JPH0223526A - 金属薄膜の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、ポリイミドフィルム上に金属薄膜を連続的に
形成する金属薄膜の製造方法に間する。

従来の技術 従来、金属薄膜を連続的に形成する方法としては、めっ
き法、スパッタ法あるいは真空蒸着法（イオンブレーテ
ィング法のように蒸発原子の一部をイオン化して膜を堆
積する方法も含む）等がある。特に、真空蒸着法によれ
ば高い堆積速度が達成でき、量産に適している。

ポリイミドフィルムを用いて、真空蒸着法により金属薄
膜を製造する方法としては、基板を円筒状キャンの周面
に沿わせて走行させつつ金属薄膜を蒸着する方法が最も
優れている。このような方法でポリイミドフィルム上に
高堆積速度で金属薄膜を形成する場合には、蒸発源から
の輻射熱や蒸発原子の凝縮熱等の原因により、ポリイミ
ドフィルムの熱変形や熱分解等、いわゆる、熱負けを生
じて安定した金属薄膜の形成が困難である。従って、金
属薄膜を高堆積速度で形成する際には、これらの熱的ダ
メージを避けるために何等かの対策を取らなくてはなら
ない。

そこで、熱負けを防止するためには、ポリイミドフィル
ムを円筒状キャンの周面に強く張り付けて、ポリイミド
フィルムの受けた熱を効率的に円筒状キャン本体に逃が
すことが必要である。ポリイミドフィルムを円筒状キャ
ンの周面に張り付ける一つの方法として、ポリイミドフ
ィルム上に形成した金属薄膜と円筒状キャンとの間に電
位差を設け、その間に働く静電引力を利用する方法があ
る（特願昭５６−１９０００１号）、この方法によれば
、ポリイミドフィルム上に金属薄膜を単層あるいは多層
に形成することが可能である。第２図は、このような方
法を用いた真空蒸着装置の内部構造の概略を示す正面図
である。ポリイミドフィルム１は、供給ロール３より巻
き出されフリーローラー６を経て、円筒状キャン２の周
面に沿って矢印の向きに走行する。尚、円筒状キャン２
の周面は、一般に、硬質Ｃｒめっきが施されている。

このポリイミドフィルム１上に蒸発源５によって金属薄
膜が形成される。蒸発源５と円筒状キャン２との間には
、蒸発源５から蒸発する蒸気が不要な部分に付着するの
を防止するために、遮蔽板９が配置されている。遮蔽板
９は、Ｓで示されるように間口しており、この開口部Ｓ
を通過した蒸気がポリイミドフィルム１上に付着する。

ポリイミドフィルムｌ上に形成された金属薄膜は、フリ
ーローラー７を経て、巻き取りロール４に巻き取られる
。フリーローラー７と円筒状キャン２との間に電源８に
より電圧を印加する。電源８は直流電源を表示している
が交流電源でも良い、フリーローラー７を介して、ポリ
イミドフィルムｌ上の金属薄膜と円筒状キャン２との間
に電位差を設け、ポリイミドフィルム１の金属薄膜の形
成されている部分を円筒状キャン２の周面に張り付かせ
る。

発明が解決しようとする課題 しかしながら、そのような金属薄膜の形成時に、ポリイ
ミドフィルム１上の金属薄膜と円筒状キャン２との間に
電位差を設け、ポリイミドフィルムｌの金属薄膜の形成
されている部分を円筒状キャン２の周面に張り付かせる
とポリイミドフィルム１の裏面が帯電する。ポリイミド
フィルムｌが帯電すると、ポリイミドフィルム１の走行
が不安定となり、長尺にわたって、しわなしに金属薄膜
を製造することは困雅である。

本発明は、このような従来技術の課題を解消した金属薄
膜の製造方法を提供することを目的とする。

ｒＲＢを解決するための手段 本発明は、円筒状キャンの周面に沿って走行しつつある
ポリイミドフィルム上に、真空蒸着法によって金属薄膜
を形成する際、前記円筒状キャンの周表面の構成材料が
Ｎｉであり、前記円筒状キャンと前記金属薄膜との間に
電位差を付与する金属薄膜製造方法である。

作用 本発明によれば、金属薄膜の形成時に、ポリイミドフィ
ルム上の金属薄膜と円筒状キャンとの間に電位差を設け
、ポリイミドフィルムの金属薄膜の形成されている部分
を円筒状キャンの周面に張り付かせても、ポリイミドフ
ィルム裏面が帯電しない。

実施例 以下に、本発明の実施例を、第１図及び第２図を用いて
説明する。第１図は、本発明の一実＊ｍに使用される円
ＩＩ吠キャンの断面の一部を示したものである０円筒状
キャン本体部２０の周表面にＮｉ層２１がある０円筒状
キャン本体部２００周表面を構成する材料は、通常、硬
度や加工性あるいは研磨性等の機械的要求から決定され
るものであり、一般には、めっき法によって形成された
硬質Ｃｒである。Ｎ１は、周表面の構成材料としては機
械特性の点でやや不十分であるので、円筒状キャン本体
２０の周表面上にＮ　１Ｆｉ２１を有する構造とし、Ｎ
ｉ層２１を補強する必要がある。Ｎ１層の形成方法とし
ては、めっき法、スパッタ法あるいは蒸着法が良い。

次に、金属薄膜としてＣｏ−Ｃｒ膜を選んだ場合につい
ての具体的実施例について説明する。尚、Ｃｏ−Ｃｒ１
ｌｌは高密度記録が可能な磁気記録媒体として注目され
ているものである。

実施例１ 第２図に示されるような真空蒸着装置に第１図に示され
るような円筒状キャン２を適用して、膜厚が１０μｍの
ポリイミドフィルムｌ上に、膜厚２５０ｎｍのＣｏ　−
Ｃｒ膜を形成した。Ｃｏ　−Ｃｒ膜の形成時の膜堆積速
度は６００ｎｍ／秒である。

Ｃｏ−Ｃｒ膜の形成時には、Ｃｏ−Ｃｒ膜と円筒状キャ
ン２との間に２００■の電位差を設けた。Ｎ１層２１は
蒸着法により形成した。Ｎｉ層の膜厚は５０μｍとした
。ポリイミドフィルムは帯電がなく安定に走行し、Ｃｏ
　−Ｃｒ膜をしわなく長尺にわたって形成できた。

ここで、本発明において問題にしているポリイミドフィ
ルムｌの裏面の帯電について説明する。

本発明において問題にしているポリイミドフィルムｌの
裏面の帯電は、接触帯電と呼ばれるものと考えている。

接触帯電とは、２種の物質を接触させたとき、その接触
面において二つの物質の閏で電子のやり取りが行われた
結果、生じるものである。２種の物質のうちのどちらが
電子を出し、どちらが受は取るのかは、物質の仕事間数
によって決まるものである。二つの物質のうち、仕事関
数の小さいものが電子を出し正に帯電し、仕事関数の大
きいものが電子を受は取り負に帯電する。物質が金属の
場合には、その仕事関数は光電効果を利用して比較的容
易に測定されるが、半導体や、特に絶縁体の場合には測
定が難しいとされている。

従来例におけるポリイミドフィルム裏面の帯電が負であ
ることから、Ｃｒとポリイミドフィルムでは、ポリイミ
ドフィルムの方が実効的な仕事関数が大きいと考えられ
る０本発明の場合は、実効的な仕事間数がポリイミドフ
ィルムとＮｉで同程度であったのではないかと考えてい
る。従って、ポリイミドフィルム以外のフィルムを用い
る場合に、そのフィルムにあった材料があれば本発明の
応用として実施できるものと考えられる。

尚、従来例においてもポリイミドフィルム１を単に円筒
状キャン２の周面に沿わせて走行させるだけでは帯電は
多くない。ポリイミドフィルムｌが高温の状態で円筒状
キャン２の周面に強く張り付けられ、真実接触面積が大
きくなり強く帯電すると考えられる。

以上の実施例では、金属薄膜としてＣｏ−Ｃｒ膜の単層
膜についてのみ説明したが、池の金属材料による単層あ
るいは多層の金属薄膜でも本発明が有効であることは明
白である。

発明の効果 以上に述べたところから明らかなように、本発明によれ
ば、金属薄膜の形成時に、ポリイミドフィルム上の金属
薄膜と円筒状キャンとの間に電位差を設け、ポリイミド
フィルムの金属薄膜の形成されている部分を円筒状キャ
ンの周面に強く張り付かせても、ポリイミドフィルムの
裏面が帯電することがなくなり、ポリイミドフィルムの
走行が安定になったので、長尺にわたって、しわなしに
金属薄膜を製造することが可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の一実施例における金属薄膜の製造方
法に用いる円筒状キャンの断面の一部を示す断面図、第
２図は、同実施例における真空蒸着装置の内部構造の概
略を示す正面図である。 １・・・ポリイミドフィルム、２・・・円筒状キャン、
３・・・供給ロール、４・・・巻き取りロール、５・・
・蒸発源、６．７・轡・フリーローラー　８・・・電源
、９・・・遮蔽板、２０・・・円筒状キャン本体１、！
・・・Ｎ１層、　Ｓ・・・間口部。 代理人の氏名　弁理士　粟野重孝　はか１名第１図 ２ｏ円閤目大キャン本体

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 円筒状キャンの周面に沿って走行しつつあるポリイミド
   フィルム上に、真空蒸着法によって金属薄膜を形成する
   際、前記円筒状キャンの周表面の構成材料がＮｉであり
   、前記円筒状キャンと前記金属薄膜との間に電位差を付
   与することを特徴とする金属薄膜の製造方法。