JPH02250055A - フォトマスク及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
フォトマスク及び半導体装置の製造方法Info
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- JPH02250055A JPH02250055A JP1269496A JP26949689A JPH02250055A JP H02250055 A JPH02250055 A JP H02250055A JP 1269496 A JP1269496 A JP 1269496A JP 26949689 A JP26949689 A JP 26949689A JP H02250055 A JPH02250055 A JP H02250055A
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野Ｊ
本発明は、半導体装置製造のフォト工程で用いられる、
ペリクルを装置したフォトマスクに関する。
ペリクルを装置したフォトマスクに関する。
［従来の技術１
半導体装置製造のフォト工程で、半導体基板上に所望の
レジストパターンを形成する方法として、縮小投影露光
装置（以下、ステッパーとする）を使用することが一般
的であるが、近年素子の微細化が進み、集積度が増すに
つれ、フォトマスクＣ以下、レティクルとする）上の異
物の転写が問題となってきている。ステッパーは、レテ
ィクル上のパターンを５分の１．または１０分の１に縮
小して投影するが、投影レンズや、レジストの解像性能
の向上によって、レティクル上にミクロンオーダーの異
物があれば、十分に転写する可能性がある。そして転写
された異物はパターン欠陥となり、半導体素子の機能を
劣化させ、歩留りを低下させる。
レジストパターンを形成する方法として、縮小投影露光
装置（以下、ステッパーとする）を使用することが一般
的であるが、近年素子の微細化が進み、集積度が増すに
つれ、フォトマスクＣ以下、レティクルとする）上の異
物の転写が問題となってきている。ステッパーは、レテ
ィクル上のパターンを５分の１．または１０分の１に縮
小して投影するが、投影レンズや、レジストの解像性能
の向上によって、レティクル上にミクロンオーダーの異
物があれば、十分に転写する可能性がある。そして転写
された異物はパターン欠陥となり、半導体素子の機能を
劣化させ、歩留りを低下させる。
そこで、最近、異物の転写を防止する方法としてペリク
ルが使用されている。第２図は従来のペリクルを装着し
たレティクルを示す図であるが、ペリクル２２は、ニト
ロセルロースに代表される透明薄膜からなり、アルミ合
金等からなるペリクル枠２３を介して、レティクル２１
からある一定の距離をおいて、レティクル２１上のパタ
ーン部を保護するように覆って固定される。前記ペリク
ル２２上には、空気中の異物がペリクルのない時と同様
に付着するが、投影露光時の焦点位置はレティクル２１
面上にあるため、ペリクル２２上の異物は焦点ズレとな
り、数十ミクロンのレベルの異物は転写しない仕組みと
なっている。しかし、５０ミクロン以上の異物は転写す
る可能性があり、依然ペリクル２２上の異物検査が必要
であるものの、クリーンルーム内では、この程度の異物
はほとんど存在せず、異物管理は以前より非常に容易と
なった。
ルが使用されている。第２図は従来のペリクルを装着し
たレティクルを示す図であるが、ペリクル２２は、ニト
ロセルロースに代表される透明薄膜からなり、アルミ合
金等からなるペリクル枠２３を介して、レティクル２１
からある一定の距離をおいて、レティクル２１上のパタ
ーン部を保護するように覆って固定される。前記ペリク
ル２２上には、空気中の異物がペリクルのない時と同様
に付着するが、投影露光時の焦点位置はレティクル２１
面上にあるため、ペリクル２２上の異物は焦点ズレとな
り、数十ミクロンのレベルの異物は転写しない仕組みと
なっている。しかし、５０ミクロン以上の異物は転写す
る可能性があり、依然ペリクル２２上の異物検査が必要
であるものの、クリーンルーム内では、この程度の異物
はほとんど存在せず、異物管理は以前より非常に容易と
なった。
ところで、前述のペリクル２２面上の異物検査は、ペリ
クル２２面にレーザー光を走査し、異物があれば、その
散乱光を検出して前記異物の位置、大きさを判定する方
式に基づく検査装置が一般的に使用されており、高い検
出精度を得るためには、ペリクル２２面の平坦性が十分
に確保されている必要がある。
クル２２面にレーザー光を走査し、異物があれば、その
散乱光を検出して前記異物の位置、大きさを判定する方
式に基づく検査装置が一般的に使用されており、高い検
出精度を得るためには、ペリクル２２面の平坦性が十分
に確保されている必要がある。
しかし、前述の従来技術では、ペリクルの平坦性をそこ
なう原因として、ペリクル、ペリクル枠、及びレティク
ルで囲まれる密室の内圧と外圧の差がある。へりクルが
薄膜であるために内圧よりも外圧が高ければ、ペリクル
は内側へへこみ、逆に内圧よりも外圧が低ければ、ペリ
クルは外側へ膨らむ、実需に低地のマスク工場で、レテ
ィクルにペリクルを装着し、高地の工場へレティクルを
移動させた時には、ペリクルの膨らみが顕著に現われ、
また台風などの低気圧通過時にも変形が起こる。このよ
うにペリクル面の変形によって平坦性がそこなわれ、ペ
リクル面上の異物検査を十分な検出精度をもって行なう
ことができず、異物転写に起因するパターン欠陥が増え
ると共に、歩留りも低下した。
なう原因として、ペリクル、ペリクル枠、及びレティク
ルで囲まれる密室の内圧と外圧の差がある。へりクルが
薄膜であるために内圧よりも外圧が高ければ、ペリクル
は内側へへこみ、逆に内圧よりも外圧が低ければ、ペリ
クルは外側へ膨らむ、実需に低地のマスク工場で、レテ
ィクルにペリクルを装着し、高地の工場へレティクルを
移動させた時には、ペリクルの膨らみが顕著に現われ、
また台風などの低気圧通過時にも変形が起こる。このよ
うにペリクル面の変形によって平坦性がそこなわれ、ペ
リクル面上の異物検査を十分な検出精度をもって行なう
ことができず、異物転写に起因するパターン欠陥が増え
ると共に、歩留りも低下した。
そこで、このようなペリクルの膨らみ、あるいはへこみ
をなくすために、第３図のようにペリクル枠３３の一部
に通気口となる開口部３４をあけることも提案されてい
る。しかし、開口部３４を設ける場合、ペリクル枠３３
の現在の加工技術から、開口部３４の穴は小さくしよう
としても１ｍｍ弱となり、これでは異物が侵入する恐れ
がある。従って、開口部３４は常に開いておくことはで
きず、粘着テープ等で普段はふたをする必要がある。し
かし、常にペリクル３２を平坦に保つためには、常に気
圧を調整するための開口部３４がおいていることが望ま
しい、このように、ペリクル枠３３に開口部３４を設け
る方法は異物を侵入させて・はならないという課題を有
する。
をなくすために、第３図のようにペリクル枠３３の一部
に通気口となる開口部３４をあけることも提案されてい
る。しかし、開口部３４を設ける場合、ペリクル枠３３
の現在の加工技術から、開口部３４の穴は小さくしよう
としても１ｍｍ弱となり、これでは異物が侵入する恐れ
がある。従って、開口部３４は常に開いておくことはで
きず、粘着テープ等で普段はふたをする必要がある。し
かし、常にペリクル３２を平坦に保つためには、常に気
圧を調整するための開口部３４がおいていることが望ま
しい、このように、ペリクル枠３３に開口部３４を設け
る方法は異物を侵入させて・はならないという課題を有
する。
そこで、本発明はこのような課題を解決するもので、そ
の目的とするところは、常に開口部をあけたままでも、
異物の侵入をなくしかつ通気性を保つことにより、ペリ
クル面の平坦性を維持し、異物検査時の検出精度を高め
、半導体装置製造のフォト工程での異物転写に起因する
パターン欠陥を減らし、半導体装置の歩留りを向上する
ことにある。
の目的とするところは、常に開口部をあけたままでも、
異物の侵入をなくしかつ通気性を保つことにより、ペリ
クル面の平坦性を維持し、異物検査時の検出精度を高め
、半導体装置製造のフォト工程での異物転写に起因する
パターン欠陥を減らし、半導体装置の歩留りを向上する
ことにある。
【課題を解決するための手段１
（１）本発明のフォトマスクは、ペリクルを装着したフ
ォトマスクにおいて、前記フォトマスクへ、ペリクルを
装着するためのペリクル枠の少なくとも一部に開口部を
設け、前記開口部の断面形状が長方形でないことを特徴
とする。
ォトマスクにおいて、前記フォトマスクへ、ペリクルを
装着するためのペリクル枠の少なくとも一部に開口部を
設け、前記開口部の断面形状が長方形でないことを特徴
とする。
（２）本発明のフォトマスクは、第１項記載のフォトマ
スクにおいて、前記開口部の断面形状が、くの字型であ
ることを特徴とする。
スクにおいて、前記開口部の断面形状が、くの字型であ
ることを特徴とする。
（３）本発明のフォトマスクは、第１項または第２項記
載のフォトマスクにおいて、前記開口部に、粘着層ある
いは接着層が備えられたことを特徴とする。
載のフォトマスクにおいて、前記開口部に、粘着層ある
いは接着層が備えられたことを特徴とする。
（４）本発明の半導体装置の製造方法は、半導体装置製
造のフォト工程において、第１項、または、第２項、あ
るいは第３項記載のフォトマスクを用いることを特徴と
する特 〔実 施 例１ 第１図は、本発明のペリクルを装着したレティクルを示
す図であるが、従来と同様にペリクル１２は、ニトロセ
ルロースに代表される透明薄膜からなり、アルミ合金等
からなるペリクル枠１３を介して、レティクル１１から
ある一定の距離をおいて、レティクル１１上のパターン
部を保護するように覆って固定される。しかし、ペリク
ル枠１３の側面には、あらかじめ切削加工により、内側
と外側から斜め約４５度の穴をあけ、途中で交差するよ
うな開口部１４を一つ設ける。開口部１４の直径は、１
ｍｍ弱である。さらに、開口部１４には、１０〜２０μ
ｍ厚程度の粘着剤を塗り、粘着層１５を形成する。今回
、粘着剤にはアクリルエマルジョン系粘着剤を使用した
。このように加工したアルミ合金等をペリクル枠１３と
する。
造のフォト工程において、第１項、または、第２項、あ
るいは第３項記載のフォトマスクを用いることを特徴と
する特 〔実 施 例１ 第１図は、本発明のペリクルを装着したレティクルを示
す図であるが、従来と同様にペリクル１２は、ニトロセ
ルロースに代表される透明薄膜からなり、アルミ合金等
からなるペリクル枠１３を介して、レティクル１１から
ある一定の距離をおいて、レティクル１１上のパターン
部を保護するように覆って固定される。しかし、ペリク
ル枠１３の側面には、あらかじめ切削加工により、内側
と外側から斜め約４５度の穴をあけ、途中で交差するよ
うな開口部１４を一つ設ける。開口部１４の直径は、１
ｍｍ弱である。さらに、開口部１４には、１０〜２０μ
ｍ厚程度の粘着剤を塗り、粘着層１５を形成する。今回
、粘着剤にはアクリルエマルジョン系粘着剤を使用した
。このように加工したアルミ合金等をペリクル枠１３と
する。
以上述べたように、本発明によれば、
（１）開口部１４の断面形状が長方形、すなわち直線形
でないために異物がほとんど侵入しない（２）さらに開
口部１４に粘着層１５を備えることにより、異物が通過
しにくい ことにより、開口部１４に粘着テープ等のふたがなくと
も異物が直接レティクルパターン上に付着することなく
、かつ、開口部１４での通気性を十分に保ち、従ってペ
リクル１２、ペリクル枠１３、及びレティクル１１で囲
まれる密室の内圧と外圧が等しくなり、ペリクル面の変
形が防止できるという効果を有する。前記（１）が達成
できる理由としては、開口部１４から仮に異物が侵入し
ても、侵入した異物が少なくとも一回は開口部１４の側
面に衝突し、侵入するための速度を失うためと考えられ
る。また前記（２）が達成できる理由としては、開口部
１４から仮に異物が侵入しても、侵入した異物が粘着層
１５に付着し侵入が不可能となるためである。これらの
効果は、実験的にアルミニウム合金の板に同様な開口部
、粘着層を設け、強制的に異物を含んだ気流を流し、通
過した気流の中の異物をダストカウンターで測定した結
果から得られる。
でないために異物がほとんど侵入しない（２）さらに開
口部１４に粘着層１５を備えることにより、異物が通過
しにくい ことにより、開口部１４に粘着テープ等のふたがなくと
も異物が直接レティクルパターン上に付着することなく
、かつ、開口部１４での通気性を十分に保ち、従ってペ
リクル１２、ペリクル枠１３、及びレティクル１１で囲
まれる密室の内圧と外圧が等しくなり、ペリクル面の変
形が防止できるという効果を有する。前記（１）が達成
できる理由としては、開口部１４から仮に異物が侵入し
ても、侵入した異物が少なくとも一回は開口部１４の側
面に衝突し、侵入するための速度を失うためと考えられ
る。また前記（２）が達成できる理由としては、開口部
１４から仮に異物が侵入しても、侵入した異物が粘着層
１５に付着し侵入が不可能となるためである。これらの
効果は、実験的にアルミニウム合金の板に同様な開口部
、粘着層を設け、強制的に異物を含んだ気流を流し、通
過した気流の中の異物をダストカウンターで測定した結
果から得られる。
以上のように、本発明における前記開口部１４はあけた
ままでも、異物の侵入がなく、かつ通気性を保つことに
より、ペリクル面の平坦性を維持し、異物検査時の検出
精度を高め、半導体装置製造のフォト工程での異物の転
写に起因するパターン欠陥を減らし、半導体装置の歩留
りを向上できる。
ままでも、異物の侵入がなく、かつ通気性を保つことに
より、ペリクル面の平坦性を維持し、異物検査時の検出
精度を高め、半導体装置製造のフォト工程での異物の転
写に起因するパターン欠陥を減らし、半導体装置の歩留
りを向上できる。
さらに、開口部１４への断面形状は、実施例で述べたく
の字型に限らず、たとえばらせん状（第４図（ａ））、
７字状（第４図（ｂ））のようにな形でも同様な効果が
得られることは十分に予想される。
の字型に限らず、たとえばらせん状（第４図（ａ））、
７字状（第４図（ｂ））のようにな形でも同様な効果が
得られることは十分に予想される。
また、開口部１４はペリクル枠１３の側面に限らず、他
の位置に設けたり、複数箇所に設けたり、粘着剤あるい
は粘着剤も実施例に使用したものに限らず、その種類は
様々であることは言うまでもない。
の位置に設けたり、複数箇所に設けたり、粘着剤あるい
は粘着剤も実施例に使用したものに限らず、その種類は
様々であることは言うまでもない。
なお、縮小投影露光装置（ステッパー）に用いられるレ
ティクルに限らず、本発明を、ｌ：１投影露光装置用の
マスクに適用してもその効果は同様に期待できる。
ティクルに限らず、本発明を、ｌ：１投影露光装置用の
マスクに適用してもその効果は同様に期待できる。
第１図は本発明の一実施例であるペリクルを装置したフ
ォトマスクの断面図、第２図は従来のペリクルを装着し
たフォトマスクの投影図、第３図は従来の開口部をペリ
クル枠に持つペリクルを装着したフォトマスクの断面図
、第４図（ａ）及び第４図（ｂ）は、本発明のペリクル
枠の実施例を示すペリクル枠の断面図である。 目、２１．３ １２、２２、３ １３、２３、３ １４、３４、４ １５ ・ ・ ・ ・ ・ ｌ・・・・・・フォトマスク ２・・・・・・ペリクル ３・・・・・・ペリクル枠 ２．４３・・・開口部 ・・・・・・粘着層 以上 出願人 セイコーエプソン株式、会社 代理人 弁理士 鈴 木 喜三部（他１名）第 図 （ａ） 第３図 （ｂ）
ォトマスクの断面図、第２図は従来のペリクルを装着し
たフォトマスクの投影図、第３図は従来の開口部をペリ
クル枠に持つペリクルを装着したフォトマスクの断面図
、第４図（ａ）及び第４図（ｂ）は、本発明のペリクル
枠の実施例を示すペリクル枠の断面図である。 目、２１．３ １２、２２、３ １３、２３、３ １４、３４、４ １５ ・ ・ ・ ・ ・ ｌ・・・・・・フォトマスク ２・・・・・・ペリクル ３・・・・・・ペリクル枠 ２．４３・・・開口部 ・・・・・・粘着層 以上 出願人 セイコーエプソン株式、会社 代理人 弁理士 鈴 木 喜三部（他１名）第 図 （ａ） 第３図 （ｂ）
Claims (4)
- （１）ペリクルを装着したフォトマスクにおいて、前記
フォトマスクへ、ペリクルを装着するためのペリクル枠
の少なくとも一部に開口部を設け、前記開口部の断面形
状が長方形でないことを特徴とするフォトマスク。 - （２）前記開口部の断面形状が、くの字型であることを
特徴とする請求項１記載のフォトマスク。 - （３）前記開口部に、粘着層あるいは接着層が備えられ
たことを特徴とする請求項１、または請求項２記載のフ
ォトマスク。 - （４）半導体装置製造のフォト工程において、請求項１
、または、請求項２、あるいは請求項３記載のフォトマ
スクを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1269496A JPH02250055A (ja) | 1988-12-09 | 1989-10-17 | フォトマスク及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31128488 | 1988-12-09 | ||
| JP63-311284 | 1988-12-09 | ||
| JP1269496A JPH02250055A (ja) | 1988-12-09 | 1989-10-17 | フォトマスク及び半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02250055A true JPH02250055A (ja) | 1990-10-05 |
Family
ID=26548789
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1269496A Pending JPH02250055A (ja) | 1988-12-09 | 1989-10-17 | フォトマスク及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02250055A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05508487A (ja) * | 1991-05-17 | 1993-11-25 | デュポン・フォトマスクス・インコーポレイテッド | 圧力解放性ペリクル |
| WO1998002783A1 (en) * | 1996-07-17 | 1998-01-22 | Mitsui Chemicals, Inc. | Mask protecting device |
| KR20110055454A (ko) * | 2009-11-19 | 2011-05-25 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 리소그래피용 펠리클 |
| KR20110116964A (ko) | 2010-04-20 | 2011-10-26 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 펠리클 프레임의 통기공 내벽에 점착제를 도포하는 방법 |
| CN114200772A (zh) * | 2021-12-30 | 2022-03-18 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 光掩模板 |
-
1989
- 1989-10-17 JP JP1269496A patent/JPH02250055A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05508487A (ja) * | 1991-05-17 | 1993-11-25 | デュポン・フォトマスクス・インコーポレイテッド | 圧力解放性ペリクル |
| US6103427A (en) * | 1991-05-17 | 2000-08-15 | Dupont Photomasks, Inc. | Pressure relieving pellicle |
| WO1998002783A1 (en) * | 1996-07-17 | 1998-01-22 | Mitsui Chemicals, Inc. | Mask protecting device |
| KR20110055454A (ko) * | 2009-11-19 | 2011-05-25 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 리소그래피용 펠리클 |
| JP2011107519A (ja) * | 2009-11-19 | 2011-06-02 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | リソグラフィ用ペリクル |
| US8445165B2 (en) | 2009-11-19 | 2013-05-21 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Pellicle for lithography |
| KR20110116964A (ko) | 2010-04-20 | 2011-10-26 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 펠리클 프레임의 통기공 내벽에 점착제를 도포하는 방법 |
| JP2011227287A (ja) * | 2010-04-20 | 2011-11-10 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ペリクルフレームの通気孔内壁に粘着剤を塗布する方法 |
| CN114200772A (zh) * | 2021-12-30 | 2022-03-18 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 光掩模板 |
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