JPH02232627A - アクティブマトリクス回路基板と、その製造方法と、アクティブマトリクス回路基板を用いた画像表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、薄膜トランジスタをスイッチング素子とじ九
アクティブマトリクス回路基板と、その製造方法と、ア
クティブマトリクス回路基板を用いた画像表示装置にｇ
Ａク、特に各ｉ膜トランジスタを接続する走査線と信号
線の断線確率を低減し，かつ配線の低抵抗化に好適なア
クティブマトリクス回路基板と，その製造方法と、アク
ティブマトリクス回路基板を用い比画像表示装置に関す
る。

〔従来の技術〕

非品質シリコンや多結晶シリコン，Ｃｄ’ｓ等の半導体
膜を用い次トランジスタは，アクティブマトリクス駆動
型表示装置のスイッチング素子として注目されている。

第４図に、従来よク液晶表示装置用アクティブマトリク
ス回路基板Ｋ用いられている薄膜トランジスタの一例を
断面図で示す。

この第４図に示す薄膜トランジスタは，ガラス板等の絶
縁性基板１上に，クロム（Ｃｒ）等の金属膜からなるゲ
ート電極２と、シリコン窒化膜等からなるゲート絶縁膜
５と、非品質シリコン等からなる半導体膜４と、クロム
（Ｃｒ）やアルミニウム（Ａ１）等の金属膜からなるド
レイン電極５と、ソース電極６とが順次形成されている
。

第５図（ａ）に，薄膜トランジスタを用い九アクティブ
マトリクス回路基板の平面図を、同図（ｂ）に同図（ａ
）のｂ−ｂ’線断面図を示す。

この第５図（ａ），（ｂ）に示すアクティブマトリクス
回路基板では，各薄膜トランジスタのゲートｔ極２が走
査線８である第１０バスラインに接続され，ドレイン電
極５が侶号線９である第２のバスラインに接続され、ソ
ース電極６が液晶セルの一方の電極となる表示画素電極
７に接続されている。この第５図（ａ），（ｂ）Ｋ示す
例では、層関絶縁膜１０とゲート絶縁膜５は，島状パタ
ーンＫ別々く形成されているが，ゲート絶ｌｋ膜５を走
査線８と口ｔＭ？の交差部まで延ばし、暦間絶縁膜１０
とすることも多い。

近年、アクティブマトリクス回路基板の大型化、高精細
化Ｋ伴い、走査線８と信号線９の断線防止と低抵抗化が
量産上での課題とがっている。この九め，走査線θや信
号線９ｔ選択エッチングの可能な材料を用いて２層以上
の多層配線とすることが多一。しかし，この場合には、
配線パターン形成の几めの、ホトリング２７イーエ程数
が２倍以上に増加し，製造コストが高くなるという問題
があク九● 前記問題を解決する九め、第６図（ａ），（ｂ）に示丁
エクな技術が提案されている。

第６図（＆）に従来のアクティブマトリクス回路基板の
異なる例の平面図を示し，同図（ｂ），（ｏ）Ｋ同図（
ａ）のｂ−ｂ’線お工びｏ−ｃ’線断面図を示す。

この第６図（ａ），（ｂ），（ｏ）に示すアクティブマ
トリクス回路基板では、走査ＩＩＡａ上の信号線９と交
差する部分を除い几走査線８０表面平坦部上に，信号線
９と同一材料および同一工程で補助ノ｛スクィン６′を
形成し，走査線８上に重量している。

これにより、ホトリソグラフイーエ程数を増やさずに、
走査線８の断線確率を小さくすることができる。

なお、この種の補助バスラインの形成に関する技術とし
ては、例えば特開昭６ｉ−１０５５８２　４−公報が挙
げられる。

〔発明が解決しようとする課題〕

前記第６図（ａ），（ｂ），（ｏ）について説明し丸ご
とく，従来技術により信号Ｍ９の形成時に、同一工程で
走査線８０表面平坦部に補助バスライン８′をも形成し
、走査線８０断線を防止しようとする試みは、ホトリソ
グラフィー工程数を増加させずに実施できる点で有効で
あるが、従来技術では第２のバスラインでめる信ｆ線９
０断線防止、低抵抗化には配慮されていない。信号線９
の構成膜は走査＠Ｂの補助バスライン８′として、走査
線８０低抵抗化の働きもする丸め，低抵抗材料で形成す
る必要がある。し九がって，信ｔ線９の断線防止を考え
ればよい。

ところで、侶号Ｍ９の構成膜に対して選択エッチング可
能な材料にエクＨ号線９上に補助バスライン９′を重量
する方法がるる。しかし、この方法ではホトリソグラフ
ィー工程数が増加し，製造コストが高くなる問題があっ
た。

その他，表示画素電［７の構成膜で信号線９の補助バス
ライン９′を形成する方法がある。この方法では、ホト
リングラ７イーエ程数が増えない。

ところが，侶号線？を低抵抗材料で形成する必喪性から
，信号線９ｔ−アルミ＝ウム（＾１）系の材料で構成し
、展厚もある程度大きくする必要が６る。

また，表示画素電極材料としては、酸化錫（ＳｎＯ、）
や酸化インジクム（ｒｎ２ｏ，）あるいはこの２成分エ
クなるＩＴＯ　（Ｉｎｄｉｕｏ＋　’Ｉ’ｉｎ　Ｏｗｉ
ｄｅ　）が用いられることが多く、その膜厚も１００ｎ
ｍ前後と小さい。このことから、Ａ１糸薄膜上で透明導
電膜を加工すろ必要がめク，透明導電膜やそれを加工す
るエッチング液に対する制約も大きく，製造歩留まりの
低下が発生しやすい．ｔ九，信号線９０膜厚が表示画素
電極７の膜厚よク大きい丸め、侶号線９Ｑ：）＠線部の
表示画素電極構成膜による補修はむずかしい。すなわち
、表示画素電ｆＭ７の構成膜で信号線９の補助バスライ
ン９′を形成しても歩留ま５をよくし、信号線９の断線
を防止することができないという問題があク几。

本発明の第１０目的は，走査線である第１０バスライン
と信号線である第２のバスラインの断線確率の低減、お
よび低抵抗化を図り得るアクティブマトリクス回路基板
を提供することにある。

また、本発明の第２の目的は，ｉｉＩ記アクティブマト
リクス回路基板を，ホトリソグラフィー工程数を増加さ
せず，製造歩留ｉｐを高くシ，製造コストを低減し，か
つ確実に製造し得るアクティブマトリクス回路基板の製
造方法を提供することにある． さらに、本発明の第５の目的は．走査線である第１０バ
スラインや信号線でろるＭ２のバスラインの断線確率を
低減し、かつ低抵抗化を図った信頼性の高いアクティブ
マトリクス回路基板を用い友画像表示装ｒＩｔｆｔ提供
することにある。

〔課Ｍを解決する友めの手段〕

前記第１０目的は、ゲート電極間を接続する走査線でお
る第１０バスフィン上Ｋ、低抵抗でかつ前記第１０バス
ラインとの接触抵抗の小さい材料により補助バスライン
を設け、ドレイン電極間を接続する信号線である第２の
バスラインを表示画素電極材料で形成するとともに、前
記第２のバスライン上に、低抵抗材料にＬク前記第２の
バスフィンよクも厚い膜厚の補助バスラインを設け九こ
とにより、達成される。

そして，前記第１０目的は、前記第１，第２のバスライ
ンに対して設けられ九補助バスラインの当該バスライン
と接触する側にＴｉ　，　Ｚｒ　．　Ｈｆ　．Ｖ．Ｎｂ
ｅＴｉ，Ｃｒ＋Ｍｏ，Ｗお工びこれらの窒化物の中から
選ばれ次１種類以上の材料を挿入し九ことにエジ、より
良く達成される。

また、前記第２の目的は，絶縁性基板上に第１０導体層
を形成し、パターニングによりゲート電極と、このゲー
ト電極に接続されて走査線となる第１０バスラインとを
形成し、ついで前記絶縁性基板上に．１！′ｉｌＩ記ゲ
ート電極を埋めるゲート絶縁膜と、半導体薄膜の活性層
とを順次積層して形成し、ついで前記半導体薄膜の活性
層を素子分離し、半導体膜を島伏Ｋかつマトリクス状に
形成するとともに、前記第１０バスラインと後に形成さ
れる第２のバスラインとの交差部の領域を除いて前記第
１０バスライン上の前記ゲート絶縁膜を除去して第１０
バスラインの一部を露出させ、ついでｌｉｔＩ記絶縁性
基板上に透明電導層を形成し、後に形成されるドレイン
電極に接続される予定の信号線となる第２のバスライン
と、表示画素電極とを同一材料および同一工程で形成す
るとともに、第１０バスラインの露出している部分に重
なっている透明導電膜を除去し、ついで１５０〜３００
℃の温度で熱処理し、ついで前記絶縁性基板上に第２の
導体層を形成し、パターニングによりドレイン電極と、
ソース電極と、第１，第２０バスライン罠対する補助バ
スラインとを同一工程で形成し，ついでｌＩＪ記ドレイ
ン電極と第１０バスツイン、前記ソース電極と表示画素
電ｉをそれぞれ接続することにょク、達成される。

さらに．！１′ｉＪ記第５の目的は，前記アクティブマ
トリクス回路基板の表示画素電極に対向させて、対向電
極を設けるとともに、前記表示画素電極と対向電極間の
閲隙κ液晶を充填し，密閉して表示セルを構成し次こと
に１夕、達成される。

〔作用〕

本発明アクティブマトリクス回路基板では、第１０バス
ライン上に，低抵抗材料からなク、しかも第１０バスラ
インとの接触抵抗の小さい補助バスラインを形成してい
ることから、ａ！１０バスラインの断線確率を低減し、
低抵抗化を達成できる。

この場合、Ｓ　ｎ　Ｏ　２やＩｎ２０５，Ｘ　ＴＯ等か
らなる表示画素電極材料を第１０バスラインＩ／ｃｌｌ
畳してはならない。何故なら，金属膜からなるバスライ
ンとこれら表示画素電極材料の間に大きな接触抵抗が発
生するからでるる。

ま九、個々の薄膜トランジスタのドレイン電極間を接続
する第２０バスラインを、表示両素電極材料でパターン
形成し、熱処理ｔ−施した後に、低抵抗材料からなりか
つ膜厚が第２のバスラインより大きい補助バスラインを
設けている。これにより，表示画素電極材料上において
もＡ１糸材料の加工が安定して行えるよ５Ｋなり、また
第１０バスラインの断線部を膜厚の大きな補助バスライ
ンで補修できる。し九がって、前記第２のバスライｌン
の断線確率の低減、および低抵抗化を図ることができる
。

ま几、本発明アクティブマトリクス回路基板では、前記
補助バスラインの当該バスラインと接触する側に、Ｔｉ
４ｒ＋ＢｆｔＶ＊Ｎｂ＋’ｌ’ａ＋ＣｒａＭｏ，Ｗおよ
びこれらの窒化物から選ばれ７ｔ１種類以上の材料を挿
入し几ことにより，低抵抗材料としてＡｌ系を、表示画
素電［　１ｋＳｎ　Ｏ　２やＩｎ２０，、Ｉ’Ｊ”Ｏで
形成しても、前記補助パスツインと表示画素電極間に親
和性を持たせることができ，かつ第１０バスラインの材
料に高融点会属を用いても接触抵抗を小さくすることが
できる。

第１０バスライン、第２のバスライン，表示画素電極の
形成に、配線の冗長性を配慮しなくとも，３回のホトリ
ノグラ７イーエ程を必要とする。本発゜明の製造方法で
は、これら５つのパターンを形成するのに、第１０バス
ラインの形成、第２のバスラインと表示画素電極の形成
、第１０バスラインの補助バスラインおよび第２のバス
ラインの補助バスラインの形成の３回のホトリソグラフ
ィー工程で各配線に冗長性を付加しており、ホトリソグ
ラフィー工程数を増加させることなく、本発明に係る前
記アクティブマトリクス回路基板を確実Ｋ製造すること
ができる。

さらに、本発明画像表示装置では、前記アクティブマト
リクス回路基板のソース電極に接続され九表示画素電極
に対向させて対向電極を設けるとともに、前記両電極の
間隙に液晶を充填し、密閉させて表示セル金構成してい
るので、アクティブマトリクス回路基板の第１，第２の
バスツインの断線確率が低く，かつ低抵抗化を図ること
ができ、その結果侶頼性を向上させることができる。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を図面により説明する。

第１０冥施例を第１図Ｋよク説明する。第１図は、本発
明を適用し九非品質シリコン薄膜トランジスタをスイッ
チング素子とするアクティブマトリクス回路基板の一部
全示すもので，同図（ａ）はゲート電極間を接続する走
査線である第１０バスラインを中心に示した平面図，同
図（ｂ）は同図１＆）のｂ−ｂ’線断面図である。

この第１０実施例では、周辺回路との接続端子部以外の
領域全ゲート絶縁膜５で覆い，層間絶緑＃！（第５図（
ａ），第６図（ａ）の符号１０参照＞１兼ねている。本
実施例の特徴は、走査Ｍａ″′Ｃある第１０バスライン
と信号線９で６７：Ｉａ！２のバスラインのクちの，ｔ
Ｗ号Ｍ９を表示画素ｔ極７と同一材料でかつ同一工程に
エリ形成し、走査線８に対する補助バスライン８′と侶
号線９！Ｋ．対ナる補助バスライン９′を同一材料でか
つ同一工程により形成し九点にある。

以下，本実施例の製造工程を説明する。

（Ａ）　　クロム（Ｃｒ　）等の金属膜から成る第１０
導体層を，スパッタリング法を用いて透明ガラス板等の
絶縁性基板１上に成膜する。ついで、通常のホトエッチ
ング工程により、ゲート電極２のパターンと、ゲート電
極２ｌ！Ｉを接続丁ろ走査線８である第１０バスライン
のパターンとを同一パターニング工程で形成する。

（Ｂ）　　プラズマＣ　Ｖ　Ｄ法（　Ｃｈｅｍｉｏａｌ
　Ｖａｐｏｒ　Ｄｏ　−ｐｏｓｉｔｉｏｒｘ　）により
、ゲート絶縁膜５や層間絶ＪｉｌｌｌＯとして用いるシ
リコン窒化膜（　ＰｌａｇｍａＳｉｌｉｏｏｎ　Ｎｉｔ
ｒｉｄｅ　，以下「Ｐ−ＳｉＮｌｌｊと呼ぶ）、半導体
膜４と層間絶縁膜１０として用いる非晶買シリコン膜（
　ａｍｏｒｐｈｏｕｓ＋　Ｓｉｌｃｏｎ．以下「ａ−Ｓ
ｉ膜」と呼ぶ）、電極部コンタクトとして用いるリン（
Ｐ）ｋドーピングし７ｔａ　−８１膜（ｎ−ｔ７ｐｅａ
−Ｓｉ，以下「ｎ”ａ−ＳｉＪ膜と呼ぶ＞１、ｙ応室Ｏ
真空を破らずＶＣ順次連続的ｌＣ積層し，成膜する。

（Ｃ）　　通常のホトリソグラフィー工程とドライエッ
チングにエク、半導体膜（ａ−ＳｉＭとｎ”ａ一Ｓｉｌ
ｉｌ）を素子分離し、薄膜トランジスタを形成する丸め
の半導体膜（半導体膜アイランド）４をマトリクス状に
形成する。本実施例では、走査線８と信号ｓＩ９の交差
部にもａ−Ｓｉｙ４ｉ残している。

（ＤＪ　　通常のホトリノグラ７イーエ程とドライエッ
チングＫよク，周辺回路との接続端子部＋２）Ｐ　−Ｓ
ｉＮ膜を除去し、走査線８上Ｋｌｊ号纏９と交差しない
ように開口部１１１を設ける。すなわち，走査Ｍ８Ｋ対
する補助バスライン８′を設ける予定部分が完全に開口
するようにＰ　−ＳｉＮを除去する。

（ｇ）　　絶縁性基板１を塩酸を含む液で洗浄し友後罠
、スパッタリング法を用いて、Ｉ’ｌ’Ｏｌｉｉ形成す
る。この時、Ｉ’ｒＯ膜の膜質ｔＩｎ２０５０Ｘ線凹析
ビークができるだけ小さくなるようにし、エッチング分
布が良くなるよりにする。

（ｒ）　　通常のホトエッチング工程により、表示画素
電極７とドレイ／ｔ極５と接続される予定の信号線？で
るる第２０バスラインを同一バターニング工程で形成す
る。ついで、１５０〜５００℃の温度で熱処理を行い、
ＩＴＯ膜の耐薬品性金向上させる。

（Ｇ）　　アルミニウム（Ａ１）等の金ｆｉＩ４膜から
成る第２の導体層をスパッタリング法を用いて成膜する
。ついで、通常のホトエッチング工程にエク、ドレイン
電極５，ノースｉｔ極６、走査醸８ｆｃ対する補助バス
ライン８′，信号線９に対する補助バスツイン９′金同
一バター二／グ工程で形成するとともに、ドレイン電極
５とイぎ号線９、ソース電極６と表示画素電極７の接続
を行う。

さらに，ドライエッチングにより．ｇ出している半導体
膜４のｎ”ａ−Ｓｉｔ−除去し、下地のａ−Ｓｉ（ｉ層
）ｔ″露出させる。このようにして薄膜トランジスタチ
ャネル部Ｏｎ”ａ−Ｓｉａｔ除去して、ｎチャネル絶縁
ゲート形電界効果トランジスタを形成する。

以上の工程を経て第１図に示し九アクティブマトリクス
回路基板が完成する。このよりにして，作製し九アクテ
ィブマトリクス回路基板では、バスラインのｉ線確率や
ｘＴＯ展のエッチング残ク等に工る不良を著しく低減で
きる。

従来例と比較すると，これらの効果は，信号繰９で大き
い。ま九、配線抵抗も走査線８と信号線９において，十
分低抵抗化できる。これらの効果は、信号！＋１９とし
て表示画素電極膜を用い、低抵抗材料から成る補助バス
ライｙ８’，９’ｉ、走査線８と信ｆ線９に対して同一
工程で形成したことにエク出ている。例えば、従来のよ
うに，走査線８の補助バスライン８′を信号線９の構成
膜で形成すると、その後でいくら低抵抗膜を重量しても
、走査線８の低抵抗化は達成されない。これは，Ｉ’ｌ
’ＯＩＩｌｌｊのような透明導電膜と金属膜の間に大き
な接触抵抗が生ずる九めでおる。信号線９Ｋ対する効果
は、本発明において特有のものであり、外部回路との接
続端子を酸化展（ＩＴＯなど）にできるといク利点もあ
る。まえ、前述したところから明らかなように、ホトエ
ッチング工程数は増加しない。

第２の実施例ｔ−第２図に示す。第２図は非品質シリコ
ン薄展トランジスタをスイッチング素子とするアクティ
ブマトリクス回路基板の一部を示すもので、同図（ａ）
はゲート電極間を接続する走査線を中心として示した平
面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のｂ−ｂ’線断面図であ
る。

この爽施例の特徴は，走査線８の補助バスライン８′を
高融点金属膜８１と、低抵抗金属膜８２とを順次積層し
て構成し，侶ｆ膿９の補助バスライン９′を高融点金属
１ｌ９１と、低抵抗金属膜９２とを順次積層して構成し
ている点におる。この実施例の場合には，第１０実施例
と比較し、さらに効果的である。その効果を、以下説明
する。

（１）　　低抵抗材料としてＡｌ系を、表示内索電極７
ｔ−ＳｎＯ　＋Ｉｎ２０５．ＩＴＯで形成することが多
い。これらの表示画素！極膜とＡｌ系膜Ｏ相性は必ずし
も良好ではなく、例えばＩＴＯ膜上に＾１膜を成形する
と膜剥離等が発生しやすい。

この問題は、表示画素電極７と補助バスライン８’，？
’に用いる低抵抗材料の間にＴｉ，ｚｒ＋Ｈｆ＊Ｖ＊Ｎ
ｂ＊ＴｓｍＣｒ　．ＭｏｓＷ　およびこれらの窒化物金
挿入することによって解決できる。

（２》　　走査線８としては，＃Ｉ熱性や耐薬品性にす
ぐれ九高融点金属七用いることが多い。しかし，これら
とＡｌ系材料の間には、接触抵抗が発生する友め、走査
纏８０低抵抗化の効率が悪い。

この問題も、走査ＩＡ８と補助バスライン８′の間にＴ
ｉ，Ｚｒｔ｝！ｌ＋Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ＋Ｍｏ，Ｗお
よびこれらの窒化物を挿入することにエクて解決できる
。

第５図は前記第１０実施例である第」図に示したアクテ
ィブマトリクス回路基板を用い几液晶表示装置から成る
本発明の画像表示装ｆｉｔを形成し九冥施例の要部を示
し九もので，同図（ａ）は画像表示装置の平面図，同図
（ｂ）は同図（ａ）のｂ一ｂ′線断面図である。

この第５図に示す画像表示装置は、第１図に示すアクテ
ィブマトリクス回路基板５０と、そのー方の面に偏光板
２０を設け，他方の面には保護膜２６と、配向膜２４と
、液晶２　５　ト，　配向＠　２　４と、対向電極２５
と、保護＠２２と、カラーフィルタ２１と、ガラス板１
′と、偏光板２０とを設けている。

前記対向電極２３は、アクティブマトリクス回路基板５
０の表示画素電極７の対向電極で、前記表示画素電Ｗｉ
７と同じく透明導電ＭＫよク形成されている。

前記液晶２５は，前記表示画素電極７と対向電極２５間
の間隙に充填され、密閉されて表示セルを構成している
。

この画像表示装置の例は、前記のよクな構成でカラー表
示用のものを示している。ま友、この画像表示装置は、
周知のカラー液晶表示装置の製造工程と同様にして容易
に製造することができる。

なお、実際の画像表示装置においては、第５図の構成の
他に周知の画像表示駆動手段として、各種電気回路制御
系および背面からの照明手段などが設けられるが、これ
らについては省略し九。

Ｃ発明の効果コ 以上説明し九本発明の請求項１紀載Ｏ発明によれば、ゲ
ート電極間金接続する走査線であるｔｉＸ１のバスライ
ン上に、低抵抗でかつ前記第１０バスラインとの接触抵
抗の小さい材料により補助バスラインを設け、ドレイン
電極間を接続する信号線でおるｗｃ２のバスラインを表
示画素電極材料で形成するとともに、前記第２のバスラ
イン上に，低抵抗材料に１９前記第２０バス２インエク
も厚い膜厚の補助バスラインを設けているので、走査線
である第１０バスラインと信号線である第２０ノｉスラ
インの断線確率の低減、および低抵抗化を図９得る効果
がめる。

ま九、本発明の請求項２紀載の発明によれば、前記第１
、第２のバスラインに対して設けられ次補助バスライン
の当該バスラインと接触する側罠、Ｔｉ＋Ｚｒ，Ｈｆ，
Ｖｉｂ，Ｔａ，Ｃｒ＋Ｍｏ＋Ｗお工びこれらの室化物の
中から選ばれ几１種類以上の材料を挿入しているので，
前記第１，第２のバスラインｏ？ｌＩ助バスラインの低
抵抗材料として訂系ヲ，表示画素ＩＥ極ｋ　Ｓ　ｎ　Ｏ
　２やＩｎ２０，，ＩＴＯで形成しても、前記補助バス
ラインと表示画素電極間に親和性を持九せることができ
、かつ第１０バスラインの材料に高融点金属を用一て％
接触抵抗を小さくし得る効果がある。

そして，本発明の請求項Ｓ記載の発明に１れば、絶縁性
基板上Ｋ第１０導体層を形成し，ノ｛ターニングに１タ
グート電極と、このゲート電極に接続されて走査線とな
る第１０バスラインと全形成し，ついで前記絶縁性基板
上に、前記ゲート電極ｆｔ埋めるゲート絶縁膜と、半導
体薄膜の活性層とを順次積層して形成し，ついで前記半
導体薄膜の活性層を素子分離し、半導体ｙ４ｔ−島伏に
かつマトリクス状に形成するとともに、前記第１０ノく
スラインと後に形成される第２０バスラインとの交差部
の領域を除いて前記第１０バスライン上のＲＥゲート絶
縁膜ｔ除去して第１０バスラインの一部を露出させ、つ
いで前記絶縁性基板上に透明電導層を形成し、後に形成
されるドレイ／電極に接続される予定の信号線となる第
２０バスツインと、表示画素電極とを同一材料および同
一工程で形成するとともに，第１０バスラインの露出し
ている部分ＶＣ重なっている透明導電展を除去し、つい
で１５０〜５００℃の温度で熱処理し、ついで前記絶縁
性基板上に第２の導体層を形成し，バターニングにより
ドレイン電極と、ソース電極と，第１．第２のバスライ
ンに対する補助バスラインとを同一工程で形成し、つい
で前記ドレインＩＥ極とＭ１のノくスライν、前記ノー
ス電極と表示画素ｔ極をそれぞれ接続するようにしてい
るので、前記アクティブマトリクス回路基板を、ホトリ
ノグラ７イーエ程数金増加させず．ａ造歩留まりを高く
し、製造コスｌ低減し，かつ確実に製造し得る効果があ
る。

さらに，本発明の請求項４記載の発明に工れば，アクテ
ィブマトリクス回路基板の表示画素電極に対向させて、
対向電ｉｆｔ設けるとともに，前記表示一素′胤極と対
向電極間の間隙に液晶を充填し，密閉して表示セルを構
成しているので、各配線の断線確率が低く，かつ接続抵
抗が小さくして信頼・、性を向上させ得る効果がめる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のアクティブマｌクス回路基板の：ｉＩ
ｌの実施例を示すもので，同図Ｃ＆）は平面図，同図（
ｂ）は同図（ａ）のｂ−ｂ’線断面図、第２図は本発明
のアクティブマトリクス回路基板の第２の実施例を示す
もので、同図（畠）は平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）
のｂ−ｂ’線断面図、第３図は本発明の画像表示装置の
一実施例を示すもので、同図．（ａ）は平面図，同図（
ｂ）は拡大断面図である。 第４図は薄膜トランジスタの断面図、ａ！５図は従来例
を示すもので、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同図
（＆）のｂ−ｂ’線断面図、第６図は従来例の他の例を
示すもので、同図（ａ）は平面図，同図（ｂ）および（
ｏ）は同図（ａ）のｂ−ｂ’線およびＣ−ａ’ｌｉ’ｒ
面図でるる。 １・・・絶縁性基板、２・・・ゲート電極，５・・・ゲ
ート絶縁膜、４・・・半導体膜、５・・・ドレイン電極
，６・・・ソースｔ極，７・・・表示画素電極、８・・
・走査線である第１０バスライン、８′・・・走査線に
対する補助バスライン、９・・・信号線である第２０バ
スライン，９′・・・信号線に対する補助バスライン、
２０・・・画像表示装置の偏光板，２１・・・同カラー
フィルタ，２２．２４・・・同保護膜、２５・・・同対
向電極、２４・・・同配向膜、２５・・・同液晶、５０
・一同アクティブマトリクス回路基板、１１１・・・開
口部、８１．９１・・・高融点金属展による配線．８２
．９２・・・低抵抗金属展による配線。 第 ５図 』 ６口

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、絶縁性基板上に形成されたゲート電極と、ゲート絶
   縁膜と、半導体膜の活性層と、ドレイン電極と、ソース
   電極と、表示画素電極とを有する個々の薄膜トランジス
   タの前記ゲート電極間を走査線である第１０バスライン
   で接続し、前記ドレイン電極間を信号線である第２のバ
   スラインで接続し、前記第１、第２のバスラインにそれ
   ぞれ補助バスラインを重量させて設けたアクティブマト
   リクス回路基板において、前記第１のバスライン上に、
   低抵抗でかつ前記第１のバスラインとの接触抵抗の小さ
   い材料により補助バスラインを設け、前記第２のバスラ
   インを前記表示画素電極材料で形成するとともに、前記
   第２のバスライン上に、低抵抗材料により前記第２のバ
   スラインよりも厚い膜厚の補助バスラインを設けたこと
   を特徴とするアクティブマトリクス回路基板。 ２、前記第１、第２のバスラインに対して設けられた補
   助バスラインの当該バスラインと接触する側に、Ｔｉ、
   Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗおよびこ
   れらの窒化物の中から選ばれた、種類以上の材料を挿入
   したことを特徴とする請求項１記載のアクティブマトリ
   クス回路基板。 ３、（ｉ）絶縁性基板上に第１の導体層を形成し、パタ
   ーニングによりゲート電極と、このゲ ート電極に接続されて走査線となる第１の バスラインとを形成し、 （ｉｉ）ついで前記絶縁性基板上に、前記ゲート電極を
   埋めるゲート絶縁膜と、半導体薄膜 の活性層とを順次積層して形成し、 （ｉｉｉ）ついで前記半導体薄膜の活性層を素子分離し
   、半導体膜を島状にかつマトリクス状 に形成するとともに、前記第１のバスライ ンと後に形成される第２のバスラインとの 交差部の領域を除いて前記第１のバスライ ン上の前記ゲート絶縁膜を除去して第１の バスラインの一部を露出させ、 （ｉｖ）ついで前記絶縁性基板上に透明電導層を形成し
   、後に形成されるドレイン電極に接 続される予定の信号線となる第２のバスラ インと、表示画素電極とを同一材料および 同一工程で形成するとともに、第１のバス ラインの露出している部分に重なっている 透明導電膜を除去し、 （ｖ）ついで１５０〜３００℃の温度で熱処理し、（ｖ
   ｉ）ついで前記絶縁性基板上に第２の導体層を形成し、
   パターニングによりドレイン電 極と、ソース電極と、第１、第２のバスラ インに対する補助バスラインとを同一工程 で形成し、 （ｖｉｉ）ついで前記ドレイン電極と第１のバスライン
   、前記ソース電極と表示画素電極をそ れぞれ接続すること、 を特徴とするアクティブマトリクス回路基板の製造方法
   。 ４、請求項、または２記載のアクティブマトリクス回路
   基板の表示画素電極に対向させて、対向電極を設けると
   ともに、前記表示画素電極と対向電極間の間隙に液晶を
   充填し、密閉して表示セルを構成したことを特徴とする
   画像表示装置。