JPH02244613A - 光ｃｖｄ方法 - Google Patents
光ｃｖｄ方法Info
- Publication number
- JPH02244613A JPH02244613A JP6201289A JP6201289A JPH02244613A JP H02244613 A JPH02244613 A JP H02244613A JP 6201289 A JP6201289 A JP 6201289A JP 6201289 A JP6201289 A JP 6201289A JP H02244613 A JPH02244613 A JP H02244613A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- hydrogen
- deuterium
- cvd method
- carrier gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔）既 要〕
光ＣＶＤ方法に係り、特にＨ２ガスをキャリアガスとす
る光ＣＶＤ方法に関し、 キャリアガスを活性化する光ＣＶＤ方法を提供すること
を目的とし、 反応ガスに光を照射して薄膜を形成する光ＣＶＤ方法に
おいて、該反応ガスのキャリアガスとして水素ガスと、
該水素ガスと重水素ガスの体積比（Ｄ ２ ／ Ｈ２）
が１％以上の重水素との混合ガスを用い、重水素光源か
らの光照射により励起された前記重水素ガスの励起エネ
ルギーを該水素へ変換して該キャリアガスを活性化させ
ることによって前記薄膜を形成することを構成とする。
る光ＣＶＤ方法に関し、 キャリアガスを活性化する光ＣＶＤ方法を提供すること
を目的とし、 反応ガスに光を照射して薄膜を形成する光ＣＶＤ方法に
おいて、該反応ガスのキャリアガスとして水素ガスと、
該水素ガスと重水素ガスの体積比（Ｄ ２ ／ Ｈ２）
が１％以上の重水素との混合ガスを用い、重水素光源か
らの光照射により励起された前記重水素ガスの励起エネ
ルギーを該水素へ変換して該キャリアガスを活性化させ
ることによって前記薄膜を形成することを構成とする。
本発明は光ＣＶＤ方法に係り、特にＨ２ガスをキャリア
ガスとする光ＣＶＤ方法に関する。
ガスとする光ＣＶＤ方法に関する。
従来の光ＣＶＤ法で薄膜を形成する場合、反応ガスと基
板とを光励起可能な波長の光源（高圧・低圧水鋼溶、キ
セノン燈、重水素燈）が用いられている。また反応ガス
のキャリアガスとしては水素（Ｈ２）、ヘリウム（Ｈｅ
）、アルボ７ ＜Ａｒ）、窒素（Ｎ、）等が用いられて
おり、これらのキャリアガスは上記光源が作り出す光と
は反応しない。
板とを光励起可能な波長の光源（高圧・低圧水鋼溶、キ
セノン燈、重水素燈）が用いられている。また反応ガス
のキャリアガスとしては水素（Ｈ２）、ヘリウム（Ｈｅ
）、アルボ７ ＜Ａｒ）、窒素（Ｎ、）等が用いられて
おり、これらのキャリアガスは上記光源が作り出す光と
は反応しない。
光ＣＶＤ法では欠陥が少ない薄膜が堆積可能であり、こ
の特徴を更に向上させるには１）光源強度を向上させる
、２）より光吸収率の高い反応ガスを用いる、３）キャ
リアガスをも励起する、等の方法が考えられる。しかし
ながら、１）、２＞の方法は技術的、化学的に困難であ
り、また３）の方法にはもっと短波長の光源が必要であ
るが現在適当な光源がない。
の特徴を更に向上させるには１）光源強度を向上させる
、２）より光吸収率の高い反応ガスを用いる、３）キャ
リアガスをも励起する、等の方法が考えられる。しかし
ながら、１）、２＞の方法は技術的、化学的に困難であ
り、また３）の方法にはもっと短波長の光源が必要であ
るが現在適当な光源がない。
本発明はキャリアガスを活性化する光ＣＶＤ方法を提供
することを目的とする。
することを目的とする。
上記課題は本発明によれば反応ガスに光を照射して薄膜
を形成する光ＣＶＤ方法において、該反応ガスのキャリ
アガスとして水素ガスと、該水素ガスと重水素ガスの体
積比（Ｄ ２ ／ Ｈ２）が１％以上の重水素との混合
ガスを用い、重水素光源からの光照射により励起された
前記重水素ガスの励起エネルギーを該水素へ変換して該
キャリアガスを活性化させることによって前記薄膜を形
成することを特徴とする光ＣＶＤ方法によって解決され
る。
を形成する光ＣＶＤ方法において、該反応ガスのキャリ
アガスとして水素ガスと、該水素ガスと重水素ガスの体
積比（Ｄ ２ ／ Ｈ２）が１％以上の重水素との混合
ガスを用い、重水素光源からの光照射により励起された
前記重水素ガスの励起エネルギーを該水素へ変換して該
キャリアガスを活性化させることによって前記薄膜を形
成することを特徴とする光ＣＶＤ方法によって解決され
る。
本発明によれば、キャリアガスが単に水素でなく、重水
素を混合しているので重水素光源からの光により励起さ
れた重水素からエネルギーが水素に変換され反応ガス（
シリコン含有）のシリコン生成速度を増大させ欠陥を減
少させる作用がある。
素を混合しているので重水素光源からの光により励起さ
れた重水素からエネルギーが水素に変換され反応ガス（
シリコン含有）のシリコン生成速度を増大させ欠陥を減
少させる作用がある。
以下本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明に係る光ＣＶＤ方法を説明するだめの模
式断面図である。
式断面図である。
第１図に示すように反応室１に設けられた例えばシリコ
ン（１１１）基板２上に、ガス供給管３を介して反応ガ
ス（例えばＳｉを成長させる場合、Ｓ １１＋ ２ Ｃ
β２． ＳＩＣＥ ４＋ ５ｔ）１４等）及びキャリア
ガス（重水素（Ｄ２）及び水素（Ｈ２））を供給し、重
水素ランプ４を用いて、該反応ガス、キャリアガスに光
を照射してシリコンを生成する。基板２下方には基板加
熱用のヒータ５が設けられ、６はフッ化マグネシウム（
ＭｇＦｚ）である。本方法は基板に対して光が水平に入
射する水平入射型が考えられるが第１図左側垂直面に基
板を形成した垂直入射型も考えられる。
ン（１１１）基板２上に、ガス供給管３を介して反応ガ
ス（例えばＳｉを成長させる場合、Ｓ １１＋ ２ Ｃ
β２． ＳＩＣＥ ４＋ ５ｔ）１４等）及びキャリア
ガス（重水素（Ｄ２）及び水素（Ｈ２））を供給し、重
水素ランプ４を用いて、該反応ガス、キャリアガスに光
を照射してシリコンを生成する。基板２下方には基板加
熱用のヒータ５が設けられ、６はフッ化マグネシウム（
ＭｇＦｚ）である。本方法は基板に対して光が水平に入
射する水平入射型が考えられるが第１図左側垂直面に基
板を形成した垂直入射型も考えられる。
第２図には第１図に示した方法においてＤ２ ／Ｈ２流
単比く体積％）を変化させた（Ｈ２中にＤ２を３％混入
させる迄）際の５ｉ（１１１）基板上に見られたピラミ
ッドヒーロツタ密度を示す。なお反応ガスはＳ＋Ｈ２Ｃ
１２、反応温度は１０００℃とした。
単比く体積％）を変化させた（Ｈ２中にＤ２を３％混入
させる迄）際の５ｉ（１１１）基板上に見られたピラミ
ッドヒーロツタ密度を示す。なお反応ガスはＳ＋Ｈ２Ｃ
１２、反応温度は１０００℃とした。
第２図から１％のＤ２添加により、表面欠陥が極めて減
少している。Ｈ２のみではピラミッドヒーロツタ密度が
極めて大となる。
少している。Ｈ２のみではピラミッドヒーロツタ密度が
極めて大となる。
本発明では１００％Ｄ２ガスを用いても本発明同様の効
果が得られるがＤ２ガスは極めて高価であるためＨ２中
にＤ２を混合させるのが好ましい。
果が得られるがＤ２ガスは極めて高価であるためＨ２中
にＤ２を混合させるのが好ましい。
以上説明したように本発明によれば励起された重水素ガ
スのエネルギーが水素に変換され欠陥を減少させること
が可能となり、欠陥が極めて少ない良質のＣＶＤ薄膜が
形成される。
スのエネルギーが水素に変換され欠陥を減少させること
が可能となり、欠陥が極めて少ない良質のＣＶＤ薄膜が
形成される。
第１図は本発明に係る光ＣＶＤ方法を説明するための模
式断面図であり、 第２図はＤ２ ／Ｈ２（体積％）と、欠陥を示すピラミ
ッドヒーロック密度（ｃｍ□Ｉ）との関係を示す図であ
る。 １・・・反応室、 ２・・・Ｓ ｉ （１１１）基
板、３・・・ガス供給管、 ４・・・重水素ランプ、５
・・・ヒータ、 ６・・・フッ化マグネシウム窓
。
式断面図であり、 第２図はＤ２ ／Ｈ２（体積％）と、欠陥を示すピラミ
ッドヒーロック密度（ｃｍ□Ｉ）との関係を示す図であ
る。 １・・・反応室、 ２・・・Ｓ ｉ （１１１）基
板、３・・・ガス供給管、 ４・・・重水素ランプ、５
・・・ヒータ、 ６・・・フッ化マグネシウム窓
。
Claims (1)
- １、反応ガスに光を照射して薄膜を形成する光ＣＶＤ方
法において、該反応ガスのキャリアガスとして水素ガス
と、該水素ガスと重水素ガスの体積比（Ｄ＿２／Ｈ＿２
）が１％以上の重水素との混合ガスを用い、重水素光源
からの光照射により励起された前記重水素ガスの励起エ
ネルギーを該水素へ変換して該キャリアガスを活性化さ
せることによって前記薄膜を形成することを特徴とする
光ＣＶＤ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6201289A JPH02244613A (ja) | 1989-03-16 | 1989-03-16 | 光ｃｖｄ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6201289A JPH02244613A (ja) | 1989-03-16 | 1989-03-16 | 光ｃｖｄ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02244613A true JPH02244613A (ja) | 1990-09-28 |
Family
ID=13187816
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6201289A Pending JPH02244613A (ja) | 1989-03-16 | 1989-03-16 | 光ｃｖｄ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02244613A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017076774A (ja) * | 2015-10-12 | 2017-04-20 | 上海新昇半導體科技有限公司 | エピタキシャル層を形成する方法 |
-
1989
- 1989-03-16 JP JP6201289A patent/JPH02244613A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017076774A (ja) * | 2015-10-12 | 2017-04-20 | 上海新昇半導體科技有限公司 | エピタキシャル層を形成する方法 |
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