JPS59147023A - 金属薄膜の製造方法 - Google Patents
金属薄膜の製造方法Info
- Publication number
- JPS59147023A JPS59147023A JP58020613A JP2061383A JPS59147023A JP S59147023 A JPS59147023 A JP S59147023A JP 58020613 A JP58020613 A JP 58020613A JP 2061383 A JP2061383 A JP 2061383A JP S59147023 A JPS59147023 A JP S59147023A
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- metal thin
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高分子材料より成る基板上に金属薄膜を形成す
る際の製造方法に関するものである。
る際の製造方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点
高分子材料より成る基板上に真空蒸着法によって金属薄
膜を形成する方法としては、この基板を円筒状キャンに
沿わせて走行させつつ蒸着する方法が最も優れている。
膜を形成する方法としては、この基板を円筒状キャンに
沿わせて走行させつつ蒸着する方法が最も優れている。
第１図にこのような方法を用いた真空蒸着装置の内部構
造の概略を示す。高分子材料より成る基板１は円筒状キ
ャン２の周側面に沿って矢印の方向に走行する。この基
板１上に蒸発源６によって金属薄膜が形成される。第１
図中３は供給ロール、４は巻取ロールである。このよう
な真空蒸着装置を用いて高分子材料より成る基板上に金
属薄膜を形成する際に、金属薄膜の膜厚が薄く数１００
八以下の場合には安定した金属薄膜が形成されるが、膜
厚が数１００Å以上の金属薄膜を数１００人／秒以上の
高堆積速度で形成する場合には蒸発源からの輻射熱や蒸
発原子の凝縮熱等の原因により基板の熱変形や熱分解を
生じ安定した金属薄膜を形成することができない。
造の概略を示す。高分子材料より成る基板１は円筒状キ
ャン２の周側面に沿って矢印の方向に走行する。この基
板１上に蒸発源６によって金属薄膜が形成される。第１
図中３は供給ロール、４は巻取ロールである。このよう
な真空蒸着装置を用いて高分子材料より成る基板上に金
属薄膜を形成する際に、金属薄膜の膜厚が薄く数１００
八以下の場合には安定した金属薄膜が形成されるが、膜
厚が数１００Å以上の金属薄膜を数１００人／秒以上の
高堆積速度で形成する場合には蒸発源からの輻射熱や蒸
発原子の凝縮熱等の原因により基板の熱変形や熱分解を
生じ安定した金属薄膜を形成することができない。
従って数１００八以上の膜厚の金属薄膜を形成する際に
はこれらの熱的ダメージを避けるために伺らかの対策を
採らなくてはならない。従来このような対策の一つとし
て、熱的ダメージを受けずにすむ数１００八以下の膜厚
の金属薄膜を蒸着し、その上にこの金属薄膜と円筒状キ
ャンとの間に電位差を設けて数１００八以上の膜厚の金
属薄膜を数１００八／秒以上の高堆積速度で形成する方
法が考えられている。第２図にこのような方法を用いた
真空蒸着装置の内部構造の概略を示す。金属薄膜の蒸着
された高分子材料より成る基板６は、その金属面を金属
ローラー７に接して走行しこの金属ローラー７を通じて
電源８により接地された円筒状キャン２との間に電位差
が与えられる。このようにして基板６と円筒状キャン２
との間に１−位差を設けると静電引力により基板６が円
筒状キャン２に張り付く。基板６が円筒状キャン２に張
り付いた状態で蒸発源５によって金属薄膜を形成すると
、数１００八以上の膜厚の金属薄膜を数１ｏＯＡ／秒以
上の高堆積速度で形成する際に、基板６が受ける蒸発源
からの輻射熱や蒸発原子の凝縮熱等の熱を、円筒状キャ
ン２へ熱伝導により拡散することができ、基板６は熱変
形や熱分解を生じない。
はこれらの熱的ダメージを避けるために伺らかの対策を
採らなくてはならない。従来このような対策の一つとし
て、熱的ダメージを受けずにすむ数１００八以下の膜厚
の金属薄膜を蒸着し、その上にこの金属薄膜と円筒状キ
ャンとの間に電位差を設けて数１００八以上の膜厚の金
属薄膜を数１００八／秒以上の高堆積速度で形成する方
法が考えられている。第２図にこのような方法を用いた
真空蒸着装置の内部構造の概略を示す。金属薄膜の蒸着
された高分子材料より成る基板６は、その金属面を金属
ローラー７に接して走行しこの金属ローラー７を通じて
電源８により接地された円筒状キャン２との間に電位差
が与えられる。このようにして基板６と円筒状キャン２
との間に１−位差を設けると静電引力により基板６が円
筒状キャン２に張り付く。基板６が円筒状キャン２に張
り付いた状態で蒸発源５によって金属薄膜を形成すると
、数１００八以上の膜厚の金属薄膜を数１ｏＯＡ／秒以
上の高堆積速度で形成する際に、基板６が受ける蒸発源
からの輻射熱や蒸発原子の凝縮熱等の熱を、円筒状キャ
ン２へ熱伝導により拡散することができ、基板６は熱変
形や熱分解を生じない。
以上のように円筒状キャンと基板との間に電位差を設け
ることにより、安定に膜を形成することができるが、第
２図のような方法では基板上にあらかじめ金属薄膜を蒸
着し基板上に導電性を持つ層を形成しておかなくてはな
らず、高分子材料より成る基板上に直接膜厚が数１００
八以上の安定した金属薄膜を数１００八／秒以上の高堆
積速度で蒸着することは不可能である。
ることにより、安定に膜を形成することができるが、第
２図のような方法では基板上にあらかじめ金属薄膜を蒸
着し基板上に導電性を持つ層を形成しておかなくてはな
らず、高分子材料より成る基板上に直接膜厚が数１００
八以上の安定した金属薄膜を数１００八／秒以上の高堆
積速度で蒸着することは不可能である。
発明の目的
本発明は真空蒸着法により基板に熱変形や熱分解及びし
わを生じさせずに金属薄膜を作製する方法を提供するこ
とを目的とする。
わを生じさせずに金属薄膜を作製する方法を提供するこ
とを目的とする。
発明の構成
本発明は円筒状キャンの周側面に沿って走行しつつある
高分子材料より成る基板上に直接金属薄膜を真空蒸着法
によって形成する際に、形成された金属薄膜と円筒状キ
ャンとの間に電位差を設けることを特徴とする金属薄膜
の製造方法であり、本発明の方法により高分子材料から
成る基板に熱変形や熱分解及びしわを生じさせずに金属
薄膜を形成することが可能である。
高分子材料より成る基板上に直接金属薄膜を真空蒸着法
によって形成する際に、形成された金属薄膜と円筒状キ
ャンとの間に電位差を設けることを特徴とする金属薄膜
の製造方法であり、本発明の方法により高分子材料から
成る基板に熱変形や熱分解及びしわを生じさせずに金属
薄膜を形成することが可能である。
実施例の説明
第３図に本発明の方法を用いた真空蒸着装置の内部構造
の概略を示す。第３図において第１図。
の概略を示す。第３図において第１図。
第２図と同一物は同一番号を付して説明を省略する。第
３図の装置の特徴とするところは、金属ローラー７の位
置が第２図に示す供給ロール３と円筒状キャン２の間か
ら円筒状キャン２と巻取ロール４との間へ移った点であ
る。高分子材料より成る基板上に直接金属薄膜を形成す
る場合、従来の第２図に示されたような方法では基板上
に導電性を持つ層が存在しないため円筒状キャー／との
間に電位差を設けることができず基板を静電引力で張り
付けて熱的ダメージから守ることは不可能であった。し
かし、第３図に示した本発明による方法では金属ローラ
ー７が円筒状キャン２と巻取ロール４との間に位置する
ため蒸着された金属薄膜か基板上に存在するので金属ロ
ーラー７を通じて基板上の金属薄膜と円筒状キャンとの
間に電位差を設けることができ基板６を静電引力によっ
て円筒状キャンに張り付けて熱的ダメージから守ること
ができる。本発明の方法では蒸発源によって形成された
金属層を通じて電位差を設けているため、基板が円筒状
キャンに張り付くのは、第３図で円筒状キャンの中心と
蒸発源とを結ぶ直線から右側即ち巻取ロール側でしかも
基板６が円筒状キャン２に接している部分のみであり、
同直線から左側即ち供給ロール側は金属層が未だ存在し
ないため円筒状キャンとの間に電位差を設けることがで
きず張り付いていない。けれども、基板６が受ける熱は
熱発源５からの輻射熱や蒸発原子の凝縮熱が主であるの
で蒸発源６より供給ロール３側では基板６は円筒状キャ
ン２に張り付いていなくても熱的ダメージを受けない。
３図の装置の特徴とするところは、金属ローラー７の位
置が第２図に示す供給ロール３と円筒状キャン２の間か
ら円筒状キャン２と巻取ロール４との間へ移った点であ
る。高分子材料より成る基板上に直接金属薄膜を形成す
る場合、従来の第２図に示されたような方法では基板上
に導電性を持つ層が存在しないため円筒状キャー／との
間に電位差を設けることができず基板を静電引力で張り
付けて熱的ダメージから守ることは不可能であった。し
かし、第３図に示した本発明による方法では金属ローラ
ー７が円筒状キャン２と巻取ロール４との間に位置する
ため蒸着された金属薄膜か基板上に存在するので金属ロ
ーラー７を通じて基板上の金属薄膜と円筒状キャンとの
間に電位差を設けることができ基板６を静電引力によっ
て円筒状キャンに張り付けて熱的ダメージから守ること
ができる。本発明の方法では蒸発源によって形成された
金属層を通じて電位差を設けているため、基板が円筒状
キャンに張り付くのは、第３図で円筒状キャンの中心と
蒸発源とを結ぶ直線から右側即ち巻取ロール側でしかも
基板６が円筒状キャン２に接している部分のみであり、
同直線から左側即ち供給ロール側は金属層が未だ存在し
ないため円筒状キャンとの間に電位差を設けることがで
きず張り付いていない。けれども、基板６が受ける熱は
熱発源５からの輻射熱や蒸発原子の凝縮熱が主であるの
で蒸発源６より供給ロール３側では基板６は円筒状キャ
ン２に張り付いていなくても熱的ダメージを受けない。
対策を講じていなければ熱的ダメージを受ける。蒸発源
５から巻取ロール４側では、基板６は円筒状キャン２に
張り付いているだめ熱的ダメージから守れるので、本発
明の方法で真空蒸着の際の熱的ダメージから基板６を守
ることができる。
５から巻取ロール４側では、基板６は円筒状キャン２に
張り付いているだめ熱的ダメージから守れるので、本発
明の方法で真空蒸着の際の熱的ダメージから基板６を守
ることができる。
次に本発明の具体的な実施例を第３図を用いて説明する
。金属ローラー７に電源８によって１００Ｖの電圧を印
加している。第３図では直流電源が描かれているが交流
電源でも良い。円筒状キャン２は接地されている。この
ような装置を用いて膜厚１２μＶｔノポリエチレンテレ
フタレート基板上に金属薄膜として膜厚１０００へのＴ
ｉ膜４０００Δ／秒の堆積速度で形成した。作成された
膜は非常に安定であり熱電は及びしわは見られなかった
。一方、金属ローラー了に電圧を印加しなかった場合に
は基板に熱分解を生じ穴があいた。
。金属ローラー７に電源８によって１００Ｖの電圧を印
加している。第３図では直流電源が描かれているが交流
電源でも良い。円筒状キャン２は接地されている。この
ような装置を用いて膜厚１２μＶｔノポリエチレンテレ
フタレート基板上に金属薄膜として膜厚１０００へのＴ
ｉ膜４０００Δ／秒の堆積速度で形成した。作成された
膜は非常に安定であり熱電は及びしわは見られなかった
。一方、金属ローラー了に電圧を印加しなかった場合に
は基板に熱分解を生じ穴があいた。
発明の効果
以上のように本発明の方法により静電引力で基板を円筒
状キャンに張り付けることが可能となり、熱まけ、しわ
等のない安定な金属薄膜を形成することができるもので
ある。そして、蒸着された金属薄膜を電極として利用で
きるので基板の表面をあらかじめ導電性にしておく必要
がないものである。
状キャンに張り付けることが可能となり、熱まけ、しわ
等のない安定な金属薄膜を形成することができるもので
ある。そして、蒸着された金属薄膜を電極として利用で
きるので基板の表面をあらかじめ導電性にしておく必要
がないものである。
第１図、第２図はそれぞれ従来例における金属薄膜の製
造方法の真空蒸着装置の内部構造の概略図、第３図は本
発明の金属薄膜の製造方法における真空蒸着装置の内部
構造の概略図である。 １・・・・・基板、２・・・・・・円筒状キャン、３・
・・・・・供給ロール、４・・・・・・巻取ローノペ６
・・・・・蒸発源、６・・・・・・金属薄膜を蒸着され
た基板、７・・・・・・金属ローラー、８・・・・・・
基板に電圧を印加するだめの電源。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名第１
図 第３図
造方法の真空蒸着装置の内部構造の概略図、第３図は本
発明の金属薄膜の製造方法における真空蒸着装置の内部
構造の概略図である。 １・・・・・基板、２・・・・・・円筒状キャン、３・
・・・・・供給ロール、４・・・・・・巻取ローノペ６
・・・・・蒸発源、６・・・・・・金属薄膜を蒸着され
た基板、７・・・・・・金属ローラー、８・・・・・・
基板に電圧を印加するだめの電源。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名第１
図 第３図
Claims (1)
- 円筒状キャンの周側面に沿って走行しつつある高分子材
料より成る基板上に直接金属薄膜を真空蒸着法によって
形成する際に、形成された金属薄膜と上記円筒状キャン
との間に電位差を設けることを特徴とする金属薄膜の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58020613A JPS59147023A (ja) | 1983-02-10 | 1983-02-10 | 金属薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58020613A JPS59147023A (ja) | 1983-02-10 | 1983-02-10 | 金属薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59147023A true JPS59147023A (ja) | 1984-08-23 |
| JPH024675B2 JPH024675B2 (ja) | 1990-01-30 |
Family
ID=12032104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58020613A Granted JPS59147023A (ja) | 1983-02-10 | 1983-02-10 | 金属薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59147023A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6318064A (ja) * | 1986-07-10 | 1988-01-25 | Nippon Kokan Kk <Nkk> | 真空蒸着方法 |
| JPS6318063A (ja) * | 1986-07-10 | 1988-01-25 | Nippon Kokan Kk <Nkk> | 真空蒸着方法 |
| JP2013036104A (ja) * | 2011-08-10 | 2013-02-21 | Toray Advanced Film Co Ltd | 薄膜形成方法および薄膜形成装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010163693A (ja) * | 2010-04-12 | 2010-07-29 | Ulvac Japan Ltd | 巻取式真空蒸着方法 |
-
1983
- 1983-02-10 JP JP58020613A patent/JPS59147023A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6318064A (ja) * | 1986-07-10 | 1988-01-25 | Nippon Kokan Kk <Nkk> | 真空蒸着方法 |
| JPS6318063A (ja) * | 1986-07-10 | 1988-01-25 | Nippon Kokan Kk <Nkk> | 真空蒸着方法 |
| JP2013036104A (ja) * | 2011-08-10 | 2013-02-21 | Toray Advanced Film Co Ltd | 薄膜形成方法および薄膜形成装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH024675B2 (ja) | 1990-01-30 |
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