JPH02250366A - ソルダー材付きアウターリード用リードフレーム - Google Patents
ソルダー材付きアウターリード用リードフレームInfo
- Publication number
- JPH02250366A JPH02250366A JP1070448A JP7044889A JPH02250366A JP H02250366 A JPH02250366 A JP H02250366A JP 1070448 A JP1070448 A JP 1070448A JP 7044889 A JP7044889 A JP 7044889A JP H02250366 A JPH02250366 A JP H02250366A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- leads
- tips
- solder material
- lead frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3465—Application of solder
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、サイドプレイズド型セラミック半導体装置に
使用されるアウターリード用リードフレームに関する。
使用されるアウターリード用リードフレームに関する。
[従来の技術]
高信頼性ICのセラミック半導体装置として第3図に示
す型のものが使用されている。このセラミック半導体装
置では、半導体チップと外部との間で電気信号の導通を
行う金属製のアウターリード10が、Ag合金等のソル
ダー材によってセラミックパッケージ12の側面に接合
されている。
す型のものが使用されている。このセラミック半導体装
置では、半導体チップと外部との間で電気信号の導通を
行う金属製のアウターリード10が、Ag合金等のソル
ダー材によってセラミックパッケージ12の側面に接合
されている。
アウターリード10の接合方法としては、第4図、第5
図に示すようにアウターリード10をリードフレーム1
4の形にし、さらに各リードの先端にソルダー材16を
クラッドしたものを用意し、セラミックパッケージ12
に位置合せして重ね、溶融させて接合する方法が用いら
れていた。
図に示すようにアウターリード10をリードフレーム1
4の形にし、さらに各リードの先端にソルダー材16を
クラッドしたものを用意し、セラミックパッケージ12
に位置合せして重ね、溶融させて接合する方法が用いら
れていた。
[発明が解決しようとする課題]
しかし、アウターリード用リードフレームのセラミック
パッケージに対する重ね合わせが難しく、結線不良が発
生しやすいという問題があった。
パッケージに対する重ね合わせが難しく、結線不良が発
生しやすいという問題があった。
特に、近年、電子デバイスの小型化・高密度化に件いリ
ードフレーム材の薄物化が進むにつれて、この問題が注
目されてきた。
ードフレーム材の薄物化が進むにつれて、この問題が注
目されてきた。
具体的には、例えば、厚さ0.07mmのフレ−ム材も
使用されている。又、リード幅、リードピッチも狭くな
り、リード幅0.2mmのフレーム材も使用されている
。このように薄物化・細幅化したリードでは、接合ハン
ドリング時にリード先端部が変形することが大きなrr
tu点となっている。
使用されている。又、リード幅、リードピッチも狭くな
り、リード幅0.2mmのフレーム材も使用されている
。このように薄物化・細幅化したリードでは、接合ハン
ドリング時にリード先端部が変形することが大きなrr
tu点となっている。
このようなリード先端部の変形は、リード先端部が互い
に離れていて不揃いに動きやすいからであり、リード先
端部を互いに連結できれば、リード先端部の変形を防止
できることが分かった。
に離れていて不揃いに動きやすいからであり、リード先
端部を互いに連結できれば、リード先端部の変形を防止
できることが分かった。
従って、プラスチックパッケージに使用されているリー
ドフレーム材では、ポリイミドテープをリードに接着さ
せてリード変形を防止するテーピングが行われている。
ドフレーム材では、ポリイミドテープをリードに接着さ
せてリード変形を防止するテーピングが行われている。
しかし、このようなテーピングは、リードフレーム材が
プラスチックパッケージのように覆われないでバラゲー
ジ外部に露出するセラミックパッケージでは許されない
ことであった。
プラスチックパッケージのように覆われないでバラゲー
ジ外部に露出するセラミックパッケージでは許されない
ことであった。
本発明は、前述のような課題を解決し、リードとセラミ
ックパッケージとの接合におけるリードの変形を防止す
るために、リード先端部を細長いテープ状のソルダー材
で固定し、高密度・小型セラミックパッケージへの高精
度接合を可能にすることを目的としている。
ックパッケージとの接合におけるリードの変形を防止す
るために、リード先端部を細長いテープ状のソルダー材
で固定し、高密度・小型セラミックパッケージへの高精
度接合を可能にすることを目的としている。
[課題を解決するための手段]
サイドブレイズド型セラミック半導体装置に使用される
本発明のアウターリード用リードフレームは、複数のリ
ードの各リード先端部が細長いテープ状のソルダー材に
よって互いに固定され、不揃いな動きが見られないよう
になっている。
本発明のアウターリード用リードフレームは、複数のリ
ードの各リード先端部が細長いテープ状のソルダー材に
よって互いに固定され、不揃いな動きが見られないよう
になっている。
[作用]
上記のように構成されたリードフレームのリード先端部
にはAuメツキ等のメツキ処理が施されている。そして
、その上に細長いテープ状のソルダー材が取り付けられ
るが、この取り付けはリードフレームを静置してできる
ので、ソルダー材の取り付けに際しリード先端部が乱れ
て変形することはない。
にはAuメツキ等のメツキ処理が施されている。そして
、その上に細長いテープ状のソルダー材が取り付けられ
るが、この取り付けはリードフレームを静置してできる
ので、ソルダー材の取り付けに際しリード先端部が乱れ
て変形することはない。
このようにソルダー材を固定手段として活用した本発明
のリードフレームは、411I長いテープ状のソルダー
材でリード先端部が一列に並んで互いに固定された構造
になっているため、リード先端部が不揃いに動くことが
ない、従って、接合ハンドリングがなめらかに行われる
ので、リード変形が防止できる。
のリードフレームは、411I長いテープ状のソルダー
材でリード先端部が一列に並んで互いに固定された構造
になっているため、リード先端部が不揃いに動くことが
ない、従って、接合ハンドリングがなめらかに行われる
ので、リード変形が防止できる。
さらに、本発明のリードフレームは、セラミックパッケ
ージに接合するとき、リード先端部の位置決めが正確に
行える。従って、接合ソルダリング時にはセラミックパ
ッケージのリード接合部のみにメタライズ処理を施すこ
とができ、接合部が融点以上に加熱されたとき、溶融し
たソルダー材はリード接合部のみに溶着されることにな
る。
ージに接合するとき、リード先端部の位置決めが正確に
行える。従って、接合ソルダリング時にはセラミックパ
ッケージのリード接合部のみにメタライズ処理を施すこ
とができ、接合部が融点以上に加熱されたとき、溶融し
たソルダー材はリード接合部のみに溶着されることにな
る。
こうして接合された後のアウターリードは、各リードが
分離した状態を維持でき、その目的である電気信号の導
通を完全に達成できる。
分離した状態を維持でき、その目的である電気信号の導
通を完全に達成できる。
[実施例]
厚さ0.1mmのリードフレーム用Fe−N1−Co合
金(コバール)をエツチング加工して、@20mm、長
さ100mmの第1因、第2図に示す形状のサイドブレ
イズド型リードフレーム14を得た。このリードフレー
ム14のアウターリード10のリード先端部幅は0.3
mmであった。
金(コバール)をエツチング加工して、@20mm、長
さ100mmの第1因、第2図に示す形状のサイドブレ
イズド型リードフレーム14を得た。このリードフレー
ム14のアウターリード10のリード先端部幅は0.3
mmであった。
このリードフレーム14に厚さ3μmのAgメツキを施
した。
した。
次に、アウターリード接合用にA g / 28 Cu
合金(融点780℃)のろう材すなわちソルダー材16
を厚さ0.2mmの細長いテープ状に加工した後、リー
ド先端部に整合するように94mmの長さにカッティン
グした。
合金(融点780℃)のろう材すなわちソルダー材16
を厚さ0.2mmの細長いテープ状に加工した後、リー
ド先端部に整合するように94mmの長さにカッティン
グした。
第1図、第2図に示すように、ソルダー材16をリード
フレーム14のリード10の先端部に重ね合せた後、不
活性ガス中で、250〜300℃、30〜50g/mr
d、15〜20秒の条件で熱圧着し、第1図に示すよう
に、ソルダー材16を取り付けた一体型のリードフレー
ム14を得た。尚、この熱圧着においてソルダー材16
にめだった外形の崩れはなかった。
フレーム14のリード10の先端部に重ね合せた後、不
活性ガス中で、250〜300℃、30〜50g/mr
d、15〜20秒の条件で熱圧着し、第1図に示すよう
に、ソルダー材16を取り付けた一体型のリードフレー
ム14を得た。尚、この熱圧着においてソルダー材16
にめだった外形の崩れはなかった。
一方、ろう付は部のみにメタライズ処理を施したセラミ
ックパッケージ(図示せず)を用意し、本発明によるA
g合金ソルダー材付きリードフレーム14を当該セラミ
ックパッケージの側面に位!合わせし、還元雰囲気中で
850℃まで加熱し、Ag合金ソルダー材16を溶融さ
せ、アウターリード10とセラミックパッケージを接合
させ、側面にリードを持つ良好な高信頼性サイドブレイ
ズド型セラミック半導体装置を得た。この接合ハンドリ
ング時にアウターリード10の変形がなく、半導体装置
の品質が向上した。
ックパッケージ(図示せず)を用意し、本発明によるA
g合金ソルダー材付きリードフレーム14を当該セラミ
ックパッケージの側面に位!合わせし、還元雰囲気中で
850℃まで加熱し、Ag合金ソルダー材16を溶融さ
せ、アウターリード10とセラミックパッケージを接合
させ、側面にリードを持つ良好な高信頼性サイドブレイ
ズド型セラミック半導体装置を得た。この接合ハンドリ
ング時にアウターリード10の変形がなく、半導体装置
の品質が向上した。
本発明では、Ag合金ソルダー材のみならず、Au合金
ソルダー材、pb金合金、各種の合金ソルダー材に関し
ても同様の加工が得られた。
ソルダー材、pb金合金、各種の合金ソルダー材に関し
ても同様の加工が得られた。
[発明の効果]
本発明は、以上説明したように構成されているので、以
下に記載されるような効果を奏する。
下に記載されるような効果を奏する。
(1)小型化・高密度化の進んだサイドブレイズド型セ
ラミック半導体装置においてリードフレーム材が薄物化
・狭幅化した場合にも、リード変形防止の効果が極めて
大きい。
ラミック半導体装置においてリードフレーム材が薄物化
・狭幅化した場合にも、リード変形防止の効果が極めて
大きい。
(2)ソルダー材とリードフレームが一体化しており、
組立工程での歩留向上・工数削減が達成できる。
組立工程での歩留向上・工数削減が達成できる。
第1図は、本発明にがかるアウターリード用リードフレ
ームの平面図である。 第2図は、第1図のアウターリード用リードフレームの
側面図である。 第3図は、本発明にかかるアウターリード用リードフレ
ームを使用しうる型のセラミック半導体装置の斜視図で
ある。 第4図は、従来のアウターリード用リードフレームの平
面図である。 第5図は、第3図のアウターリード用リードフレームの
側面図である。 (この頁以下余白) 図中、参照数字は次のものを表す。 10・ ・ ・リード、 12・・・セラミックパッケージ、 14・・・リードフレーム、 16・・・ソルダー材、
ームの平面図である。 第2図は、第1図のアウターリード用リードフレームの
側面図である。 第3図は、本発明にかかるアウターリード用リードフレ
ームを使用しうる型のセラミック半導体装置の斜視図で
ある。 第4図は、従来のアウターリード用リードフレームの平
面図である。 第5図は、第3図のアウターリード用リードフレームの
側面図である。 (この頁以下余白) 図中、参照数字は次のものを表す。 10・ ・ ・リード、 12・・・セラミックパッケージ、 14・・・リードフレーム、 16・・・ソルダー材、
Claims (1)
- サイドブレイズド型セラミック半導体装置に使用され、
複数のリードを有するアウターリード用リードフレーム
であって、各リードの先端が細長いテープ状のソルダー
材によって互いに固定されていることを特徴とする、ソ
ルダー材付きアウターリード用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1070448A JPH02250366A (ja) | 1989-03-24 | 1989-03-24 | ソルダー材付きアウターリード用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1070448A JPH02250366A (ja) | 1989-03-24 | 1989-03-24 | ソルダー材付きアウターリード用リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02250366A true JPH02250366A (ja) | 1990-10-08 |
Family
ID=13431795
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1070448A Pending JPH02250366A (ja) | 1989-03-24 | 1989-03-24 | ソルダー材付きアウターリード用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02250366A (ja) |
-
1989
- 1989-03-24 JP JP1070448A patent/JPH02250366A/ja active Pending
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