JPS6031246A - マ−キング方法およびその装置 - Google Patents
マ−キング方法およびその装置Info
- Publication number
- JPS6031246A JPS6031246A JP58140824A JP14082483A JPS6031246A JP S6031246 A JPS6031246 A JP S6031246A JP 58140824 A JP58140824 A JP 58140824A JP 14082483 A JP14082483 A JP 14082483A JP S6031246 A JPS6031246 A JP S6031246A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- marking
- characters
- emitted
- symbols
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W46/00—Marks applied to devices, e.g. for alignment or identification
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W46/00—Marks applied to devices, e.g. for alignment or identification
- H10W46/601—Marks applied to devices, e.g. for alignment or identification for use after dicing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W46/00—Marks applied to devices, e.g. for alignment or identification
- H10W46/601—Marks applied to devices, e.g. for alignment or identification for use after dicing
- H10W46/603—Formed on wafers or substrates before dicing and remaining on chips after dicing
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体基板に形成された半導体装置へのマーキ
ング方法及びマーキング装（至）−に力・かり、とくに
半導体４に慟（ＩＣ）の検査工程において、ＩＣの電気
的特性を測定し、良品、不良品の判定を行ない、不良品
にマーキングする際のマーキング方法および、このマー
キング方法を実施するのに用いるマーキング装置に関す
る。
ング方法及びマーキング装（至）−に力・かり、とくに
半導体４に慟（ＩＣ）の検査工程において、ＩＣの電気
的特性を測定し、良品、不良品の判定を行ない、不良品
にマーキングする際のマーキング方法および、このマー
キング方法を実施するのに用いるマーキング装置に関す
る。
従来、ウェーハ（半導体基板）状態のＩＣ検査工程にお
いて、ウェーハを間欠送りしながらこのウェーハに形成
されているＩＣの電気的特性を自動的に測定し、良品、
不良品の判定を行なうシステムがある。このシステムは
通常ＩＣテスタと呼ばれる試験装置と、プローパと呼ば
れる電極接触装置とから成シ、間欠送りのウェーハ上で
、その都度ＩＣとの接触をとり、Ｉｃテスタにより電気
的特性を測定している。
いて、ウェーハを間欠送りしながらこのウェーハに形成
されているＩＣの電気的特性を自動的に測定し、良品、
不良品の判定を行なうシステムがある。このシステムは
通常ＩＣテスタと呼ばれる試験装置と、プローパと呼ば
れる電極接触装置とから成シ、間欠送りのウェーハ上で
、その都度ＩＣとの接触をとり、Ｉｃテスタにより電気
的特性を測定している。
前記測定終了後、不良品のＩＣにマーキングを施し、Ｉ
Ｃの良品と不良品の選別を行なわなければならない。こ
のマーキングには、インクマーキングと、スクラッチマ
ーキングと、レーザマーキングがあｐ、この３種類のマ
ーキングのうち、インクマーキングとレーザマーキング
は、マーキング跡が約５０〜３００μｍ位の円形の形状
にマーキングされる。このため特定のＩＣでは不良マー
クが見え易いが他のＩＣでは見えにくい。たとえば、同
一素子が数多く並んだＩＣや、外形の小さいＩＣ等鉱比
較的見え易いが、外形が大きくかつ異なる素子が複雑に
組み合わさった回路のＩＣは非常に見えに〈＜、検査に
は多大な作業工数を費やしていた。また、スクラッチマ
ーキングでは、ＩＣ表面に細長い傷を付ける方法である
が、この方法においても、前記と同様な問題があり、さ
らにはＩＣ表面の材質又は回路素子の密度が小さい場合
などは前記同様に見にくい。１だ、スクラッチマーキン
グ特有の問題と［７ては、スクラッチイン力の調整及び
取り付は部品材質、あるいは形状により、ウェーハを破
損してしまうことがある。
Ｃの良品と不良品の選別を行なわなければならない。こ
のマーキングには、インクマーキングと、スクラッチマ
ーキングと、レーザマーキングがあｐ、この３種類のマ
ーキングのうち、インクマーキングとレーザマーキング
は、マーキング跡が約５０〜３００μｍ位の円形の形状
にマーキングされる。このため特定のＩＣでは不良マー
クが見え易いが他のＩＣでは見えにくい。たとえば、同
一素子が数多く並んだＩＣや、外形の小さいＩＣ等鉱比
較的見え易いが、外形が大きくかつ異なる素子が複雑に
組み合わさった回路のＩＣは非常に見えに〈＜、検査に
は多大な作業工数を費やしていた。また、スクラッチマ
ーキングでは、ＩＣ表面に細長い傷を付ける方法である
が、この方法においても、前記と同様な問題があり、さ
らにはＩＣ表面の材質又は回路素子の密度が小さい場合
などは前記同様に見にくい。１だ、スクラッチマーキン
グ特有の問題と［７ては、スクラッチイン力の調整及び
取り付は部品材質、あるいは形状により、ウェーハを破
損してしまうことがある。
本発明の目的は、ウェーハを破損することなく多種のＩ
Ｃに非常に見え易すいマーキングを可能とするマーキン
グ方法およびその装置を提供するにある。
Ｃに非常に見え易すいマーキングを可能とするマーキン
グ方法およびその装置を提供するにある。
本発明のマーキング方法は、インクマーキン久レーザマ
ーキングの各マーキング法それぞれが、マーキングの文
字、記号を放出源から放出する放出ビームを用いて半導
体１に板に形成されｆＣ半導体装置上にマーキングする
ものである。
ーキングの各マーキング法それぞれが、マーキングの文
字、記号を放出源から放出する放出ビームを用いて半導
体１に板に形成されｆＣ半導体装置上にマーキングする
ものである。
レーザマーキングでは、レーザの出力を大きくし、レー
ザ至光体とウェーハ間に、ガラス又は石英等の透明板に
レーザを遮る材料をマーキングを希望する領域以外の面
に形成した板を設置す、ｔ、、レーザをＩＣに向は照射
することによ勺前記透明板のレーザを遜る材料のない透
過部分で形作られたマークを、ＩＣ表面に表わすことが
できる。又、インクマーキングについては、インクジェ
ット方式のマーキングによりマーキングを施すもので、
ＩＣテスタによって電気的特性が測定された結果の内容
に合せた文字、記号をＩＣ表面に表わすものである。た
とえは、ＩＣがＩＣテスタによって電気的特性を測定す
るが、特定の試験項目別にインクジェット装置Ｌｌｉ、
ＶＣ信号が流れ込むようｅ（取り決めをしておき、ＩＣ
の電気的％ ｆｌの試験項目かが初から不良の場合はＩ
Ｃに例えはＡをマークし、試験項目の途中から不良にな
った場合は、例えばＡをマークし、試験項目の途中から
不良になった場合は、例えばＢと言うようにＩＣ表面に
マーキングするのである。
ザ至光体とウェーハ間に、ガラス又は石英等の透明板に
レーザを遮る材料をマーキングを希望する領域以外の面
に形成した板を設置す、ｔ、、レーザをＩＣに向は照射
することによ勺前記透明板のレーザを遜る材料のない透
過部分で形作られたマークを、ＩＣ表面に表わすことが
できる。又、インクマーキングについては、インクジェ
ット方式のマーキングによりマーキングを施すもので、
ＩＣテスタによって電気的特性が測定された結果の内容
に合せた文字、記号をＩＣ表面に表わすものである。た
とえは、ＩＣがＩＣテスタによって電気的特性を測定す
るが、特定の試験項目別にインクジェット装置Ｌｌｉ、
ＶＣ信号が流れ込むようｅ（取り決めをしておき、ＩＣ
の電気的％ ｆｌの試験項目かが初から不良の場合はＩ
Ｃに例えはＡをマークし、試験項目の途中から不良にな
った場合は、例えばＡをマークし、試験項目の途中から
不良になった場合は、例えばＢと言うようにＩＣ表面に
マーキングするのである。
つぎに本発明を実施例により説明する。
第１図は本発明の一実施例を説明するための側面図であ
る。第１図において、載置台１の上に被検査ウェーハ２
が載置され、ウェーハ２に形成されているＩＣＩＣ対し
、プローバ３の探針４を接触し、ＩＣの特性測定が行わ
れる。測定結果不良となったものに対しては、マスク板
７を通してレーザ発光体５から放射されるレーザ光６を
照射する。
る。第１図において、載置台１の上に被検査ウェーハ２
が載置され、ウェーハ２に形成されているＩＣＩＣ対し
、プローバ３の探針４を接触し、ＩＣの特性測定が行わ
れる。測定結果不良となったものに対しては、マスク板
７を通してレーザ発光体５から放射されるレーザ光６を
照射する。
マスク板７は、石英などの透明板８の上に遮光膜９が形
成されて成るものであシ、遮光膜９は、レーザ光を遮る
物質を、蒸着、スパッタ、エツチング、コーティングな
どの技術を用いて形成され、レーザ光によ！ｌｌ変化し
ない物質が選はれ、そして。
成されて成るものであシ、遮光膜９は、レーザ光を遮る
物質を、蒸着、スパッタ、エツチング、コーティングな
どの技術を用いて形成され、レーザ光によ！ｌｌ変化し
ない物質が選はれ、そして。
例えに第２図の平面図に示すように、不良を示すＸの形
を除いた部分にのみ形成されているので、レーザ光６は
Ｘの形の透過部を通ってウェーハ２の上に照射され、第
３図の平面図に示すように、ウェーハに形成されている
ＩＣ２ａｌＣ対し、不良のものには不良表示のＸのマー
ク１ｏケ付ける。
を除いた部分にのみ形成されているので、レーザ光６は
Ｘの形の透過部を通ってウェーハ２の上に照射され、第
３図の平面図に示すように、ウェーハに形成されている
ＩＣ２ａｌＣ対し、不良のものには不良表示のＸのマー
ク１ｏケ付ける。
マスク板７はレーザ発光体５とウェーハ２との間に置か
れるが、できるたけウェーハ２の近くに設置した方が、
マスク板の透過部と１．て形成した文字、記号のマーク
が鮮明にマーキングできる。
れるが、できるたけウェーハ２の近くに設置した方が、
マスク板の透過部と１．て形成した文字、記号のマーク
が鮮明にマーキングできる。
また、遮九部９の面がレーザ光６の中心線に対して直角
で、かつ平坦でなければ、レーザ光６が故乱し７て鮮明
なマーキングが不ロエ能になる。
で、かつ平坦でなければ、レーザ光６が故乱し７て鮮明
なマーキングが不ロエ能になる。
第４図ｔま本発明の他の実施例を説明するための側面図
である。第４図において、載１６６台１、ウェーハ】２
、プローバ３は第１図の例と同様に設置され、ウェーハ
１２に形成されたＩＣに対しては、インクジェット装置
ｋ’ｔ＋１から放出さｔ’Ｌるインクジェット１３によ
り、ＩＣ上に所望のマークが付はラレル。この所望マー
クは、ｌＣテスタ１４による測定項目に対応し、ｌＣテ
スタ１４の含む制御部からインクジェット装置ｌｌに送
らｉＬる信号により選択される。
である。第４図において、載１６６台１、ウェーハ】２
、プローバ３は第１図の例と同様に設置され、ウェーハ
１２に形成されたＩＣに対しては、インクジェット装置
ｋ’ｔ＋１から放出さｔ’Ｌるインクジェット１３によ
り、ＩＣ上に所望のマークが付はラレル。この所望マー
クは、ｌＣテスタ１４による測定項目に対応し、ｌＣテ
スタ１４の含む制御部からインクジェット装置ｌｌに送
らｉＬる信号により選択される。
インクジェット方式のインクマーキングにつぃて最も大
事な事は、インクの粘度を適度に保つことである。この
方式は、ｌＣテスタで電気的特性の試験を行なう時に特
定な試験項目で不良になるこの試験項目の各項目別に種
々の信′＠を決めておき、これらの信号とマークしたい
文字あるいは記号とを対応させ、ＩＣの電気的特性の試
験が不良になった時にＩＣテスタ１４の制御部からイン
クジェット装置１１に信号が送られ、第５図の平面図に
示すように、この信号１／Ｃ対応する文字あるいは記号
、例えばＡ、Ｌ Ｃが試験された不良■Ｃｌ２ａの表面
にマーキング垢れる。
事な事は、インクの粘度を適度に保つことである。この
方式は、ｌＣテスタで電気的特性の試験を行なう時に特
定な試験項目で不良になるこの試験項目の各項目別に種
々の信′＠を決めておき、これらの信号とマークしたい
文字あるいは記号とを対応させ、ＩＣの電気的特性の試
験が不良になった時にＩＣテスタ１４の制御部からイン
クジェット装置１１に信号が送られ、第５図の平面図に
示すように、この信号１／Ｃ対応する文字あるいは記号
、例えばＡ、Ｌ Ｃが試験された不良■Ｃｌ２ａの表面
にマーキング垢れる。
このインクジェット方式によるマークは、手込なインク
の点で文字あるいは記号を表示する１辷め、従来のよう
に大きなインク打点をする必要がなく、インクの乾きが
速いという利点もある。しかし、もっと大きな利点は、
どのようなＩＣにでもマークを付けられ、このマークが
人間の肉眼でも見易すい事である。
の点で文字あるいは記号を表示する１辷め、従来のよう
に大きなインク打点をする必要がなく、インクの乾きが
速いという利点もある。しかし、もっと大きな利点は、
どのようなＩＣにでもマークを付けられ、このマークが
人間の肉眼でも見易すい事である。
第１図は本発明の一実施例のマーキング装部と被検査半
導体基板（ウェーハ）を示す側面図、第２図は第１図の
マスク板の平面図、η）３図は第１図の被検査ウェーハ
の平面し１でおる。第４図は本発明の他の実施例と被検
査ウェーハを示す側面図、第５図は第４図の被検査ウェ
ーハの平面図である。 ｌ・・・・・・ウェーハ載置台、２．１２・・・・・・
＃へ・体卑＆（ウェーハ）、２ａ、１２ａ・・・・・・
ＩＣ，３・・・・・・プローバ、５・・・・・・レーザ
タ九体、６・・・・・レーザブ０．７・・・・・・マス
ク板、８・・・・・・透明板、９・・・・・・暑ｉ胆−
１１０・・・・・・不良記号、１１・・・・・・インク
ジュツトＶ１１３・・・・・・インクジェット、１４・
・・・・・ｌＣテスタ。 イ、い １．□ 、ウ 。１．・じ、１ｆ ｌ 図 も ２ 図 爲３ 図 ３４ 図 乙？ 弔 Ｓ し］
導体基板（ウェーハ）を示す側面図、第２図は第１図の
マスク板の平面図、η）３図は第１図の被検査ウェーハ
の平面し１でおる。第４図は本発明の他の実施例と被検
査ウェーハを示す側面図、第５図は第４図の被検査ウェ
ーハの平面図である。 ｌ・・・・・・ウェーハ載置台、２．１２・・・・・・
＃へ・体卑＆（ウェーハ）、２ａ、１２ａ・・・・・・
ＩＣ，３・・・・・・プローバ、５・・・・・・レーザ
タ九体、６・・・・・レーザブ０．７・・・・・・マス
ク板、８・・・・・・透明板、９・・・・・・暑ｉ胆−
１１０・・・・・・不良記号、１１・・・・・・インク
ジュツトＶ１１３・・・・・・インクジェット、１４・
・・・・・ｌＣテスタ。 イ、い １．□ 、ウ 。１．・じ、１ｆ ｌ 図 も ２ 図 爲３ 図 ３４ 図 乙？ 弔 Ｓ し］
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １） 半導体基板に形成された半導体装置を検査して不
良品の半導体装置に文字または記号のマーキングを行う
に際し、放出源から放出された放出ビームを前記不良の
半導体装直に当て、この不良半導体装置に前記の文字ま
ｆｃは記号をマーキングすることを特徴とするマーキン
グ方法。 ２）半導体基板に形成された半導体装置を検査して不良
品の半導体装置に放出ビームを用いて〆／大文字たは記
号をマーキンク′するマーキング装置において、前記半
導体基板を載置する載置台と、この載置台の上［置か扛
た半導体基板に形成されている半導体装置にマーキング
するための放出ビームを放出する放出源とを備えたこと
を特徴とするマーキング装置、 ３） 上記放出ビームはレーザ光であって、上記マーキ
ングの文字または記号は、上記放出源と半導体基板との
間に設置されたマスク板の透過部を通るレーザ光により
なされることを特徴とする特許請求の範囲第２項に起重
□、５のマーキング装置。 ４） 上記放出ビームがインクジェットであることを特
徴とする特許請求の範囲第２項に記載のマーキング装置
。 ５）上記放出ビームがインクジェットであって、かつ上
記マーキングの文字、捷たは記号ｅユ上記半導体装簡の
測定項目に対応して予じめ定めらｎ、た種類の文字また
は記号が選択きれることを特徴とする特許請求の範囲第
２項に記載のマーキング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58140824A JPS6031246A (ja) | 1983-08-01 | 1983-08-01 | マ−キング方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58140824A JPS6031246A (ja) | 1983-08-01 | 1983-08-01 | マ−キング方法およびその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6031246A true JPS6031246A (ja) | 1985-02-18 |
Family
ID=15277570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58140824A Pending JPS6031246A (ja) | 1983-08-01 | 1983-08-01 | マ−キング方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6031246A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6559409B1 (en) * | 1994-12-09 | 2003-05-06 | Sgs-Thomson Microelectronics S.A. | Method for marking integrated circuits with a laser |
| CN102259491A (zh) * | 2011-06-10 | 2011-11-30 | 哈尔滨工业大学深圳研究生院 | 压电驱动喷射式打点器 |
-
1983
- 1983-08-01 JP JP58140824A patent/JPS6031246A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6559409B1 (en) * | 1994-12-09 | 2003-05-06 | Sgs-Thomson Microelectronics S.A. | Method for marking integrated circuits with a laser |
| CN102259491A (zh) * | 2011-06-10 | 2011-11-30 | 哈尔滨工业大学深圳研究生院 | 压电驱动喷射式打点器 |
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