７
を照射して不純物をゲート部に再拡散せしめる第２工程
とからなる。
するための真空槽ｔｉと、この真空槽１１に母材ガス１
９を導入する配管１２と、真空槽ｌｌ内のガスや空気を
排気するための配管１３と、誉れに続く排気装置１４と
、レーザ光１７を導入するために真空槽１１に設けられ
た石英窓１５と、レーザ光１７を発振するためのレーザ
装置１６とから構成されている。かかるレーザ照射装置
においてレーザドーピング法は、基板１Ｂの表面に不純
物を吸着せしめる第１工程と、基板１８ヘレーザ光１７
を照射して不純物をゲート部に再拡散せしめる第２工程
とからなる。
第１工程には、次の方法がある。
（１）基板表面にガス状の不純物を吸着させる方法（下
記第１実施例に採用する方法） 基板１８を真空槽１１に設置後、この真空槽１１内を排
気し、次に不純物を含有した母材ガス１９の雰囲気にす
る。このようにすると、不純物は基板１８上に吸着され
る０次にレーザ光１７の照射を行うが、これは母材ガス
１９の雰囲気中で行りてもよいし又は母材ガス１９を除
去した後の真空中で行ってもよい０例えば、ｐ形を形成
するときは、ホウ素Ｂなどを含有する母材ガス（Ｂ２Ｈ
６、ＢＦ２等） １９を用い、他方ｎ形を形成するとき
は、リンＰ又はヒ１ｔＡｓなどを含有する母材ガス１９
を用いる。
記第１実施例に採用する方法） 基板１８を真空槽１１に設置後、この真空槽１１内を排
気し、次に不純物を含有した母材ガス１９の雰囲気にす
る。このようにすると、不純物は基板１８上に吸着され
る０次にレーザ光１７の照射を行うが、これは母材ガス
１９の雰囲気中で行りてもよいし又は母材ガス１９を除
去した後の真空中で行ってもよい０例えば、ｐ形を形成
するときは、ホウ素Ｂなどを含有する母材ガス（Ｂ２Ｈ
６、ＢＦ２等） １９を用い、他方ｎ形を形成するとき
は、リンＰ又はヒ１ｔＡｓなどを含有する母材ガス１９
を用いる。
（２）基板表面に不純物を含有した膜（拡散源膜）を形
成する方法（下記第２実施例で採用する方法） 基板表面に真空蒸着法又はプラズマＣＶＤ法等により拡
散Ｂ膜を形成する０例えばプラズマＣＶＤ法では、ｐ膨
拡散源躾はａ−ＢＨ膜又はＢＮＩＩが形成され、他方ｎ
膨拡散源膜はａ−ＰＨ膜又はＰＮｌｌｌ［が形成される
。またスピンコード法で拡散１１１１１！を塗布するの
もよい０例えば、ｐ膨拡散ｆｓｌｌ！の形成はホウｌＡ
Ｂを含有−した被膜形成用塗布液を用いる。他方、ｎ膨
拡散ａｙｓめ形成はリンＰを含有したＳ、ｉ ０２系被
膜形成用塗布液を用いる。これらはいずれも添加剤（拡
散用不純物又はガラス質形成剤等）を冑機溶剤（アルコ
ール系）に溶解した液体状物質であって、スピンコード
法ではこれを基板上へ簡単に塗布できる。このようにし
て拡散源膜を形成した基板へ、前記拡散源膜を介してレ
ーザ照射を行うことにより、基板内に不純物が拡散され
る。尚、前記溶液の濃度及び／又はスピンコードにおけ
る回転数を種々変更することにより膜厚を制御し、基板
中への拡散量（又は濃度）を間接的に制御することがで
きる。再拡散完了後、かかる拡散源膜は除去される（以
上図示しない、詳細は下記第２実施例参照）。
成する方法（下記第２実施例で採用する方法） 基板表面に真空蒸着法又はプラズマＣＶＤ法等により拡
散Ｂ膜を形成する０例えばプラズマＣＶＤ法では、ｐ膨
拡散源躾はａ−ＢＨ膜又はＢＮＩＩが形成され、他方ｎ
膨拡散源膜はａ−ＰＨ膜又はＰＮｌｌｌ［が形成される
。またスピンコード法で拡散１１１１１！を塗布するの
もよい０例えば、ｐ膨拡散ｆｓｌｌ！の形成はホウｌＡ
Ｂを含有−した被膜形成用塗布液を用いる。他方、ｎ膨
拡散ａｙｓめ形成はリンＰを含有したＳ、ｉ ０２系被
膜形成用塗布液を用いる。これらはいずれも添加剤（拡
散用不純物又はガラス質形成剤等）を冑機溶剤（アルコ
ール系）に溶解した液体状物質であって、スピンコード
法ではこれを基板上へ簡単に塗布できる。このようにし
て拡散源膜を形成した基板へ、前記拡散源膜を介してレ
ーザ照射を行うことにより、基板内に不純物が拡散され
る。尚、前記溶液の濃度及び／又はスピンコードにおけ
る回転数を種々変更することにより膜厚を制御し、基板
中への拡散量（又は濃度）を間接的に制御することがで
きる。再拡散完了後、かかる拡散源膜は除去される（以
上図示しない、詳細は下記第２実施例参照）。
次にレーザ光１７を基板１Ｂに照射する第２工程につい
て述べる。レーザ装置１６から発振した９、−ザ光１７
は、石英窓１５を介し、真空槽１１内に設置された基＠
１８へ照射される。照射の位置移動や位置設定はレーザ
光１７又は基板１８を移動させることにより自在にする
ことができる。
て述べる。レーザ装置１６から発振した９、−ザ光１７
は、石英窓１５を介し、真空槽１１内に設置された基＠
１８へ照射される。照射の位置移動や位置設定はレーザ
光１７又は基板１８を移動させることにより自在にする
ことができる。
レーザ装置１６はＸｅＣ１、にｒＦ等のエキシマレーザ
、Ａｒレーザ、ＹＡＧレーザ等の中から、所望の再拡散
深さや濃度に合致した適当な波長を持つものを選択して
用い、その照射時間やパルス回数を制御することにより
不純物を基板１８内に再拡散する。
、Ａｒレーザ、ＹＡＧレーザ等の中から、所望の再拡散
深さや濃度に合致した適当な波長を持つものを選択して
用い、その照射時間やパルス回数を制御することにより
不純物を基板１８内に再拡散する。
第３図及び第４図は、ＳＩＴの製造を例にして、本発明
に係わる半導体の製造方法を含む製造方法の実施例を示
す図である。
に係わる半導体の製造方法を含む製造方法の実施例を示
す図である。
第３図（ａ）〜（ｇ）は本発明の第１実施例のＳＩＴの
製造工程図であり、第１導電形としてｎ形を、他方第２
導電形としてｐ形を用いたｎチャネルのＳＩＴの製造例
である。この実施例は、上述のレーザドーピング法の「
第１工程が基板表面にガス状の不純物を吸着させる方法
」を用いた（第３図（ｆ）工程図）ものである。
製造工程図であり、第１導電形としてｎ形を、他方第２
導電形としてｐ形を用いたｎチャネルのＳＩＴの製造例
である。この実施例は、上述のレーザドーピング法の「
第１工程が基板表面にガス状の不純物を吸着させる方法
」を用いた（第３図（ｆ）工程図）ものである。
第３図（ａ）：ｎ”形シリコン基板上に、エピタキシャ
ル成長法によってリンＰ等のｎ形不純物を添加したｎ−
エピタキシャル層を成長せしめる。
ル成長法によってリンＰ等のｎ形不純物を添加したｎ−
エピタキシャル層を成長せしめる。
又は、ｎ−シリコン基板に、ｎ形不純物を拡散し、高濃
度のｎ“領域を形成せしめる。このようにｎ形不純物を
リンＰとして、リン濃度１ｘｔｏ’・〜５Ｘ１０”７ｃ
〜３のｎ′領域１と、リン濃度１×ｌ Ｑ ｌ！〜ｔｏ
”７ｃ〜３のｎ−領域２とを備えたシリコン基板を形成
する。
度のｎ“領域を形成せしめる。このようにｎ形不純物を
リンＰとして、リン濃度１ｘｔｏ’・〜５Ｘ１０”７ｃ
〜３のｎ′領域１と、リン濃度１×ｌ Ｑ ｌ！〜ｔｏ
”７ｃ〜３のｎ−領域２とを備えたシリコン基板を形成
する。
第３図（ｂ）＋ｎ−領域２の表面にマスクを介してホウ
、ＩＢなどのｐ形不純物を拡散し、ホウ素濃度ｌＸｌ０
”〜５ＸｌＯ”７ｃ〜３のストライプ状の２０領域３を
形成する。このｐ０領域３が埋め込み領域となる。
、ＩＢなどのｐ形不純物を拡散し、ホウ素濃度ｌＸｌ０
”〜５ＸｌＯ”７ｃ〜３のストライプ状の２０領域３を
形成する。このｐ０領域３が埋め込み領域となる。
第３図＜ｃ＞：ｐ”領域３を埋め込むためのれエピタキ
シャル層４を、リンＰを含むＳｉＨ４を原料として９５
０℃で５〜１０μｍの厚さに積層（リン濃度ＩＸＩ Ｏ
”〜１０”７ｃ〜３ ）する。
シャル層４を、リンＰを含むＳｉＨ４を原料として９５
０℃で５〜１０μｍの厚さに積層（リン濃度ＩＸＩ Ｏ
”〜１０”７ｃ〜３ ）する。
第３図（ｄ）＋ｎ−エピタキシャル層４の表面に、更に
不純物拡散を行い、ｎ９領域５ （リン濃度ｌＸ １０
”〜１ Ｇ”７ｃ〜３ ）を形成する。
不純物拡散を行い、ｎ９領域５ （リン濃度ｌＸ １０
”〜１ Ｇ”７ｃ〜３ ）を形成する。
第３図（ｅ） ：ゲート部への不純物再拡散を行うため
、ｎ−エピタキシャル層４と、この表面に形成したｎ″
″領域５の不必要部分をエツチング除去した後、マスク
材としてＡＩ又は５ｉ０２等のマスク領域６を形成する
。
、ｎ−エピタキシャル層４と、この表面に形成したｎ″
″領域５の不必要部分をエツチング除去した後、マスク
材としてＡＩ又は５ｉ０２等のマスク領域６を形成する
。
第３図（ｆ） ：マスク領域６を施した基板１Ｂを、レ
ーザ照射装置の真空槽１１に設置する。そして真空槽ｌ
ｌ内を一旦真空にし、そのｌ＆Ｈ２希釈の５％Ｂ２Ｈ６
を５０ Ｔ ｏｒｒ導入する０次に、石英２１１５を通
して基板１８のｐ９領域３へ垂直にＸａＣｊエキシマレ
ーザ光（波長３０８ ｍｍ）１７を照射する。照射エネ
ルギーがＩＪ／ｃｍ２・５ｈｏｔ、１回照射のとき、ホ
ウ素濃度３×１０”７ｃ〜３．潔さＯ’、ｌ＃ｒｎのｐ
”ｌｉ域７が形成された。このとき、不純物濃度を高く
したい場合は照射国数を多くすればよい、また拡散深さ
を深くするしたい場合はレーザ光１７のエネルギーを高
くすればよい、尚、レーザ照射前に母材ガス８２Ｈ６を
除去してもよい。
ーザ照射装置の真空槽１１に設置する。そして真空槽ｌ
ｌ内を一旦真空にし、そのｌ＆Ｈ２希釈の５％Ｂ２Ｈ６
を５０ Ｔ ｏｒｒ導入する０次に、石英２１１５を通
して基板１８のｐ９領域３へ垂直にＸａＣｊエキシマレ
ーザ光（波長３０８ ｍｍ）１７を照射する。照射エネ
ルギーがＩＪ／ｃｍ２・５ｈｏｔ、１回照射のとき、ホ
ウ素濃度３×１０”７ｃ〜３．潔さＯ’、ｌ＃ｒｎのｐ
”ｌｉ域７が形成された。このとき、不純物濃度を高く
したい場合は照射国数を多くすればよい、また拡散深さ
を深くするしたい場合はレーザ光１７のエネルギーを高
くすればよい、尚、レーザ照射前に母材ガス８２Ｈ６を
除去してもよい。
第３図（ｇ）：電極取り出しのため、マスク領域６を除
去し、最後にＡＩなどの金属薄膜からなる電極８．９、
ｌＯを形成することにより、３１Ｔは完成する。
去し、最後にＡＩなどの金属薄膜からなる電極８．９、
ｌＯを形成することにより、３１Ｔは完成する。
第４図（ａ）〜（ｈ）は本発明の第２実施例のＳＩＴの
製造工程図であり、ＩＲ１実施例と同様、ｎチャネルＳ
ＩＴの製造例である。この実施例は、上述のレーザドー
ピング法の第１工程が［基板表面に不純物を含有したＩ
Ｉ（拡散ｆｉｇりを形成する方法」を用いた（第４図（
ｆ）及び（ｇ）工程図）ものである。
製造工程図であり、ＩＲ１実施例と同様、ｎチャネルＳ
ＩＴの製造例である。この実施例は、上述のレーザドー
ピング法の第１工程が［基板表面に不純物を含有したＩ
Ｉ（拡散ｆｉｇりを形成する方法」を用いた（第４図（
ｆ）及び（ｇ）工程図）ものである。
第４図（ａ）二ｎ”形シリコン基板上に、エピタキシャ
ル成長法によってリンＰなどのｎ型不純物を添加したｎ
゛エピタキシヤル層成長せしめる。又は、ｎ−シリコン
基板に、ｎ形不純物を拡散して高濃度の００領域を形成
せしめる。このようにｎ形不純物をリンＰとして、リン
濃度１×ｌＯ”〜５ Ｘ １０ ”／ ｃ 〜３のｎ″
領領域表、リン濃度ＬＸ １０”〜１０１４／ｃｍ３の
ｎ−領域２とを備えたシリコン基板を形成する。
ル成長法によってリンＰなどのｎ型不純物を添加したｎ
゛エピタキシヤル層成長せしめる。又は、ｎ−シリコン
基板に、ｎ形不純物を拡散して高濃度の００領域を形成
せしめる。このようにｎ形不純物をリンＰとして、リン
濃度１×ｌＯ”〜５ Ｘ １０ ”／ ｃ 〜３のｎ″
領領域表、リン濃度ＬＸ １０”〜１０１４／ｃｍ３の
ｎ−領域２とを備えたシリコン基板を形成する。
第４図（ｂ）：ｎ−領域２の表面にマスクを介してホウ
素Ｂなどのｐ形不純物を拡散し、ホウ素濃度ｔｘｔｏ’
″〜５Ｘ１０”７ｃ〜３のストライブ状のｐ９領域３を
形成する。このｐ１領域３が埋め込み領域となる。
素Ｂなどのｐ形不純物を拡散し、ホウ素濃度ｔｘｔｏ’
″〜５Ｘ１０”７ｃ〜３のストライブ状のｐ９領域３を
形成する。このｐ１領域３が埋め込み領域となる。
第４図（ｃ）：ｐ”ｆｌ域３を埋め込むためのｎエピタ
キシャル層４をリンＰを含むＳｉＨ４を原料として９５
０℃で５〜ｌＯμｍの厚さに積層（リン濃度Ｉ Ｘ １
０ ”〜１０”’／ ｅ 〜３ ）する。
キシャル層４をリンＰを含むＳｉＨ４を原料として９５
０℃で５〜ｌＯμｍの厚さに積層（リン濃度Ｉ Ｘ １
０ ”〜１０”’／ ｅ 〜３ ）する。
第４図（ｄ）：ｎ−エピタキシャル層４の表面に、更に
不純物拡散を行い、ｎ９領域５（リン濃度ｌＸｌ０”〜
１０”７ｃ〜３）を形成する。
不純物拡散を行い、ｎ９領域５（リン濃度ｌＸｌ０”〜
１０”７ｃ〜３）を形成する。
第４図（ｅ）：ゲート部への不純物再拡散を行うため、
ｎ−エピタキシャル層４と、この表面に形成したｎ０領
域５の不必要部分をエツチング除去した後、マスク材と
してＡＩ又はＳ ｌ ０２等のマスク領域６を形成する
。
ｎ−エピタキシャル層４と、この表面に形成したｎ０領
域５の不必要部分をエツチング除去した後、マスク材と
してＡＩ又はＳ ｌ ０２等のマスク領域６を形成する
。
第４図＜ｒ＞：ｐ”領域３の表面に、ｐ型拡散源膜とし
て、スピンコード法でホウｍＢを含んだ５１０２系被膜
形成用塗布液を塗布する。又はＣＶＤ法ｔ’ｓ ｌＨ４
＋８２Ｈ６＋０２ガスなどを原料としてＢ２Ｏ３＋Ｓ
１０２の拡散源膜７Ａを形成する０例えば、プラズマＣ
ＶＤ法ではＢ２Ｈ６＋Ｎ２ガスを原料としてＢＮＭを形
成してもよく、又はＢ２Ｈ６ガスを原料としてａ−ＢＨ
膜を形成してもよい０本例では、前記Ｂ２Ｏ３＋５１０
２の拡＠源膜７Ａが形成された基板１８をレーザ照射装
置の真空槽ｌｌ内に設置した。そして真空槽１１内を真
空にした後、石英窓１５を通して基板１８のこの拡散源
膜７Ａへ垂直にＸｅＣｌエキシマレーザ光（波長３０８
ｍｍ）１７を照射した。
て、スピンコード法でホウｍＢを含んだ５１０２系被膜
形成用塗布液を塗布する。又はＣＶＤ法ｔ’ｓ ｌＨ４
＋８２Ｈ６＋０２ガスなどを原料としてＢ２Ｏ３＋Ｓ
１０２の拡散源膜７Ａを形成する０例えば、プラズマＣ
ＶＤ法ではＢ２Ｈ６＋Ｎ２ガスを原料としてＢＮＭを形
成してもよく、又はＢ２Ｈ６ガスを原料としてａ−ＢＨ
膜を形成してもよい０本例では、前記Ｂ２Ｏ３＋５１０
２の拡＠源膜７Ａが形成された基板１８をレーザ照射装
置の真空槽ｌｌ内に設置した。そして真空槽１１内を真
空にした後、石英窓１５を通して基板１８のこの拡散源
膜７Ａへ垂直にＸｅＣｌエキシマレーザ光（波長３０８
ｍｍ）１７を照射した。
照射エネルギーは、Ｉ Ｊ／ ｃ ｍ２ ・５ｈｏｔで
１回照射したところ、ホウ素濃度が３Ｘ１０”・／ ｃ
ｍ３、Ｅｌさ０．１のｐ０領域７が形成された。
１回照射したところ、ホウ素濃度が３Ｘ１０”・／ ｃ
ｍ３、Ｅｌさ０．１のｐ０領域７が形成された。
第４図（ｇ） ＝レーザ照射後、８２０３＋５ｉ０２の
拡散源膜７Ａ及びマスク領域６をフッ素酸等を用いてエ
ツチング除去する。
拡散源膜７Ａ及びマスク領域６をフッ素酸等を用いてエ
ツチング除去する。
第４図（ｈ）：電極取り出しのため、最後にＡｌなどの
金属薄膜からなる電極８．９．１０を形成することによ
ってＳＩＴが完成する。
金属薄膜からなる電極８．９．１０を形成することによ
ってＳＩＴが完成する。
第１実施例や第２実施例のように、ｐ◆領域７がレーザ
ドーピングを用いて形成することにより、同工程を常温
で行うことができる。従って、埋め込み層であるｐ９領
域３は形成後加熱されることがなく、この結果、従来の
技術に見られるように不如意の拡散の発生を防ぐことが
できる。即ち、設計どおり、所望のＳＩＴを得ることが
できる。
ドーピングを用いて形成することにより、同工程を常温
で行うことができる。従って、埋め込み層であるｐ９領
域３は形成後加熱されることがなく、この結果、従来の
技術に見られるように不如意の拡散の発生を防ぐことが
できる。即ち、設計どおり、所望のＳＩＴを得ることが
できる。
向、５ＩＴｂ、の製造方法については、ｓｔ’ｒｈｙの
製造工程上及びｓ＋’ｒｈｙの構成上、ＳＩＴと差がな
いため、ＳＩＴと同様の製造方法を適用することができ
る。
製造工程上及びｓ＋’ｒｈｙの構成上、ＳＩＴと差がな
いため、ＳＩＴと同様の製造方法を適用することができ
る。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明の半導体の製造方法は、Ｓ
ｌＴやｓＩ’ｒｈｙの電極側のオーミック層を形成する
工程において、不純物拡散にレーザドーピングを用いて
いるため、増め込み領域である高濃度領域が、形成後加
熱されることがなくなる。
ｌＴやｓＩ’ｒｈｙの電極側のオーミック層を形成する
工程において、不純物拡散にレーザドーピングを用いて
いるため、増め込み領域である高濃度領域が、形成後加
熱されることがなくなる。
かかる結果、従来の技術において熱工程時生じていた不
如意な拡散を防止することが可能となる。
如意な拡散を防止することが可能となる。
即ち、初めに形成した不純物の分布を保持することがで
きる。従って、ソースとドレイン間、あるいはカソード
とアノード間のチャネル抵抗を、従来に比較し、低くす
ることができる。即ち、オン抵抗を低減できるので、増
幅動作を行う際に、ソースからドレイン、あるいはカソ
ードからアノードへ流れる電子を設計値通りにｗ１持す
ることができる。
きる。従って、ソースとドレイン間、あるいはカソード
とアノード間のチャネル抵抗を、従来に比較し、低くす
ることができる。即ち、オン抵抗を低減できるので、増
幅動作を行う際に、ソースからドレイン、あるいはカソ
ードからアノードへ流れる電子を設計値通りにｗ１持す
ることができる。
第１図・・・本発明に係わる半導体の製造方法の説明図
第２図・・・レーザ照射装置の概念図
第３図・・・本発明の第一実施例のＳＩＴの製造工程図
第４図・・・本発明の第二実施例のＳＩＴの製ｌ ・
・ ２ ・ ・ ３ ・ ・ ４ ・ ・ ５ ・ ・ ６ ・ ・ ７ ・ ・ ７ Ａ ・ ８ ・ ９ ・ ・ 造工程図 ・ｎ０領域 １０・・ ・ｎ−領域 １１・・ ・ｐ０領域 １２．１３・ ・ｎ−エピタキシャル層 ・ｎ０領域 １４・・ ・マスク領域 １５・・ ・ｐ０領域 １６・・ ・拡散源ｆｌ １７・・ ・ドレイン電極 １８・・ ・ゲート電極 １９・・ Ｇ・・ ・ソース電極 ・真空槽 ・配管 ・排気装置 ・石英窓 ・レーザ装置 ・レーザ光 ・基板 ・母材ガス ・ゲート部
・ ２ ・ ・ ３ ・ ・ ４ ・ ・ ５ ・ ・ ６ ・ ・ ７ ・ ・ ７ Ａ ・ ８ ・ ９ ・ ・ 造工程図 ・ｎ０領域 １０・・ ・ｎ−領域 １１・・ ・ｐ０領域 １２．１３・ ・ｎ−エピタキシャル層 ・ｎ０領域 １４・・ ・マスク領域 １５・・ ・ｐ０領域 １６・・ ・拡散源ｆｌ １７・・ ・ドレイン電極 １８・・ ・ゲート電極 １９・・ Ｇ・・ ・ソース電極 ・真空槽 ・配管 ・排気装置 ・石英窓 ・レーザ装置 ・レーザ光 ・基板 ・母材ガス ・ゲート部
Claims (2)
- （１）ＳＩＴの製造方法において、ゲート部への不純物
再拡散法がレーザドーピング法であることを特徴とする
半導体の製造方法。 - （２）ＳＩＴがＳＩＴｈｙである請求項１記載の半導体
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4699389A JPH02226775A (ja) | 1989-02-28 | 1989-02-28 | 半導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4699389A JPH02226775A (ja) | 1989-02-28 | 1989-02-28 | 半導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02226775A true JPH02226775A (ja) | 1990-09-10 |
Family
ID=12762722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4699389A Pending JPH02226775A (ja) | 1989-02-28 | 1989-02-28 | 半導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02226775A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56130916A (en) * | 1980-03-17 | 1981-10-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS60170977A (ja) * | 1984-02-16 | 1985-09-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS63169024A (ja) * | 1987-01-05 | 1988-07-13 | Nec Corp | 不純物ド−ピング方法 |
| JPH02202065A (ja) * | 1989-01-31 | 1990-08-10 | Komatsu Ltd | 静電誘導型トランジスタの製造方法 |
-
1989
- 1989-02-28 JP JP4699389A patent/JPH02226775A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56130916A (en) * | 1980-03-17 | 1981-10-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of semiconductor device |
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| JPS63169024A (ja) * | 1987-01-05 | 1988-07-13 | Nec Corp | 不純物ド−ピング方法 |
| JPH02202065A (ja) * | 1989-01-31 | 1990-08-10 | Komatsu Ltd | 静電誘導型トランジスタの製造方法 |
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