JPS6328505B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6328505B2 JPS6328505B2 JP57171280A JP17128082A JPS6328505B2 JP S6328505 B2 JPS6328505 B2 JP S6328505B2 JP 57171280 A JP57171280 A JP 57171280A JP 17128082 A JP17128082 A JP 17128082A JP S6328505 B2 JPS6328505 B2 JP S6328505B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type
- region
- aluminum
- electrode
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
- H10F30/21—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H10F30/22—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes
- H10F30/221—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes the potential barrier being a PN homojunction
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(1) 発明の技術分野
本発明は半導体装置の製造方法に関する。特
に、量子効率の良好なPN型、PIN型の受光素子
の改良に関する。
に、量子効率の良好なPN型、PIN型の受光素子
の改良に関する。
(2) 技術の背景
受光素子の一つにフオトダイオードがある。こ
れはゲルマニウム（Ge）、シリコン（Si）等を基
材として使用し、PN接合に逆バイアス電圧を印
加すると、キヤリヤが動いてその境界面付近が空
乏層化するという現象を利用したものである。
れはゲルマニウム（Ge）、シリコン（Si）等を基
材として使用し、PN接合に逆バイアス電圧を印
加すると、キヤリヤが動いてその境界面付近が空
乏層化するという現象を利用したものである。
第１図はPN型フオトダイオードの基本構造の
一例を示す基板断面図であり、図において、１は
例えばＰ型ゲルマニウム（Ｐ―Ge）よりなる基
板であり、２はＮ型ゲルマニウム（Ｎ―Ge）よ
りなる層であり、３は二酸化シリコン（SiO2）
よりなる絶縁層であり、４はアルミニウム（Al）
よりなる正電極、５は金・ゲルマニウム合金
（AuGe）よりなる負電極である。
一例を示す基板断面図であり、図において、１は
例えばＰ型ゲルマニウム（Ｐ―Ge）よりなる基
板であり、２はＮ型ゲルマニウム（Ｎ―Ge）よ
りなる層であり、３は二酸化シリコン（SiO2）
よりなる絶縁層であり、４はアルミニウム（Al）
よりなる正電極、５は金・ゲルマニウム合金
（AuGe）よりなる負電極である。
この様な受光素子にあつては、光は結晶表面で
吸収されるためPN接合はできるだけ浅い位置に
形成する必要がある。量子効率が良好になるから
である。したがつて、浅いPN接合を形成するた
めの開発の努力がなされている。
吸収されるためPN接合はできるだけ浅い位置に
形成する必要がある。量子効率が良好になるから
である。したがつて、浅いPN接合を形成するた
めの開発の努力がなされている。
(3) 従来技術と問題点
従来、第１図に示せる如く、Ｐ型ゲルマニウム
基板にＮ型拡散層を形成し、アルミニウム（Al）
をもつて電極を形成していた。その製造方法にお
いて、アルミニウム（Al）電極をＮ型拡散層上
に形成し、オーミツクコンタクトを形成するため
のアニール工程が含まれるが、このようにして製
造されたPNフオトダイオードを動作させると暗
電流が増加し、その程度によつてはフオトダイオ
ードとして動作しないという現象が認められた。
これは、アニール工程におけるアルミニウム
（Al）の挙動に起因するものと考えられる。
基板にＮ型拡散層を形成し、アルミニウム（Al）
をもつて電極を形成していた。その製造方法にお
いて、アルミニウム（Al）電極をＮ型拡散層上
に形成し、オーミツクコンタクトを形成するため
のアニール工程が含まれるが、このようにして製
造されたPNフオトダイオードを動作させると暗
電流が増加し、その程度によつてはフオトダイオ
ードとして動作しないという現象が認められた。
これは、アニール工程におけるアルミニウム
（Al）の挙動に起因するものと考えられる。
そこで、量子効率を良好に保ちながらも、この
様な暗電流の増加を防止するために第２図に示す
如き構造となす手法が用いられてきた。すなわ
ち、Ｎ型拡散層以外の構造は第１図と全く同様で
あるが、Ｎ型領域を形成するためのＮ型不純物拡
散工程を２回の工程となし、図において、１２を
もつて示される受光領域を１回目の拡散工程によ
つて、又、１２′をもつて示される電極接続領域
を２回目の拡散工程によつて夫々形成する。この
とき、受光領域１２は浅く形成されているため量
子効率が良好に保たれ、かつ、電極接続１２′は
受光領域１２よりも深く形成され、PN接合の破
壊が防止されると共に耐圧も向上される。
様な暗電流の増加を防止するために第２図に示す
如き構造となす手法が用いられてきた。すなわ
ち、Ｎ型拡散層以外の構造は第１図と全く同様で
あるが、Ｎ型領域を形成するためのＮ型不純物拡
散工程を２回の工程となし、図において、１２を
もつて示される受光領域を１回目の拡散工程によ
つて、又、１２′をもつて示される電極接続領域
を２回目の拡散工程によつて夫々形成する。この
とき、受光領域１２は浅く形成されているため量
子効率が良好に保たれ、かつ、電極接続１２′は
受光領域１２よりも深く形成され、PN接合の破
壊が防止されると共に耐圧も向上される。
かゝる半導体装置の製造方法の例として、特開
昭50−134394号公報に開示された発明や特開昭50
−114187号公報に開示された発明が知られている
が、いづれも、電極の下部に深いＰ型領域を、そ
の目的のみのための、いわば専用の工程をもつて
形成している。
昭50−134394号公報に開示された発明や特開昭50
−114187号公報に開示された発明が知られている
が、いづれも、電極の下部に深いＰ型領域を、そ
の目的のみのための、いわば専用の工程をもつて
形成している。
しかしながら、このような２回の拡散工程は煩
雑であるため、もし、１回の拡散工程で上記と同
様の構造を実現しうれば、工業的にはなはだ有利
である。
雑であるため、もし、１回の拡散工程で上記と同
様の構造を実現しうれば、工業的にはなはだ有利
である。
(4) 発明の目的
本発明の目的は、この要請に応えることにあ
り、PN接合を有し、このPN接合領域の一部に
アルミニウム（Al）よりなる電極を有する半導
体装置の製造方法において、PN接合の破壊が有
効に防止される構造が１回の工程をもつて実現さ
れる半導体装置の製造方法を提供することにあ
る。
り、PN接合を有し、このPN接合領域の一部に
アルミニウム（Al）よりなる電極を有する半導
体装置の製造方法において、PN接合の破壊が有
効に防止される構造が１回の工程をもつて実現さ
れる半導体装置の製造方法を提供することにあ
る。
(5) 発明の構成
このような本発明の目的は、Ｎ型ゲルマニウム
基板にＰ型領域を選択的に形成する工程と、 該Ｐ型領域上の所定領域にアルミニウムよりな
る電極を形成する工程と、 該電極中のアルミニウムを該ゲルマニウム基板
中に拡散することで、該電極接触部に該Ｐ型領域
よりも深いＰ型拡散領域を形成する工程と が含まれてなる ことを特徴とする半導体装置の製造方法によつ
て達成される。
基板にＰ型領域を選択的に形成する工程と、 該Ｐ型領域上の所定領域にアルミニウムよりな
る電極を形成する工程と、 該電極中のアルミニウムを該ゲルマニウム基板
中に拡散することで、該電極接触部に該Ｐ型領域
よりも深いＰ型拡散領域を形成する工程と が含まれてなる ことを特徴とする半導体装置の製造方法によつ
て達成される。
要するに、本発明の要旨は、アルミニウム電極
中のアルミニウムを基板中（前記アルミニウム電
極接触部）に拡散させて、電極接触部にＰ型領域
よりも深いＰ型拡散領域を形成することを特徴と
する。
中のアルミニウムを基板中（前記アルミニウム電
極接触部）に拡散させて、電極接触部にＰ型領域
よりも深いＰ型拡散領域を形成することを特徴と
する。
前記従来技術において、暗電流が増加する等の
現象は、Ｐ型不純物となるアルミニウム（Al）
がアニールにより浅いPN接合を突き抜けて融け
出し、Ｎ型層の一部領域の導電型を反転させると
ともに、Ｐ型基板中まで進入し、その結果、電極
下部領域は全てＰ型層となつてしまい、この領域
においてNP接合が消滅してしまうことにあると
考えられる。
現象は、Ｐ型不純物となるアルミニウム（Al）
がアニールにより浅いPN接合を突き抜けて融け
出し、Ｎ型層の一部領域の導電型を反転させると
ともに、Ｐ型基板中まで進入し、その結果、電極
下部領域は全てＰ型層となつてしまい、この領域
においてNP接合が消滅してしまうことにあると
考えられる。
一方、Ｎ型シリコン（Ｎ―Si）層上にアルミニ
ウム（Al）よりなる薄膜を形成し、550〔℃〕程
度の温度をもつてアニールすると、この層中のド
ナー濃度が５×1018〔cm-3〕程度以下であるとき、
アルミニウム（Al）が融け込んでPN接合が形成
されることが知られている。
ウム（Al）よりなる薄膜を形成し、550〔℃〕程
度の温度をもつてアニールすると、この層中のド
ナー濃度が５×1018〔cm-3〕程度以下であるとき、
アルミニウム（Al）が融け込んでPN接合が形成
されることが知られている。
本発明の発明者らは、Ｎ型ゲルマニウム（Ｎ―
Ge）基板上に真空蒸着法等を使用してアルミニ
ウム（Al）層を形成したのちアニールを行なう
と、基板のドナー濃度が１×1018〔cm-3〕程度以
下、かつ、アニール温度が300〜420〔℃〕の範囲
のとき、PN接合が形成されることが確認した。
Ge）基板上に真空蒸着法等を使用してアルミニ
ウム（Al）層を形成したのちアニールを行なう
と、基板のドナー濃度が１×1018〔cm-3〕程度以
下、かつ、アニール温度が300〜420〔℃〕の範囲
のとき、PN接合が形成されることが確認した。
例えばドナー濃度が１×1015〔cm-3〕程度のＮ
型ゲルマニウム（Ｎ―Ge）基板に、イオン注入
法等を使用して浅いＰ型領域を形成したのち、こ
のPN接合上の所望の領域にアルミニウム（Al）
電極を真空蒸着法等を使用して形成し、約340
〔℃〕で10分間程度アニールを行つた結果、所望
のPN接合が形成された。
型ゲルマニウム（Ｎ―Ge）基板に、イオン注入
法等を使用して浅いＰ型領域を形成したのち、こ
のPN接合上の所望の領域にアルミニウム（Al）
電極を真空蒸着法等を使用して形成し、約340
〔℃〕で10分間程度アニールを行つた結果、所望
のPN接合が形成された。
(6) 発明の実施例
以下図面を参照しつつ、本発明の一実施例に係
る半導体装置の製造方法について説明し、本発明
の構成と特有の効果とを明らかにする。
る半導体装置の製造方法について説明し、本発明
の構成と特有の効果とを明らかにする。
一例として、ゲルマニウム（Ge）を基材とし、
受光部径が５〔mm〕程度であるPNフオトダイオ
ードの製造方法について述べる。
受光部径が５〔mm〕程度であるPNフオトダイオ
ードの製造方法について述べる。
第３図参照
ドナー濃度が１×1015〔cm-3〕程度のＮ型ゲル
マニウム（Ｎ―Ge）基板２１の一部領域に選択
的にＰ型不純物として硼素(B)を導入し、深さ2000
〔Å〕程度Ｐ型受光領域２２を形成する。かかる
硼素の注入エネルギーを40〔KeV〕程度、ドーズ
量を３×1013〔cm-2〕程度となし、かかるイオン
注入後温度550〔℃〕、時間１時間の熱処理（アリ
ール）を行つて所望のＰ型受光領域２２が得られ
る。
マニウム（Ｎ―Ge）基板２１の一部領域に選択
的にＰ型不純物として硼素(B)を導入し、深さ2000
〔Å〕程度Ｐ型受光領域２２を形成する。かかる
硼素の注入エネルギーを40〔KeV〕程度、ドーズ
量を３×1013〔cm-2〕程度となし、かかるイオン
注入後温度550〔℃〕、時間１時間の熱処理（アリ
ール）を行つて所望のＰ型受光領域２２が得られ
る。
第４図参照
Ｎ型基板２１の全面に化学気相成長法（CVD
法）を使用して二酸化シリコン（SiO2）よりな
る絶縁層２３を2200〔Å〕程度の厚さに形成した
のち、公知の方法を用いてPN接合上の所望の領
域に、負電極コンタクト用の、無終端の帯状の開
口を形成する。続いて、真空蒸着法とフオトエツ
チング法とを使用してアルミニウム（Al）より
なる負電極２４を形成する。
法）を使用して二酸化シリコン（SiO2）よりな
る絶縁層２３を2200〔Å〕程度の厚さに形成した
のち、公知の方法を用いてPN接合上の所望の領
域に、負電極コンタクト用の、無終端の帯状の開
口を形成する。続いて、真空蒸着法とフオトエツ
チング法とを使用してアルミニウム（Al）より
なる負電極２４を形成する。
第５図参照
上記の工程終了後、340〔℃〕程度の温度をもつ
て５分間程度以下のアニールをなすと、電極２４
とＰ型受光領域２２との界面には良好なオーミツ
クコンタクトが形成されるとともにアルミニウム
電極２４よりアルミニウム（Al）が下方へ拡散
し、Ｐ型受光領域２２を突き抜けて、図示せる如
くＮ型基板２１の一部領域にＰ型領域２２よりも
深いＰ型領域２２′が形成される。
て５分間程度以下のアニールをなすと、電極２４
とＰ型受光領域２２との界面には良好なオーミツ
クコンタクトが形成されるとともにアルミニウム
電極２４よりアルミニウム（Al）が下方へ拡散
し、Ｐ型受光領域２２を突き抜けて、図示せる如
くＮ型基板２１の一部領域にＰ型領域２２よりも
深いＰ型領域２２′が形成される。
しかるのち、公知の方法を使用して金・ゲルマ
ニウム合金（AuGe）よりなる正電極２５を形成
し、本実施例に係るPNフオトダイオードを完成
する。
ニウム合金（AuGe）よりなる正電極２５を形成
し、本実施例に係るPNフオトダイオードを完成
する。
すなわち、本発明にあつては、ゲルマニウム基
板２１中への不純物導入工程（イオン注入）は１
回のみであり、アルミニウム電極２４下へのアル
ミニウムの拡散はオーミツクコンタクト形成用ア
ニール工程になされるものであつて、工程数の増
加はない。
板２１中への不純物導入工程（イオン注入）は１
回のみであり、アルミニウム電極２４下へのアル
ミニウムの拡散はオーミツクコンタクト形成用ア
ニール工程になされるものであつて、工程数の増
加はない。
第６図は、上記により完成されたゲルマニウム
（Ge）を基材とし、受光部径が５〔mm〕程度のPN
フオトダイオードと、従来技術により製造され上
記と同様ゲルマニウム（Ge）を基材とし、受光
部径が５〔mm〕程度のPNフオトダイオードとの
逆バイアス電圧に対する暗電流特性を比較した線
図である。
（Ge）を基材とし、受光部径が５〔mm〕程度のPN
フオトダイオードと、従来技術により製造され上
記と同様ゲルマニウム（Ge）を基材とし、受光
部径が５〔mm〕程度のPNフオトダイオードとの
逆バイアス電圧に対する暗電流特性を比較した線
図である。
図において、横軸は逆バイアス電圧〔Ｖ〕であ
り、縦軸は暗電流〔μA〕であり、実線Ａは本発
明の実施例において得られたPNフオトダイオー
ドの特性であり、実線Ｂは従来技術において得ら
れたPNフオトダイオードの特性である。かかる
特性より明らかな如く、本実施例により得られた
PNフオトダイオードの暗電流は30〜35〔μA〕で
あり、従来技術における値、80〜90〔μA〕に比し
てはるかに低減されている。
り、縦軸は暗電流〔μA〕であり、実線Ａは本発
明の実施例において得られたPNフオトダイオー
ドの特性であり、実線Ｂは従来技術において得ら
れたPNフオトダイオードの特性である。かかる
特性より明らかな如く、本実施例により得られた
PNフオトダイオードの暗電流は30〜35〔μA〕で
あり、従来技術における値、80〜90〔μA〕に比し
てはるかに低減されている。
以上の構造となすことにより、ゲルマニウム
（Ge）を基材とするPNフオトダイオードにて、
受光部のPN接合を非常に浅く形成しながら、暗
電流の増加が有効に防止されうる構造を、より少
い工程により実現することができる。
（Ge）を基材とするPNフオトダイオードにて、
受光部のPN接合を非常に浅く形成しながら、暗
電流の増加が有効に防止されうる構造を、より少
い工程により実現することができる。
なお、第５図に示される構造において、電極２
４下部のＰ型領域２２′をＰ型受光領域２２の縁
部に沿つて形成すれば耐圧を更に向上することが
できる。
４下部のＰ型領域２２′をＰ型受光領域２２の縁
部に沿つて形成すれば耐圧を更に向上することが
できる。
また、前記実施例にあつては、PNフオトダイ
オードを掲げて説明したが、本発明はこれに限定
されるものではなくPIN型フオトダイオードにも
適用し得るものである。
オードを掲げて説明したが、本発明はこれに限定
されるものではなくPIN型フオトダイオードにも
適用し得るものである。
(7) 発明の効果
以上説明せるとおり、本発明によれば、PN接
合を有し、このPN接合領域の一部にアルミニウ
ム（Al）よりなる電極を有する半導体装置の製
造方法において、PN接合の破壊が有効に防止さ
れる構造が１回の工程をもつて実現されてなる、
半導体装置の製造方法を提供することができる。
合を有し、このPN接合領域の一部にアルミニウ
ム（Al）よりなる電極を有する半導体装置の製
造方法において、PN接合の破壊が有効に防止さ
れる構造が１回の工程をもつて実現されてなる、
半導体装置の製造方法を提供することができる。
第１図及び第２図は従来技術におけるPNフオ
トダイオードの基本構造を示す基板断面図であ
り、第３図乃至第５図は本発明の一実施例に係る
PNフオトダイオードの製造方法における主要工
程完了後の基板断面図である。第６図は本発明に
よる半導体装置と従来の半導体装置の電圧―暗電
流特性を示す曲線図である。 １，１１……Ｐ型ゲルマニウム（Ｐ―Ge）基
板、２１……Ｎ型ゲルマニウム（Ｎ―Ge）基板、
２，１２……Ｎ型拡散層（Ge）、１２′……２回
目の拡散工程によつて形成されたＮ型拡散層
（Ge）、２２……Ｐ型拡散層（Ge）、２２′……本
発明の一実施例に係り、アルミニウム（Al）電
極より融け出したアルミニウム（Al）によつて
形成されたＰ型領域、３，１３，２３……二酸化
シリコン（SiO2）絶縁層、４，１４，２４……
アルミニウム（Al）電極、５，１５，２５……
金・ゲルマニウム合金（AuGe）電極。
トダイオードの基本構造を示す基板断面図であ
り、第３図乃至第５図は本発明の一実施例に係る
PNフオトダイオードの製造方法における主要工
程完了後の基板断面図である。第６図は本発明に
よる半導体装置と従来の半導体装置の電圧―暗電
流特性を示す曲線図である。 １，１１……Ｐ型ゲルマニウム（Ｐ―Ge）基
板、２１……Ｎ型ゲルマニウム（Ｎ―Ge）基板、
２，１２……Ｎ型拡散層（Ge）、１２′……２回
目の拡散工程によつて形成されたＮ型拡散層
（Ge）、２２……Ｐ型拡散層（Ge）、２２′……本
発明の一実施例に係り、アルミニウム（Al）電
極より融け出したアルミニウム（Al）によつて
形成されたＰ型領域、３，１３，２３……二酸化
シリコン（SiO2）絶縁層、４，１４，２４……
アルミニウム（Al）電極、５，１５，２５……
金・ゲルマニウム合金（AuGe）電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ Ｎ型ゲルマニウム基板にＰ型領域を選択的に
形成する工程と、 該Ｐ型領域上の所定領域にアルミニウムよりな
る電極を形成する工程と、 該電極中のアルミニウムを該ゲルマニウム基板
中に拡散することで、該電極接触部に該Ｐ型領域
よりも深いＰ型拡散領域を形成する工程と が含まれてなる ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57171280A JPS5961191A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57171280A JPS5961191A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5961191A JPS5961191A (ja) | 1984-04-07 |
| JPS6328505B2 true JPS6328505B2 (ja) | 1988-06-08 |
Family
ID=15920394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57171280A Granted JPS5961191A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5961191A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0328901U (ja) * | 1989-08-01 | 1991-03-22 | ||
| US10814803B2 (en) | 2015-06-03 | 2020-10-27 | Weidplas Gmbh | Component |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6066877A (ja) * | 1983-09-22 | 1985-04-17 | Shimadzu Corp | フオトダイオ−ド |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50114187A (ja) * | 1974-02-15 | 1975-09-06 | ||
| JPS50134394A (ja) * | 1974-04-10 | 1975-10-24 |
-
1982
- 1982-09-30 JP JP57171280A patent/JPS5961191A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0328901U (ja) * | 1989-08-01 | 1991-03-22 | ||
| US10814803B2 (en) | 2015-06-03 | 2020-10-27 | Weidplas Gmbh | Component |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5961191A (ja) | 1984-04-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0853822A4 (en) | SOLAR CELL WITH SELF-LOCALLY DIFFUSED SELF-ALIGNED TRANSMITTER | |
| JP3727827B2 (ja) | 半導体装置 | |
| KR0171128B1 (ko) | 수직형 바이폴라 트랜지스터 | |
| CA1261045A (en) | Avalanche photodiode | |
| JP2573201B2 (ja) | 半導体素子の拡散層形成方法 | |
| JPS6328505B2 (ja) | ||
| US4415370A (en) | Method of beryllium implantation in germanium substrate | |
| US4132573A (en) | Method of manufacturing a monolithic integrated circuit utilizing epitaxial deposition and simultaneous outdiffusion | |
| JPS6222546B2 (ja) | ||
| JPH02262379A (ja) | 半導体受光装置及びその製造方法 | |
| JP4401036B2 (ja) | フォトダイオードの製造方法 | |
| JP3191443B2 (ja) | 半導体の表面処理方法 | |
| JPS633448B2 (ja) | ||
| JPH02226777A (ja) | 半導体受光素子及びその製造方法 | |
| JP2658013B2 (ja) | 半導体受光素子の製造方法 | |
| JPS6243167A (ja) | メサ型半導体装置 | |
| JPS61252660A (ja) | 光電変換装置 | |
| JPH044757B2 (ja) | ||
| JPS649742B2 (ja) | ||
| JP2563798B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5946428B2 (ja) | ゲルマニウム受光素子 | |
| JPH06237005A (ja) | 光検知素子およびその製造方法 | |
| JPS62221122A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0559590B2 (ja) | ||
| JPH09260717A (ja) | フォトダイオードの製造方法 |