JPH0223922B2 - - Google Patents
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- JPH0223922B2 JPH0223922B2 JP26669284A JP26669284A JPH0223922B2 JP H0223922 B2 JPH0223922 B2 JP H0223922B2 JP 26669284 A JP26669284 A JP 26669284A JP 26669284 A JP26669284 A JP 26669284A JP H0223922 B2 JPH0223922 B2 JP H0223922B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/147—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive with cores being composed of metal sheets, i.e. laminated cores with cores composed of isolated magnetic layers, e.g. sheets
- G11B5/1475—Assembling or shaping of elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は高密度磁気記録達成のための高抗磁力
テープ対応のセンダスト磁気ヘツドの狭ギヤツプ
形成方法に関するものである。 従来の技術 近年、磁気記録密度面上のためメタルテープ等
の高抗磁力テープが用いられようとしているが、
これに対応する磁気ヘツドとしては磁心ギヤツプ
近傍の磁気飽和の生じにくい高飽和磁束密度磁心
材料が必要とされている。 現在このような高性能磁気ヘツドのコア材とし
てFe−Al−Si系合金を用いた高精度な狭ギヤツ
プを有する磁気ヘツドが最も適したものの一つと
されており、その普及が磁気記録の分野で切望さ
れている。 しかしながら、コア材として用いるFe−Al−
Si系合金の性質上、高精度でかつ機械的強度の高
い狭ギヤツプを形成することが極めて困難であ
り、これが上述の磁気ヘツドの普及を阻んでい
た。フエライトの場合はガラスと極めて強く接合
するが、Fe−Al−Si系合金はガラスとの濡れ性
が悪く、ほとんどこのような方法での接合は困難
であることからギヤツプ部分の機械的強度を向上
させるため巻線溝の内側面を接合するなどの方法
が行なわれている。（例えば特公開56−130811号
公報、特公開57−60525号公報）また、２枚のコ
アを接合後磁気ヘツドの形状にするため、接合し
た棒状のロツドの切断及び機械的な研摩といつた
行程を経なければならないため、２枚のコアの接
合強度を保つているバツクギヤツプ面の接合強度
が極めて高いことが必要である。このことから通
常はセンダストのバツクギヤツプ形成面に溝を形
成し、この中に銀ろう棒を入れて溶着している。
（例えば特公開58−17530号公報） 発明が解決しようとする問題点 フロントギヤツプ面に石英（SiO2）が形成さ
れており、これを突合わせてギヤツプが形成され
ている場合（接合していない場合）は、テープ走
行によつて脱落した磁性粉や埃等がギヤツプ間に
入り込みギヤツプの精度が低下する原因となつて
いた。 またバツクギヤツプ面に用いられている銀ろう
材は、一般にFe−Al−Si系合金との結合力を増
すために低融点のAg−Cu−Cd−Zn系のろう棒
あるいは箔が用いられているが、このろう材はそ
の熱膨張係数が大きく（17〜18×10-6／℃）しか
もギヤツプ形成時にFe−Al−Si系合金との相互
拡散が大きいため銀ろう材が融解後固化する時に
Fe−Al−Si系合金部分にひび割れが生じ、その
影響を受けて、ギヤツプ幅の制御や平行性を得る
ことが困難であつた。さらにろう箔を用いた場合
はその厚さが２〜3μｍとギヤツプ長（0.3〜0.5μ
ｍ）に比べて非常に大きいため、熱処理による溶
着工程において２枚のコアを強く治具で押えて、
余分のろう材を押し出す必要がある。しかしこの
操作によつて２枚のコアがろう材の溶融した時に
ずれることからフロントギヤツプのトラツク幅の
精度が低下する原因になつていた。 問題点を解決するための手段 本発明は前記問題点を解決するために、合わせ
れば磁気ヘツドの形状となる一対のFe−Al−Si
系合金チツプのテープ走行面となるフロントギヤ
ツプ形成面に均一な厚さでセンダスト成分を５〜
50重量％含むセラミツク薄膜を、さらにその上に
上記薄膜中のセラミツク成分を５〜50重量％含む
鉛含有ガラス薄膜をそれぞれスパッタ法で形成
し、次に左右の合金磁心のバツクギヤツプ形成面
にAg−Cu−In系合金薄膜をスパツタ法で形成
後、合金磁心の同一種のギヤツプ面同志を合わせ
た状態で、鉛含有ガラスの軟化温度及びAg−Cu
−In系合金の液相が出現する温度以上の非酸化性
雰囲気において熱処理し、左右の合金磁心ブロツ
クを拡散接合することによつて、高精度でかつ機
械的強度の高い磁気ヘツドの製造方法を提供す
る。 作 用 本発明は、上記した構成により、２枚のFe−
Al−Si系合金磁心ブロツクを拡散接合すること
によつて得られた。すなわち、フロントギヤツプ
形成面にセンダスト成分を含むセラミツク層を形
成することにより、Fe−Al−Si系合金とセラミ
ツク薄膜との熱膨張係数が似かよつてくるため熱
処理などの工程によるこの界面での剥離といつた
ことが無くなりこの間の接合強度が高くなる。ま
た、センダスト成分を含むセラミツク薄膜と、そ
の上に上記薄膜中のセラミツク成分を含む鉛含有
ガラス薄膜を形成した場合は、この界面において
化学反応がより促進され化合物が形成され、これ
によつて強く接合することから、機械的に高い強
度をもつギヤツプを得ることが出来る。これらの
反応はセラミツクと鉛含有ガラス薄膜の界面で起
きることから、ギヤツプ幅はこれらの薄膜の厚さ
で規定できることになる。 次にバツクギヤツプ面のAg−Cu−In系合金の
膜厚は、フロントギヤツプを形成するセラミツク
と鉛含有ガラスを合わせた厚さに制御出来ること
から、熱処理時において、箔を用いた場合のよう
に融解銀ろうの流出がないので２枚の合金磁心が
ズレることが無くなつた。またAg−Cu−In系合
金は、Fe−Al−Si系合金との接合部分において
相互拡散が生じるため強固でかつ、ひび割れを生
じることのないバツクギヤツプの接合が可能とな
つた。 実施例 以下実施例を示す。 （実施例 １） 以下に示すような方法で、第１図に示したよう
なギヤツプを持つFe−Al−Si系合金ヘツドピー
スを作製し、検討した。 まず第２図ａのような巾３mm、高さ２mm、長さ
20mmの棒状のFe−Al−Si合金上にダイヤモンド
砥石によつて巾0.35mmの巻線用のミゾ入れを行な
つた一対の船型ヘツドピースのチツプ１，２を用
意し、フロントギヤツプ面７およびバツクギヤツ
プ面８を鏡面研摩（最大表面荒さRmax×0.01μ
ｍ）した。 次に第２図ｂのようにフロントギヤツプ部分の
両方に、スパツタ法を用いてセンダスト成分を５
重量％含む酸化ジルコニウム（ZrO2）の薄膜３
を形成し、さらにその上に同じくスパツタ法で
ZrO2を５重量％含む鉛含有ガラス薄膜４を形成
した。（この場合バツクギヤツプ部には、ZrO2及
び鉛含有ガラスが入らないようにマスクをほどこ
した。）ここで上述のセンダスト成分を含むZrO2
薄膜は、厚さが均一に0.10μｍであつた。一方上
述のZrO2を含む鉛含有ガラス薄膜は、厚さが均
一に0.05μｍで、ZrO2を除く鉛含有ガラスの組成
はSiO2が40重量％、PbOが55重量％およびNa2O
が５重量％からなるガラス薄膜である。次に同じ
くスパツタ法にてバツクギヤツプ部のはり合わせ
部分の両方にAg−Cu−In系合金薄膜５を形成し
た。（この場合フロントギヤツプ部にはAg−Cu
−In系合金が入らないようにマスクをしておく）
ここで上述のAg−Cu−In薄膜は、厚さが均一に
0.15μｍで、その組成がAg55重量％、Cu30重量
％、In15重量％なるものである。これらのスパツ
タ法により得られたフロントギヤツプ側（ZrO2
−鉛含有ガラス層）及びバツクギヤツプ側（Ag
−Cu−In層）をそれぞれ互いにつき合わせ一対
のセンダストチツプとした状態で真空雰囲気（１
×10-4Torr）中で900℃の温度で１時間処理を行
なつて、一対のFe−Al−Si系合金チツプのギヤ
ツプ部のはり合わせ部分の薄膜同志を拡散接合処
理した。 このようにして得られた第３図に示す棒状のロ
ツドを、切断と機械的研摩により150μｍの薄片
状に切断してFe−Al−Si系合金ヘツドピースを
得た。 得られたFe−Al−Si系合金ヘツドピースのフ
ロントギヤツプ部およびバツクギヤツプ部を研摩
し、ギヤツプの巾を光学顕微鏡を用いて測定し
た。その結果フロントギヤツプの巾もバツクギヤ
ツプの巾も共に0.30μｍであり、ギヤツプ面が平
行であることが観測された。 しかもフロントギヤツプおよびバツクギヤツプ
ともに接合面のひび割れやカケ等が発生していな
かつた。 さらに、形成されたギヤツプの機械的強度を検
討するために、ギヤツプ面の両側のFe−Al−Si
系合金材を10Kg・mm-2の応力で引張り試験した
が、ギヤツプ接合面ではがれず、機械的強度にも
すぐれていることがわかつた。次にフロントヘツ
ドのトラツク巾を25μｍに機械加工し巻線みぞに
コイルを25ターン巻いて磁気ヘツドを作成した。
これに磁気テープ（保持力Hc；1400エールステ
ツド飽和磁束密度Br；3000ガウス）を相対速度
3.45ｍ／secで走行させた時の5MHzにおけるヘツ
ドの再生出力電圧は240μV（ピークツーピーク）
であつた。またこの条件で500時間走行後の再生
出力電圧は、245μV（Ｐ−Ｐ）であり出力電圧の
低下は認められなかつた。この結果を表１の試料
番号２に示す。 以下同様の方法でフロントギヤツプ部分のセラ
ミツク薄膜及びガラス薄膜の組成を変えた試料の
試験結果を表１の試料番号１，３〜15に示す。 なお本実施例において、磁気特性に影響をおよ
ぼすFe−Al−Si系合金チツプの組成については、
熱処理の前後で何ら変化していないことが、Ｘ線
マイクロアナライザを用いた分析によつて確認で
きた。その結果Fe−Al−Si系合金の飽和磁束密
度Bsは8650ガウス、保磁力Hcは0.03エールステ
ツド、交流初透磁率μは61（ただし200μｍ厚の場
合）であり、熱処理による磁気特性の変化も認め
られなかつた。またセラミツク膜の組成である
Zr，Mg，Alのイオンは0.01μｍ以上深くFe−Al
−Si系合金内部に拡散していないことも確認でき
た。
テープ対応のセンダスト磁気ヘツドの狭ギヤツプ
形成方法に関するものである。 従来の技術 近年、磁気記録密度面上のためメタルテープ等
の高抗磁力テープが用いられようとしているが、
これに対応する磁気ヘツドとしては磁心ギヤツプ
近傍の磁気飽和の生じにくい高飽和磁束密度磁心
材料が必要とされている。 現在このような高性能磁気ヘツドのコア材とし
てFe−Al−Si系合金を用いた高精度な狭ギヤツ
プを有する磁気ヘツドが最も適したものの一つと
されており、その普及が磁気記録の分野で切望さ
れている。 しかしながら、コア材として用いるFe−Al−
Si系合金の性質上、高精度でかつ機械的強度の高
い狭ギヤツプを形成することが極めて困難であ
り、これが上述の磁気ヘツドの普及を阻んでい
た。フエライトの場合はガラスと極めて強く接合
するが、Fe−Al−Si系合金はガラスとの濡れ性
が悪く、ほとんどこのような方法での接合は困難
であることからギヤツプ部分の機械的強度を向上
させるため巻線溝の内側面を接合するなどの方法
が行なわれている。（例えば特公開56−130811号
公報、特公開57−60525号公報）また、２枚のコ
アを接合後磁気ヘツドの形状にするため、接合し
た棒状のロツドの切断及び機械的な研摩といつた
行程を経なければならないため、２枚のコアの接
合強度を保つているバツクギヤツプ面の接合強度
が極めて高いことが必要である。このことから通
常はセンダストのバツクギヤツプ形成面に溝を形
成し、この中に銀ろう棒を入れて溶着している。
（例えば特公開58−17530号公報） 発明が解決しようとする問題点 フロントギヤツプ面に石英（SiO2）が形成さ
れており、これを突合わせてギヤツプが形成され
ている場合（接合していない場合）は、テープ走
行によつて脱落した磁性粉や埃等がギヤツプ間に
入り込みギヤツプの精度が低下する原因となつて
いた。 またバツクギヤツプ面に用いられている銀ろう
材は、一般にFe−Al−Si系合金との結合力を増
すために低融点のAg−Cu−Cd−Zn系のろう棒
あるいは箔が用いられているが、このろう材はそ
の熱膨張係数が大きく（17〜18×10-6／℃）しか
もギヤツプ形成時にFe−Al−Si系合金との相互
拡散が大きいため銀ろう材が融解後固化する時に
Fe−Al−Si系合金部分にひび割れが生じ、その
影響を受けて、ギヤツプ幅の制御や平行性を得る
ことが困難であつた。さらにろう箔を用いた場合
はその厚さが２〜3μｍとギヤツプ長（0.3〜0.5μ
ｍ）に比べて非常に大きいため、熱処理による溶
着工程において２枚のコアを強く治具で押えて、
余分のろう材を押し出す必要がある。しかしこの
操作によつて２枚のコアがろう材の溶融した時に
ずれることからフロントギヤツプのトラツク幅の
精度が低下する原因になつていた。 問題点を解決するための手段 本発明は前記問題点を解決するために、合わせ
れば磁気ヘツドの形状となる一対のFe−Al−Si
系合金チツプのテープ走行面となるフロントギヤ
ツプ形成面に均一な厚さでセンダスト成分を５〜
50重量％含むセラミツク薄膜を、さらにその上に
上記薄膜中のセラミツク成分を５〜50重量％含む
鉛含有ガラス薄膜をそれぞれスパッタ法で形成
し、次に左右の合金磁心のバツクギヤツプ形成面
にAg−Cu−In系合金薄膜をスパツタ法で形成
後、合金磁心の同一種のギヤツプ面同志を合わせ
た状態で、鉛含有ガラスの軟化温度及びAg−Cu
−In系合金の液相が出現する温度以上の非酸化性
雰囲気において熱処理し、左右の合金磁心ブロツ
クを拡散接合することによつて、高精度でかつ機
械的強度の高い磁気ヘツドの製造方法を提供す
る。 作 用 本発明は、上記した構成により、２枚のFe−
Al−Si系合金磁心ブロツクを拡散接合すること
によつて得られた。すなわち、フロントギヤツプ
形成面にセンダスト成分を含むセラミツク層を形
成することにより、Fe−Al−Si系合金とセラミ
ツク薄膜との熱膨張係数が似かよつてくるため熱
処理などの工程によるこの界面での剥離といつた
ことが無くなりこの間の接合強度が高くなる。ま
た、センダスト成分を含むセラミツク薄膜と、そ
の上に上記薄膜中のセラミツク成分を含む鉛含有
ガラス薄膜を形成した場合は、この界面において
化学反応がより促進され化合物が形成され、これ
によつて強く接合することから、機械的に高い強
度をもつギヤツプを得ることが出来る。これらの
反応はセラミツクと鉛含有ガラス薄膜の界面で起
きることから、ギヤツプ幅はこれらの薄膜の厚さ
で規定できることになる。 次にバツクギヤツプ面のAg−Cu−In系合金の
膜厚は、フロントギヤツプを形成するセラミツク
と鉛含有ガラスを合わせた厚さに制御出来ること
から、熱処理時において、箔を用いた場合のよう
に融解銀ろうの流出がないので２枚の合金磁心が
ズレることが無くなつた。またAg−Cu−In系合
金は、Fe−Al−Si系合金との接合部分において
相互拡散が生じるため強固でかつ、ひび割れを生
じることのないバツクギヤツプの接合が可能とな
つた。 実施例 以下実施例を示す。 （実施例 １） 以下に示すような方法で、第１図に示したよう
なギヤツプを持つFe−Al−Si系合金ヘツドピー
スを作製し、検討した。 まず第２図ａのような巾３mm、高さ２mm、長さ
20mmの棒状のFe−Al−Si合金上にダイヤモンド
砥石によつて巾0.35mmの巻線用のミゾ入れを行な
つた一対の船型ヘツドピースのチツプ１，２を用
意し、フロントギヤツプ面７およびバツクギヤツ
プ面８を鏡面研摩（最大表面荒さRmax×0.01μ
ｍ）した。 次に第２図ｂのようにフロントギヤツプ部分の
両方に、スパツタ法を用いてセンダスト成分を５
重量％含む酸化ジルコニウム（ZrO2）の薄膜３
を形成し、さらにその上に同じくスパツタ法で
ZrO2を５重量％含む鉛含有ガラス薄膜４を形成
した。（この場合バツクギヤツプ部には、ZrO2及
び鉛含有ガラスが入らないようにマスクをほどこ
した。）ここで上述のセンダスト成分を含むZrO2
薄膜は、厚さが均一に0.10μｍであつた。一方上
述のZrO2を含む鉛含有ガラス薄膜は、厚さが均
一に0.05μｍで、ZrO2を除く鉛含有ガラスの組成
はSiO2が40重量％、PbOが55重量％およびNa2O
が５重量％からなるガラス薄膜である。次に同じ
くスパツタ法にてバツクギヤツプ部のはり合わせ
部分の両方にAg−Cu−In系合金薄膜５を形成し
た。（この場合フロントギヤツプ部にはAg−Cu
−In系合金が入らないようにマスクをしておく）
ここで上述のAg−Cu−In薄膜は、厚さが均一に
0.15μｍで、その組成がAg55重量％、Cu30重量
％、In15重量％なるものである。これらのスパツ
タ法により得られたフロントギヤツプ側（ZrO2
−鉛含有ガラス層）及びバツクギヤツプ側（Ag
−Cu−In層）をそれぞれ互いにつき合わせ一対
のセンダストチツプとした状態で真空雰囲気（１
×10-4Torr）中で900℃の温度で１時間処理を行
なつて、一対のFe−Al−Si系合金チツプのギヤ
ツプ部のはり合わせ部分の薄膜同志を拡散接合処
理した。 このようにして得られた第３図に示す棒状のロ
ツドを、切断と機械的研摩により150μｍの薄片
状に切断してFe−Al−Si系合金ヘツドピースを
得た。 得られたFe−Al−Si系合金ヘツドピースのフ
ロントギヤツプ部およびバツクギヤツプ部を研摩
し、ギヤツプの巾を光学顕微鏡を用いて測定し
た。その結果フロントギヤツプの巾もバツクギヤ
ツプの巾も共に0.30μｍであり、ギヤツプ面が平
行であることが観測された。 しかもフロントギヤツプおよびバツクギヤツプ
ともに接合面のひび割れやカケ等が発生していな
かつた。 さらに、形成されたギヤツプの機械的強度を検
討するために、ギヤツプ面の両側のFe−Al−Si
系合金材を10Kg・mm-2の応力で引張り試験した
が、ギヤツプ接合面ではがれず、機械的強度にも
すぐれていることがわかつた。次にフロントヘツ
ドのトラツク巾を25μｍに機械加工し巻線みぞに
コイルを25ターン巻いて磁気ヘツドを作成した。
これに磁気テープ（保持力Hc；1400エールステ
ツド飽和磁束密度Br；3000ガウス）を相対速度
3.45ｍ／secで走行させた時の5MHzにおけるヘツ
ドの再生出力電圧は240μV（ピークツーピーク）
であつた。またこの条件で500時間走行後の再生
出力電圧は、245μV（Ｐ−Ｐ）であり出力電圧の
低下は認められなかつた。この結果を表１の試料
番号２に示す。 以下同様の方法でフロントギヤツプ部分のセラ
ミツク薄膜及びガラス薄膜の組成を変えた試料の
試験結果を表１の試料番号１，３〜15に示す。 なお本実施例において、磁気特性に影響をおよ
ぼすFe−Al−Si系合金チツプの組成については、
熱処理の前後で何ら変化していないことが、Ｘ線
マイクロアナライザを用いた分析によつて確認で
きた。その結果Fe−Al−Si系合金の飽和磁束密
度Bsは8650ガウス、保磁力Hcは0.03エールステ
ツド、交流初透磁率μは61（ただし200μｍ厚の場
合）であり、熱処理による磁気特性の変化も認め
られなかつた。またセラミツク膜の組成である
Zr，Mg，Alのイオンは0.01μｍ以上深くFe−Al
−Si系合金内部に拡散していないことも確認でき
た。
【表】
＊ 比較例
【表】
＊ 比較例
【表】
＊ 比較例
また比較のために、従来の形成法によるギヤツ
プをもつヘツドピースを作製した。すなわちフロ
ントギヤツプ部に石英膜を形成し、バツクギヤツ
プ及び巻線溝部にAg−Cu−Zn−Cd系銀ロー棒
を用いてヘツドピースを溶着し、第４図に示すよ
うなFe−Al−Si系合金ヘツドを作製した。この
ヘツドピースのギヤツプ部分についても実施例と
同様の検査を行なつた。その結果、10Kg・mm-2の
外力による引張り試験でははがれなかつたが、ギ
ヤツプ面の平行性は著しく劣つていた。フロント
ギヤツプの幅は0.50μｍであり、バツクギヤツプ
の幅は0.35μｍであつた。次に実施例と同様にヘ
ツド前部を機械加工した時および磁気テープを走
行させた時に、ギヤツプ部分に欠けが生じた。ま
たこのヘツドの巻線みぞにコイルを25ターン巻い
た時の5MHzでのヘツドの再生出力電圧は
60μVp-pであつた。 発明の効果 以上の説明および表１から明らかなように、本
発明はFe−Al−Si系合金磁気ヘツドにおいて、
合わせれば磁気ヘツドの形状となる一対のFe−
Al−Si系合金チツプのフロントギヤツプ形成面
（磁気テープ走行面）に高精度の厚みでセンダス
ト成分を含むセラミツク薄膜を形成し、さらにそ
の上に均一な厚さで上記薄膜中のセラミツク成分
を含む鉛含有ガラス薄膜を形成し、バツクギヤツ
プ面にAg−Cu−In系薄膜を形成した後、用いた
鉛含有ガラスの軟化点以上でしかも銀ろうが溶融
する温度以上の真空雰囲気の条件で処理して接合
した場合のフロントギヤツプは機械的に高い強度
を有するギヤツプを得ることが出来る。ここで、
セラミツク薄膜中のセンダスト量及び鉛含有ガラ
ス薄膜中のセラミツク量はそれぞれ５〜50wt％
の時、長時間のテープ走行に対しても十分な再生
出力電圧が得られた。またバツクギヤツプのAg
−Cu−In薄膜とFe−Al−Si系合金も強固に接合
することから高精度な狭ギヤツプの形成が容易に
なり、その結果高密度磁気記録に適したFe−Al
−Si系合金磁気ヘツドを実現することが可能とな
つた。 また実施例において、Fe−Al−Si系合金溶着
の熱処理雰囲気を真空中で行つたが、別にこれに
限るわけではなく、非酸化性雰囲気（たとえば
ArあるいはN2雰囲気等）であれば全て有効であ
ることが確認されている。
また比較のために、従来の形成法によるギヤツ
プをもつヘツドピースを作製した。すなわちフロ
ントギヤツプ部に石英膜を形成し、バツクギヤツ
プ及び巻線溝部にAg−Cu−Zn−Cd系銀ロー棒
を用いてヘツドピースを溶着し、第４図に示すよ
うなFe−Al−Si系合金ヘツドを作製した。この
ヘツドピースのギヤツプ部分についても実施例と
同様の検査を行なつた。その結果、10Kg・mm-2の
外力による引張り試験でははがれなかつたが、ギ
ヤツプ面の平行性は著しく劣つていた。フロント
ギヤツプの幅は0.50μｍであり、バツクギヤツプ
の幅は0.35μｍであつた。次に実施例と同様にヘ
ツド前部を機械加工した時および磁気テープを走
行させた時に、ギヤツプ部分に欠けが生じた。ま
たこのヘツドの巻線みぞにコイルを25ターン巻い
た時の5MHzでのヘツドの再生出力電圧は
60μVp-pであつた。 発明の効果 以上の説明および表１から明らかなように、本
発明はFe−Al−Si系合金磁気ヘツドにおいて、
合わせれば磁気ヘツドの形状となる一対のFe−
Al−Si系合金チツプのフロントギヤツプ形成面
（磁気テープ走行面）に高精度の厚みでセンダス
ト成分を含むセラミツク薄膜を形成し、さらにそ
の上に均一な厚さで上記薄膜中のセラミツク成分
を含む鉛含有ガラス薄膜を形成し、バツクギヤツ
プ面にAg−Cu−In系薄膜を形成した後、用いた
鉛含有ガラスの軟化点以上でしかも銀ろうが溶融
する温度以上の真空雰囲気の条件で処理して接合
した場合のフロントギヤツプは機械的に高い強度
を有するギヤツプを得ることが出来る。ここで、
セラミツク薄膜中のセンダスト量及び鉛含有ガラ
ス薄膜中のセラミツク量はそれぞれ５〜50wt％
の時、長時間のテープ走行に対しても十分な再生
出力電圧が得られた。またバツクギヤツプのAg
−Cu−In薄膜とFe−Al−Si系合金も強固に接合
することから高精度な狭ギヤツプの形成が容易に
なり、その結果高密度磁気記録に適したFe−Al
−Si系合金磁気ヘツドを実現することが可能とな
つた。 また実施例において、Fe−Al−Si系合金溶着
の熱処理雰囲気を真空中で行つたが、別にこれに
限るわけではなく、非酸化性雰囲気（たとえば
ArあるいはN2雰囲気等）であれば全て有効であ
ることが確認されている。
第１図は本発明の一実施例におけるFe−Al−
Si系合金磁気ヘツドの断面図、第２図ａ，ｂは
Fe−Al−Si系合金磁気ヘツドのギヤツプ形成に
用いた一対のFe−Al−Si系合金チツプを示す図、
第３図はこれらのFe−Al−Si系合金チツプを用
いて作製したヘツドピースを示す図、第４図は従
来の磁気ヘツドの断面図である。 １，２……Fe−Al−Si系合金チツプ、３……
センダスト組成物を含むセラミツク層、４……セ
ラミツク組成物を含む鉛含有ガラス層、５……
Ag−Cu−In層、６……巻線溝、７……フロント
ギヤツプ部、８……バツクギヤツプ部、９……セ
ラミツクと鉛含有ガラスで接合された非磁性薄膜
部、１０……Ag−Cu−In系合金薄膜を用いた溶
着部、１１……SiO2層、１２……Agろう溶着部。
Si系合金磁気ヘツドの断面図、第２図ａ，ｂは
Fe−Al−Si系合金磁気ヘツドのギヤツプ形成に
用いた一対のFe−Al−Si系合金チツプを示す図、
第３図はこれらのFe−Al−Si系合金チツプを用
いて作製したヘツドピースを示す図、第４図は従
来の磁気ヘツドの断面図である。 １，２……Fe−Al−Si系合金チツプ、３……
センダスト組成物を含むセラミツク層、４……セ
ラミツク組成物を含む鉛含有ガラス層、５……
Ag−Cu−In層、６……巻線溝、７……フロント
ギヤツプ部、８……バツクギヤツプ部、９……セ
ラミツクと鉛含有ガラスで接合された非磁性薄膜
部、１０……Ag−Cu−In系合金薄膜を用いた溶
着部、１１……SiO2層、１２……Agろう溶着部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ Fe−Al−Si系合金磁心材料（センダスト）
よりなる左右突合せ型磁気ヘツドにおいて左右の
合金磁心のフロントギヤツプ形成面に非磁性層と
して、センダスト成分を５〜50重量％含むセラミ
ツク薄膜を、さらにその上に上記薄膜中のセラミ
ツク成分を５〜50重量％含む鉛含有ガラス薄膜を
形成し、次に左右の合金磁心のバツクギヤツプ形
成面にAg−Cu−In系合金薄膜を形成後、合金磁
心の同一種のギヤツプ面同志を合わせた状態で、
鉛含有ガラスの軟化温度及びAg−Cu−In系合金
の液相が出現する温度以上の非酸化性雰囲気にお
いて熱処理し、左右の合金磁心ブロツクを拡散接
合することによつて磁気的なギヤツプを形成する
ことを特徴とする合金磁気ヘツドの製造方法。 ２ 非磁性セラミツクが酸化ジルコニウム
（ZrO2）、酸化マグネシウム（MgO）、スピネル
（MgO・Al2O3）のうちいずれか一種から成るこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の合金
磁気ヘツドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59266692A JPS61144710A (ja) | 1984-12-18 | 1984-12-18 | 合金磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59266692A JPS61144710A (ja) | 1984-12-18 | 1984-12-18 | 合金磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61144710A JPS61144710A (ja) | 1986-07-02 |
| JPH0223922B2 true JPH0223922B2 (ja) | 1990-05-25 |
Family
ID=17434360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59266692A Granted JPS61144710A (ja) | 1984-12-18 | 1984-12-18 | 合金磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61144710A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0483526U (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-21 |
-
1984
- 1984-12-18 JP JP59266692A patent/JPS61144710A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0483526U (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-21 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61144710A (ja) | 1986-07-02 |
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