JPH02250347A - 半導体集積回路の検査方法 - Google Patents
半導体集積回路の検査方法Info
- Publication number
- JPH02250347A JPH02250347A JP7353889A JP7353889A JPH02250347A JP H02250347 A JPH02250347 A JP H02250347A JP 7353889 A JP7353889 A JP 7353889A JP 7353889 A JP7353889 A JP 7353889A JP H02250347 A JPH02250347 A JP H02250347A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor integrated
- integrated circuit
- chip
- light
- circuit chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 42
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 5
- 239000000523 sample Substances 0.000 abstract description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 238000011990 functional testing Methods 0.000 description 1
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体集積回路の製造工程における検査方法
に関するものである。
に関するものである。
従来の技術
従来、この種の検査方法は、半導体集積回路の製造工程
において、つＩバー段階で、電気特性の８機能検査をＩ
Ｃテスターを使って行い、所定の諸特性を満たさない半
導体集積回路チップを不良とし、それを認識させるため
に、第２図に示すようなインカーでインクを打っていた
。第２図において、半導体集積回路チップ１にプローブ
２を立てて、ＩＣテスターと半導体集積回路チップ１と
の電気接続を行って、諸機能検査の結果、不良と認識し
た場合、インク壺８の中にある針９を、電磁気コイル６
に電気を流ずことによって下方に動かし、インク壺８内
のインク７を半導体集積回路チップ１上に、第２図の１
０で示すように付着させるものであった。
において、つＩバー段階で、電気特性の８機能検査をＩ
Ｃテスターを使って行い、所定の諸特性を満たさない半
導体集積回路チップを不良とし、それを認識させるため
に、第２図に示すようなインカーでインクを打っていた
。第２図において、半導体集積回路チップ１にプローブ
２を立てて、ＩＣテスターと半導体集積回路チップ１と
の電気接続を行って、諸機能検査の結果、不良と認識し
た場合、インク壺８の中にある針９を、電磁気コイル６
に電気を流ずことによって下方に動かし、インク壺８内
のインク７を半導体集積回路チップ１上に、第２図の１
０で示すように付着させるものであった。
発明が解決しようとする課題
、しかしながら、このような従来の構成では、付着イン
ク１０を半導体集積回路チップ１に付けるときに、イン
カーの針９が、半導体集積回路チップ１に強く接触し、
半導体集積回路チップ１に表面上にある保護膜に傷が入
ったり、ときには半導体集積回覧チップ１の配線を切断
させるという問題があった。また、インク壺８の位置は
、半導体集積回路チップ１上に轟適に付着インク１０が
付くように設定する必要があり、インク壺８の位置の設
定には、熟練と時間が必要であるという問題があった。
ク１０を半導体集積回路チップ１に付けるときに、イン
カーの針９が、半導体集積回路チップ１に強く接触し、
半導体集積回路チップ１に表面上にある保護膜に傷が入
ったり、ときには半導体集積回覧チップ１の配線を切断
させるという問題があった。また、インク壺８の位置は
、半導体集積回路チップ１上に轟適に付着インク１０が
付くように設定する必要があり、インク壺８の位置の設
定には、熟練と時間が必要であるという問題があった。
本発明は上記問題を解決するもので、半導体集積回路チ
ップの保護膜の損傷や配線の切断を発生させることなく
、かつ熟練や多くの時間を要することのない半導体集積
回路の検査方法を得ることを目的とするものである。
ップの保護膜の損傷や配線の切断を発生させることなく
、かつ熟練や多くの時間を要することのない半導体集積
回路の検査方法を得ることを目的とするものである。
課題を解決するための手段
上記問題を解決するために本発明は、感光性物質が塗布
された半導体集積回路ウェハーに近接して、インカーの
代わりに光放射器を設置し、半導体集積回路の検査結果
にもとづいて放射光線により感光性物質を変質させ、良
品または不良品の識別表示をするものである。
された半導体集積回路ウェハーに近接して、インカーの
代わりに光放射器を設置し、半導体集積回路の検査結果
にもとづいて放射光線により感光性物質を変質させ、良
品または不良品の識別表示をするものである。
作用
上記構成により、たとえば、半導体集積回路が不良品で
ある場合、光放射器から放射される光線により、半導体
集積回路つＩバーに接触することなく、感光性物質を部
分的に変質させることにより識別表示ができ、半導体＊
ｉ回路チップの保護膜の損傷や配線の切断はなくなる。
ある場合、光放射器から放射される光線により、半導体
集積回路つＩバーに接触することなく、感光性物質を部
分的に変質させることにより識別表示ができ、半導体＊
ｉ回路チップの保護膜の損傷や配線の切断はなくなる。
実施例
以下、本発明の一実施例を図面に基づき説明する。
第１図は本発明の一実施例による半導体集積回路の検査
方法を示す要部側断面図である。第１図において、半導
体集積回路ウェハーの半導体集積回路チップ１１の表面
にはあらかじめ感光性物質１３が塗布される。この感光
性物質１３としては、たとえば、光を受けて発色または
変色するようなスピロピラン系の物質（ホトクロミズム
を起こす物質）が用いられる。半導体集積回路チップ１
１は電気的な機能検査を行うためのプローブ１２が接触
されて検査される。検査工程で不良チップであると判定
された場合には、この半導体集積回路チップ１１の軟貨
箇所上方に配設された光放射器１４が加熱されて感光性
物質１３に光線が放射され、感光性物質１３の感光した
部分に変色部１５が形成される。これにより半導体集積
回路の良品と不良品を目視により容易に識別できる。
方法を示す要部側断面図である。第１図において、半導
体集積回路ウェハーの半導体集積回路チップ１１の表面
にはあらかじめ感光性物質１３が塗布される。この感光
性物質１３としては、たとえば、光を受けて発色または
変色するようなスピロピラン系の物質（ホトクロミズム
を起こす物質）が用いられる。半導体集積回路チップ１
１は電気的な機能検査を行うためのプローブ１２が接触
されて検査される。検査工程で不良チップであると判定
された場合には、この半導体集積回路チップ１１の軟貨
箇所上方に配設された光放射器１４が加熱されて感光性
物質１３に光線が放射され、感光性物質１３の感光した
部分に変色部１５が形成される。これにより半導体集積
回路の良品と不良品を目視により容易に識別できる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、検査工程時、半導体集積
回路ウェハー上の半導体集積回路チップに光を放射する
という非接触方法によるため、従来のように、良品チッ
プまたは不良品チップにインクを付けるときに、半導体
集積回路つＩバー上に傷を与えたり、インク壺の設定に
熟練や時間を要するといった不都合を解決できる。
回路ウェハー上の半導体集積回路チップに光を放射する
という非接触方法によるため、従来のように、良品チッ
プまたは不良品チップにインクを付けるときに、半導体
集積回路つＩバー上に傷を与えたり、インク壺の設定に
熟練や時間を要するといった不都合を解決できる。
第１図は本発明の一実施例による半導゛体集積回路の検
査方法を示す要部側断面図、第２図は従来の半導体集積
回路の検査方法を示す要部側断面図である。 １１・・・半導体集積回路チップ、１２・・・プローブ
、１３・・・感光性物質、１４・・・光放射器、１５・
・・変色部（発色部）。 代理人 森 本 義 弘 第１図 ！！１．−半刷−本集積回馳ア Ｉ２・・・７０−ブ ７３・−・Ｘ光性初買 ！４°−”尤放射界 Ｉ５・−・変色部
査方法を示す要部側断面図、第２図は従来の半導体集積
回路の検査方法を示す要部側断面図である。 １１・・・半導体集積回路チップ、１２・・・プローブ
、１３・・・感光性物質、１４・・・光放射器、１５・
・・変色部（発色部）。 代理人 森 本 義 弘 第１図 ！！１．−半刷−本集積回馳ア Ｉ２・・・７０−ブ ７３・−・Ｘ光性初買 ！４°−”尤放射界 Ｉ５・−・変色部
Claims (1)
- １、半導体集積回路ウェハーの表面に感光性物質を塗布
し、この半導体集積回路ウェハーに近接して光放射器を
設置し、前記半導体集積回路ウェハーの集積回路の検査
結果にもとづき、前記光放射器から放射される光線によ
り、前記感光性物質を変質させることにより、前記半導
体集積回路の良品または不良品の識別表示をする半導体
集積回路の検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7353889A JPH02250347A (ja) | 1989-03-23 | 1989-03-23 | 半導体集積回路の検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7353889A JPH02250347A (ja) | 1989-03-23 | 1989-03-23 | 半導体集積回路の検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02250347A true JPH02250347A (ja) | 1990-10-08 |
Family
ID=13521111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7353889A Pending JPH02250347A (ja) | 1989-03-23 | 1989-03-23 | 半導体集積回路の検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02250347A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05283488A (ja) * | 1992-03-30 | 1993-10-29 | Nec Corp | 半導体装置 |
-
1989
- 1989-03-23 JP JP7353889A patent/JPH02250347A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05283488A (ja) * | 1992-03-30 | 1993-10-29 | Nec Corp | 半導体装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6268717B1 (en) | Semiconductor test structure with intentional partial defects and method of use | |
| JP3150324B2 (ja) | 薄膜トランジスタ基板の検査方法および薄膜トランジスタ基板の配線修正方法 | |
| JPH02186279A (ja) | 試験用ｔａｂフレームとその試験方法 | |
| JPH04124848A (ja) | ワイヤボンディング検査装置 | |
| US6405359B1 (en) | Method for backside failure analysis requiring simple bias conditions | |
| US6121059A (en) | Method and apparatus for identifying failure sites on IC chips | |
| JPH02250347A (ja) | 半導体集積回路の検査方法 | |
| US6407564B1 (en) | Universal BGA board for failure analysis and method of using | |
| US4572886A (en) | Optical method for integrated circuit bar identification | |
| US6184046B1 (en) | Non-contact voltage stressing method for thin dielectrics at the wafer level | |
| JPS6024031A (ja) | 半導体ウエハプロ−バ | |
| JP2952882B2 (ja) | Ｉｃウェハ及びｉｃの良否識別方法 | |
| JP2839411B2 (ja) | 不良ｉｃの検査装置 | |
| JPS5821838A (ja) | ウエハテストシステム | |
| JPH01218037A (ja) | 半導体ウェハの検査方法 | |
| JPS63102332A (ja) | 半導体装置の検査方法 | |
| JPS63170933A (ja) | ウエ−ハプロ−バ | |
| JPH054478U (ja) | 半導体チツプ | |
| JPH0346246A (ja) | 検査装置 | |
| JPS6031246A (ja) | マ−キング方法およびその装置 | |
| JPH01108737A (ja) | 半導体集積回路の検査方法 | |
| JP3104675B2 (ja) | 回路基板およびそのマーキング方法 | |
| JPS6399541A (ja) | 半導体ウエハプロ−バ装置 | |
| JPS6234141B2 (ja) | ||
| JPH02165649A (ja) | プローブカード |