JPH02249246A - 化合物半導体素子 - Google Patents
化合物半導体素子Info
- Publication number
- JPH02249246A JPH02249246A JP1070001A JP7000189A JPH02249246A JP H02249246 A JPH02249246 A JP H02249246A JP 1070001 A JP1070001 A JP 1070001A JP 7000189 A JP7000189 A JP 7000189A JP H02249246 A JPH02249246 A JP H02249246A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- semi
- insulating layer
- layer
- compound semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
- H10W72/932—Plan-view shape, i.e. in top view
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高周波用のＧａＡｓおよびＩｎＰ等の化合物
半導体素子に利用され、特に、ガンダイオードに代表さ
れる化合物半導体素子に関する。
半導体素子に利用され、特に、ガンダイオードに代表さ
れる化合物半導体素子に関する。
本発明は、ガンダイオード等の化合物半導体素子におい
て、 前記化合物半導体素子が形成されるエピタキシャル層に
選択的に半絶縁層を形成し、この半絶縁層上に前記半導
体素子の電極を取り出すボンディング用電極を設けるこ
とにより、 ボンディング時における素子特性の劣化を防止したもの
である。
て、 前記化合物半導体素子が形成されるエピタキシャル層に
選択的に半絶縁層を形成し、この半絶縁層上に前記半導
体素子の電極を取り出すボンディング用電極を設けるこ
とにより、 ボンディング時における素子特性の劣化を防止したもの
である。
従来、この種のガンダイオードのチップは、第５図に示
すように、コンタクト層１、アクティブ層３およびバッ
ファ層４を化合物半導体の基板５上にエピタキシャル成
長させた後、そのウェーハを第６図（ａ）およびら）に
示すように、メサ部９の形成を行い、メサ部９上および
ウェーハ裏面に金属によりオーミックの電極６および裏
面電極１１を形成している。
すように、コンタクト層１、アクティブ層３およびバッ
ファ層４を化合物半導体の基板５上にエピタキシャル成
長させた後、そのウェーハを第６図（ａ）およびら）に
示すように、メサ部９の形成を行い、メサ部９上および
ウェーハ裏面に金属によりオーミックの電極６および裏
面電極１１を形成している。
前述した従来の化合物半導体素子の構造は、メサ形成し
た電極上に直接ボンディングを行うため、ボンディング
時の荷重等のストレスが直接アクティブ層に加わるため
に、結晶に欠陥が生じ、耐圧、特に逆方向の耐圧の劣化
を引き起こす欠点がある。
た電極上に直接ボンディングを行うため、ボンディング
時の荷重等のストレスが直接アクティブ層に加わるため
に、結晶に欠陥が生じ、耐圧、特に逆方向の耐圧の劣化
を引き起こす欠点がある。
本発明の目的は、前記の欠点を除去することにより、ボ
ンディング時に特性劣化を引き起こすことない化合物半
導体素子を提供することにある。
ンディング時に特性劣化を引き起こすことない化合物半
導体素子を提供することにある。
本発明は、化合物半導体基板上に形成され半導体素子が
形成されるエピタキシャル層と、このエピタキシャル層
上に形成された前記半導体素子の電極とを有する化合物
半導体素子において、前記エピタキシャル層に選択的に
形成された半絶縁層と、この半絶縁層上に形成され前記
電極と接続されたボンディング用電極とを設けたことを
特徴とする。
形成されるエピタキシャル層と、このエピタキシャル層
上に形成された前記半導体素子の電極とを有する化合物
半導体素子において、前記エピタキシャル層に選択的に
形成された半絶縁層と、この半絶縁層上に形成され前記
電極と接続されたボンディング用電極とを設けたことを
特徴とする。
〔作用〕
本発明の化合物半導体素子は、選択的に形成した半絶縁
層上に形成されたボンディング用電極を有している。
層上に形成されたボンディング用電極を有している。
従って、ボンディング時における荷重は直接アクティブ
層に印加されないので、結晶に欠陥は発生せず、耐圧低
下を引き起こすことがなくなる。
層に印加されないので、結晶に欠陥は発生せず、耐圧低
下を引き起こすことがなくなる。
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１ｆｆｌ（ａ）は本発明の第一実施例を示す上面図、
および第１図（ｂ）はそのＡ−Ａ’模式的断面図で、１
０ＧＨｚ用ガンダイオードを示す。また第２図（ａ）は
そのウェーハを示す上面図、および第２図（ｂ）はその
Ｂ−Ｂ’模式的断面図である。なお、第２図（ａ）の寸
法は第１図（ａ）の寸法を縮小して表しである。
および第１図（ｂ）はそのＡ−Ａ’模式的断面図で、１
０ＧＨｚ用ガンダイオードを示す。また第２図（ａ）は
そのウェーハを示す上面図、および第２図（ｂ）はその
Ｂ−Ｂ’模式的断面図である。なお、第２図（ａ）の寸
法は第１図（ａ）の寸法を縮小して表しである。
第２図（ａ）およびら）によると、本第−実施例のウェ
ーハは、基板５上に、バッファ層４、アクティブ層３お
よびコンタクト層１からなるエピタキシャル層が形成さ
れ、このエピタキシャル層に選択的に半絶縁層２が形成
される。ここで１０は半絶縁層境界である。
ーハは、基板５上に、バッファ層４、アクティブ層３お
よびコンタクト層１からなるエピタキシャル層が形成さ
れ、このエピタキシャル層に選択的に半絶縁層２が形成
される。ここで１０は半絶縁層境界である。
第１図（ａ）およびら）によると、本第−実施例は、第
２図（ａ）および（ｂ）に示したウェーハに対して所定
のメサエッチングを施し、メサ部９が形成され、このメ
サ部９上に電極６が形成され、引出し電極７を介して半
絶縁層２上にボンディング用電極８が形成される。
２図（ａ）および（ｂ）に示したウェーハに対して所定
のメサエッチングを施し、メサ部９が形成され、このメ
サ部９上に電極６が形成され、引出し電極７を介して半
絶縁層２上にボンディング用電極８が形成される。
本発明の特徴は、第１図（ａ）および（ｂ）において半
絶縁層２およびボンディング用電極８を設けたことにあ
る。
絶縁層２およびボンディング用電極８を設けたことにあ
る。
次に、本第−実施例の製造方法の要点について説明する
。
。
Ｉ ＸＩＯ”ｃｍ−３以上のｎ型ＧａＡｓの基板５上に
、ｎ型不純物の濃度１×１０１８ＣＩ１１−３以上、厚
さ０．５〜６μｍのバッファ層４、濃度的Ｉ ＸＩＯ”
ｃｍ−’、厚さ約１０μｍのアクティブ層３、および濃
度１×１０Ｉ８１０ｌ８厚さ０，５〜６μｍのコンタク
ト層１を気相エピタキシャル成長により連続成長したウ
ェーハ表面に、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜を
マスクにして、半絶縁層２を成長したい部分をコンタク
ト層１より深くエツチングを行った後、気相エピタキシ
ャル法により不純物を導入しないＧａＡｓからなる半絶
縁層２を選択的に成長し、第２図（ａ）および（ｂ）に
示すウェーハを得る。この場合、エピタキシャル成長は
気相エピタキシャル以外の他の分子線エピタキシャル等
で行ってもよい。
、ｎ型不純物の濃度１×１０１８ＣＩ１１−３以上、厚
さ０．５〜６μｍのバッファ層４、濃度的Ｉ ＸＩＯ”
ｃｍ−’、厚さ約１０μｍのアクティブ層３、および濃
度１×１０Ｉ８１０ｌ８厚さ０，５〜６μｍのコンタク
ト層１を気相エピタキシャル成長により連続成長したウ
ェーハ表面に、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜を
マスクにして、半絶縁層２を成長したい部分をコンタク
ト層１より深くエツチングを行った後、気相エピタキシ
ャル法により不純物を導入しないＧａＡｓからなる半絶
縁層２を選択的に成長し、第２図（ａ）および（ｂ）に
示すウェーハを得る。この場合、エピタキシャル成長は
気相エピタキシャル以外の他の分子線エピタキシャル等
で行ってもよい。
次に、前記ウェーハを用いて、第１図（ａ）および（ｂ
）に示すように、電流特性が所定の値になるようにメサ
エッチングを用いメサ部９を形成し、その上にＡｕＧｅ
−ＡｕＮｉ等により、コンタクト層１上にオーミック的
な電極６と、半絶縁層２上にボンディング用電極８と、
電極６とボンディング用電極８とをつなぐ引出し電極７
とを形成する。この場合、電極６はメサ部９上にありか
つ半絶縁層２の内側に形成する。そして、裏面にもＡｕ
Ｇｅ−ＡｕＮｉ等により裏面電極１１を形成し、各チッ
プに切り離すことにより、第１図（ａ）および（ｂ）に
示すガンダイオードを得る。
）に示すように、電流特性が所定の値になるようにメサ
エッチングを用いメサ部９を形成し、その上にＡｕＧｅ
−ＡｕＮｉ等により、コンタクト層１上にオーミック的
な電極６と、半絶縁層２上にボンディング用電極８と、
電極６とボンディング用電極８とをつなぐ引出し電極７
とを形成する。この場合、電極６はメサ部９上にありか
つ半絶縁層２の内側に形成する。そして、裏面にもＡｕ
Ｇｅ−ＡｕＮｉ等により裏面電極１１を形成し、各チッ
プに切り離すことにより、第１図（ａ）および（ｂ）に
示すガンダイオードを得る。
第３図（ａ）は本発明の第二実施例を示す上面図、およ
び第３図（ｂ）はそのｃ−ｃ’模式的断面図で、１０Ｇ
Ｈｚ用ガンダイオードを示す。また第４図（ａ）はその
ウェーハを示す上面図、および第４図ら）はそのＤ−Ｄ
’模式的断面図である。なお、第４図（ａ）の寸法は第
３図（ａ）の寸法を縮小して表しである。
び第３図（ｂ）はそのｃ−ｃ’模式的断面図で、１０Ｇ
Ｈｚ用ガンダイオードを示す。また第４図（ａ）はその
ウェーハを示す上面図、および第４図ら）はそのＤ−Ｄ
’模式的断面図である。なお、第４図（ａ）の寸法は第
３図（ａ）の寸法を縮小して表しである。
本第二実施例は、第一実施例と同様の手順に従って動作
領域が所定の電流特性が得られるようエツチングして調
整された後、この領域外に半絶縁層２を選択的に形成し
たものである。このため、第一実施例で行った所定の電
流特性を得るためのメサエッチングを行う必要がなく、
ガンダイオードチップをプレーナー化できるという利点
がある。
領域が所定の電流特性が得られるようエツチングして調
整された後、この領域外に半絶縁層２を選択的に形成し
たものである。このため、第一実施例で行った所定の電
流特性を得るためのメサエッチングを行う必要がなく、
ガンダイオードチップをプレーナー化できるという利点
がある。
〔発明の効果コ
以上説明したように、本発明は、エピタキシャルウェー
ハ上に選択的に形成した半絶縁層上にボンディング用電
極を形成することにより、ボンディング時の荷重力等の
ストレスが直接アクティブ層に加わることがなくなり、
ボンディング時の特性劣化を防止できる効果がある。
ハ上に選択的に形成した半絶縁層上にボンディング用電
極を形成することにより、ボンディング時の荷重力等の
ストレスが直接アクティブ層に加わることがなくなり、
ボンディング時の特性劣化を防止できる効果がある。
第１図（ａ）は本発明の第一実施例を示す上面図。
第１図ら）はそのＡ−Ａ’模式的断面図。
第２図（ａ）はそのウェーハを示す上面図。
第２図ら）はそのＢ−Ｂ’模式的断面図。
第３図（ａ）は本発明の第二実施例を示す上面図。
第３図（Ｃ）はそのｃ−ｃ’模式的断面図。
第４図（ａ）はそのウェーハを示す上面図。
第４図ら）はそのＤ−Ｄ’模式的断面図。
第５図は従来例のウェーハの模式的断面図。
第６図（ａ）は従来例を示す上面図。
第６図ら）はそのＥ−Ｅ’模式的断面図。
１・・・コンタクト層、２・・・半絶縁層、３・・・ア
クティブ層、４・・・バッファ層、５・・・基板、６・
・・電極、７・・・引出し電極、訃・・ボンディング用
電極、９・・・メサ部、１０・・・半絶縁層境界、１１
・・・裏面電極。 （０）上面口 １１：裏ｙｒＪ＠棒 ５：基板 昂−夷菖例 ？ｆ’ｉｆ 図 尾−夾な１列（ウェーハ） 肩 ２ 口 （Ｉ））Ｃ−Ｃ’ｌｔ！Ｔ面回 扇二夾２＋９１ Ｊ￥１３ 図 従来例（ウェーへ） 上面図 Ｅ −Ｅ’打面図 従来例 （ａ） 上ｉ１！１図 ３ アクティア眉 ４バ、７７了層 ５墓阪 消二夫２例（ウェーハ） 肩′ ４ 口 手続補正書（方式） ％式％ 事件の表示 平成１年特許願第７０００１、 発明の名称 化合物半導体素子 住所 名称 代 理 東京都港区芝五丁目３３番１号 （４２３＞日本電気株式会社 代表者関本忠弘 人 補正命令の日付 平成１年６月１２日（発送日平成１年７月４日）補正に
より増加する請求項の数 な し「第３図（Ｃ）は」
を「第３図ら）は」と補正する。
クティブ層、４・・・バッファ層、５・・・基板、６・
・・電極、７・・・引出し電極、訃・・ボンディング用
電極、９・・・メサ部、１０・・・半絶縁層境界、１１
・・・裏面電極。 （０）上面口 １１：裏ｙｒＪ＠棒 ５：基板 昂−夷菖例 ？ｆ’ｉｆ 図 尾−夾な１列（ウェーハ） 肩 ２ 口 （Ｉ））Ｃ−Ｃ’ｌｔ！Ｔ面回 扇二夾２＋９１ Ｊ￥１３ 図 従来例（ウェーへ） 上面図 Ｅ −Ｅ’打面図 従来例 （ａ） 上ｉ１！１図 ３ アクティア眉 ４バ、７７了層 ５墓阪 消二夫２例（ウェーハ） 肩′ ４ 口 手続補正書（方式） ％式％ 事件の表示 平成１年特許願第７０００１、 発明の名称 化合物半導体素子 住所 名称 代 理 東京都港区芝五丁目３３番１号 （４２３＞日本電気株式会社 代表者関本忠弘 人 補正命令の日付 平成１年６月１２日（発送日平成１年７月４日）補正に
より増加する請求項の数 な し「第３図（Ｃ）は」
を「第３図ら）は」と補正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、化合物半導体基板上に形成され半導体素子が形成さ
れるエピタキシャル層と、このエピタキシャル層上に形
成された前記半導体素子の電極とを有する化合物半導体
素子において、 前記エピタキシャル層に選択的に形成された半絶縁層と
、 この半絶縁層上に形成され前記電極と接続されたボンデ
ィング用電極と を設けたことを特徴とする化合物半導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1070001A JPH02249246A (ja) | 1989-03-22 | 1989-03-22 | 化合物半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1070001A JPH02249246A (ja) | 1989-03-22 | 1989-03-22 | 化合物半導体素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02249246A true JPH02249246A (ja) | 1990-10-05 |
Family
ID=13418939
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1070001A Pending JPH02249246A (ja) | 1989-03-22 | 1989-03-22 | 化合物半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02249246A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004356332A (ja) * | 2003-05-28 | 2004-12-16 | Kyocera Corp | ガンダイオードおよびその製造方法 |
-
1989
- 1989-03-22 JP JP1070001A patent/JPH02249246A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004356332A (ja) * | 2003-05-28 | 2004-12-16 | Kyocera Corp | ガンダイオードおよびその製造方法 |
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