JPH0223616A - ドライエッチング装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
ドライエッチング装置および半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0223616A JPH0223616A JP17412088A JP17412088A JPH0223616A JP H0223616 A JPH0223616 A JP H0223616A JP 17412088 A JP17412088 A JP 17412088A JP 17412088 A JP17412088 A JP 17412088A JP H0223616 A JPH0223616 A JP H0223616A
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- JP
- Japan
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- reaction gas
- dry etching
- etched
- etching
- chamber
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
ドライエツチング装置の構成および、半導体装置の製造
方法のうち特に、エツチング方法に関する。
方法のうち特に、エツチング方法に関する。
〔従来の技術］
従来のドライエツチング装置および半導体装置の製造方
法は第３図、第４図に示す様なｗｉ造と方法によってい
た。例えは、ＣＢｒＦ３を４００ｍＴ ｏ ｒ ｒ″′
Ｃ″Ｓｉをエツチングしたりしていた。
法は第３図、第４図に示す様なｗｉ造と方法によってい
た。例えは、ＣＢｒＦ３を４００ｍＴ ｏ ｒ ｒ″′
Ｃ″Ｓｉをエツチングしたりしていた。
しかし従来の技術では、ポリマーの発生によりエツチン
グが途中で止まってしまったり、デーパ−形状がウェハ
ー内で不均一であ−）たり、エツチング自体不安定であ
るという課題を有していた。
グが途中で止まってしまったり、デーパ−形状がウェハ
ー内で不均一であ−）たり、エツチング自体不安定であ
るという課題を有していた。
そこで本発明はこの様な課題を解決するものでその目的
とするところは、安定で高エツチングレートの得られる
エツチング装置及びエツチング方法を堤供するところに
ある。
とするところは、安定で高エツチングレートの得られる
エツチング装置及びエツチング方法を堤供するところに
ある。
本発明のドライエツチング装置は、チャンバー内に反応
ガスを導入し、高周波印加によりプラズマ化するドライ
エツチング装置において、チャンバー内に１’ ｉ Ｎ
の商品を有する事を特徴とする。
ガスを導入し、高周波印加によりプラズマ化するドライ
エツチング装置において、チャンバー内に１’ ｉ Ｎ
の商品を有する事を特徴とする。
また、本発明の半導体装置の製造方法は、前記ドライエ
ツチング装置において、エッヂンク被材を加工する事を
特徴とする。
ツチング装置において、エッヂンク被材を加工する事を
特徴とする。
ドライエツチング装置で、ガスを導入し、高周波印加に
よってプラズマを発生させるチャンバー内にＴｉＮの部
材を有する事で、ＴｉＮが触媒となって、特にＦを含む
反応ガスからＦのラジカルを効率的に生産できる。この
とき、プラズマ温度も上昇し、通常デポするポリマーを
エツチング液物に再付着させにくくするなめ、高効率で
、安定したエツチングが可能となる。
よってプラズマを発生させるチャンバー内にＴｉＮの部
材を有する事で、ＴｉＮが触媒となって、特にＦを含む
反応ガスからＦのラジカルを効率的に生産できる。この
とき、プラズマ温度も上昇し、通常デポするポリマーを
エツチング液物に再付着させにくくするなめ、高効率で
、安定したエツチングが可能となる。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施例におｌ’するド
ライエツチング装置の構造を示す。アノード１、カソー
ド２、チャンバー３、ガス導入口４、排気口５、ＲＦユ
ニット６、ウェハー７、ＴｉＮリング８、ＴｉＮスパッ
タ膜９、マグネット１ｏ、マグネトロン１１６ 第２図（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施例を示す工程断面
図。
ライエツチング装置の構造を示す。アノード１、カソー
ド２、チャンバー３、ガス導入口４、排気口５、ＲＦユ
ニット６、ウェハー７、ＴｉＮリング８、ＴｉＮスパッ
タ膜９、マグネット１ｏ、マグネトロン１１６ 第２図（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施例を示す工程断面
図。
以下実施例に基つき詳細に説明する。
例えば、第１図（ａ ）の様な、−船釣にＲＩＥと呼ば
れる構造のエツチング装置のアノード１の側面部に１゛
ＩＮをスパッタしたリングを有する装置において、第２
図の様にエツチングを行なう。
れる構造のエツチング装置のアノード１の側面部に１゛
ＩＮをスパッタしたリングを有する装置において、第２
図の様にエツチングを行なう。
まず、第２図（ａ）の様に、レジスト１をウエハー−ト
のエッヂンク被材であるｍ結晶シリコン２上にパターン
ニンクする。
のエッヂンク被材であるｍ結晶シリコン２上にパターン
ニンクする。
ついで、第２図（ｂ）の様に、前記第１図（ａ）のエツ
チング装置にて、］、 ＯＯｍ ｔ ｏ ｒ ｒてＣＢ
ｒＦｘを反応ガスとして導入Ｄ ４より導入し、高周波
として例えば１３．５６ＭＨｚを１００Ｗ印加し前記単
結晶シリコン２をエツチングする。この際ポリマー膜の
発生はごくわずかでエツチング速度は５０００Ａ／ｍｉ
ｎ得られた。
チング装置にて、］、 ＯＯｍ ｔ ｏ ｒ ｒてＣＢ
ｒＦｘを反応ガスとして導入Ｄ ４より導入し、高周波
として例えば１３．５６ＭＨｚを１００Ｗ印加し前記単
結晶シリコン２をエツチングする。この際ポリマー膜の
発生はごくわずかでエツチング速度は５０００Ａ／ｍｉ
ｎ得られた。
ついで、第２図（Ｃ）の様に、レジストを除去する。
ここでは、エツチングマスクにレジストを用いているが
これに限定されるものてはなく、例えはシリコン酸化膜
等でも良い。また、エツチング被材として単結晶シリコ
ンを用いたが、多結晶、エビ、単結晶に関係ないし、そ
の他シリコン窒化膜等にも用いられる。
これに限定されるものてはなく、例えはシリコン酸化膜
等でも良い。また、エツチング被材として単結晶シリコ
ンを用いたが、多結晶、エビ、単結晶に関係ないし、そ
の他シリコン窒化膜等にも用いられる。
また、特に反応ガスはＣＢ ｒ Ｆ ３に限定されるも
のではなく、Ｆを有する反応ガスであれは同様にエツチ
ングできる。
のではなく、Ｆを有する反応ガスであれは同様にエツチ
ングできる。
また、エツチング装置の構造としてその他、第１図（ｂ
）〜（ｄ）でも確認しており、エツチングの方式には特
に依存しない。
）〜（ｄ）でも確認しており、エツチングの方式には特
に依存しない。
以上の様に、エツチングチャンバー内にＴ ｉ Ｎの部
材を有する事で、エツチングレートが約１−４割改善さ
れ、特に、ポリマー発生により工・ンチンクか途中で進
まなくなったり、形状が不安定であるといった事を回避
でき、安定した生産が可能となるという効果を有する。
材を有する事で、エツチングレートが約１−４割改善さ
れ、特に、ポリマー発生により工・ンチンクか途中で進
まなくなったり、形状が不安定であるといった事を回避
でき、安定した生産が可能となるという効果を有する。
第１図（ａ）〜（’ｄ）は、本発明のドライエツチング
装置の構造を示す断面図。 第２図（ａ）〜（ｃ）は、本発明の半導体装置の製造方
法を示す工程断面図。 第３図は、従来のドライエツチング装置の構造を示す断
面図。 第４図（ａ）〜（ｃ）は、従来の半導体装置の製造方法
を示す工程断面図。 ■ ・ ・ ２ ・ ３ ・ ４ ・ ５ ・ ６ ・ ７ ・ ８ ・ ９ ・ １０ ・ １１ ・ １２ ・ １３ ・ アノード カソード チャンバー ガス導入口 排気口 ＲＦユニッ１〜 ウェハー Ｔ ｉ Ｎ部材 Ｔ ｉ Ｎスパッタ膜 マグネット マグネトロン レジスト 単結晶シリコン ・ポリマー ・石英 以 」−
装置の構造を示す断面図。 第２図（ａ）〜（ｃ）は、本発明の半導体装置の製造方
法を示す工程断面図。 第３図は、従来のドライエツチング装置の構造を示す断
面図。 第４図（ａ）〜（ｃ）は、従来の半導体装置の製造方法
を示す工程断面図。 ■ ・ ・ ２ ・ ３ ・ ４ ・ ５ ・ ６ ・ ７ ・ ８ ・ ９ ・ １０ ・ １１ ・ １２ ・ １３ ・ アノード カソード チャンバー ガス導入口 排気口 ＲＦユニッ１〜 ウェハー Ｔ ｉ Ｎ部材 Ｔ ｉ Ｎスパッタ膜 マグネット マグネトロン レジスト 単結晶シリコン ・ポリマー ・石英 以 」−
Claims (2)
- （１）チャンバー内に反応ガスを導入し、高周波印加に
よりプラズマ化するドライエッチング装置において、チ
ャンバー内にＴｉＮの部品を有する事を特徴とするドラ
イエッチング装置。 - （２）請求項１記載のドライエッチング装置において、
エッチング被材を加工する事を特徴とする半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17412088A JPH0223616A (ja) | 1988-07-12 | 1988-07-12 | ドライエッチング装置および半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17412088A JPH0223616A (ja) | 1988-07-12 | 1988-07-12 | ドライエッチング装置および半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0223616A true JPH0223616A (ja) | 1990-01-25 |
Family
ID=15972993
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17412088A Pending JPH0223616A (ja) | 1988-07-12 | 1988-07-12 | ドライエッチング装置および半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0223616A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6076242A (en) * | 1996-12-13 | 2000-06-20 | Teijin Limited | High and-low piles-revealing cut pile fabric cut pile fabric, having rugged surface with snarled piles and process for producing same |
| CN104988582A (zh) * | 2015-07-09 | 2015-10-21 | 江苏德尔森传感器科技有限公司 | 可改善设备工作效率的传感器单晶硅刻蚀装置 |
-
1988
- 1988-07-12 JP JP17412088A patent/JPH0223616A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6076242A (en) * | 1996-12-13 | 2000-06-20 | Teijin Limited | High and-low piles-revealing cut pile fabric cut pile fabric, having rugged surface with snarled piles and process for producing same |
| CN104988582A (zh) * | 2015-07-09 | 2015-10-21 | 江苏德尔森传感器科技有限公司 | 可改善设备工作效率的传感器单晶硅刻蚀装置 |
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