JPH0425608B2 - - Google Patents
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- JPH0425608B2 JPH0425608B2 JP59041558A JP4155884A JPH0425608B2 JP H0425608 B2 JPH0425608 B2 JP H0425608B2 JP 59041558 A JP59041558 A JP 59041558A JP 4155884 A JP4155884 A JP 4155884A JP H0425608 B2 JPH0425608 B2 JP H0425608B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gap
- thin film
- forming
- sendust
- glass
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/147—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive with cores being composed of metal sheets, i.e. laminated cores with cores composed of isolated magnetic layers, e.g. sheets
- G11B5/1475—Assembling or shaping of elements
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/21—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features the pole pieces being of ferrous sheet metal or other magnetic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はセンダスト磁気記録ヘツドのギヤツプ
形成法に関するものである。
形成法に関するものである。
従来例の構成とその問題点
近年、磁気記録は高密度化の方向へ進みつつあ
る。この高密度記録化には、磁気テープや磁気デ
イスク等のメデイアに用いる材料の開発、発展に
負うところが大きいが、これらのメデイアの特性
を十分に生かしきるには磁気ヘツドの高性能化が
必要であり、高性能な磁気ヘツドの出現が望まれ
ている。そして、現在、このような高性能ヘツド
として、コア材としてセンダストを用いた高精度
なナローギヤツプを有する磁気ヘツドが、最も適
したものの１つとされており、その出現が磁気記
録の分野で切望されている。
る。この高密度記録化には、磁気テープや磁気デ
イスク等のメデイアに用いる材料の開発、発展に
負うところが大きいが、これらのメデイアの特性
を十分に生かしきるには磁気ヘツドの高性能化が
必要であり、高性能な磁気ヘツドの出現が望まれ
ている。そして、現在、このような高性能ヘツド
として、コア材としてセンダストを用いた高精度
なナローギヤツプを有する磁気ヘツドが、最も適
したものの１つとされており、その出現が磁気記
録の分野で切望されている。
しかしながら、コア材として用いるセンダスト
の性質上、センダスト磁気ヘツドにおいて高精度
なナローギヤツプを形成することが極めて困難で
あり、これが上述の磁気ヘツドの出現を阻んでい
た。例えば、従来のセンダスト磁気ヘツドのギヤ
ツプ形成法の一例を示すと、第１図のように片方
のセンダストコア１のギヤツプ形成面に硬質石英
膜３を特殊蒸着法で強固に形成し、次に低融点の
特殊金属４を用いてもう一方のセンダストコア２
とはり合わせるという方法で形成されていた。し
かし、上述の法ではセンダストと特殊金属の熱収
率の相違や、硬質石英膜３がセンダストに対して
濡れ性が乏しいためにフロントギヤツプ部分は、
エアーギヤツプになつておりギヤツプ長がデプス
方向で異なつてしまい、ギヤツプ長の制御や平行
性を得ることが困難で、高精度なナローギヤツプ
を作製し難い欠点があつた。
の性質上、センダスト磁気ヘツドにおいて高精度
なナローギヤツプを形成することが極めて困難で
あり、これが上述の磁気ヘツドの出現を阻んでい
た。例えば、従来のセンダスト磁気ヘツドのギヤ
ツプ形成法の一例を示すと、第１図のように片方
のセンダストコア１のギヤツプ形成面に硬質石英
膜３を特殊蒸着法で強固に形成し、次に低融点の
特殊金属４を用いてもう一方のセンダストコア２
とはり合わせるという方法で形成されていた。し
かし、上述の法ではセンダストと特殊金属の熱収
率の相違や、硬質石英膜３がセンダストに対して
濡れ性が乏しいためにフロントギヤツプ部分は、
エアーギヤツプになつておりギヤツプ長がデプス
方向で異なつてしまい、ギヤツプ長の制御や平行
性を得ることが困難で、高精度なナローギヤツプ
を作製し難い欠点があつた。
発明の目的
本発明の目的は、ナローギヤツプを高精度で形
成し、かつ形成されたギヤツプが高い機械的強度
を持つことを可能とするセンダスト磁気ヘツドの
ギヤツプ形成法を提供するものである。
成し、かつ形成されたギヤツプが高い機械的強度
を持つことを可能とするセンダスト磁気ヘツドの
ギヤツプ形成法を提供するものである。
発明の構成
本発明のセンダスト磁気ヘツドのギヤツプ形成
法は、一対のセンダストヘツドコア半体のそれぞ
れのフロントギヤツプ形成面とバツクギヤツプ形
成面の一部分に、非強磁性セラミツク薄膜を、さ
らにその上にガラス薄膜を形成した二層構造の膜
を形成し、またそれぞれのバツクギヤツプ形成面
の残部には低融点の特殊合金の薄膜を形成した
後、これらの薄膜形成面同士を合わせた状態でガ
ラス及び特殊金属の軟化点以上の温度条件で熱間
静水圧プレス処理して、上記の合わせた薄膜同士
を接合することによつて磁気的なすきまをもつフ
ロントギヤツプ部を形成し、かつバツクギヤツプ
部を形成したものであり、これにより、高密度磁
気記録用ヘツドのギヤツプ部分の形成を容易なら
しめたものである。
法は、一対のセンダストヘツドコア半体のそれぞ
れのフロントギヤツプ形成面とバツクギヤツプ形
成面の一部分に、非強磁性セラミツク薄膜を、さ
らにその上にガラス薄膜を形成した二層構造の膜
を形成し、またそれぞれのバツクギヤツプ形成面
の残部には低融点の特殊合金の薄膜を形成した
後、これらの薄膜形成面同士を合わせた状態でガ
ラス及び特殊金属の軟化点以上の温度条件で熱間
静水圧プレス処理して、上記の合わせた薄膜同士
を接合することによつて磁気的なすきまをもつフ
ロントギヤツプ部を形成し、かつバツクギヤツプ
部を形成したものであり、これにより、高密度磁
気記録用ヘツドのギヤツプ部分の形成を容易なら
しめたものである。
実施例の説明
本発明のセンダスト磁気ヘツドのギヤツプ形成
法は、第２図ａ，ｂに示すように一対のセンダス
トヘツドコア半体のフロントギヤツプ形成面５
と、バツクギヤツプ形成面６の一部に高精度の厚
みでジルコニア薄膜７を形成し、さらにその上に
均一な厚さでSiO2が10重量％以上含まれるガラ
ス薄膜８を形成し、バツクギヤツプ形成面の残部
には、特殊合金薄膜９を形成し、これら薄膜面同
士を合わせた状態で保持したまま、ガラス及び特
殊合金の軟化点以上の温度条件で熱間静水圧プレ
ス処理（Hot Isostatic Pressing，HIP処理）し
て、上記の合わせた薄膜同士を接合することによ
つてナローギヤツプを形成するものである。HIP
処理は、高圧容器に内蔵された電気炉中で、ガス
圧と高温を同時に被処理体に加え、種々の材料の
加圧焼結を行う方法であり、高い静水等方圧力と
高温との相乗効果を利用するため異種材料の拡散
接合に優れた効果がある。ここで、HIP処理を行
なうことによつて、ガラス薄膜８／ジルコニア薄
膜７の二層構造膜において、軟化点（軟化温度）
を越えた温度ではガラス薄膜８は反応性に富むよ
うになり、反応しにくい代表的セラミツクである
ジルコニア薄膜７とも反応し、それらの界面の極
く表層部分が両者の反応層になつてしまう。この
反応層は、ZrO2とSiO2の固溶体と考えられ、ま
た、この化学反応に寄与しなかつた余分の大部分
のガラス薄膜部分はセンダストヘツドコアの接合
面から外部へ押し出されてしまう。つまり、二つ
のセンダストヘツドコア半体は、上記の極く薄い
反応層を介してそれぞれのジルコニア薄膜７を接
合することで接合されて、一つのヘツドコアが形
成されることになる。すなわち、ギヤツプ部分は
ジルコニア膜部分と新たに化学反応によつて生成
したジルコニアとガラスの両組成からなる極く薄
い反応層からなり、ギヤツプ長は、センダストチ
ツプのギヤツプ面に形成されたジルコニア膜の厚
さで規定できることになる。また接合面の接着強
度を増加させるために用た特殊合金は、HIP処理
によつてセンダストと強固に反応し、ギヤツプを
形成するのに必要な特殊合金の量より過剰の特殊
合金は接合面から外部へ押し出されてしまう。こ
こで、バツクギヤツプ形成面の一部にフロントギ
ヤツプ形成面と同様の化合物層を形成することに
よつて、たとえ特殊合金の膜厚がジルコニア膜厚
と異なつた場合においても両ギヤツプ間隔がジル
コニア厚みと同一になりかつ特殊合金より強固に
センダストと反応していることから、センダスト
と特殊合金の熱収縮率が異なつていても、ギヤツ
プ長への影響は無視でき、かつ、接着強度だけを
増加させ得ることができる。これにより、高密度
磁気記録用ヘツドとして要望されているセンダス
ト磁気ヘツドに、高精度に非常に狭いギヤツプ部
分の形成が容易となり、かつ形成されたギヤツプ
部分が高い機械的強度を持つことが可能となつ
た。
法は、第２図ａ，ｂに示すように一対のセンダス
トヘツドコア半体のフロントギヤツプ形成面５
と、バツクギヤツプ形成面６の一部に高精度の厚
みでジルコニア薄膜７を形成し、さらにその上に
均一な厚さでSiO2が10重量％以上含まれるガラ
ス薄膜８を形成し、バツクギヤツプ形成面の残部
には、特殊合金薄膜９を形成し、これら薄膜面同
士を合わせた状態で保持したまま、ガラス及び特
殊合金の軟化点以上の温度条件で熱間静水圧プレ
ス処理（Hot Isostatic Pressing，HIP処理）し
て、上記の合わせた薄膜同士を接合することによ
つてナローギヤツプを形成するものである。HIP
処理は、高圧容器に内蔵された電気炉中で、ガス
圧と高温を同時に被処理体に加え、種々の材料の
加圧焼結を行う方法であり、高い静水等方圧力と
高温との相乗効果を利用するため異種材料の拡散
接合に優れた効果がある。ここで、HIP処理を行
なうことによつて、ガラス薄膜８／ジルコニア薄
膜７の二層構造膜において、軟化点（軟化温度）
を越えた温度ではガラス薄膜８は反応性に富むよ
うになり、反応しにくい代表的セラミツクである
ジルコニア薄膜７とも反応し、それらの界面の極
く表層部分が両者の反応層になつてしまう。この
反応層は、ZrO2とSiO2の固溶体と考えられ、ま
た、この化学反応に寄与しなかつた余分の大部分
のガラス薄膜部分はセンダストヘツドコアの接合
面から外部へ押し出されてしまう。つまり、二つ
のセンダストヘツドコア半体は、上記の極く薄い
反応層を介してそれぞれのジルコニア薄膜７を接
合することで接合されて、一つのヘツドコアが形
成されることになる。すなわち、ギヤツプ部分は
ジルコニア膜部分と新たに化学反応によつて生成
したジルコニアとガラスの両組成からなる極く薄
い反応層からなり、ギヤツプ長は、センダストチ
ツプのギヤツプ面に形成されたジルコニア膜の厚
さで規定できることになる。また接合面の接着強
度を増加させるために用た特殊合金は、HIP処理
によつてセンダストと強固に反応し、ギヤツプを
形成するのに必要な特殊合金の量より過剰の特殊
合金は接合面から外部へ押し出されてしまう。こ
こで、バツクギヤツプ形成面の一部にフロントギ
ヤツプ形成面と同様の化合物層を形成することに
よつて、たとえ特殊合金の膜厚がジルコニア膜厚
と異なつた場合においても両ギヤツプ間隔がジル
コニア厚みと同一になりかつ特殊合金より強固に
センダストと反応していることから、センダスト
と特殊合金の熱収縮率が異なつていても、ギヤツ
プ長への影響は無視でき、かつ、接着強度だけを
増加させ得ることができる。これにより、高密度
磁気記録用ヘツドとして要望されているセンダス
ト磁気ヘツドに、高精度に非常に狭いギヤツプ部
分の形成が容易となり、かつ形成されたギヤツプ
部分が高い機械的強度を持つことが可能となつ
た。
以下、本発明のさらに具体的な実施例について
説明する。
説明する。
実施例 １
以下に示す方法で、第２図ａに示した形成のセ
ンダストヘツドコア半体を作製し、検討した。
ンダストヘツドコア半体を作製し、検討した。
まず、第２図ａのような幅1.5mm、高さ３mm、
長さ20mmの一対のヘツドコア半体をセンダスト合
金インゴツトから加工して作製した。これらの一
対のセンダストヘツドコア半の鏡面研磨加工を行
なつたフロントギヤツプ形成面と、バツクギヤツ
プ形成面の一部のはり合わせ部分の両方に、イオ
ンビームスパツタ装置を用いて、ジルコニア薄膜
を形成し、さらにその上にガラス薄膜を形成し
た。次に、バツクギヤツプ形成面の他の部分に特
殊合金薄膜を形成した。第２図ｂにこの状態を示
す。
長さ20mmの一対のヘツドコア半体をセンダスト合
金インゴツトから加工して作製した。これらの一
対のセンダストヘツドコア半の鏡面研磨加工を行
なつたフロントギヤツプ形成面と、バツクギヤツ
プ形成面の一部のはり合わせ部分の両方に、イオ
ンビームスパツタ装置を用いて、ジルコニア薄膜
を形成し、さらにその上にガラス薄膜を形成し
た。次に、バツクギヤツプ形成面の他の部分に特
殊合金薄膜を形成した。第２図ｂにこの状態を示
す。
ここでジルコニア薄膜は、厚さが均一に
0.15μmで、その組成はイツトリア（Y2O3）が５
モル％固溶したジルコニア（ZrO2）である。一
方、上述のガラス薄膜は、厚さが均一に0.05μm
で、その組成は主成分としてSiO2が25％、PbO
が60％、その他がNa2O，K2Oからなる鉛ガラス
でその軟化点が685℃であるものである。
0.15μmで、その組成はイツトリア（Y2O3）が５
モル％固溶したジルコニア（ZrO2）である。一
方、上述のガラス薄膜は、厚さが均一に0.05μm
で、その組成は主成分としてSiO2が25％、PbO
が60％、その他がNa2O，K2Oからなる鉛ガラス
でその軟化点が685℃であるものである。
また特殊合金膜は、厚さが均一に0.15μmで、
その組成はAgが72％、Cuが28％からなる合金で
その軟化点は780℃である。
その組成はAgが72％、Cuが28％からなる合金で
その軟化点は780℃である。
これらの薄膜ギヤツプ形成面のはり合わせ部分
に積層で形成したセンダストヘツドコア半体の一
対をはり合わせ部分が互いに接触するように突き
合わせた状態で熱間静水圧プレス処理（HIP処
理）を900℃かつ1500Kg・cm-2で１時間行ない、
接合処理した。
に積層で形成したセンダストヘツドコア半体の一
対をはり合わせ部分が互いに接触するように突き
合わせた状態で熱間静水圧プレス処理（HIP処
理）を900℃かつ1500Kg・cm-2で１時間行ない、
接合処理した。
このようにして得られた第３図ａに示すギヤツ
プ接合されたコア半体ブロツクを、厚さ500μmの
薄い片状に切断して薄板センダストヘツドチツプ
第３図ｂを得た。
プ接合されたコア半体ブロツクを、厚さ500μmの
薄い片状に切断して薄板センダストヘツドチツプ
第３図ｂを得た。
得られたセンダストヘツドチツプのギヤツプ長
を光学顕微鏡を用いて測定した。磁気ヘツド等の
磁気記録体と接触するフロントギヤツプのギヤツ
プ長もそれと反対側のバツクギヤツプのギヤツプ
長も共に正確に0.31μmでありギヤツプ端が平行
であることが観測された。さらに、形成されたギ
ヤツプ部の機械的強度を検討するために、ギヤツ
プを介した両側のセンダスト材を10g・mm-2の応
力で引張り試験したが、ギヤツプ接合面ではがれ
ず、機械的強度にもすぐれていることがわかつ
た。
を光学顕微鏡を用いて測定した。磁気ヘツド等の
磁気記録体と接触するフロントギヤツプのギヤツ
プ長もそれと反対側のバツクギヤツプのギヤツプ
長も共に正確に0.31μmでありギヤツプ端が平行
であることが観測された。さらに、形成されたギ
ヤツプ部の機械的強度を検討するために、ギヤツ
プを介した両側のセンダスト材を10g・mm-2の応
力で引張り試験したが、ギヤツプ接合面ではがれ
ず、機械的強度にもすぐれていることがわかつ
た。
比較のために、従来の形成法よるヘツドチツプ
を作製した。すなわちフロントギヤツプ部に硬質
石英膜を形成し、バツクギヤツプ部を銀ろう系特
殊合金を用いて溶着して、第１図に示すものと同
じセンダストヘツドチツプを作製した。このヘツ
ドチツプのギヤツプ部分ついても上記と同様の検
を行なつた。その結果、10Kg・mm-2の応力での引
張り試験ではがれなかつたが、ギヤツプ端の平行
性は著しく劣つていた。フロントギヤツプのギヤ
ツプ長は0.53μmであり、バツクギヤツプのギヤ
ツプ長は0.24μmであつた。
を作製した。すなわちフロントギヤツプ部に硬質
石英膜を形成し、バツクギヤツプ部を銀ろう系特
殊合金を用いて溶着して、第１図に示すものと同
じセンダストヘツドチツプを作製した。このヘツ
ドチツプのギヤツプ部分ついても上記と同様の検
を行なつた。その結果、10Kg・mm-2の応力での引
張り試験ではがれなかつたが、ギヤツプ端の平行
性は著しく劣つていた。フロントギヤツプのギヤ
ツプ長は0.53μmであり、バツクギヤツプのギヤ
ツプ長は0.24μmであつた。
なお、本実施例において、磁気特性に影響を及
ぼすセンダストの組成において、HIP処の前後で
何ら変化していないことが、Ｘ線マイクロアナラ
アザを用いた分析によつて確認できた。また、非
強磁性セラミツク膜の組成であるZrイオン、及
びＹイオンは0.01μm以上深くセンダスト内部に
拡散していないことも確認できた。
ぼすセンダストの組成において、HIP処の前後で
何ら変化していないことが、Ｘ線マイクロアナラ
アザを用いた分析によつて確認できた。また、非
強磁性セラミツク膜の組成であるZrイオン、及
びＹイオンは0.01μm以上深くセンダスト内部に
拡散していないことも確認できた。
実施例 ２
実施例１に用いたものと同様の形状で第２図ａ
に示す一対のセンダストヘツドコア半体の鏡面加
工処理したフロントギヤツプ形成面とバツクギヤ
ツプ形成面の一部に実施例１と同様の方法で膜厚
が0.15μmのジルコニア薄膜を形成した。さらに
その上に、主成分としてSiO2が67％、B2O3が10
％、Na2Oが10％、Al2O3が0.1％等を含むガラス
薄膜を厚み0.05μm形成した。なお、このガラス
の軟化点は720℃である。
に示す一対のセンダストヘツドコア半体の鏡面加
工処理したフロントギヤツプ形成面とバツクギヤ
ツプ形成面の一部に実施例１と同様の方法で膜厚
が0.15μmのジルコニア薄膜を形成した。さらに
その上に、主成分としてSiO2が67％、B2O3が10
％、Na2Oが10％、Al2O3が0.1％等を含むガラス
薄膜を厚み0.05μm形成した。なお、このガラス
の軟化点は720℃である。
また特殊合金膜は、厚さが均一に0.20μmで、
その組成はAgが60％、Cuが27％、Inが13％から
なる合金で、その軟化点は685℃である。
その組成はAgが60％、Cuが27％、Inが13％から
なる合金で、その軟化点は685℃である。
これらの薄膜をもつギヤツプ形成面のはり合わ
せ部分を互いに突き合わせた状態でHIP処理を
950℃かつ1000Kg・cm-2で20分間行なつて、一対
のヘツドコア半体ブロツクを接合処理した。
せ部分を互いに突き合わせた状態でHIP処理を
950℃かつ1000Kg・cm-2で20分間行なつて、一対
のヘツドコア半体ブロツクを接合処理した。
このようにして得られた第３図ａと同形状のギ
ヤツプ接合されたコア半体ブロツクを、厚さ
500μmの薄い片状に切してセンダストヘツドチツ
プ第３図ｂを得た。
ヤツプ接合されたコア半体ブロツクを、厚さ
500μmの薄い片状に切してセンダストヘツドチツ
プ第３図ｂを得た。
得られたセンダストヘツドチツプのギヤツプに
ついて、実施例１と同様の検査を行なつた。その
結果、フロントギヤツプのギヤツプ長も、バツク
ギヤツプのギヤツプ長も正確に0.31μmであり、
ギヤツプ端の平行性も確認できた。また、ギヤツ
プ部分は10Kg・mm-2の応力での引張り試験にも耐
え、機械的強度にもすぐれていることも確認でき
た。
ついて、実施例１と同様の検査を行なつた。その
結果、フロントギヤツプのギヤツプ長も、バツク
ギヤツプのギヤツプ長も正確に0.31μmであり、
ギヤツプ端の平行性も確認できた。また、ギヤツ
プ部分は10Kg・mm-2の応力での引張り試験にも耐
え、機械的強度にもすぐれていることも確認でき
た。
実施例 ３
実施例１に用いたものと同様の形状で第２図ａ
に示す一対のセンダストヘツドコア半体の鏡面加
工処理したフロントギヤツプ形成面とバツクギヤ
ツプ形成面の一部に実施例１と同様の方法で膜厚
が0.15μmのジルコニア薄膜を形成した。さらに
その上に、主成分としてSiO2が30％、B2O3が15
％、Al2O3が１％、BaOが50％、その他微量成分
を含むガラス薄膜を厚さ0.05μmに形成した。こ
のガラスの軟化点は740℃である。
に示す一対のセンダストヘツドコア半体の鏡面加
工処理したフロントギヤツプ形成面とバツクギヤ
ツプ形成面の一部に実施例１と同様の方法で膜厚
が0.15μmのジルコニア薄膜を形成した。さらに
その上に、主成分としてSiO2が30％、B2O3が15
％、Al2O3が１％、BaOが50％、その他微量成分
を含むガラス薄膜を厚さ0.05μmに形成した。こ
のガラスの軟化点は740℃である。
また特殊合金膜は、厚さが均一に0.10μmで、
その組成はAgが60％、Cuが27％、錫が13％から
なり、その軟化点は650℃である。
その組成はAgが60％、Cuが27％、錫が13％から
なり、その軟化点は650℃である。
これらの薄膜をもつセンダストヘツドコア半体
を実施例２と同様に互いに突き合わせてHIP処理
した。このときの処理条件として、900℃かつ
1000Kg・cm-2で30分間処理を選んだ。
を実施例２と同様に互いに突き合わせてHIP処理
した。このときの処理条件として、900℃かつ
1000Kg・cm-2で30分間処理を選んだ。
このようにして得られた第３図ａと同様のギヤ
ツプ接合されたコア半体ブロツクを、厚さ500μm
の薄片にスライスし、得られたセンダストヘツド
チツプ第３図ｂのギヤツプについて、実施例１と
同じ検査を行なつた。その結果、フロントギヤツ
プのギヤツプ長も、バツクギヤツプのギヤツプ長
も正確に0.31μmであり、ギヤツプ端の平行性も
確認できた。また、ギヤツプ部分は10Kg・mm-2の
応力での引張り試験にも耐え、機械的強度にもす
ぐれていることも確認できた。
ツプ接合されたコア半体ブロツクを、厚さ500μm
の薄片にスライスし、得られたセンダストヘツド
チツプ第３図ｂのギヤツプについて、実施例１と
同じ検査を行なつた。その結果、フロントギヤツ
プのギヤツプ長も、バツクギヤツプのギヤツプ長
も正確に0.31μmであり、ギヤツプ端の平行性も
確認できた。また、ギヤツプ部分は10Kg・mm-2の
応力での引張り試験にも耐え、機械的強度にもす
ぐれていることも確認できた。
実施例 ４
実施例１に用いたものと同様の形状で第２図ａ
に示す一対のセンダストヘツドコア半体の鏡面加
工処理したフロントギヤツプ形成面とバツクギヤ
ツプ形成面の一部に実施例１と同様の方法で膜厚
が0.15μmのジルコニア薄膜を形成した。さらに
その上に主成分としてSiO2が11％、B2O3が31％、
BaOが25％、La2O3が20％、その他微量成分を含
むガラス薄膜を厚み0.15μmに形成した。このガ
ラスの軟化点は710℃である。
に示す一対のセンダストヘツドコア半体の鏡面加
工処理したフロントギヤツプ形成面とバツクギヤ
ツプ形成面の一部に実施例１と同様の方法で膜厚
が0.15μmのジルコニア薄膜を形成した。さらに
その上に主成分としてSiO2が11％、B2O3が31％、
BaOが25％、La2O3が20％、その他微量成分を含
むガラス薄膜を厚み0.15μmに形成した。このガ
ラスの軟化点は710℃である。
また特殊合金は、厚さが均一に0.15μmで、そ
の組成は主成分としてAgが68％、Cuが27％、Pb
が５％からなり、その軟化点は810℃である。
の組成は主成分としてAgが68％、Cuが27％、Pb
が５％からなり、その軟化点は810℃である。
これらの薄膜をもつセンダストヘツドコア半体
を実施例２と同様に互いに突き合わせてHIP処理
した。このときの処理条件として、850℃かつ
1200Kg・cm-2で30分間処理を選んだ。
を実施例２と同様に互いに突き合わせてHIP処理
した。このときの処理条件として、850℃かつ
1200Kg・cm-2で30分間処理を選んだ。
このようにして得られた第３図ａと同様のギヤ
ツプ接合されたコア半体ブロツクを、厚さ500μm
の薄片にスライスし、得られたセンダストヘツド
チツプ第３図ｂのギヤツプについて、実施例１と
同じ検査を行なつた。その結果、フロントギヤツ
プのギヤツプ長も、バツクギヤツプのギヤツプ長
共に正確に0.31μmであり、ギヤツプ端の平行性
も確認できた。また、ギヤツプ部分は10Kg・mm-2
の引張り試験にも耐えることを確認した。
ツプ接合されたコア半体ブロツクを、厚さ500μm
の薄片にスライスし、得られたセンダストヘツド
チツプ第３図ｂのギヤツプについて、実施例１と
同じ検査を行なつた。その結果、フロントギヤツ
プのギヤツプ長も、バツクギヤツプのギヤツプ長
共に正確に0.31μmであり、ギヤツプ端の平行性
も確認できた。また、ギヤツプ部分は10Kg・mm-2
の引張り試験にも耐えることを確認した。
発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明はセン
ダスト磁気記録ヘツドにおいて、一対のセンダス
トヘツドコアのフロントギヤツプ形成面と、バツ
クギヤツプ形成面の一部に高精度の厚みでジルコ
ニア薄膜を形成し、さらにその上に均一な厚さで
SiO2が11重量％以上含まれるガラス薄膜を形成
し、またバツクギヤツプ形成面の残部に特殊合金
薄膜を形成した後、これらの薄膜面同士を合わせ
た状態で、これら一対のセンダストコア半体を加
圧して保持したまま、ガラス及び特殊合金の軟化
点以上の温度条件でHIP処理して接合することに
よつてナローギヤツプを形成するものであり、
HIP処理によつてガラス膜のうち接合に寄与しな
いほとんどのガラスは、ギヤツプ外へ押し出さ
れ、ジルコニア薄膜の厚さによつてギヤツプ長が
規定されることになる。
ダスト磁気記録ヘツドにおいて、一対のセンダス
トヘツドコアのフロントギヤツプ形成面と、バツ
クギヤツプ形成面の一部に高精度の厚みでジルコ
ニア薄膜を形成し、さらにその上に均一な厚さで
SiO2が11重量％以上含まれるガラス薄膜を形成
し、またバツクギヤツプ形成面の残部に特殊合金
薄膜を形成した後、これらの薄膜面同士を合わせ
た状態で、これら一対のセンダストコア半体を加
圧して保持したまま、ガラス及び特殊合金の軟化
点以上の温度条件でHIP処理して接合することに
よつてナローギヤツプを形成するものであり、
HIP処理によつてガラス膜のうち接合に寄与しな
いほとんどのガラスは、ギヤツプ外へ押し出さ
れ、ジルコニア薄膜の厚さによつてギヤツプ長が
規定されることになる。
ここで、バツクギヤツプ形成面の一部にもジル
コニア薄膜を形成しているため、フロントギヤツ
プ及びバツクギヤツプのギヤツプ長が一定にな
り、したがつて膜の形成時の膜厚をコントロール
することによつて、ギヤツプ長の制御が容易にな
り、かつ、HIP処理による接合でギヤツプ部分を
強固に接合するために、従来、困難とされていた
センダスト磁気ヘツドのギヤツプとして機械的強
度が高くかつ高精度なナローギヤツプの形成が容
易に行行なえるようになつた。これによつて、高
密度磁気記録ヘツドに適したギヤツプをもつセン
ダスト磁気ヘツドの製造が容易なつた。
コニア薄膜を形成しているため、フロントギヤツ
プ及びバツクギヤツプのギヤツプ長が一定にな
り、したがつて膜の形成時の膜厚をコントロール
することによつて、ギヤツプ長の制御が容易にな
り、かつ、HIP処理による接合でギヤツプ部分を
強固に接合するために、従来、困難とされていた
センダスト磁気ヘツドのギヤツプとして機械的強
度が高くかつ高精度なナローギヤツプの形成が容
易に行行なえるようになつた。これによつて、高
密度磁気記録ヘツドに適したギヤツプをもつセン
ダスト磁気ヘツドの製造が容易なつた。
第１図は従来のセンダスト磁気ヘツドのコアを
示す図、第２図ａは本発明の一実施例におけるセ
ンダスト磁気ヘツドのギヤツプ形成に用いた一対
のセンダストヘツドコア半体を示す図、第２図ｂ
は本発明の一実施例における薄膜形成後の一対の
センダストヘツドコア半体を示す図、第３図ａは
同センダストコアを用いて作製したギヤツプ接合
されたヘツドコア半体ブロツクを示す図、第３図
ｂは厚さ500μmに切断したセンダストヘツドチツ
プを示す図である。 １，２……センダストヘツドコア、３……ギヤ
ツプ部に形成された硬質石英膜、４……特殊合金
を用いた溶着部分、５……フロントギヤツプ形成
面、６……バツクギヤツプ形成面、７……ジルコ
ニア薄膜層、８……ガラス薄膜層、９……特殊合
金薄膜層、１０……ギヤツプ接合されたヘツドコ
ア半体ブロツク、１１……ヘツドチツプ。
示す図、第２図ａは本発明の一実施例におけるセ
ンダスト磁気ヘツドのギヤツプ形成に用いた一対
のセンダストヘツドコア半体を示す図、第２図ｂ
は本発明の一実施例における薄膜形成後の一対の
センダストヘツドコア半体を示す図、第３図ａは
同センダストコアを用いて作製したギヤツプ接合
されたヘツドコア半体ブロツクを示す図、第３図
ｂは厚さ500μmに切断したセンダストヘツドチツ
プを示す図である。 １，２……センダストヘツドコア、３……ギヤ
ツプ部に形成された硬質石英膜、４……特殊合金
を用いた溶着部分、５……フロントギヤツプ形成
面、６……バツクギヤツプ形成面、７……ジルコ
ニア薄膜層、８……ガラス薄膜層、９……特殊合
金薄膜層、１０……ギヤツプ接合されたヘツドコ
ア半体ブロツク、１１……ヘツドチツプ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一対のセンダストヘツドコア半体のそれぞれ
のフロントギヤツプ形成面に、非磁性セラミツク
薄膜を形成し、さらにその上にガラス薄膜を形成
した二層構造の膜を形成し、それぞれのバツクギ
ヤツプ形成面の一部にも同様の二層構造の膜を形
成後、バツクギヤツプ形成面の残部には、低融点
の特殊合金の薄膜を形成した後、これらの薄膜形
成面同士を突き合わせた状態でガラス及び特殊合
金の軟化点以上の温度条件で加圧加熱し、熱間静
水圧プレス処理して、上記の突き合わせた薄膜同
士を接合することによつて磁気的なすきまをもつ
フロントギヤツプ部を形成し、かつ同時にバツク
ギヤツプ部を形成することを特徴とするセンダス
ト磁気ヘツドのギヤツプ形成法。 ２ 非磁性セラミツク薄膜として用いるセラミツ
クがジルコニアであることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載のセンダスト磁気ヘツドのギヤ
ツプ形成法。 ３ ガラス薄膜として用いるガラスが、二酸化ケ
イ素（SiO2）を11重量％以上含むことを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載のセンダスト磁気
ヘツドのギヤツプ形成法。 ４ 特殊合金として銀（Ag）、銅（Cu）、錫
（Sn）、インジウム（In）、パラジウム（Pd）の複
合種からなる組成で、融点が900℃以下であるよ
うな複合系合金であることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載のセンダスト磁気ヘツドのギヤ
ツプ形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59041558A JPS60185215A (ja) | 1984-03-05 | 1984-03-05 | センダスト磁気ヘツドのギヤツプ形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59041558A JPS60185215A (ja) | 1984-03-05 | 1984-03-05 | センダスト磁気ヘツドのギヤツプ形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60185215A JPS60185215A (ja) | 1985-09-20 |
| JPH0425608B2 true JPH0425608B2 (ja) | 1992-05-01 |
Family
ID=12611756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59041558A Granted JPS60185215A (ja) | 1984-03-05 | 1984-03-05 | センダスト磁気ヘツドのギヤツプ形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60185215A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0525277U (ja) * | 1991-05-17 | 1993-04-02 | 東洋サーモコントロール株式会社 | 冷蔵庫の騒音防止装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5122649U (ja) * | 1974-08-09 | 1976-02-19 |
-
1984
- 1984-03-05 JP JP59041558A patent/JPS60185215A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60185215A (ja) | 1985-09-20 |
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