JPH02253236A - 非線形抵抗素子の製造方法 - Google Patents
非線形抵抗素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH02253236A JPH02253236A JP1075565A JP7556589A JPH02253236A JP H02253236 A JPH02253236 A JP H02253236A JP 1075565 A JP1075565 A JP 1075565A JP 7556589 A JP7556589 A JP 7556589A JP H02253236 A JPH02253236 A JP H02253236A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nonlinear resistance
- film
- etching
- photolithography
- resistance element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 abstract description 14
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 11
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P ceric ammonium nitrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[Ce+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYLBTCQBKAKUTJ-UHFFFAOYSA-N 7-methyl-6,8-bis(methylsulfanyl)pyrrolo[1,2-a]pyrazine Chemical compound C1=CN=CC2=C(SC)C(C)=C(SC)N21 MYLBTCQBKAKUTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1365—Active matrix addressed cells in which the switching element is a two-electrode device
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野Ｊ
本発明は、液晶等と組み合わせて画像表示装置を構成す
る非線形抵抗素子の製造方法に関する。
る非線形抵抗素子の製造方法に関する。
〔発明の概゛要］
本発明は、非線形抵抗素子の製造方法において非線形抵
抗素子形成後、再度、画素電極と金属膜をエツチングす
る工程を行なうことによって、画素電極間のショート、
金属膜のエッチ残りを除去し、画素欠陥の発生を抑制し
、歩留まり向上に寄与するものである。
抗素子形成後、再度、画素電極と金属膜をエツチングす
る工程を行なうことによって、画素電極間のショート、
金属膜のエッチ残りを除去し、画素欠陥の発生を抑制し
、歩留まり向上に寄与するものである。
従来の非線形抵抗素子の要部の平面図を第３図（ａ）に
示し、第３図（ｂ）にそのｘ−ｘ’線断面図を示す、ガ
ラス、石英等の透明絶縁基板ｌ上に、インジウム−錫酸
化物（ＩＴＯ）等の透明導電膜からなる画素電極２を１
回目のフォトリングラフィにて形成し１次に非線形抵抗
膜３を積層して２回目のフォトリングラフィにてパター
ン形成する０次に行または列電極となるＣｒ、ＡＡ等の
金属膜４をスパッタ等で積層して、３回目のフォトリソ
グラフィにて形成している。
示し、第３図（ｂ）にそのｘ−ｘ’線断面図を示す、ガ
ラス、石英等の透明絶縁基板ｌ上に、インジウム−錫酸
化物（ＩＴＯ）等の透明導電膜からなる画素電極２を１
回目のフォトリングラフィにて形成し１次に非線形抵抗
膜３を積層して２回目のフォトリングラフィにてパター
ン形成する０次に行または列電極となるＣｒ、ＡＡ等の
金属膜４をスパッタ等で積層して、３回目のフォトリソ
グラフィにて形成している。
このような従来の非線形抵抗素子の製造方法においては
、画素電極２、金属膜４をフォトリングラフィにて形成
時、基板に付着したゴミや、マスクに付着したゴミある
いは、レジスト中に混入したゴミ等によって、基板全体
に所望のパターンが得られない不都合がしばしばある。
、画素電極２、金属膜４をフォトリングラフィにて形成
時、基板に付着したゴミや、マスクに付着したゴミある
いは、レジスト中に混入したゴミ等によって、基板全体
に所望のパターンが得られない不都合がしばしばある。
すなわち、第３５１（ａ）に示すように、ゴミの付着等
によって画素電極２間がショート５．あるいはエッチ残
り６が形成される。また、金属膜４のエッチ残り７が形
成される。
によって画素電極２間がショート５．あるいはエッチ残
り６が形成される。また、金属膜４のエッチ残り７が形
成される。
［発明が解決しようとする課題］
このように形成された基板で液晶等と組み合わせて画像
表示装置を構成すると、所望する所以外の画素に信号が
書き込まれたり、あるいは画素電極２間のショート５に
よって、となりの画素まで信号が書き込まれたりする欠
陥が発生した。
表示装置を構成すると、所望する所以外の画素に信号が
書き込まれたり、あるいは画素電極２間のショート５に
よって、となりの画素まで信号が書き込まれたりする欠
陥が発生した。
非線形抵抗素子は、液晶と組み合わされ、画像表示装置
等として応用されるものである０通常。
等として応用されるものである０通常。
基板上に多数の非線形抵抗素子が構成されるものであり
、非線形抵抗素子群を有する基板の製造歩留まりを向上
することが課題となっていた。
、非線形抵抗素子群を有する基板の製造歩留まりを向上
することが課題となっていた。
［課題を解決するための手段］
上記課題を解決するために本発明は、非線形抵抗素子形
成後、再度画素電極と金属膜をエツチングする工程を実
施するものである。
成後、再度画素電極と金属膜をエツチングする工程を実
施するものである。
〔作用］
上記のように、画素電極と金属膜を再度エツチングする
ことによって、画素電極と金属膜なフォトリソグラフィ
で形成時に生じるゴミ等に起因するエッチ残り、あるい
は画素間のショートを抑制することができる。従ってプ
ロセス歩留まりが向上し、製造コストの低減と信頼性の
高い非線形抵抗素子を実現するものである。
ことによって、画素電極と金属膜なフォトリソグラフィ
で形成時に生じるゴミ等に起因するエッチ残り、あるい
は画素間のショートを抑制することができる。従ってプ
ロセス歩留まりが向上し、製造コストの低減と信頼性の
高い非線形抵抗素子を実現するものである。
〔実施例Ｊ
以下に１本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図及び第２図は５本発明の一実施例を示す非線形抵
抗素子の製造工程順の平面図及びＸ−Ｘ′線断面図を示
す。
抗素子の製造工程順の平面図及びＸ−Ｘ′線断面図を示
す。
第１図（ａ）及び第２図（ａ）は、ガラス、石英等の透
明絶縁体からなる基板ｌ上に、ＩＴＯ等の透明導電性被
膜を成膜し、１回目のフォトリソグラフィ（レジストコ
ート−マス２合わせ→露光→現像→エツチング→レジス
ト剥離）によって、画素電極２を形成する。１回目のフ
ォトリングラフィ工程以前あるいは工程中に付着したゴ
ミ、マスクに付着したゴミ、レジスト中に混入したゴミ
、エツチング時に付着したゴミ等によって、画素電極間
のショート部５、あるいはエッチ残り部６が発生するこ
とがある。
明絶縁体からなる基板ｌ上に、ＩＴＯ等の透明導電性被
膜を成膜し、１回目のフォトリソグラフィ（レジストコ
ート−マス２合わせ→露光→現像→エツチング→レジス
ト剥離）によって、画素電極２を形成する。１回目のフ
ォトリングラフィ工程以前あるいは工程中に付着したゴ
ミ、マスクに付着したゴミ、レジスト中に混入したゴミ
、エツチング時に付着したゴミ等によって、画素電極間
のショート部５、あるいはエッチ残り部６が発生するこ
とがある。
第１図（ｂ）及び第２図（ｂ）は、プラズマＣＶＤ装置
やスパッター装置等によって非線形抵抗膜３を成膜後、
連続してスパッタ装置等によって金属膜４を成膜し、２
回目のフォトリングラフィによって金属膜４と非線形抵
抗１１３をバターニングした状態を示す、なお２回目の
フォトリングラフィ工程は、金属膜４のパターンが非線
形抵抗膜３の内側になるようにする。また本実施例では
、非線形抵抗膜３は化学量論比よりもシリコン含有量の
多いシリコン酸化膜、シリコン窒化膜または炭化シリコ
ン膜を使用した。また、金属膜４はＣｒあるいはｐ、ｔ
２−Ｓ ｉｌｌを使用した。なお金属膜４のエッチ残り
部７は、ゴミ等によって発生する。従来の非線形抵抗素
子はここで完成する。
やスパッター装置等によって非線形抵抗膜３を成膜後、
連続してスパッタ装置等によって金属膜４を成膜し、２
回目のフォトリングラフィによって金属膜４と非線形抵
抗１１３をバターニングした状態を示す、なお２回目の
フォトリングラフィ工程は、金属膜４のパターンが非線
形抵抗膜３の内側になるようにする。また本実施例では
、非線形抵抗膜３は化学量論比よりもシリコン含有量の
多いシリコン酸化膜、シリコン窒化膜または炭化シリコ
ン膜を使用した。また、金属膜４はＣｒあるいはｐ、ｔ
２−Ｓ ｉｌｌを使用した。なお金属膜４のエッチ残り
部７は、ゴミ等によって発生する。従来の非線形抵抗素
子はここで完成する。
第１図（Ｃ）及び第２図（ｃ）は、３回目のフォトリン
グラフィ工程の現像後の状態を示す、レジスト８は、非
線形抵抗素子を構成する画素電極２、非線形抵抗膜３、
金属膜４をカバーするように形成されている。
グラフィ工程の現像後の状態を示す、レジスト８は、非
線形抵抗素子を構成する画素電極２、非線形抵抗膜３、
金属膜４をカバーするように形成されている。
第１図（ｄ）及び第２図（ｄ）は、画素電極間のショー
ト部５．エッチ残り部６．金ＭＩＩＩ４のエッチ残り部
７をエツチングして、レジストを剥離した状態を示す１
本実施例では１画素電極２としてＩＴＯ膜、金属膜４と
してＣｒ膜を使用したので、金属膜４のエッチ残り部７
のエツチングとして混酸（過塩素酸中硝酸第二セリウム
アンモン＋水）を使用して金属膜４をエツチングした時
と同条件でエツチングした。また画素電極２のショート
部５とエッチ残り部６のエツチングとして塩化第二鉄と
塩酸の混合液で、画素電極２をエツチングした時と同条
件でエツチングした。第１図（ｄ）及び第２図（ｄ）か
ら分るように１画素電極２間のショート部５、金１ｉＥ
Ｉｌｉ４のエッチ残り部７が除去される。
ト部５．エッチ残り部６．金ＭＩＩＩ４のエッチ残り部
７をエツチングして、レジストを剥離した状態を示す１
本実施例では１画素電極２としてＩＴＯ膜、金属膜４と
してＣｒ膜を使用したので、金属膜４のエッチ残り部７
のエツチングとして混酸（過塩素酸中硝酸第二セリウム
アンモン＋水）を使用して金属膜４をエツチングした時
と同条件でエツチングした。また画素電極２のショート
部５とエッチ残り部６のエツチングとして塩化第二鉄と
塩酸の混合液で、画素電極２をエツチングした時と同条
件でエツチングした。第１図（ｄ）及び第２図（ｄ）か
ら分るように１画素電極２間のショート部５、金１ｉＥ
Ｉｌｉ４のエッチ残り部７が除去される。
以上のように、非線形抵抗素子が形成された後に、表示
に必要な部分を再度レジストで覆い、導電性の材料のみ
をそれぞれの前工程と同じ条件でエツチングを行ない、
不要部分を除去するようにした。
に必要な部分を再度レジストで覆い、導電性の材料のみ
をそれぞれの前工程と同じ条件でエツチングを行ない、
不要部分を除去するようにした。
〔発明の効果１
本発明は、以上説明したように非線形抵抗素子の製造方
法において、非線形抵抗素子形成後、再度、画素電極と
金属膜のエッチ残り部やショート部をエツチングするこ
とによって、画素電極間のショートや、金属膜のエッチ
残りを除去でき、画素欠陥の発生を抑制し、歩留まり向
上に効果が大きい。
法において、非線形抵抗素子形成後、再度、画素電極と
金属膜のエッチ残り部やショート部をエツチングするこ
とによって、画素電極間のショートや、金属膜のエッチ
残りを除去でき、画素欠陥の発生を抑制し、歩留まり向
上に効果が大きい。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明にかかる非線形抵抗素子
の製造工程順平面図を示し、第２図（ａ）〜（ｄ）は本
発明にかかる非線形抵抗素子の製造工程順を示す断面図
、第３図（ａ）、（ｂ）は従来の非線形抵抗素子の平面
図と断面図である。 第 １ 図 ・基板 ・画素電極 ・非線形抵抗膜 ・金属膜 ・画素電極間のショート部 ・エッチ残り部 ・金属膜のエッチ残り部 ・レジスト 出願人 セイコー電子工業株式会社
の製造工程順平面図を示し、第２図（ａ）〜（ｄ）は本
発明にかかる非線形抵抗素子の製造工程順を示す断面図
、第３図（ａ）、（ｂ）は従来の非線形抵抗素子の平面
図と断面図である。 第 １ 図 ・基板 ・画素電極 ・非線形抵抗膜 ・金属膜 ・画素電極間のショート部 ・エッチ残り部 ・金属膜のエッチ残り部 ・レジスト 出願人 セイコー電子工業株式会社
Claims (1)
- 絶縁性基板上に、透明導電性被膜からなる画素電極と、
非線形抵抗膜と、金属膜とを積層構造とする非線形抵抗
素子の製造方法において、非線形抵抗素子形成後、再度
、画素電極と金属膜をエッチングする工程を含んだこと
を特徴とする非線形抵抗素子の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1075565A JPH02253236A (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | 非線形抵抗素子の製造方法 |
| EP90303113A EP0393851A1 (en) | 1989-03-28 | 1990-03-22 | A method of manufacturing a non-linear resistive element array |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1075565A JPH02253236A (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | 非線形抵抗素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02253236A true JPH02253236A (ja) | 1990-10-12 |
Family
ID=13579832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1075565A Pending JPH02253236A (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | 非線形抵抗素子の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0393851A1 (ja) |
| JP (1) | JPH02253236A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2244860A (en) * | 1990-06-04 | 1991-12-11 | Philips Electronic Associated | Fabricating mim type device array and display devices incorporating such arrays |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61151541A (ja) * | 1984-12-25 | 1986-07-10 | Citizen Watch Co Ltd | 液晶表示パネル用電極基板の製造方法 |
-
1989
- 1989-03-28 JP JP1075565A patent/JPH02253236A/ja active Pending
-
1990
- 1990-03-22 EP EP90303113A patent/EP0393851A1/en not_active Withdrawn
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61151541A (ja) * | 1984-12-25 | 1986-07-10 | Citizen Watch Co Ltd | 液晶表示パネル用電極基板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0393851A1 (en) | 1990-10-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2771820B2 (ja) | アクティブマトリクスパネル及びその製造方法 | |
| JP2637078B2 (ja) | 転倒薄膜電界効果トランジスタのゲート電極材料を沈積する方法 | |
| JP2008107849A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JPH11288007A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JP2814155B2 (ja) | Ｉｔｏ膜パターンの形成方法および液晶表示素子用基板の製造方法 | |
| JP2952075B2 (ja) | 液晶素子の製造法 | |
| JPH1062818A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JPS60100173A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JP2000002886A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JP2866516B2 (ja) | アクティブマトリックス基板およびその製造方法 | |
| JPH02253236A (ja) | 非線形抵抗素子の製造方法 | |
| JPS62286271A (ja) | 薄膜トランジスタ基板の製造方法 | |
| JPH06160877A (ja) | 薄膜配線構造及びそれを用いた液晶表示装置 | |
| JPH02139972A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3514997B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法およびアクティブマトリクス基板の製造方法 | |
| JP2934731B2 (ja) | 非線形抵抗素子とその製造方法 | |
| JPH02251932A (ja) | 非線形抵抗素子の製造方法 | |
| JPH02272774A (ja) | アクティブマトリクス回路基板 | |
| JPH05224220A (ja) | 液晶表示素子用基板のパタ−ン形成方法 | |
| JPH06250217A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS614233A (ja) | 透明導電膜のエツチング方法 | |
| JPH02130551A (ja) | 薄膜パターンとその製造方法ならびにそれを用いたマトリクス回路基板と画像表示装置 | |
| JPH07110496A (ja) | アクティブマトリクスパネルの製造方法 | |
| JP2629743B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JP2704212B2 (ja) | 電気光学装置の製造方法 |