JPH02241730A - ガラス基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野１ 本発明は光メモリ用ディスク基板の製造の際に使用され
る金型であるスタンパの製５ｍ工程において、その表面
でスタ〉・バな形成するために使用するガラス基板の形
状に関する。

［従来の技術］ 光メモリ用ディスク基板製造用のスタンパの製造工程に
おいて使用される従来のガラス基板は第４図に示すよう
な中心孔を有する型か、あるいは第５図に示ずような中
心孔をｈさない型であったが、いずれの場合もスタンパ
形成面は平坦であった。こハらのガラス基板を使用する
場合のスタンパの製造工程の概略を以下に示す、 ま１′ガラス基板の表面（スタンパ１ｆモ成而）に光学
研磨、精密洗浄を施す８次にガラス基板上にフォトレジ
ストを所ｌの厚み番、−塗布、プリベークを行い、冷却
後、所定の変調を施さｔまたレーザビー・ム１こより露
光を行い、現像、ボストベーｈ後、微細なレジストパタ
ーンを得る。このレジストパターンに導体化処理を施し
、１１鋳膜を形成して、レジストパターンを電鋳膜表面
に転写し１、この電鋳膜を整形するごとによりスやンバ
を得る。ガラス基板の形状により、導体化及び項！Ｊ　
Ｉ稈の方法が異なり、ノＦ成される電鋳膜の断面形状は
異な−）でくる９中心孔を有するガラス残根１．７導体
化処理を行う場合は、中心孔を保持する場合と最外周部
を保持する場合でＬ」、導体化膜の付着の仕方がぞねぞ
れ第６図及び第７図のように異なる。いずれの場合でも
電鋳工程では中心孔に電ｔΦ４．・取りイボけるため、
それぞわ、第８図及び第９図のように電鋳膜が形成され
る。又、中心孔を有さないガラス晧板に導体化処理を行
う場＆は、最外周部を保持ずろため、第１Ｏ図のように
導体化膜が付着し、さら（こ電鋳工程でも最外周部に電
極を取り付けるため、第１１図のように電鋳膜か形成さ
れる。

〔発明が解決し、ようとすう課題ｊ しかし、前述の従来技術ｅμ以下に述べるＪうな問題点
を有し２でいた。電鋳、「稈で形成された電鋳膜の裏面
（１ノジストバクーンが転写された面と反対側の面）は
凹凸が激しく、叉、電鋳賎厚も不均一′（１あるので裏
面を鏡面研磨して平坦にし、か′つスタンパ板厚を均一
・にしなければならない。裏面研磨工程では電鋳膜をガ
ラス基板から剥離せず一体のままで研磨を行うが、これ
はスタンパ（電鋳９莫）の取り扱いが簡？ｐで、１ｉ）
からであシ２通常ｔ、ｊｊ♀式研磨を行うが、ｔ（′Ｄ
際、電鋳時に電極が接触しＣいた部位（第８図、第９図
及び第１１図のｌＯ）は電鋳膜厚が極めＣ−薄く、場合
（こよっｒはモの部位からガラス基板と電鋳膜の間に研
磨液が侵入してＩＩ梼ＩＩＩ表面が汚染されるにとがあ
り、その場合にはその後の洗浄工程ではその汚染は完全
には除’）：　Ｔ１きず、即ち、研磨液が侵入した場合
は得られるスタンパは不良品となっていた７そこで本発
明１ｊ７４丁のような課題庖解決するものでその目的ｌ
：ｌｊ−る−・ころは光メ′ｆ１１用スクンバの製造工
程に８けろ歩留まりを同士さ１！るところにある。

［課題を解決するための手段１ 本発明のガラス基板は、光メモリ製造用スタンパの製造
工程において使用するガラス基板においてスタンパ形成
面の最外周部が段差を有し、該最外周部の厚みが中央部
（、−比べて薄いことを特徴とする。

［実　施　例〕 第１図は本発明の実施例におけるガラノ、基板の断面図
である７ガラス、基板の直径は２００ｍｍ、ｒＯ差部の
直径は１９０ｒｎｍで、中央部の厚みは６ＬＴ１ｎ１．
丹外周部の厚みは４ｍｍである。以下にガラス基板１を
使用する光メモリ用スタンパの製造工程についで説明す
る。ガうス基板の光学研磨、精密洗浄から現像、ボス］
ヘベータまでの各工程は従来通りである。導体化工程に
おいても導体化膜の謹厚い、構成等は従来と同様である
が、ガラス基板の形状が従来と異なるため保持方法が異
なる。即ち導体化装置Ｃあるスパッタ装置内でのガラス
基板保持機構は第２図２のよ・〕に段差部分を保持する
ようになでおり、導体化膜の４４羽は同図３のようにな
る。ｉｔ祷工程でのｔ極の形状は第二１図４のようであ
り電鋳膜の形状は同図５のようになる。第３図５のよう
に電鋳膜が形成されるのは導体化工程においてスパック
膜成分であるＮ１粒子がガラス基板表面（スタンパ形成
面）ばかりでなく段差部まで回り込んで付着しく第２図
３）、その導体化膜上にｔＵｔ膜が形成されるからであ
る。この場合、その後の裏面研磨工程では、被研磨面に
電！＃膜の薄い箇所がなく、従って研磨中に研磨液が電
鋳膜とガラス基板の間に侵入することがない、即ち、本
弁明の実施例においてｉ：Ｊ、６Ｙｉ米、裏面研磨工程
において生じていた研Ｍ液の侵入番こよる不良が生ぜず
同上ｆ？における同不良率は０％となった。従来のガラ
ス基板を使用する場合の同不良ｌは３〜５％であった。

（発明の効果） 以上述べたように本発明に１表れば光メモリ製造用スタ
ンパの製Ｊ告工程において使用するガラス基板において
スタンパ形成面の最外周部が段差を有し、該最外周部の
厚みが中央部に比べて薄いガラス基板を使用することで
、裏面研磨工程における研磨液の侵入による不良が生じ
な（なるため同工程の歩留まりが向−Ｌするという効果
を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明におけるガラス基板の断面図、第２図は
本発明におけるガラス基板に導体化膜を形成した場合の
断面図、第３図は本発明におけるガラス基板に電鋳膜を
形成しｌ、：場合の断面図、第４図及び第５図は従来の
ガラス基板の断面図、第６図、第７図及び第１０図は従
来のガラス基板に導体化膜を形成した場合の断面図、第
８図、第９図、第１ １図は従来のガラス基板に電鋳膜を形成した場合の断面
図。 ６． ７゜ ・ガラス基板 ・導体化装置のガラス基板保持 機構 ３、 ・導体化膜 ・電鋳装置の電極 ５、 ・電鋳膜 ・電鋳時の電極接触部位 以 上

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 光メモリ製造用スタンパの製造工程において使用するガ
   ラス基板においてスタンパ形成面の最外周部が段差を有
   し、該最外周部の厚みが中央部に比べて薄いことを特徴
   とするガラス基板。